JP2814943B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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Description
特に、情報処理機器の光源などに用いられる半導体レー
ザに関するものである。
の実用化が進み、高密度光ディスク装置などの光源とし
て期待されている。半導体レーザの出射光を光ディスク
上に集光して情報を再生する際、反射光の一部が半導体
レーザの共振器内部に戻るためにレーザ光にいわゆる戻
り光雑音が発生し、再生信号のC/N比(キャリア/ノ
イズ比)が悪化してしまうことが知られている。このC
/N比の悪化を抑制するための手法として、従来より、
高周波重畳法と自励振動(パルセーション)法が用いら
れてきた。
電流を重畳する方法であって、高周波重畳を行うことに
より、レーザ光のコヒーレンシを低減させ、戻り光によ
るレーザ雑音を抑制するものである。しかし、この方法
では、高周波重畳を行うために、+10dBm程度と比
較的高出力で200〜700MHzと比較的高周波な駆
動電流を発生させなければならず、これに必要な高周波
電流発生回路のコストや容積が光ディスク装置の低コス
ト化やコンパクト化に対する大きな阻害要因となる。さ
らに、高周波電流発生回路が装置外部へ高周波電磁波を
放射するため、電磁障害を起こすという問題も生じる。
飽和吸収領域を持ち、この可飽和吸収領域のキャリアと
活性層のキャリアと発振光が協同して自励振動(パルセ
ーション)を引き起こすものである。自励振動状態の発
振光のコヒーレンシは低いので、戻り光によるレーザ雑
音が発生しにくくなる。この方式では、上述の高周波電
流発生回路を使って高周波重畳を行なう必要がなく、外
部へ放射される高周波電磁波も極めて少ない。以下、パ
ルセーションレーザの従来技術について説明する。
くつかの可飽和吸収構造が報告されている。足立らは、
活性層のうち電流注入領域に隣接する領域が可飽和吸収
領域として働く構造を報告した(第55回応用物理学会
学術講演会講演予稿集No.3、p.939、20p-s-15、1994 年9
月)〔報告された構造は、図1(d)のものから可飽和
活性層5を除去したものに相当する〕。このレーザ構造
では、クラッド層残り厚をエッチング工程で厳密に制御
する必要がある。また、横方向の等価屈折率差(Δn)
を小さくする必要がある。足立らの報告では、Δnの値
はおよそ3×10-3と小さい。
に可飽和吸収層を設けた半導体レーザのパルセーション
動作を報告した(第41回応用物理学関係連合講演会講
演予稿集No.3、p.990、28p-K-9、1994 年3月、および、第
55回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.3、p.933、
20a-S-6、1994年9月)。この構造は、図1(d)に示す
ように、半導体基板11上に、クラッド層8、活性層
7、クラッド層6、可飽和吸収層5、リッジ状のクラッ
ド層4とそれを囲む電流ブロック層3、コンタクト層2
を積層し、コンタクト層2上に第1電極1を、また半導
体基板11下に第2電極12を設けたものである。
ジ状に加工する際に、可飽和吸収層5がエッチングスト
ッパの役目を果たしているため、エッチング工程での厳
格な管理は必要ではなくなり、主要な構造パラメータと
なる可飽和吸収層の組成と層厚を、制御性に優れた結晶
成長装置で制御することができる。また、横方向等価屈
折率差を小さくする必要がない。従って、前述の足立ら
のレーザ構造に比べて高い製造歩留り、高い基本横モー
ド制御性、良好なレーザ光ビーム品質を得ることができ
る。
のレーザ構造では、可飽和吸収層が活性層の片方の側だ
けにしか設けられておらず、かつ、その活性層からの距
離が大きく(少なくとも250μm)設定されている。
ここで、活性層から可飽和吸収層までの距離を大きくし
なければならないのは、電流ブロック層3が、pnpn
構造によって電流をブロックできるようにするために
は、クラッド層6の膜厚を一定以上に厚くしなければな
らないからである。従来例では、活性層から可飽和吸収
層までの距離が大きいため、可飽和吸収層の導入に伴っ
て活性層の閉じ込め係数が大きく低下する、集光ビーム
形状が歪む、という問題が起こり、なお改善すべき課題
が残されていた。
って、その目的は、活性層の光閉じ込め係数が可飽和吸
収層からの影響を受けにくくして、設計をしやすくし、
また、集光ビームの形状を良好なものとして、光ディス
ク上からの読み取りをよりノイズの少ないものとするこ
とができるようにすることである。
め、本発明によれば、第1導電型の半導体基板(11
1)上に第1導電型の第1のクラッド層(110)、第
