JP3238974B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JP3238974B2 JP3238974B2 JP03856193A JP3856193A JP3238974B2 JP 3238974 B2 JP3238974 B2 JP 3238974B2 JP 03856193 A JP03856193 A JP 03856193A JP 3856193 A JP3856193 A JP 3856193A JP 3238974 B2 JP3238974 B2 JP 3238974B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0658—Self-pulsating
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は出力レーザ光の戻り光に
起因する雑音を低減した半導体レーザ素子に関する。
起因する雑音を低減した半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ素子は、出力レーザ
光の戻り光が半導体レーザ素子へ再入射された場合、こ
の戻り光に起因した雑音（以下、戻り光雑音という）が
出力レーザ光内に発生するといった問題があった。斯る
戻り光雑音は、例えば半導体レーザ素子を光ディスク装
置の光源として使用する場合に、ディスク面等からの反
射による出力レーザ光の戻り光が半導体レーザ素子へ再
入射することにより発生する。
光の戻り光が半導体レーザ素子へ再入射された場合、こ
の戻り光に起因した雑音（以下、戻り光雑音という）が
出力レーザ光内に発生するといった問題があった。斯る
戻り光雑音は、例えば半導体レーザ素子を光ディスク装
置の光源として使用する場合に、ディスク面等からの反
射による出力レーザ光の戻り光が半導体レーザ素子へ再
入射することにより発生する。
【０００３】この半導体レーザ素子の戻り光雑音を低減
する為に、自励発振現象を利用する方法が知られてお
り、例えば特開昭６３−２０２０８３号（Ｈ０１Ｓ ３
／１８）公報に開示されている。
する為に、自励発振現象を利用する方法が知られてお
り、例えば特開昭６３−２０２０８３号（Ｈ０１Ｓ ３
／１８）公報に開示されている。
【０００４】斯る半導体レーザ素子では、ＡｌＧａＡｓ
活性層を挟むクラッド層のうち、一方のクラッド層に発
振波長に対応するエネルギー（発振波長エネルギー：ｈ
ν）よりかなり大きなバンドギャップエネルギーを持つ
屈折率層もしくは該発振波長エネルギーよりかなり小さ
なバンドギャップエネルギーを持つ光吸収層を用いるこ
とにより、自励発振させることが記載されている。
活性層を挟むクラッド層のうち、一方のクラッド層に発
振波長に対応するエネルギー（発振波長エネルギー：ｈ
ν）よりかなり大きなバンドギャップエネルギーを持つ
屈折率層もしくは該発振波長エネルギーよりかなり小さ
なバンドギャップエネルギーを持つ光吸収層を用いるこ
とにより、自励発振させることが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本願出
願人の実験結果によると、上記発振波長エネルギーより
かなり大きなバンドギャップエネルギーをもつ屈折率層
の場合は、非点隔差が大きくなり、他方発振波長エネル
ギーよりかなり小さなバンドギャップエネルギーを持つ
光吸収層の場合は、動作電流値が大きくなるといったこ
とが判った。
願人の実験結果によると、上記発振波長エネルギーより
かなり大きなバンドギャップエネルギーをもつ屈折率層
の場合は、非点隔差が大きくなり、他方発振波長エネル
ギーよりかなり小さなバンドギャップエネルギーを持つ
光吸収層の場合は、動作電流値が大きくなるといったこ
とが判った。
【０００６】本発明は斯る問題点を鑑みて成されたもの
であり、小さな非点隔差で且つ小さな動作電流値で自励
発振を行う半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。
であり、小さな非点隔差で且つ小さな動作電流値で自励
発振を行う半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、第１導電型の半導体基板と、該半導体基板上に設
けた第１導電型の第１クラッド層と、該第１クラッド層
上に設けた活性層と、該活性層上に設けた第２導電型の
第２クラッド層とを備え、前記第１、第２クラッド層は
前記活性層より小さい屈折率及び大きいバンドギャップ
を有すると共に、前記第１、第２クラッド層の少なくと
も一方の層中に発振波長エネルギーに略等しいエネルギ
ーのバンドギャップを有する過飽和光吸収層（可飽和光
吸収層）を有した半導体レーザ素子であって、前記第１
クラッド層は、第１ＡｌＧａＡｓクラッド層と第２Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層とからなり、該第１ＡｌＧａＡｓク
ラッド層と第２ＡｌＧａＡｓクラッド層との間に第１導
電型のＡｌ u Ｇａ 1-u Ａｓ（０≦ｕ＜１）第１過飽和光吸
収層を有し、且つ前記第２クラッド層は前記活性層上に
形成された第３ＡｌＧａＡｓクラッド層と該第３ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層上に形成されたストライプ状リッジ部
をなす第４ＡｌＧａＡｓクラッド層とからなり、前記第
３ＡｌＧａＡｓクラッド層上に第２導電型のＡｌ u Ｇａ
1-u Ａｓ（０≦ｕ＜１）第２過飽和光吸収層を形成した
ことを特徴とする。
子は、第１導電型の半導体基板と、該半導体基板上に設
けた第１導電型の第１クラッド層と、該第１クラッド層
上に設けた活性層と、該活性層上に設けた第２導電型の
第２クラッド層とを備え、前記第１、第２クラッド層は
前記活性層より小さい屈折率及び大きいバンドギャップ
を有すると共に、前記第１、第２クラッド層の少なくと
も一方の層中に発振波長エネルギーに略等しいエネルギ
ーのバンドギャップを有する過飽和光吸収層（可飽和光
吸収層）を有した半導体レーザ素子であって、前記第１
クラッド層は、第１ＡｌＧａＡｓクラッド層と第２Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層とからなり、該第１ＡｌＧａＡｓク
ラッド層と第２ＡｌＧａＡｓクラッド層との間に第１導
電型のＡｌ u Ｇａ 1-u Ａｓ（０≦ｕ＜１）第１過飽和光吸
収層を有し、且つ前記第２クラッド層は前記活性層上に
形成された第３ＡｌＧａＡｓクラッド層と該第３ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層上に形成されたストライプ状リッジ部
をなす第４ＡｌＧａＡｓクラッド層とからなり、前記第
３ＡｌＧａＡｓクラッド層上に第２導電型のＡｌ u Ｇａ
1-u Ａｓ（０≦ｕ＜１）第２過飽和光吸収層を形成した
