JP2812327B1 - 光半導体装置樹脂封止金型 - Google Patents

光半導体装置樹脂封止金型

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JP2812327B1 JP13224097A JP13224097A JP2812327B1 JP 2812327 B1 JP2812327 B1 JP 2812327B1 JP 13224097 A JP13224097 A JP 13224097A JP 13224097 A JP13224097 A JP 13224097A JP 2812327 B1 JP2812327 B1 JP 2812327B1
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Abstract

【要約】 【課題】光半導体装置を樹脂封止する光半導体装置樹脂
封止金型において、リードフレーム8の外部リード部9
に変形をもたらすことなくかつ光特性を劣化させないで
樹脂封止する。 【解決手段】上下金型面の隙間より流量抵抗の小さいゲ
ート2をもつ樹脂溜り室1を、溶融樹脂の流入経路の終
端に位置するキャビティ5bに設けることにより、溶融
樹脂が過剰に供給されても、外部リード部9の変形を起
す隙間に多量の溶融樹脂が流れ込むことが無くなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、充填材を含有しな
い透明樹脂で光半導体装置を樹脂封止する半導体装置樹
脂封止金型に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の光半導体装置の外郭体を
成形する樹脂は、半導体装置の光吸収波長領域において
高い透明度が要求されていた。一方、通常の半導体装置
の樹脂封止に用いられるエポキシ樹脂には、熱伝導度の
向上や機械的性質の改善のために充填材を含ませてい
る。しかしながら、この光半導体装置にこの種の充填材
を含む樹脂で樹脂封止すると、樹脂外郭体に含む充填材
により光の屈折に変化をもたらし受光特性に悪影響を与
えるという問題があった。
【0003】図3は従来の光半導体装置樹脂封止金型の
一例を説明するための下型を示す部分平面図である。そ
こで、従来、この種の光半導体装置の樹脂封止には充填
材を含ませないで樹脂封止を行なっていた。そして、充
填材を含まない樹脂材は溶融時に流動性が高いとこか
ら、低圧トランスファモールド法で樹脂封止を行なって
いた。
【0004】この光半導体装置を樹脂封止する金型は、
図3に示すように、下型面6に形成された溶融樹脂の流
路であるランナ4からゲート3を介して溶融樹脂が注入
される複数のキャビティ5を有している。そして、下型
面6にリードフレーム8を載置し、型閉めしてから、プ
ランジャの押圧力によりポット7がら溶融樹脂をランナ
4に流し、キャビテイ5への樹脂充填不足が起きないよ
うに、キャビティ5の容積よりやや過剰の容量の溶融樹
脂をゲート3を介してキャビティ5に注入して半導体装
置を樹脂封止を行なっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光半導
体装置樹脂封止金型では、リードフレーム8の熱膨張な
どを考慮して、型閉めしたとき下型面6と上型面との隙
間は、十数ミクロンの隙間をもたせてある。しかしなが
ら、充填材を含まない溶融樹脂は流動性が高いため、プ
ランジャの低い圧力にもかかわらずこの隙間に溶融樹脂
を侵入させ、侵入した溶融樹脂の流動圧により外部リー
ド部9が曲げられることが多々発生し半導体装置の歩留
りを低下させていた。特に、ポット7から最も離れた位
置のキャビティ5の外部リード部9は、キャビティ5に
過剰の溶融樹脂が最後に注入されるので、供給される溶
融樹脂の流動圧がより高くなり、隙間に侵入し易く多量
の溶融樹脂により外部リード部が曲げられる頻度が高
い。
【0006】従って、本発明の目的は、リードフレーム
の外部リード部に変形をもたらすことなくかつ光特性を
劣化させないで樹脂封止できる光半導体装置樹脂封止金
型を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、充填材
を含まない溶融樹脂の供給源であるポットから該溶融樹
脂が流入経路であるランナから派生する複数の第1のゲ
ートを介して前記溶融樹脂が注入されるキャビティを有
する光半導体装置樹脂封止金型において、前記ポットか
ら最も離れた位置の前記キャビテイに前記第1のゲート
より狭い開口の第2のゲートを介して配設される第1の
樹脂溜り室を有する光半導体装置樹脂封止金型である。
また、前記第1の樹脂溜り室をもつ前記キャビテイの前
記ランナの上流にある前記キャビティに第3のゲートを
介して配設される第2の樹脂溜り室を有することが望ま
しい。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
【0009】図1は本発明の一実施の形態における光半
導体装置樹脂封止金型を説明するための下型を示す部分
平面図である。この光半導体装置樹脂封止金型は、図1
に示すように、ポット7から供給されランナ4を経て各
ゲート3から溶融樹脂10がそれぞれのキャビティ5a
およひ5bに順次充填され、最後に、ポット7から最も
離れた位置のキャビティ5bに溶融樹脂10が完全に充
填されてから、キャビティ5bから溶融樹脂がゲート2
から入り込む樹脂溜り室1を設けている。
【0010】また、溶融樹脂が流れ込みを調整するため
に、ランナ4から溶融樹脂が流れ込むゲート3の開口面
積に比べ樹脂溜り室1のゲート2の開口面積は小さく
し、上下金型面の隙間(リードフレームの板厚に略同
