JPH0575547A - 光送信器 - Google Patents
光送信器Info
- Publication number
- JPH0575547A JPH0575547A JP3230040A JP23004091A JPH0575547A JP H0575547 A JPH0575547 A JP H0575547A JP 3230040 A JP3230040 A JP 3230040A JP 23004091 A JP23004091 A JP 23004091A JP H0575547 A JPH0575547 A JP H0575547A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- circuit
- input
- input signal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光送信器への入力信号が断、無入力開放あるい
は規定入力信号ハイレベル以上の過大な直流信号となっ
た場合、半導体レーザ駆動回路から半導体レーザへの駆
動電流の供給を遮断し、半導体レーザ出射光の発光を禁
止させる。 【構成】入力信号のパルス成分の積分値を検出するマー
ク率検出回路４と規定入力レベル内で動作する遮断回路
３を、従来の半導体レーザ駆動回路１，半導体レーザモ
ジュール２，光出力安定化回路５，温度安定化回路１０
を含む光送信器に設ける。 【効果】光受信局に光入力断信号を発生させ、システム
メンテナンス上の高効率化が可能となり、さらには、半
導体レーザの長寿命化が確保できる。
は規定入力信号ハイレベル以上の過大な直流信号となっ
た場合、半導体レーザ駆動回路から半導体レーザへの駆
動電流の供給を遮断し、半導体レーザ出射光の発光を禁
止させる。 【構成】入力信号のパルス成分の積分値を検出するマー
ク率検出回路４と規定入力レベル内で動作する遮断回路
３を、従来の半導体レーザ駆動回路１，半導体レーザモ
ジュール２，光出力安定化回路５，温度安定化回路１０
を含む光送信器に設ける。 【効果】光受信局に光入力断信号を発生させ、システム
メンテナンス上の高効率化が可能となり、さらには、半
導体レーザの長寿命化が確保できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ通信などに用
いて好適な光送信器に関する。
いて好適な光送信器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光送信器に入力される信号により、半導
体レーザ出射光を強度変調する光送信器は、図３に代表
される回路構成で成立している。例えば、特開平２−１
５５２８５号公報は、図３の回路構成を基本とした従来
技術である。
体レーザ出射光を強度変調する光送信器は、図３に代表
される回路構成で成立している。例えば、特開平２−１
５５２８５号公報は、図３の回路構成を基本とした従来
技術である。
【０００３】図中、１は、半導体レーザ駆動回路、２
は、半導体レーザ６、モニタフォトダイオード７、温度
検出素子９と熱電子冷却素子８を内蔵した半導体レーザ
モジュールである。５は、１１の抵抗に流れるモニタフ
ォトダイオード７の電流により、半導体レーザ６の光出
力を安定化させる光出力安定化回路である。１０は、温
度検出素子９と熱電子冷却素子８を用いて半導体レーザ
６の温度を安定化させる温度安定化回路である。半導体
レーザ出射光強度を変調する入力信号は、入力端子１２
に印加され、半導体レーザ駆動回路１により光変調信号
電流と直流バイアス電流に変換され、半導体レーザ６に
供給される。直流バイアス電流値は、半導体レーザ６の
発振しきい値とほぼ等しい。また、変調信号電流値や直
流バイアス電流値は、光出力安定化回路５により制御さ
れる。
は、半導体レーザ６、モニタフォトダイオード７、温度
検出素子９と熱電子冷却素子８を内蔵した半導体レーザ
モジュールである。５は、１１の抵抗に流れるモニタフ
ォトダイオード７の電流により、半導体レーザ６の光出
力を安定化させる光出力安定化回路である。１０は、温
度検出素子９と熱電子冷却素子８を用いて半導体レーザ
６の温度を安定化させる温度安定化回路である。半導体
レーザ出射光強度を変調する入力信号は、入力端子１２
に印加され、半導体レーザ駆動回路１により光変調信号
電流と直流バイアス電流に変換され、半導体レーザ６に
供給される。直流バイアス電流値は、半導体レーザ６の
発振しきい値とほぼ等しい。また、変調信号電流値や直
流バイアス電流値は、光出力安定化回路５により制御さ
