JPH0716170B2 - 光送信装置 - Google Patents

光送信装置

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JPH0716170B2
JPH0716170B2 JP1280433A JP28043389A JPH0716170B2 JP H0716170 B2 JPH0716170 B2 JP H0716170B2 JP 1280433 A JP1280433 A JP 1280433A JP 28043389 A JP28043389 A JP 28043389A JP H0716170 B2 JPH0716170 B2 JP H0716170B2
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邦明 本島
智彦 南原
忠善 北山
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はレーザ素子による光信号を送信する光送信装
置に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は例えば特開昭60−121834号公報に示された構成
に基づく従来の光送信装置の電気回路図である。第3図
において、1は半導体レーザ素子としてのLD(Laser Di
ode)8に変調電流を供給するとともに該変調電流を光
出力禁止信号により停止させる変調回路である。この変
調回路1はトランジスタ2,3、電流源4及び電流スイッ
チ5から成る。9はLD8に直流のバイアス電流を供給す
るとともに該バイアス電流を上記光出力禁止信号により
停止させ上記変調回路1からの変調電流と自出力電流と
が加算されるように接続されたバイアス電流回路であ
る。このバイアス電流回路9はトランジスタ10,11、電
流源12、電流スイッチ13、ホトダイオード14及びコンデ
ンサ15から成る。17は上位変調電流と上記バイアス電流
回路9からのバイアス電流との加算点aと上記バイアス
電流回路9の出力点b間に接続された抵抗である。18は
上記抵抗17の両端に発生する電圧をモニタするバッファ
増幅回路である。このバッファ増幅回路18は、抵抗19,2
0,21,22及び演算増幅器23から成る。6は高速光変調信
号入力端子、7はしきい値入力端子、16は光出力禁止信
号入力端子、24は基準電圧を供給する電源REF、25はバ
ッファ増幅回路出力端子、26は電源VCC、27は電源VEEで
ある。
次に従来の光送信装置の動作について説明する。変調回
路1は対を成すトランジスタ2とトランジスタ3と電流
源4および電流スイッチ5から成る。高速光変調信号入
力端子6から入力されるデジタル高速光変調信号に対
し、しきい値入力端子7の電圧をスイッチングしきい値
として電流源4から電流スイッチ5を経由して供給され
る電流を切換スイッチング動作させる。LD8はトランジ
スタ3のコレクタに接続され切換スイッチされたパルス
電流により高速光変調される。
バイアス電流回路9はトランジスタ10、トランジスタ1
1、電流源12、電流スイッチ13、ホトダイオード14、及
びコンデンサ15から構成される。トランジスタ10とトラ
ンジスタ11はダーリントン接続され電流源12から電流ス
イッチ13経由で供給される電流とホトダイオード14の出
力電流との差の電流を増幅しLD8へ供給している。ホト
ダイオード14はLD8の出力光をモニタしている。ホトダ
イオード14の出力電流はコンデンサ15で高周波信号は短
絡され低周波成分のみ出力される。バイアス電流回路9
とLD8からなるループは負帰還制御ループでありホトダ
イオード14の出力電流は電流源12の出力電流にほぼ等し
くなるように自動制御される。電流源12は光出力を決定
する電流源である。
ところでシステムの保守用に光ファイバに別の光信号を
通して回線断などを調べるために、時に光送信装置の出
力を停止する必要がある。光送信装置の出力を停止する
には端子16から入力される光出力禁止信号により電流ス
イッチ5及び電流スイッチ13を開放にし変調回路1から
もバイアス電流回路9からも電流が出力されなくなる。
これによりLD8の光出力は完全に停止する。
またシステムの保守のためにLD8に流れているバイアス
電流をモニタし、電流値が異常になるとこれを検出しア
ラームを発する場合がある。
第3図に示す従来の光伝送装置においては抵抗17とバッ
ファ増幅回路18により構成した簡便なバイアス電流モニ
タ方式を用いている。バッファ増幅回路18は上述したよ
うに抵抗19、抵抗20、抵抗21、抵抗22および演算増幅器
23で構成される。抵抗19、抵抗20、抵抗21及び抵抗22は
抵抗値が等しくバッファ増幅回路18の反転動作を行なわ
せるもので、それらの利得は「1」である。この回路方
式では電源REF24と出力端子25との間に抵抗17の両端に
発生する電圧と同じ値の電圧を発生する。この回路方式
は、光出力が禁止されていないときには正常に動作す
る。光出力禁止時には、抵抗17の両端の電位差がゼロに
なるとともにLD8の端子間電圧もゼロになるのでバッフ
ァ増幅回路18の入力コモンモード電圧が電源VCC26に等
しくなる。入力コモンモード電圧が電源VCC26に等しく
なるとバッファ増幅回路18の出力は入力端子間電圧がゼ
ロであるにもかかわらず電流が流れている状態のように
電源VEE27側に低下することがある。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の光送信装置は以上のように構成されていたので、
光出力禁止時に入力電圧がバッファ増幅回路18の入力は
コモンモード動作範囲外になり正常動作できず、誤った
警報を出す事があるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、光出力禁止時にもバイアス電流を簡便な方法
で正確にモニタでき、誤った警報を出すような事を防止