ことを特徴とする。
【０００８】
【０００９】
【作用】本発明によれば、活性層を挟む第１、第２クラ
ッド層のうち、少なくとも一方の層中に発振波長エネル
ギーに略等しいバンドギャップエネルギーを有する過飽
和光吸収層を設けるので、自励発振が低非点隔差、低動
作電流、且つ単一横モードで起こる。
ッド層のうち、少なくとも一方の層中に発振波長エネル
ギーに略等しいバンドギャップエネルギーを有する過飽
和光吸収層を設けるので、自励発振が低非点隔差、低動
作電流、且つ単一横モードで起こる。
【００１０】特に、前記第１クラッド層は、第１ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層と第２ＡｌＧａＡｓクラッド層とから
なり、該第１、第２ＡｌＧａＡｓクラッド層間に第１導
電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層を有し、且
つ前記第２クラッド層は前記活性層上に形成された第３
ＡｌＧａＡｓクラッド層と該第３ＡｌＧａＡｓクラッド
層上に形成されたストライプ状リッジ部をなす第４Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層とからなり、第３ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層上に第２導電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光
吸収層を形成した構成のため、前記ＡｌuＧａ1-uＡｓ第
２過飽和光吸収層がストライプ状リッジ部をなす第４Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層を形成する際のエッチング停止層
としても機能するので、前記活性層上に形成される第３
ＡｌＧａＡｓクラッド層の層厚を高精度に且つ容易に形
成できる。
ａＡｓクラッド層と第２ＡｌＧａＡｓクラッド層とから
なり、該第１、第２ＡｌＧａＡｓクラッド層間に第１導
電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層を有し、且
つ前記第２クラッド層は前記活性層上に形成された第３
ＡｌＧａＡｓクラッド層と該第３ＡｌＧａＡｓクラッド
層上に形成されたストライプ状リッジ部をなす第４Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層とからなり、第３ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層上に第２導電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光
吸収層を形成した構成のため、前記ＡｌuＧａ1-uＡｓ第
２過飽和光吸収層がストライプ状リッジ部をなす第４Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層を形成する際のエッチング停止層
としても機能するので、前記活性層上に形成される第３
ＡｌＧａＡｓクラッド層の層厚を高精度に且つ容易に形
成できる。
【００１１】
【実施例】本発明に係る一実施例を図面を参照しつつ詳
細に説明する。図１は本実施例のＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザ素子を示す断面図である。
細に説明する。図１は本実施例のＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザ素子を示す断面図である。
【００１２】図中、１はｎ型ＧａＡｓ基板であり、該ｎ
型ＧａＡｓ基板１上には、層厚１〜２μｍのｎ型の第１
ＡｌxaＧａ1-xaＡｓ（ＡｌＧａＡｓ）クラッド層（典型
的には組成比ｘａ＝０．５１）２ａ、層厚Ｓ1のｎ型Ａ
ｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層（組成比ｕは０．１
２≦ｕ≦０．１４，キャリア濃度２×１０17〜５×１０
17ｃｍ-3）３、及び層厚ｔ1が０．３μｍのｎ型の第２
ＡｌxbＧａ1-xbＡｓ（ＡｌＧａＡｓ）クラッド層（典型
的には組成ｘｂ＝０．５１）２ｂがこの順序で形成され
ており、該クラッド層２ａ、２ｂにより第１クラッド層
２が構成されている。即ち、第１クラッド層２中に第１
過飽和光吸収層３が形成されている。
型ＧａＡｓ基板１上には、層厚１〜２μｍのｎ型の第１
ＡｌxaＧａ1-xaＡｓ（ＡｌＧａＡｓ）クラッド層（典型
的には組成比ｘａ＝０．５１）２ａ、層厚Ｓ1のｎ型Ａ
ｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層（組成比ｕは０．１
２≦ｕ≦０．１４，キャリア濃度２×１０17〜５×１０
17ｃｍ-3）３、及び層厚ｔ1が０．３μｍのｎ型の第２
ＡｌxbＧａ1-xbＡｓ（ＡｌＧａＡｓ）クラッド層（典型
的には組成ｘｂ＝０．５１）２ｂがこの順序で形成され
ており、該クラッド層２ａ、２ｂにより第１クラッド層
２が構成されている。即ち、第１クラッド層２中に第１
過飽和光吸収層３が形成されている。
【００１３】前記第１クラッド層２上には層厚０．０８
μｍのアンドープのＡｌqＧａ1-qＡｓ（組成比ｑ＝０．
１３）活性層４が形成されている。
μｍのアンドープのＡｌqＧａ1-qＡｓ（組成比ｑ＝０．
１３）活性層４が形成されている。
【００１４】前記活性層４上には、層厚ｔ2が０．３μ
ｍであるｐ型の第３ＡｌyaＧａ1-yaＡｓ（ＡｌＧａＡ
ｓ）クラッド層（典型的には組成比ｙａ＝０．５１）５
ａ、層厚Ｓ2のｐ型ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収
層（組成比ｕは０．１２≦ｕ≦０．１４，キャリア濃度
４×１０17〜２×１０18ｃｍ-3）６、及び高さが０．５
〜１μｍでストライプ下面幅Ｗが４μｍのストライプ状
リッジ部をなすｐ型の第４ＡｌybＧａ1-ybＡｓ（ＡｌＧ
ａＡｓ）クラッド層（典型的には組成比ｙｂ＝０．５
１）５ｂがこの順序で形成されており、該クラッド層５
ａ、５ｂによりストライプ状リッジ部を有する第２クラ
ッド層５が構成されている。
ｍであるｐ型の第３ＡｌyaＧａ1-yaＡｓ（ＡｌＧａＡ
ｓ）クラッド層（典型的には組成比ｙａ＝０．５１）５
ａ、層厚Ｓ2のｐ型ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収
層（組成比ｕは０．１２≦ｕ≦０．１４，キャリア濃度
４×１０17〜２×１０18ｃｍ-3）６、及び高さが０．５
〜１μｍでストライプ下面幅Ｗが４μｍのストライプ状
リッジ部をなすｐ型の第４ＡｌybＧａ1-ybＡｓ（ＡｌＧ
ａＡｓ）クラッド層（典型的には組成比ｙｂ＝０．５
１）５ｂがこの順序で形成されており、該クラッド層５
ａ、５ｂによりストライプ状リッジ部を有する第２クラ