れる。
【０００４】以上の動作で、従来の光送信器は、半導体
レーザ出射光を強度変調し、光ファイバに伝送させる構
成となっていた。
レーザ出射光を強度変調し、光ファイバに伝送させる構
成となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、光送
信器への入力信号が断、無入力開放あるいは規定入力信
号ハイレベル以上の過大な直流信号となった時の半導体
レーザ出射光に対する制御機能について考慮がなされて
いない。従って、上記の時間内に半導体レーザを過大発
光させ、その発振しきい値の増大等により代表される半
導体レーザの電気光学的特性を劣化させること、さらに
は上記の時間内に光ファイバを伝搬した半導体レーザ出
射光を光受信局で受信した場合、光受信局単独では原因
追及不可能な符号誤りを発生させることが懸念された。
信器への入力信号が断、無入力開放あるいは規定入力信
号ハイレベル以上の過大な直流信号となった時の半導体
レーザ出射光に対する制御機能について考慮がなされて
いない。従って、上記の時間内に半導体レーザを過大発
光させ、その発振しきい値の増大等により代表される半
導体レーザの電気光学的特性を劣化させること、さらに
は上記の時間内に光ファイバを伝搬した半導体レーザ出
射光を光受信局で受信した場合、光受信局単独では原因
追及不可能な符号誤りを発生させることが懸念された。
【０００６】本発明の第一の目的は、上記時間内におい
て半導体レーザの発光を禁止し、半導体レーザの長寿命
化を図ることにある。
て半導体レーザの発光を禁止し、半導体レーザの長寿命
化を図ることにある。
【０００７】本発明の第二の目的は、上記時間内におい
て半導体レーザの発光を禁止し、光受信局に、光入力断
アラームを発生させることにある。
て半導体レーザの発光を禁止し、光受信局に、光入力断
アラームを発生させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目標を達成するため
の手段を以下に記す。図３に記した光送信器に、半導体
レーザ駆動回路に入力される入力信号のパルス成分の積
分値を検出する機能を具備したマーク率検出回路と、半
導体レーザ駆動電流（前記光変調信号電流と直流バイア
ス電流）の半導体レーザ駆動回路から半導体レーザへの
供給をオンオフする遮断回路を設ける。マーク率検出回
路の出力がＡ＜Ｂを満たす実数規定値Ａ以下または、実
数規定値Ｂ以上となる時、遮断回路を動作させ、半導体
レーザの発光を禁止させることとする。
の手段を以下に記す。図３に記した光送信器に、半導体
レーザ駆動回路に入力される入力信号のパルス成分の積
分値を検出する機能を具備したマーク率検出回路と、半
導体レーザ駆動電流（前記光変調信号電流と直流バイア
ス電流）の半導体レーザ駆動回路から半導体レーザへの
供給をオンオフする遮断回路を設ける。マーク率検出回
路の出力がＡ＜Ｂを満たす実数規定値Ａ以下または、実
数規定値Ｂ以上となる時、遮断回路を動作させ、半導体
レーザの発光を禁止させることとする。
【０００９】
【作用】前記課題を解決するための手段の作用は、以下
の通りである。
の通りである。
【００１０】マーク率検出回路の入力信号マーク率に対
する出力電圧特性を図４に記す。マーク率検出回路は、
入力信号のパルス成分の積分値を出力する。従って、Ｅ
ＣＬ，ＴＴＬ等のインタフェースで直流成分を含んだ入
力信号をマーク率検出回路に入力した場合、その出力
は、図４中で実線で記したように、入力信号マーク率０
％から１００％までの範囲でほぼ直線的に変化する特性
が得られる。
する出力電圧特性を図４に記す。マーク率検出回路は、
入力信号のパルス成分の積分値を出力する。従って、Ｅ
ＣＬ，ＴＴＬ等のインタフェースで直流成分を含んだ入
力信号をマーク率検出回路に入力した場合、その出力
は、図４中で実線で記したように、入力信号マーク率０
％から１００％までの範囲でほぼ直線的に変化する特性
が得られる。
【００１１】前述のように、光送信器に印加された入力
信号を二方向に分岐し、一方を半導体レーザ駆動回路
に、他方を上述の図４の特性をもつマーク率検出回路に
入力する。遮断回路とマーク率検出回路とを接続し、遮
断回路の動作条件として、その入力値（マーク率検出回
路出力値）が規定値Ａ以下及び規定値Ｂ以上となったと
き、すなわち、マーク率がＭＬ以下ＭＨ以上となった
時、動作するよう遮断回路をコンパレータ等で構成す
る。
信号を二方向に分岐し、一方を半導体レーザ駆動回路
に、他方を上述の図４の特性をもつマーク率検出回路に
入力する。遮断回路とマーク率検出回路とを接続し、遮