できる光送信装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る光送信装置は、レーザ素子(LD8)に変
調電流を供給するとともに該変調電流を光出力禁止信号
により停止させる変調回路1と、上記レーザ素子に直流
のバイアス電流を供給するとともに該バイアス電流を上
記光出力禁止信号により停止させ上記変調回路1からの
変調電流と自出力電流とが加算されるように接続された
バイアス電流回路9と、上記変調電流と上記バイアス電
流回路9からのバイアス電流との加算点aと上記バイア
ス電流回路9の出力点b間に接続された抵抗17と、この
抵抗17の両端に発生する電圧をモニタする増幅回路18
と、上記変調電流と上記バイアス電流との加算点aに接
続され上記レーザ素子の発振しきい値以下の電流値を有
する電流源28とを備えたことを特徴とするものである。
〔作用〕
変調回路1はレーザ素子(LD8)に変調電流を供給する
とともに該変調電流を光出力禁止信号により停止させ
る。バイアス電流回路9はレーザ素子に直流のバイアス
電流を供給するとともに該バイアス電流を光出力禁止信
号により停止させ変調回路1からの変調電流と自出力電
流とを加算する。抵抗17は加算点aの電位と出力点bの
電位との差の電圧を発生する。増幅回路18は抵抗17の両
端に発生する電圧をモニタする。電流源28はレーザ素子
の発振しきい値以下の電流値で電流を流す。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例に係る光送信装置の電気回
路図である。第1図において、第3図に示す構成要素に
対応するものには同一の符号を付し、その説明を省略す
る。第1図において、28は変調回路1からの変調電流と
バイアス電流回路9からのバイアス電流との加算点aに
接続されLD8の発振しきい値以下の電流値を有する電流
源である。
次にこの実施例の動作について説明する。ここでは、第
3図に示した従来装置と異なる点について説明する。
第1図に示された本発明の一実施例について説明する前
にLD8の特性について第2図を用いて説明を行う。第2
図にはInGaAs−LDの一般的な光出力対電流・電圧特性を
示す。LD8は発振しきい値以上の電流(第2図では10m
A)に対し光出力を発するが、LD8の端子間電圧は微少の
電流(第2図では1mA)であっても定常の端子間電圧(1
V)に達することが分かる。したがって、光出力は発し
ないがLD8の端子間電圧は定常値に近い値をとる電流をL
D8に流すのは容易にできる。
第1図において、バッファ増幅回路18の入力コモンコー
ド電圧を光出力禁止時つまり変調回路1およびバイアス
電流回路9から電流を流さないときにも適切な範囲(通
常電源VCC26より1V程度離れている)に保つにはLD8の端
子間電圧をゼロにしないようにすればよい。電流源28の
電流値を例えば1mA程度とすれば容易に上記適切な範囲
に設定できる。
たとえ、低温になってLD8の発振しきい値が低くなって
も十分低い電流値に電流源28の値を設定すれば消光比の
劣化などは発生しない。
なお上記実施例ではバイアス電流回路9はダーリントン
接続による電流増幅器を用いた場合についてのべたが電
圧増幅器と電圧・電流変換回路(例えばエミッタ接地ト
ランジスタ回路)を用いた場合にも同様の効果がある。
光出力禁止のためのスイッチ13はトランジスタ10と抵抗
17の間に接続された場合などにも同様の効果がある。ま
だ、LD8と並列に抵抗を接続する場合などでは電流源28
の電流値をやや大きめにすれば同様の効果がある。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、変調電流とバイアス電流
との加算点に接続されレーザ素子の発振しきい値以下の
電流値を有する電流源を含み構成したので、光出力禁止
時にもバイアス電流を正確にモニタでき、誤った警報を
出すような事を防止でき、したがって信頼性が向上する
という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係る光送信装置の電気回
路図、第2図はこの実施例においてInGaAs−LDの光出力
対電流・電圧特性を示す図、第3図は従来の光送信装置
の電気回路図である。 1……変調回路、8……LD(半導体レーザ素子)、9…
…バイアス電流回路、17……抵抗、18……バッファ増幅
回路、28……電流源、a……加算点、b……出力点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 忠善 神奈川県鎌倉市大船5丁目1番1号 三菱 電機株式会社通信システム研究所内 (56)参考文献 実開 昭61−81240(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ素子に変調電流を供給するとともに
    該変調電流を光出力禁止信号により停止させる変調回路
    と、上記レーザ素子に直流のバイアス電流を供給すると
    ともに該バイアス電流を上記光出力禁止信号により停止
    させ上記変調回路からの変調電流と自出力電流とが加算
    されるように接続されたバイアス電流回路と、上記変調
    電流と上記バイアス電流回路からのバイアス電流との加
    算点と上記バイアス電流回路の出力点間に接続された抵
    抗と、この抵抗の両端に発生する電圧をモニタする増幅
    回路と、上記変調電流と上記バイアス電流との加算点に
    接続され上記レーザ素子の発振しきい値以下でかつ,上
    記レーザ素子のアノード・カソード間電圧が発光状態と
    ほぼ等しくなるような電流値を有する電流源を備えたこ
    とを特徴とする光送信装置。
JP1280433A 1989-01-20 1989-10-27 光送信装置 Expired - Fee Related JPH0716170B2 (ja)

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