ッド層５が構成されている。
【００１５】前記第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂのそ
のリッジ部上面には、層厚０．３μｍのｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層７が形成されており、該ｐ型ＧａＡｓキャップ
層７の側面、前記第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂの側
面、及び第２過飽和光吸収層６上には層厚０．８μｍの
ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層８、８が形成されている。前記
ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層８、８及びｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層７上には層厚４μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層９
が形成されている。
のリッジ部上面には、層厚０．３μｍのｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層７が形成されており、該ｐ型ＧａＡｓキャップ
層７の側面、前記第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂの側
面、及び第２過飽和光吸収層６上には層厚０．８μｍの
ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層８、８が形成されている。前記
ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層８、８及びｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層７上には層厚４μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層９
が形成されている。
【００１６】図示しないが、前記ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層９上にはＡｕ−Ｃｒからなるｐ型側オーミック電
極、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１下面にはＡｕ−Ｓｎ−Ｃｒ
からなるｎ型側オーミック電極が形成されている。
ト層９上にはＡｕ−Ｃｒからなるｐ型側オーミック電
極、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１下面にはＡｕ−Ｓｎ−Ｃｒ
からなるｎ型側オーミック電極が形成されている。
【００１７】斯る半導体レーザ素子において、前記ｎ型
ＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層３及びｐ型Ａｌu
Ｇａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６の組成比ｕ（ここで
は、共に同一組成比）と層厚（ここでは、共に同一層
厚：Ｓ1＝Ｓ2）を変化させ、γ値（ビジビリティ）、非
点隔差、光出力３ｍＷ時の動作電流値を調べた。尚、こ
こでは一例としてレーザ共振器長２５０μｍの素子に端
面コートを施さないで行ったものを示す。
ＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層３及びｐ型Ａｌu
Ｇａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６の組成比ｕ（ここで
は、共に同一組成比）と層厚（ここでは、共に同一層
厚：Ｓ1＝Ｓ2）を変化させ、γ値（ビジビリティ）、非
点隔差、光出力３ｍＷ時の動作電流値を調べた。尚、こ
こでは一例としてレーザ共振器長２５０μｍの素子に端
面コートを施さないで行ったものを示す。
【００１８】ここで、前記γ値は自励発振（縦モード間
の干渉性）の程度を示しており、γ＝１の場合は自励発
振は行われず、γが０に近づく程自励発振性が強まる。
本願発明者の実験結果によると、光ディスク装置に半導
体レーザ素子を搭載した場合、γ値が０．７以下で良好
なＣ／Ｎ値が得られ、０．６以下で特に良好なＣ／Ｎ値
が得られることが判明しており、また、前記非点隔差は
一般のディスク装置で用いられる光学系において、１７
μｍ以下の小さな値で十分なレーザ光の集光が行えて良
好なＣ／Ｎ値が得られ、特に１５μｍ以下で良好なレー
ザ光の集光が行えてより良好なＣ／Ｎ値を得ることがで
きることが判った。
の干渉性）の程度を示しており、γ＝１の場合は自励発
振は行われず、γが０に近づく程自励発振性が強まる。
本願発明者の実験結果によると、光ディスク装置に半導
体レーザ素子を搭載した場合、γ値が０．７以下で良好
なＣ／Ｎ値が得られ、０．６以下で特に良好なＣ／Ｎ値
が得られることが判明しており、また、前記非点隔差は
一般のディスク装置で用いられる光学系において、１７
μｍ以下の小さな値で十分なレーザ光の集光が行えて良
好なＣ／Ｎ値が得られ、特に１５μｍ以下で良好なレー
ザ光の集光が行えてより良好なＣ／Ｎ値を得ることがで
きることが判った。
【００１９】最初に、図２に前記ＡｌuＧａ1-uＡｓ第
１、第２過飽和光吸収層３、６の組成比ｕが０．１２〜
０．１４の範囲における該第１、第２過飽和光吸収層
３、６の層厚とγ値の関係を示す。
１、第２過飽和光吸収層３、６の組成比ｕが０．１２〜
０．１４の範囲における該第１、第２過飽和光吸収層
３、６の層厚とγ値の関係を示す。
【００２０】この図２から前記過飽和光吸収層３、６の
層厚が０．０１μｍ以上の場合にγ値が０．７以下とな
り、０．０２μｍ以上でγ値が０．６以下となることが
判る。
層厚が０．０１μｍ以上の場合にγ値が０．７以下とな
り、０．０２μｍ以上でγ値が０．６以下となることが
判る。
【００２１】次に、図３に前記第１、第２過飽和光吸収
層３、６の組成比ｕが０．１２〜０．１４の範囲におけ
る該第１、第２過飽和光吸収層３、６の層厚と非点隔差
の関係を示す。
層３、６の組成比ｕが０．１２〜０．１４の範囲におけ
る該第１、第２過飽和光吸収層３、６の層厚と非点隔差
の関係を示す。
【００２２】この図３から、前記第１、第２過飽和光吸
収層３、６の層厚が０．０１μｍ以上では組成比ｕが
０．１３以下の範囲であれば、１７μｍ以下の非点隔差
となり、０．０２μｍ以上では組成比ｕが０．１４以下
の範囲で、１７μｍ以下の非点隔差が得られることが判
る。
収層３、６の層厚が０．０１μｍ以上では組成比ｕが
０．１３以下の範囲であれば、１７μｍ以下の非点隔差
となり、０．０２μｍ以上では組成比ｕが０．１４以下