断回路の動作条件として、その入力値（マーク率検出回
路出力値）が規定値Ａ以下及び規定値Ｂ以上となったと
き、すなわち、マーク率がＭＬ以下ＭＨ以上となった
時、動作するよう遮断回路をコンパレータ等で構成す
る。
【００１２】以上の各機能を持つ回路で構成した光送信
器の入力端子に、マーク率が約５０％にスクランブル化
された入力信号を印加した場合、マーク率検出回路の出
力値は、図４のＣの近くの値となる。このとき、遮断回
路は動作せず、半導体レーザ駆動回路から半導体レーザ
に駆動電流が供給され、半導体レーザ出射光の強度変調
が実施される。
器の入力端子に、マーク率が約５０％にスクランブル化
された入力信号を印加した場合、マーク率検出回路の出
力値は、図４のＣの近くの値となる。このとき、遮断回
路は動作せず、半導体レーザ駆動回路から半導体レーザ
に駆動電流が供給され、半導体レーザ出射光の強度変調
が実施される。
【００１３】しかし、入力信号が断、無入力開放あるい
は規定入力信号ハイレベル以上の過大な直流信号となっ
た場合、マーク率検出回路の出力値は、図４の規定値Ａ
以下あるいは規定値Ｂ以上となり、遮断回路が動作し、
半導体レーザ駆動回路から半導体レ−ザへの駆動電流の
供給が遮断され、半導体レーザ出射光の発光が禁止され
る。
は規定入力信号ハイレベル以上の過大な直流信号となっ
た場合、マーク率検出回路の出力値は、図４の規定値Ａ
以下あるいは規定値Ｂ以上となり、遮断回路が動作し、
半導体レーザ駆動回路から半導体レ−ザへの駆動電流の
供給が遮断され、半導体レーザ出射光の発光が禁止され
る。
【００１４】
【実施例】先ず、第一の実施例を図１及び図４により説
明する。
明する。
【００１５】図１は、本発明の光送信器の回路構成例を
示すブロック図である。入力端子１２に印加されたマー
ク率が約５０％にスクランブル化された入力信号を二方
向に分岐する。一方を半導体レ−ザ駆動回路１に、他方
をマーク率検出回路４に入力する。図１の構成で、マ−
ク率検出回路４の入力信号マーク率に対する出力特性
は、図４中の実線の特性を示す。入力信号が、入力端子
１３に印加されたとき、マーク率検出回路４の出力は、
図４のＣの近くの値となり、この値が遮断回路３に入力
される。遮断回路３を入力レベルが規定値Ａ以下規定値
Ｂ以上で動作するようにコンパレータ等で構成すると、
上の入力条件では、遮断回路３は非動作状態となり、半
導体レーザ駆動回路１から半導体レ−ザ６に駆動電流が
供給され、半導体レーザ出射光の強度変調が実施され
る。非変調光は、半導体レーザモジュール２に接続され
た光ファイバと半導体レーザモジュール２に内蔵された
モニタフォトダイオード７に入射される。モニタフォト
ダイオード７から半導体レーザ６の出射光強度にほぼ比
例したモニタ電流が流れ抵抗１１によりモニタ電圧に変
換される。本モニタ電圧は、光出力安定化回路５に入力
され、モニタ電圧が一定となるように半導体レーザ駆動
電流が調整される。
示すブロック図である。入力端子１２に印加されたマー
ク率が約５０％にスクランブル化された入力信号を二方
向に分岐する。一方を半導体レ−ザ駆動回路１に、他方
をマーク率検出回路４に入力する。図１の構成で、マ−
ク率検出回路４の入力信号マーク率に対する出力特性
は、図４中の実線の特性を示す。入力信号が、入力端子
１３に印加されたとき、マーク率検出回路４の出力は、
図４のＣの近くの値となり、この値が遮断回路３に入力
される。遮断回路３を入力レベルが規定値Ａ以下規定値
Ｂ以上で動作するようにコンパレータ等で構成すると、
上の入力条件では、遮断回路３は非動作状態となり、半
導体レーザ駆動回路１から半導体レ−ザ６に駆動電流が
供給され、半導体レーザ出射光の強度変調が実施され
る。非変調光は、半導体レーザモジュール２に接続され
た光ファイバと半導体レーザモジュール２に内蔵された
モニタフォトダイオード７に入射される。モニタフォト
ダイオード７から半導体レーザ６の出射光強度にほぼ比
例したモニタ電流が流れ抵抗１１によりモニタ電圧に変
換される。本モニタ電圧は、光出力安定化回路５に入力
され、モニタ電圧が一定となるように半導体レーザ駆動
電流が調整される。
【００１６】また、半導体レーザモジュール２には、半
導体レーザ６の温度を検出する温度検出素子９および熱
電子冷却素子８をも内蔵し、温度安定化回路１０を介
し、半導体レーザ６の温度を一定温度に制御する。
導体レーザ６の温度を検出する温度検出素子９および熱
電子冷却素子８をも内蔵し、温度安定化回路１０を介
し、半導体レーザ６の温度を一定温度に制御する。