1導電型の可飽和吸収層(109)、第1導電型の第2
のクラッド層(108)、活性層(107)、第2導電
型の第1のクラッド層(106)、第2導電型の可飽和
吸収層(105)、第2導電型の第2のクラッド層(1
04)、第2導電型のコンタクト層(102)がこの順
に形成されてなり、前記第1導電型の第2のクラッド層
および前記第2導電型の第1のクラッド層の膜厚がそれ
ぞれ100nm以下であることを特徴とする半導体レー
ザ、が提供される。
体基板(211)上に第1導電型のクラッド層(20
8)、活性層(207)、第2導電型の第1のクラッド
層(206)、第2導電型の可飽和吸収層(205)、
断面形状が“凸”字状である第2導電型の第2のクラッ
ド層(204)、第2導電型のコンタクト層(202)
がこの順に形成され、前記第2導電型の第2のクラッド
層の凸起部が第1導電型の電流ブロック層(203)に
囲まれており、前記第2導電型の第1のクラッド層の膜
厚が100nm以下であることを特徴とする半導体レー
ザ、が提供される。
導体基板(111、211)がGaAsまたはGaAs
Pにより構成され、前記活性層(107、207)がA
lGaInPまたはAlGaInPAsにより構成され
る。
るための半導体レーザの断面図であり、これと対比する
ために、本発明の参考例および従来例の構造が図1
(c)、(d)に示されている。図1(a)に示される
本願発明の半導体レーザの従来例と相違している点は、 基板側のクラッド層内にも、すなわちクラッド層1
0とクラッド層8との間にも可飽和吸収層9が形成され
ている、 活性層と可飽和吸収層との間に挟まれたクラッド層
の膜厚が100nm以下である〔図1(a)、(b)で
は100nm、図1(c)の参考例では200nm、こ
れに対して図1(d)の従来例では、250nm以
上〕、そして、その結果として、 可飽和吸収層の膜厚が薄くなされている、ことであ
る〔但し、以下の図2、図3では、図1(d)の従来例
については、可飽和吸収層と活性層の距離LSAを200
nmとした場合でのデータが示されている〕。
べる。可飽和吸収層がパルセーションを誘発するために
は可飽和吸収層が一定以上の光を閉じ込める必要があ
る。図示された構造の半導体レーザにおいて、パルセー
ションを誘発するに必要な可飽和吸収層の光閉じ込め係
数ΓSAは、ΓSA=0.05である。図2に、可飽和吸収
層の光閉じ込め係数(ΓSA)と可飽和吸収層の厚さ(d
SA)の関係を示す。従来の後藤らの報告のように可飽和
吸収層と活性層の距離(LSA)が250nm以上と遠
く、かつ、可飽和吸収層が片側のクラッド層にしかない
場合には、厚い可飽和吸収層が必要となる。仮に、LSA
を200nmと近付けたとしても〔図1(d)〕、40
nmとかなり厚い可飽和吸収層が必要である。
ド層にある場合〔図1(c)〕、必要な可飽和吸収層の
厚さは30nmに低減する。さらに、可飽和吸収層を活
性層に近づけてLSA=100nmとすると〔図1
(a)、(b)〕、必要な可飽和吸収層の厚さは20n
mまで低減する。
機能を発揮するために可飽和吸収層の膜厚を250nm
以上とする必要があったが、本発明の図1(a)の例
〔あるいは第2の実施例〕によれば、この制限がなくな
るため、LSA≦200nm、例えばLSA=100nmと
することが可能になり、その結果からも、可飽和吸収層
の厚さ(dSA)を薄くすることが実現されている。
吸収層の閉じ込め係数ΓSAと活性層の閉じ込め係数Γ
ACT との関係を示すグラフである。同図に示されるよう
に、LSAが小さくなるほど活性層の閉じ込め係数ΓACT
が可飽和吸収層の閉じ込め係数ΓSAの影響を受けにくく
なる。したがって、LSAが小さくなるほど半導体レーザ
の設計が容易になる。
吸収層の閉じ込め係数ΓSAと活性層に直交する方向のス
ポットサイズ(dACT /ΓACT )との関係を示すグラフ
である(但し、dACT は活性層の厚さ)。同図から分か
るように、活性層に直交する方向のスポットサイズも、
LSAが小さくなるほど可飽和吸収層を設けたことによる
影響を受けにくくなる。
明の半導体レーザの近視野像と屈折率プロファイルであ
り、図6は、図1(c)に示した本発明の半導体レーザ
の近視野像と屈折率プロファイルである。また、図7
は、図1(d)に示した従来の半導体レーザの近視野像
と屈折率プロファイルである。本発明の半導体レーザの
近視野像は、従来例のそれに比較して、歪みが少なくな
っている。これは、可飽和吸収層を活性層の両側に対称
に設けたためと、可飽和吸収層を活性層に近づけたため
である。
て説明する。 [第1の実施例]図8は、本発明の第1の実施例を示す
断面図である。この半導体レーザは次のように作製され
た。まず、n型GaAs基板111の上に、Siドープ