の範囲で、１７μｍ以下の非点隔差が得られることが判
る。
【００２３】引き続いて、図４に前記第１、第２過飽和
光吸収層３、６の組成比ｕが０．１２〜０．１４の範囲
における該第１、第２過飽和光吸収層３、６の層厚と光
出力３ｍＷ時の動作電流の関係を示す。
光吸収層３、６の組成比ｕが０．１２〜０．１４の範囲
における該第１、第２過飽和光吸収層３、６の層厚と光
出力３ｍＷ時の動作電流の関係を示す。
【００２４】この図４から、組成比が０．１２以上の場
合には第１、第２過飽和光吸収層３、６の層厚が０．０
３２μｍ以下、組成比が０．１３以上の場合には層厚が
０．０４１μｍ以下、組成比が０．１４以上の場合には
層厚が０．０４３μｍ以下で動作電流が実用上問題ない
８０ｍＡ以下の小さな値になることが判る。
合には第１、第２過飽和光吸収層３、６の層厚が０．０
３２μｍ以下、組成比が０．１３以上の場合には層厚が
０．０４１μｍ以下、組成比が０．１４以上の場合には
層厚が０．０４３μｍ以下で動作電流が実用上問題ない
８０ｍＡ以下の小さな値になることが判る。
【００２５】この図２〜図４から判るように、前記ｎ型
ＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層３及びｐ型Ａｌu
Ｇａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６は前記ＡｌqＧａ1-q
Ａｓ活性層４とのＡｌ組成比の差が−０．０１〜０．０
１（即ち、ｑ−０．０１≦ｕ≦ｑ＋０．０１；０≦ｕ＜
１）の範囲で、単一横モードであって従来に比べてγ
値、非点隔差、及び動作電流値共に良好な範囲とするこ
とが可能である。このように良好な効果を呈するのは、
前記第１、第２過飽和光吸収層３、６はそれらバンドギ
ャップエネルギーが前記活性層３のバンドギャップエネ
ルギー、即ち発振波長エネルギーとの絶対値差が０．０
１２５ｅＶ以下であって略等しいので、良好な過飽和状
態となるためである。
ＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層３及びｐ型Ａｌu
Ｇａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６は前記ＡｌqＧａ1-q
Ａｓ活性層４とのＡｌ組成比の差が−０．０１〜０．０
１（即ち、ｑ−０．０１≦ｕ≦ｑ＋０．０１；０≦ｕ＜
１）の範囲で、単一横モードであって従来に比べてγ
値、非点隔差、及び動作電流値共に良好な範囲とするこ
とが可能である。このように良好な効果を呈するのは、
前記第１、第２過飽和光吸収層３、６はそれらバンドギ
ャップエネルギーが前記活性層３のバンドギャップエネ
ルギー、即ち発振波長エネルギーとの絶対値差が０．０
１２５ｅＶ以下であって略等しいので、良好な過飽和状
態となるためである。
【００２６】更に言及すると、上記ＡｌqＧａ1-qＡｓ活
性層４の組成比ｑは０．１３に限らず、０≦ｑ＜１の範
囲から選択した場合においても、ＡｌuＧａ1-uＡｓ第
１、第２過飽和光吸収層３、６の各組成比ｕ（０≦ｕ＜
１）と各層厚の値Ｓ1，Ｓ2は、図５中の斜線部で示され
る範囲内から選択すれば、単一横モードであってγ値、
非点隔差、及び動作電流値共に従来に比べて良好な値と
なる。
性層４の組成比ｑは０．１３に限らず、０≦ｑ＜１の範
囲から選択した場合においても、ＡｌuＧａ1-uＡｓ第
１、第２過飽和光吸収層３、６の各組成比ｕ（０≦ｕ＜
１）と各層厚の値Ｓ1，Ｓ2は、図５中の斜線部で示され
る範囲内から選択すれば、単一横モードであってγ値、
非点隔差、及び動作電流値共に従来に比べて良好な値と
なる。
【００２７】上述では、前記第２ＡｌＧａＡｓクラッド
層２ｂの層厚ｔ1及び第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ
の層厚ｔ2は共に０．３μｍであるが、この層厚ｔ1、ｔ
2を共に層厚ｔに変化させて、γ値（ビジビリティ）、
非点隔差、光出力３ｍＷ時の動作電流値を調べた。尚、
ここではＡｌuＧａ1-uＡｓ第１、第２過飽和光吸収層
３、６の組成比ｕ及び層厚は共にｕ＝０．１３、０．０
３μｍ、またＡｌqＧａ1 -qＡｓ活性層４の組成比ｑは
０．１３である。
層２ｂの層厚ｔ1及び第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ
の層厚ｔ2は共に０．３μｍであるが、この層厚ｔ1、ｔ
2を共に層厚ｔに変化させて、γ値（ビジビリティ）、
非点隔差、光出力３ｍＷ時の動作電流値を調べた。尚、
ここではＡｌuＧａ1-uＡｓ第１、第２過飽和光吸収層
３、６の組成比ｕ及び層厚は共にｕ＝０．１３、０．０
３μｍ、またＡｌqＧａ1 -qＡｓ活性層４の組成比ｑは
０．１３である。
【００２８】図６は前記層厚ｔとγ値（ビジビリティ）
の関係を示す。この図から前記層厚ｔは０．２７μｍ以
上でγ値が０．７以下になり、該層厚がは０．２８μｍ
以上でγ値が０．６以下になることが判る。
の関係を示す。この図から前記層厚ｔは０．２７μｍ以
上でγ値が０．７以下になり、該層厚がは０．２８μｍ
以上でγ値が０．６以下になることが判る。
【００２９】図７は前記層厚ｔと非点隔差の関係を示
す。この図から前記層厚ｔは０．３３μｍ以下で非点隔
差が１７μｍ以下になり、０．３２μｍ以下で非点隔差
が１５μｍ以下になることが判る。
す。この図から前記層厚ｔは０．３３μｍ以下で非点隔
差が１７μｍ以下になり、０．３２μｍ以下で非点隔差
が１５μｍ以下になることが判る。
【００３０】図８は前記層厚ｔと動作電流の関係を示
す。この図から前記層厚ｔが０．３３μｍ以下の範囲で
特に良好な値であり、０．３２μｍ以下の範囲で顕著に
良好な値になることが判る。
す。この図から前記層厚ｔが０．３３μｍ以下の範囲で
特に良好な値であり、０．３２μｍ以下の範囲で顕著に
良好な値になることが判る。
【００３１】従って、前記第２ＡｌＧａＡｓクラッド層
２ｂ及び第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａの層厚ｔは
０．２７μｍ以上０．３３μｍ以下の範囲内で選択で
き、望ましくは０．２８μｍ以上０．３２μｍ以下の範
囲内で選択できる。尚、前記第２ＡｌＧａＡｓクラッド
層２ｂ及び第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａは層厚ｔ
（０．２７μｍ≦ｔ≦０．３３μｍ）としたが、前記層
厚ｔ1、ｔ2は０．２７μｍ以上０．３３μｍ以下の範囲
で選択した場合も同様に効果が得られ、特に０．２８μ
ｍ以上０．３２μｍ以下の範囲で選択した場合により望
ましい効果が得られる。
２ｂ及び第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａの層厚ｔは
０．２７μｍ以上０．３３μｍ以下の範囲内で選択で
き、望ましくは０．２８μｍ以上０．３２μｍ以下の範