【００１７】入力信号が断、無入力開放あるいは規定入
力信号ハイレベル以上の過大な直流信号となった場合、
マーク率検出回路４の出力値は、図４の規定値Ａ以下あ
るいは規定値Ｂ以上となり、遮断回路３が動作し、半導
体レーザ駆動回路４から半導体レーザ６への駆動電流の
供給が遮断され、半導体レーザ出射光の発光が禁止され
る。
力信号ハイレベル以上の過大な直流信号となった場合、
マーク率検出回路４の出力値は、図４の規定値Ａ以下あ
るいは規定値Ｂ以上となり、遮断回路３が動作し、半導
体レーザ駆動回路４から半導体レーザ６への駆動電流の
供給が遮断され、半導体レーザ出射光の発光が禁止され
る。
【００１８】図２は、半導体レーザモジュール２として
温度検出素子９および熱電子冷却素子８を内蔵しない半
導体レーザモジュールを用いた実施例一に相当する回路
構成図である。本実施例二でも実施例一と同等の機能が
実現できる。
温度検出素子９および熱電子冷却素子８を内蔵しない半
導体レーザモジュールを用いた実施例一に相当する回路
構成図である。本実施例二でも実施例一と同等の機能が
実現できる。
【００１９】また、マーク率検出回路４の入力信号マー
ク率に対する出力特性として、図５の特性をもつものを
用いても実施例一，二と同等の機能が実現できる。
ク率に対する出力特性として、図５の特性をもつものを
用いても実施例一，二と同等の機能が実現できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、入力信号が断、無入力
開放あるいは規定入力信号ハイレベル以上の過大な直流
信号となった場合、マーク率検出回路の出力値は、規定
値Ａ以下あるいは規定値Ｂ以上となり、遮断回路が動作
し、半導体レーザ駆動回路から半導体レーザ６への駆動
電流の供給が遮断され、半導体レーザ出射光の発光が禁
止され、この時間内で半導体レーザは過大発光すること
なく、半導体レーザの長寿命化を図ることができる。
開放あるいは規定入力信号ハイレベル以上の過大な直流
信号となった場合、マーク率検出回路の出力値は、規定
値Ａ以下あるいは規定値Ｂ以上となり、遮断回路が動作
し、半導体レーザ駆動回路から半導体レーザ６への駆動
電流の供給が遮断され、半導体レーザ出射光の発光が禁
止され、この時間内で半導体レーザは過大発光すること
なく、半導体レーザの長寿命化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の光送信回路のブロック図、
【図２】本発明の実施例２の光送信回路のブロック図、
【図３】従来技術例の光送信回路のブロック図、
【図４】マーク率検出回路の入力信号マーク率に対する
第一の出力特性、
第一の出力特性、
【図５】マーク率検出回路の入力信号マーク率に対する
第二の出力特性図。
第二の出力特性図。
１…半導体レーザ駆動回路， ２…半導体レーザモジュ−ル， ３…遮断回路， ４…マーク率検出回路， ５…光出力安定化回路， ６…半導体レーザ， ７…モニタフォトダイオ−ド， ８…熱電子冷却素子， ９…温度検出素子， １０…温度安定化回路， １１…抵抗， １２…入力端子。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザと、入力信号により前記半導
体レーザの出射光を強度変調する光変調信号電流と直流
バイアス電流とから成る半導体レーザ駆動電流を前記半
導体レーザに供給する半導体レーザ駆動回路と、入力信
号のパルス成分の積分値を検出するマーク率検出回路
と、前記半導体レーザ駆動電流の供給をオンオフする遮
断回路とから成る光送信器において、入力信号を二分岐
し、一方を前記半導体レーザ駆動回路に入力し、他方を
前記マーク率検出回路に入力し、前記マーク率検出回路
の出力が、Ａ＜Ｂを満たす実数規定値Ａ以下または実数
規定値Ｂ以上となる時、前記遮断回路を動作させ、前記
半導体レーザの発光を禁止する機能を設けたことを特徴