じ)の面積より大きくすることである。すなわち、溶融
樹脂が入り込む開口部の流量抵抗を変えることである。
【0011】このように流量抵抗を変えることにより、
樹脂源であるポット7から供給される溶融樹脂は、ま
ず、ランナ4に流れゲート3を介してポット7に最も近
いキャビティ5aに充填し、次に、再びランナ4に流れ
ゲート3を介してキャビティ5bを充填する。さらに、
プランジャの押圧力によりキャビティ5bの溶融樹脂
が、上下金型面の隙間より遥に大きい開口をもつゲート
2を介して樹脂溜り室1に入り込む。そして、プランジ
ャが押しが停止すると、溶融樹脂10は樹脂溜り室1の
例えば半分程度に流し込まれる。
【0012】なお、図1ではキャビティ5aおよび5a
の二つが示されているが、実際の金型では、ポット7を
中にキャビティ5aと5b側とは反対側に二つのキャビ
ティがある。この場合は、両側のキャビティにそれぞれ
樹脂溜り室がある。また、ポットを中心にしてランナ4
を挟んでキャビティが八個ある場合は、ポット7から最
も離れた位置のキャビティに設けることになり、樹脂溜
り室の数は四個となる。
【0013】この樹脂溜り室を設けるという技術思想
は、例えば、特開平5ー343455号公報や特開平6
ー106550号公報に開示されているものの、充填材
を含む樹脂で半導体装置を樹脂封止する金型であって、
いずれも流入経路であるランナの終端に樹脂溜り室を設
け、キャビティに効率良く樹脂を充填し、樹脂外郭体の
欠けやボイドの発生を防止している。しかしながら、こ
の金型に充填材が含まない樹脂封止に適用したとして
も、溶融樹脂がランナの終端に到達する前に、キャビテ
ィに充填された流動性が高い溶融樹脂が金型面の間の隙
間に入り込み外部リード部を変形させることになる。
【0014】このように上下金型面の隙間より流量抵抗
の小さいゲート2をもつ樹脂溜り室1をランナ4の終端
に位置するキャビティ5bに設けることにより、溶融樹
脂が過剰に供給されても、溶融樹脂は隙間に多量に入り
込むことなく、殆どの溶融樹脂は樹脂溜り室1に逃げ込
むので、従来のように、隙間に入り込み外部リード部を
押し曲げることが無くなる。
【0015】図2は本発明の他の実施の形態における光
半導体装置樹脂封止金型を説明するための下型を示す部
分平面図である。この光半導体装置樹脂封止金型は、図
2に示すように、ランナ4の終端にあるキャビティ5b
に充填される樹脂が流れ込む樹脂溜り室1a以外に、キ
ャビティ5bより前段のキャビティ5aに充填される溶
融樹脂が流れ込む樹脂溜り室1bを設けている。このよ
うな金型の場合は、樹脂入路経路であるランナ4が長
く、キャビティの数が多いときかキャビティ5a,5b
の容積が大きい場合に適用される。
【0016】例えば、前述の金型のキャビティより大き
い容積のキャビティ5a,5bと仮定すると、ポット7
から供給される溶融樹脂は、まず、ランナ4を経てゲー
ト3を通りキャビティ5aに充填される。そして、余剰
の溶融樹脂はランナ4を経てゲート3を介してキャビテ
ィ5bに入り込む。キャビテイ5bに溶融樹脂が充填さ
れると、プランジャの上昇によって、キャビテイ5aの
内圧がキャビティ5aと同様に上昇し、キャビティ5a
のゲート2aを通り溶融樹脂が樹脂溜り室1aに流れ込
む、さらに、プランジャの上昇により溶融樹脂は供給さ
れ、キャビティ5bの溜った溶融樹脂がゲート2bから
樹脂溜り室1bへ押し出される。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、上下金型
面の隙間より流量抵抗の小さいゲートをもつ樹脂溜り室
を、溶融樹脂の流入経路の終端に位置するキャビティに
設けることにより、溶融樹脂が過剰に供給されても隙間
に多量の溶融樹脂が流れ込むことが無くなり、過剰の溶
融樹脂の殆どは樹脂溜り室に逃げ込み、従来、起きてい
た隙間に入り込む溶融樹脂によるリード部の変形が皆無
となり、歩留りが向上するという効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態における光半導体装置樹
脂封止金型を説明するための下型を示す部分平面図であ
る。
【図2】本発明の他の実施の形態における光半導体装置
樹脂封止金型を説明するための下型を示す部分平面図で
ある。
【図3】従来の光半導体装置樹脂封止金型の一例を説明
するための下型を示す部分平面図である。
【符号の説明】
1,1a,1b 樹脂溜り室 2,2a,2b,3 ゲート 4 ランナ 5,5a,5b キャビティ 6 下型面 7 ポット 8 リードフレーム 9 外部リード部 10 溶融樹脂

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 充填材を含まない溶融樹脂の供給源であ
    るポットから該溶融樹脂が流入経路であるランナから派
    生する複数の第1のゲートを介して前記溶融樹脂が注入
    されるキャビティを有する光半導体装置樹脂封止金型に
    おいて、前記ポットから最も離れた位置の前記キャビテ
    イに前記第1のゲートより狭い開口の第2のゲートを介
    して配設される第1の樹脂溜り室を有することを特徴と
    する光半導体装置樹脂封止金型。
  2. 【請求項2】 前記第1の樹脂溜り室をもつ前記キャビ
    テイの前記ランナの上流にある前記キャビティに第3の
    ゲートを介して配設される第2の樹脂溜り室を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載の光半導体装置樹脂封止金
    型。
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