囲内で選択できる。尚、前記第２ＡｌＧａＡｓクラッド
層２ｂ及び第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａは層厚ｔ
（０．２７μｍ≦ｔ≦０．３３μｍ）としたが、前記層
厚ｔ1、ｔ2は０．２７μｍ以上０．３３μｍ以下の範囲
で選択した場合も同様に効果が得られ、特に０．２８μ
ｍ以上０．３２μｍ以下の範囲で選択した場合により望
ましい効果が得られる。
【００３２】尚、ＡｌuＧａ1-uＡｓ第１、第２過飽和光
吸収層３、６及び活性層４の各組成比、各層厚等を変え
た場合も、前記第２ＡｌＧａＡｓクラッド層２ｂ及び第
３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａの層厚等を最適化するこ
とにより好ましい効果が得られる。
吸収層３、６及び活性層４の各組成比、各層厚等を変え
た場合も、前記第２ＡｌＧａＡｓクラッド層２ｂ及び第
３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａの層厚等を最適化するこ
とにより好ましい効果が得られる。
【００３３】斯る半導体レーザ素子の製造方法を図９を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００３４】最初に、図９（ａ）に示すように、有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）又は分子線エピタキシャ
ル成長法（ＭＢＥ法）により、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に
ｎ型の第１ＡｌＧａＡｓクラッド層２ａ、ｎ型ＡｌuＧ
ａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層３、ｎ型の第２ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層２ｂ、アンドープのＡｌqＧａ1-qＡｓ活
性層４、ｐ型の第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ、ｐ型
ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６、ｐ型の第４Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層５ｂ、及びｐ型ＧａＡｓキャップ
層７をこの順序で連続成長する。
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）又は分子線エピタキシャ
ル成長法（ＭＢＥ法）により、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に
ｎ型の第１ＡｌＧａＡｓクラッド層２ａ、ｎ型ＡｌuＧ
ａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層３、ｎ型の第２ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層２ｂ、アンドープのＡｌqＧａ1-qＡｓ活
性層４、ｐ型の第３ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ、ｐ型
ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６、ｐ型の第４Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層５ｂ、及びｐ型ＧａＡｓキャップ
層７をこの順序で連続成長する。
【００３５】次に、図９（ｂ）に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ技術等を用いて、前記ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層７上にストライプ状の層厚０．２μｍのＳｉＯ
2マスク層１０を形成する。前記ＳｉＯ2マスク層１０を
マスクとして燐酸系エッチング液により、前記ｐ型の第
４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂが０．１〜０．３μｍ厚
残余するように前記ｐ型ＧａＡｓキャップ層７及びｐ型
の第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂをエッチングした
後、塩酸エッチング液により該残余したクラッド層５ｂ
をエッチング除去してストライプ状のリッジ部形状にす
る。ここで、前記塩酸エッチング液ではＡｌ組成比の小
さいＡｌtＧａ1-tＡｓがＡｌ組成比の大きいＡｌsＧａ
1-sＡｓ（ｔ＜ｓ）に比べてエッチングレートが小さい
ので、前記ｐ型ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６
は所謂エッチング停止層としての作用も兼ね備える。従
って、前記エッチングはこの第２過飽和光吸収層６で制
御性良く止めることができる。
ォトリソグラフィ技術等を用いて、前記ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層７上にストライプ状の層厚０．２μｍのＳｉＯ
2マスク層１０を形成する。前記ＳｉＯ2マスク層１０を
マスクとして燐酸系エッチング液により、前記ｐ型の第
４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂが０．１〜０．３μｍ厚
残余するように前記ｐ型ＧａＡｓキャップ層７及びｐ型
の第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂをエッチングした
後、塩酸エッチング液により該残余したクラッド層５ｂ
をエッチング除去してストライプ状のリッジ部形状にす
る。ここで、前記塩酸エッチング液ではＡｌ組成比の小
さいＡｌtＧａ1-tＡｓがＡｌ組成比の大きいＡｌsＧａ
1-sＡｓ（ｔ＜ｓ）に比べてエッチングレートが小さい
ので、前記ｐ型ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層６
は所謂エッチング停止層としての作用も兼ね備える。従
って、前記エッチングはこの第２過飽和光吸収層６で制
御性良く止めることができる。
【００３６】その後、図９（ｃ）に示すように、前記Ｓ
ｉＯ2マスク層１０を介した状態で、ＭＯＣＶＤ法又は
ＭＢＥ法により前記第２過飽和光吸収層６上並びにリッ
ジ部形状をなすｐ型ＧａＡｓキャップ層７及びｐ型の第
４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂの側面にｎ型ＧａＡｓ電
流阻止層８、８を形成する。
ｉＯ2マスク層１０を介した状態で、ＭＯＣＶＤ法又は
ＭＢＥ法により前記第２過飽和光吸収層６上並びにリッ