とする光送信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230040A JPH0575547A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 光送信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230040A JPH0575547A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 光送信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575547A true JPH0575547A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16901625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3230040A Pending JPH0575547A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 光送信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575547A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147446A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路 |
| GB2322025A (en) * | 1994-05-20 | 1998-08-12 | Fujitsu Ltd | Optical transmission apparatus with means for detecting an anomalous mark rate |
| EP1246327A2 (en) * | 2001-03-16 | 2002-10-02 | NTT Electronics Corporation | Optical output control circuit for obtaining stable optical output power |
| US6480314B1 (en) | 1998-04-27 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Optical transmitter |
| JP2003110505A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信機及び波長分割多重伝送システム |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP3230040A patent/JPH0575547A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147446A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路 |
| GB2322025A (en) * | 1994-05-20 | 1998-08-12 | Fujitsu Ltd | Optical transmission apparatus with means for detecting an anomalous mark rate |
| GB2322025B (en) * | 1994-05-20 | 1998-11-04 | Fujitsu Ltd | Optical transmission apparatus |
| US6480314B1 (en) | 1998-04-27 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Optical transmitter |
| EP1246327A2 (en) * | 2001-03-16 | 2002-10-02 | NTT Electronics Corporation | Optical output control circuit for obtaining stable optical output power |
| EP1246327A3 (en) * | 2001-03-16 | 2005-01-12 | NTT Electronics Corporation | Optical output control circuit for obtaining stable optical output power |
| JP2003110505A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信機及び波長分割多重伝送システム |
| JP4569064B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2010-10-27 | 住友電気工業株式会社 | 光送信機及び波長分割多重伝送システム |
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