の(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In 0.5Pからなるn型A
lGaInPクラッド層110を1.0μmの膜厚に、
Siドープの(Al0.1 Ga0.9 )0.5 In 0.5Pから
なるn型AlGaInP可飽和吸収層109を20nm
の膜厚に、Siドープの(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In
0.5Pからなるn型AlGaInPクラッド層108を
100nmの膜厚に、ノンドープの(Al0.1 Ga
0.9 )0.5 In 0.5PからなるAlGaInP活性層1
07を40nmの膜厚に、Znドープの(Al0.7 Ga
0.3 )0.5 In 0.5Pからなるp型AlGaInPクラ
ッド層106を100nmの膜厚に、Znドープの(A
l0.1 Ga0.9 )0.5 In 0.5Pからなるp型AlGa
InP可飽和吸収層105を20nmの膜厚に、Znド
ープの(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In 0.5Pからなるp
型AlGaInPクラッド層104を1.0μmの膜厚
に、それぞれ有機金属気相成長法(Metalorganic Vapor
Phase Epitaxy: MOVPE法)により順次成長させ
た。結晶成長条件は、成長温度:700〜850℃、V
/III ガス流量比:30〜1500、とした。
化膜を堆積しこれをストライプ状に加工する。そして、
このシリコン酸化膜をマスクとしてクラッド層104の
一部を選択的にエッチング除去し、底部の幅が5μm程
度のストライプ状のリッジを形成する。上記のシリコン
酸化膜を再びマスクとして用いて、n型GaAs電流ブ
ロック層103を選択的に成長させた。選択成長後、マ
スクとしてもちいたシリコン酸化膜を除去し、電流ブロ
ック層103とクラッド層104の表面にp型GaAs
コンタクト層102を成長させた。
にオーミック接触するp側電極101と、n型GaAs
基板111にオーミック接触するn側電極112を形成
し、レーザ端面を形成する。最後に、レーザ端面に誘電
体膜によるコーティングを施して、本実施例の半導体レ
ーザの製作を完了する。
実施例を示す断面図である。この半導体レーザは次のの
うに作製された。まず、n型GaAs基板211の上
に、Siドープの(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In 0.5P
からなるn型AlGaInPクラッド層208を1.0
μmの膜厚に、ノンドープの(Al0.1 Ga0.9 )0.5
In 0.5PからなるAlGaInP活性層207を40
nmの膜厚に、Znドープの(Al0.7 Ga0.3 )0.5
In 0.5Pからなるp型AlGaInPクラッド層20
6を100nmの膜厚に、Znドープの(Al0.1 Ga
0.9 )0.5 In 0.5Pからなるp型AlGaInP可飽
和吸収層205を20nmの膜厚に、Znドープの(A
l0.7 Ga0.3 )0.5 In 0.5Pからなるp型AlGa
InPクラッド層204を1.0μmの膜厚に、それぞ
れ有機金属気相成長法により順次成長させた。結晶成長
条件は、第1の実施例の場合と同様である。
化膜を堆積しこれをストライプ状に加工する。そして、
このシリコン酸化膜をマスクとしてクラッド層204の
一部を選択的にエッチング除去し、底部の幅が5μm程
度のストライプ状のリッジを形成する。上記のシリコン
酸化膜を再びマスクとして用いて、n型GaAs電流ブ
ロック層203を選択的に成長させた。選択成長後、マ
スクとしてもちいたシリコン酸化膜を除去し、電流ブロ
ック層203とクラッド層204の表面にp型GaAs
コンタクト層202を成長させた。
にオーミック接触するp側電極201と、n型GaAs
基板211にオーミック接触するn側電極212を形成
し、レーザ端面を形成する。最後に、レーザ端面に誘電
体膜によるコーティング(図示なし)を施して、本実施
例の半導体レーザの製作を完了する。
施例について説明したが、本発明はこれら実施例に限定
されるものではなく特許請求の範囲に記載された範囲内
において各種の変更が可能である。例えば、実施例では
n型半導体基板を用いる場合について説明したが、p型
半導体基板を用いても同様の効果を得ることが可能であ
る。この場合、上述の実施例の中での導電型をすべて逆
にすればよい。また、基板としてはGaAsの代わりに
GaAsP基板を用いてもよい。
AlGaInPの代わりにAlGaInPAsを用いて
もよい。また、実施例では、n型ドーパントとしてSi
を、p型ドーパントとしてZnを用いる例について説明