ジ部形状をなすｐ型ＧａＡｓキャップ層７及びｐ型の第
４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂの側面にｎ型ＧａＡｓ電
流阻止層８、８を形成する。
【００３７】続いて、図１に示すように、前記ＳｉＯ2
マスク層１０をフッ酸系エッチング液で除去して前記ｐ
型ＧａＡｓキャップ層７を露出させた後、ＭＯＣＶＤ法
又はＭＢＥ法によりこの露出したｐ型ＧａＡｓキャップ
層７上及び前記ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層８、８上にｐ型
ＧａＡｓコンタクト層９を形成する。その後、前記ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層９の上面及びｎ型ＧａＡｓ基板１
の下面にそれぞれＡｕ−Ｃｒからなるｐ型側オーミック
電極、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ型側オーミック電極
を形成する。
マスク層１０をフッ酸系エッチング液で除去して前記ｐ
型ＧａＡｓキャップ層７を露出させた後、ＭＯＣＶＤ法
又はＭＢＥ法によりこの露出したｐ型ＧａＡｓキャップ
層７上及び前記ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層８、８上にｐ型
ＧａＡｓコンタクト層９を形成する。その後、前記ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層９の上面及びｎ型ＧａＡｓ基板１
の下面にそれぞれＡｕ−Ｃｒからなるｐ型側オーミック
電極、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ型側オーミック電極
を形成する。
【００３８】上述のように、前記ｐ型ＡｌuＧａ1-uＡｓ
第２過飽和光吸収層６は、発振波長エネルギーとほぼ等
しいバンドギャップエネルギーを有するので（ＡｌtＧ
ａ1-tＡｓはその組成比ｔが大きくなる程バンドギャッ
プが大きく且つ屈折率が小さくなる）、第４ＡｌybＧａ
1-ybＡｓクラッド層５ｂに比べてＡｌ組成比が小さく
（ｕ＜ｙｂ）、該クラッド層５ｂに比べてエッチングレ
ートが遅くなり、且つ過度な光吸収が行われないので十
分な層厚を選択できる。この結果、この第２過飽和光吸
収層６は前記メサエッチングの際にエッチング停止層と
して十分に機能するので、前記活性層４上の第３ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層５ａの層厚を高精度にできる。
第２過飽和光吸収層６は、発振波長エネルギーとほぼ等
しいバンドギャップエネルギーを有するので（ＡｌtＧ
ａ1-tＡｓはその組成比ｔが大きくなる程バンドギャッ
プが大きく且つ屈折率が小さくなる）、第４ＡｌybＧａ
1-ybＡｓクラッド層５ｂに比べてＡｌ組成比が小さく
（ｕ＜ｙｂ）、該クラッド層５ｂに比べてエッチングレ
ートが遅くなり、且つ過度な光吸収が行われないので十
分な層厚を選択できる。この結果、この第２過飽和光吸
収層６は前記メサエッチングの際にエッチング停止層と
して十分に機能するので、前記活性層４上の第３ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層５ａの層厚を高精度にできる。
【００３９】上記実施例では、活性層４としてＡｌqＧ
ａ1-qＡｓ（０≦ｑ＜１）層を用いたが、量子井戸構造
であっても勿論よい。この場合においても第１、第２過
飽和光吸収層３、６のバンドギャップエネルギーを発振
波長エネルギーと略等しくなるように各組成比ｕを選択
すれば、同様に低動作電流において低非点隔差、単一横
モードで良好な自励発振が起こると共に第２過飽和光吸
収層６は第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂに比べてＡｌ
組成比がかなり小さく、エッチング停止層として機能す
る。尚、前記第１、第２ＡｌＧａＡｓクラッド層２ａ、
２ｂ、第３、第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ、５ｂ
（０＜ｘａ，ｘｂ，ｙａ，ｙｂ＜１）は、上記実施例と
同様に活性層４に比べて屈折率が小さく且つバンドギャ
ップが大きい、即ち発振波長の光とキャリアを十分に閉
じ込めることができる範囲で、各層厚又は各組成比が最
適化される。
ａ1-qＡｓ（０≦ｑ＜１）層を用いたが、量子井戸構造
であっても勿論よい。この場合においても第１、第２過
飽和光吸収層３、６のバンドギャップエネルギーを発振
波長エネルギーと略等しくなるように各組成比ｕを選択
すれば、同様に低動作電流において低非点隔差、単一横
モードで良好な自励発振が起こると共に第２過飽和光吸
収層６は第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ｂに比べてＡｌ
組成比がかなり小さく、エッチング停止層として機能す
る。尚、前記第１、第２ＡｌＧａＡｓクラッド層２ａ、
２ｂ、第３、第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ、５ｂ
（０＜ｘａ，ｘｂ，ｙａ，ｙｂ＜１）は、上記実施例と
同様に活性層４に比べて屈折率が小さく且つバンドギャ
ップが大きい、即ち発振波長の光とキャリアを十分に閉
じ込めることができる範囲で、各層厚又は各組成比が最
適化される。
【００４０】また、第２過飽和光吸収層６は、上記位置
に限らず第３、第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ、５ｂ
の層厚を適宜変更して該層５ａ中又は層５ｂ中の適当な
位置に設けてもよく、更に発振波長エネルギーとの絶対
値差が０．０１２５ｅＶ以下であって略等しいバンドギ
ャップエネルギーを有する過飽和光吸収層は活性層を挟
むクラッド層のどちらか一方に該活性層に適当な距離離
間して設ければ同様の効果があり、例えば本実施例のリ
ッジ型の半導体レーザ素子に限らず、セルフアライン型
等の他の構造の半導体レーザ素子に用いても効果があ
る。但し、活性層の両側に過飽和光吸収層を設ける方
が、一方にのみ過飽和光吸収層を設けるより出力された
レーザ光のスポット形状が対称になるので好ましい。
に限らず第３、第４ＡｌＧａＡｓクラッド層５ａ、５ｂ
の層厚を適宜変更して該層５ａ中又は層５ｂ中の適当な
位置に設けてもよく、更に発振波長エネルギーとの絶対
値差が０．０１２５ｅＶ以下であって略等しいバンドギ
ャップエネルギーを有する過飽和光吸収層は活性層を挟
むクラッド層のどちらか一方に該活性層に適当な距離離
間して設ければ同様の効果があり、例えば本実施例のリ
ッジ型の半導体レーザ素子に限らず、セルフアライン型
等の他の構造の半導体レーザ素子に用いても効果があ
る。但し、活性層の両側に過飽和光吸収層を設ける方
が、一方にのみ過飽和光吸収層を設けるより出力された
レーザ光のスポット形状が対称になるので好ましい。
【００４１】更に、上述ではＡｌＧａＡｓ系半導体レー
ザ素子について述べたが、ＡｌＧａＩｎＰ系等の他の材
料でも発振波長エネルギーに略等しいバンドギャップエ
ネルギーをもつ過飽和光吸収層を少なくとも一方のクラ
ッド層に設けることにより、低動作電流において低非点
隔差、単一横モードで良好な自励発振が起こるといった
同様の効果が得られる。
ザ素子について述べたが、ＡｌＧａＩｎＰ系等の他の材
料でも発振波長エネルギーに略等しいバンドギャップエ
ネルギーをもつ過飽和光吸収層を少なくとも一方のクラ
ッド層に設けることにより、低動作電流において低非点
隔差、単一横モードで良好な自励発振が起こるといった
同様の効果が得られる。
【００４２】尚、本発明でいうクラッド層中に過飽和光
吸収層を有するとは、クラッド層の上面又は下面に設け
たものも含む。
吸収層を有するとは、クラッド層の上面又は下面に設け
たものも含む。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、第１、第２クラッド層
のうち、少なくとも一方の層中に発振波長エネルギーに
略等しいバンドギャップエネルギーを有する過飽和光吸
収層を設けるので、従来に比べて十分小さな動作電流に
おいて、従来に比べて十分に小さい非点隔差、単一横モ
ードで良好な自励発振が起こる。この結果、戻り光雑音
を低減でき、光学系が容易で、且つ信頼性の高い半導体
レーザ素子が得られる。
のうち、少なくとも一方の層中に発振波長エネルギーに
略等しいバンドギャップエネルギーを有する過飽和光吸
収層を設けるので、従来に比べて十分小さな動作電流に
おいて、従来に比べて十分に小さい非点隔差、単一横モ
ードで良好な自励発振が起こる。この結果、戻り光雑音
を低減でき、光学系が容易で、且つ信頼性の高い半導体
レーザ素子が得られる。
【００４４】特に、前記第１クラッド層は、第１ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層と第２ＡｌＧａＡｓクラッド層とから
なり、該第１、第２ＡｌＧａＡｓクラッド層間に第１導
電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層を有し、且
つ前記第２クラッド層は前記活性層上に形成された第３
ＡｌＧａＡｓクラッド層と、該第３ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層上に形成されたストライプ状リッジ部をなす第４Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層とからなり、第３ＡｌＧａＡｓク
ラッド層上に第２導電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和
光吸収層を形成したため、前記ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過
飽和光吸収層がストライプ状リッジ部形状の第４ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層を形成する際のエッチング停止層とし
ても機能するので、前記活性層上の第３ＡｌＧａＡｓク
ラッド層の層厚を高精度にできるといった効果がある。
この結果、戻り光雑音に強く、光学系が容易で、且つ信
頼性の高い半導体レーザ素子を容易に歩留まり良く形成
できる。
ａＡｓクラッド層と第２ＡｌＧａＡｓクラッド層とから
なり、該第１、第２ＡｌＧａＡｓクラッド層間に第１導
電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層を有し、且
つ前記第２クラッド層は前記活性層上に形成された第３
ＡｌＧａＡｓクラッド層と、該第３ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層上に形成されたストライプ状リッジ部をなす第４Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層とからなり、第３ＡｌＧａＡｓク
ラッド層上に第２導電型のＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和
光吸収層を形成したため、前記ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過
飽和光吸収層がストライプ状リッジ部形状の第４ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層を形成する際のエッチング停止層とし
ても機能するので、前記活性層上の第３ＡｌＧａＡｓク
ラッド層の層厚を高精度にできるといった効果がある。
この結果、戻り光雑音に強く、光学系が容易で、且つ信
頼性の高い半導体レーザ素子を容易に歩留まり良く形成
できる。
【図１】本発明に係る一実施例の半導体レーザ素子の断
面図である。
面図である。
【図２】上記実施例の過飽和光吸収層の組成比ｕ及び層
厚と、γ値の関係を示す図である。
厚と、γ値の関係を示す図である。
【図３】上記実施例の過飽和光吸収層の組成比ｕ及び層
厚と、非点隔差の関係を示す図である。
厚と、非点隔差の関係を示す図である。
【図４】上記実施例の過飽和光吸収層の組成比ｕ及び層
厚と、動作電流の関係を示す図である。
厚と、動作電流の関係を示す図である。
【図５】上記実施例の過飽和光吸収層の組成比ｕ及び層
厚と、良好な特性との関係を示す図である。
厚と、良好な特性との関係を示す図である。
【図６】上記実施例の第２、第３ＡｌＧａＡｓクラッド
層の層厚ｔとγ値の関係を示す図である。
層の層厚ｔとγ値の関係を示す図である。
【図７】上記実施例の第２、第３ＡｌＧａＡｓクラッド
層の層厚ｔと非点隔差の関係を示す図である。
層の層厚ｔと非点隔差の関係を示す図である。
【図８】上記実施例の第２、第３ＡｌＧａＡｓクラッド
層の層厚ｔと動作電流の関係を示す図である。
層の層厚ｔと動作電流の関係を示す図である。
【図９】上記実施例の半導体レーザ素子の製造工程を示
す図である。
す図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板（半導体基板） ２ 第１クラッド層 ２ａ ｎ型第１ＡｌＧａＡｓクラッド層 ２ｂ ｎ型第２ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３ ｎ型ＡｌuＧａ1-uＡｓ第１過飽和光吸収層 ４ 活性層 ５ 第２クラッド層 ５ａ ｎ型第１ＡｌＧａＡｓクラッド層 ５ｂ ｎ型第２ＡｌＧａＡｓクラッド層（リッジ部） ６ ｐ型ＡｌuＧａ1-uＡｓ第２過飽和光吸収層