したが、これらのドーパントに代え、n型ドーパントと
してSeなどの、p型ドーパントとしてMg、Beなど
の他のドーパントを用いてもよい。
分子線成長法(MBE法)、有機金属分子線成長法(M
OMBE法)、ガスソース分子線成長法(GSMBE
法)などを用いることも可能である。
採用してもよく、その場合、発振閾値等のレーザ特性の
改善が期待できる。あるいは、可飽和吸収層に歪QWを
採用してもよい。適切な格子歪を導入することにより可
飽和吸収層の微分利得を増大させることができる。可飽
和吸収層微分利得が大きいとパルセーション発生に必要
な可飽和吸収層光吸収量が低減するので、上記の変更は
レーザ特性を改善する上で望ましい。
ーザは、活性層と可飽和吸収層との距離を100nm以
下と短くし、さらに、活性層の両側に可飽和吸収層を設
けるようにしたものであるので、活性層の閉じ込め係数
やスポットサイズが可飽和吸収層の設計の影響を受けに
くくなり、レーザの特性分析や最適化設計が容易にな
る。また、レーザビーム形状の歪みを少なくすることが
できるので、光ディスク上に良質な形状の集光スポット
を形成することが可能になる。
することができるため、歪QW活性層と同様な大きな格
子歪を導入することができる。これにより、可飽和吸収
層のバンドギャップエネルギー、吸収スペクトル形状、
微分利得、等を自由に制御することが可能になる。
断面図〔(a)、(b)は本発明の半導体レーザの構造
を示し、(c)、(d)は本発明の参考例と従来例の構
造を示す〕。
タとした、可飽和吸収層の閉じ込め係数と可飽和吸収層
の膜厚との関係を示すグラフ。
タとした、可飽和吸収層の閉じ込め係数と活性層の閉じ
込め係数との関係を示すグラフ。
タとした、可飽和吸収層の閉じ込め係数とスポットサイ
ズとの関係を示すグラフ。
導体層の屈折率プロファイルと光強度プロファイル。
屈折率プロファイルと光強度プロファイル。
屈折率プロファイルと光強度プロファイル。
図。
図。
クラッド層 105、205 p型AlGaInP可飽和吸収層 107、207 AlGaInP活性層 108、208、110 n型AlGaInPクラッド
層 109 n型AlGaInP可飽和吸収層 111、211 n型GaAs基板 112、212 n側電極
Claims (4)
- 【請求項1】 第1導電型の半導体基板上に第1導電型
の第1のクラッド層、第1導電型の可飽和吸収層、第1
導電型の第2のクラッド層、活性層、第2導電型の第1
のクラッド層、第2導電型の可飽和吸収層、第2導電型
の第2のクラッド層、第2導電型のコンタクト層がこの
順に形成されてなり、前記第1導電型の第2のクラッド
層および前記第2導電型の第1のクラッド層の膜厚がそ
れぞれ100nm以下であることを特徴とする半導体レ
ーザ。 - 【請求項2】 前記第2導電型の第2のクラッド層が、
ストライプ状または断面形状が“凸”字状であることを
特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。 - 【請求項3】 第1導電型の半導体基板上に第1導電型
のクラッド層、活性層、第2導電型の第1のクラッド
層、第2導電型の可飽和吸収層、断面形状が“凸”字状
である第2導電型の第2のクラッド層、第2導電型のコ
ンタクト層がこの順に形成され、前記第2導電型の第2
のクラッド層の凸起部が第1導電型の電流ブロック層に
挟まれており、前記第2導電型の第1のクラッド層の膜
厚が100nm以下であることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項4】 前記第1導電型の半導体基板がGaAs
またはGaAsPにより構成され、前記活性層がAlG
aInPまたはAlGaInPAsにより構成されてい
ることを特徴とする請求項1または3記載の半導体レー
ザ。
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JP7023339A JP2814943B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 半導体レーザ |
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Family Applications (1)
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1995
- 1995-01-19 JP JP7023339A patent/JP2814943B2/ja not_active Expired - Fee Related
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