フロントページの続き (72)発明者 古沢 浩太郎 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 田尻 敦志 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 徹 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 松川 健一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 三宅 輝明 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 後藤 壮謙 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−84891（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−148784（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板と、該半導体基
板上に設けた第１導電型の第１クラッド層と、該第１ク
ラッド層上に設けた活性層と、該活性層上に設けた第２
導電型の第２クラッド層とを備え、前記第１、第２クラ
ッド層は前記活性層より小さい屈折率及び大きいバンド
ギャップを有すると共に、前記第１、第２クラッド層の
少なくとも一方の層中に発振波長エネルギーに略等しい
エネルギーのバンドギャップを有する過飽和光吸収層を
有した半導体レーザ素子であって、前記第１クラッド層
は、第１ＡｌＧａＡｓクラッド層と第２ＡｌＧａＡｓク
ラッド層とからなり、該第１ＡｌＧａＡｓクラッド層と
第２ＡｌＧａＡｓクラッド層との間に第１導電型のＡｌ
u Ｇａ 1-u Ａｓ（０≦ｕ＜１）第１過飽和光吸収層を有
し、且つ前記第２クラッド層は前記活性層上に形成され
た第３ＡｌＧａＡｓクラッド層と該第３ＡｌＧａＡｓク
ラッド層上に形成されたストライプ状リッジ部をなす第
４ＡｌＧａＡｓクラッド層とからなり、前記第３ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層上に第２導電型のＡｌ u Ｇａ 1-u Ａｓ
（０≦ｕ＜１）第２過飽和光吸収層を形成したことを特
徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記活性層はＡｌ q Ｇａ 1-q Ａｓ（０≦ｑ
＜１）層からなり、前記第１、第２過飽和光吸収層の各
組成比ｕはｑ−０．０１≦ｕ≦ｑ＋０．０１の範囲から
選択したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
素子。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP03856193A JP3238974B2 (ja) | 1992-11-06 | 1993-02-26 | 半導体レーザ素子 |
| US08/147,779 US5416790A (en) | 1992-11-06 | 1993-11-04 | Semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US08/365,176 US5506170A (en) | 1992-11-06 | 1994-12-28 | Method of making a semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US08/536,370 US5610096A (en) | 1992-11-06 | 1995-09-29 | Semiconductor laser with a self sustained pulsation |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-297178 | 1992-11-06 | ||
| JP29717892 | 1992-11-06 | ||
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Publications (2)
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|---|---|
| JPH06196810A JPH06196810A (ja) | 1994-07-15 |
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Family
ID=26377825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03856193A Expired - Fee Related JP3238974B2 (ja) | 1992-11-06 | 1993-02-26 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP2814943B2 (ja) * | 1995-01-19 | 1998-10-27 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| US6072817A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| WO1996034439A1 (fr) * | 1995-04-28 | 1996-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semiconducteur et appareil a disque optique utilisant ce laser |
| US5751756A (en) * | 1995-09-05 | 1998-05-12 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device for use as a light source of an optical disk or the like |
| JP2817710B2 (ja) * | 1996-06-10 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| JP3045104B2 (ja) * | 1997-05-21 | 2000-05-29 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP03856193A patent/JP3238974B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06196810A (ja) | 1994-07-15 |
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