JPS5951133B2

JPS5951133B2 - パツケ−ジング方法

Info

Publication number: JPS5951133B2
Application number: JP1497677A
Authority: JP
Inventors: 邦彦西
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1977-02-16
Filing date: 1977-02-16
Publication date: 1984-12-12
Also published as: JPS53100773A

Description

【発明の詳細な説明】本発明はパッケージング方法、特にレジンモールド型半
導体装置の製造におけるモールディング方法に関する。

従来、レジンモールド型半導体装置の製造におけるモー
ルディング工程にあつては、第５図ａ、ｂに示すように
、組立が終了したリードフレーム１をモールド上型２お
よびモールド下型３で挟持するとともに、モールド下型
３に設けられた下型キャビティ４と上型キャビティ５と
からなるモールド空間６にモールド下型３に設けられる
ランナ７およびゲート８から前記モールド空間６にレジ
ンを注入することによつてリードフレームのパッケージ
（モールド）を行なつている。

ところで、ゲート８から流入するレジンは流れる途中あ
るいは最初のリード９（最もゲートに近いリード、以下
これを第１リード１０と呼ぶ）に衝突することによつて
内部に気泡１１を生ずる。

一方、従来は溶融粘度の低いレジン（たとえば１００ポ
アズ以下）が用いられていたため、気泡１１が発生して
も、これらの気泡は動きやすい。このため、第１リード
１０の流れの陰の部分に留まることもな＜、レジンの流
入とともにモールド空間の反対側の通路から抜けてしま
う。また、残つた小さな気泡もレジン注入時の圧力によ
つて潰れてしまう。したがつて、モールド後に第１リー
ド１０の表面にボード（気泡）が形成されることはない
。しかし、最近では５００〜７００ポアズ程度の比較的
溶融粘度の高いレジンが用いられている。このような粘
度の高いレジンでは、気泡の移動もあまりなく、第１リ
ードの陰に停滞してしまい、ボードが発生してしまう。
したがつて、本発明の目的は、リード表面にボードが発
生しないようにモールデインダ方法を提供することにあ
る。

以下実施例により本発明を詳細に説明する。

第１図に本発明のパッケージング方法（モールディング
方法）の一実施例を示す。同図はモールド下型２０とモ
ールド上型２１との間には組立を終了したリードフレー
ム２２が挟持されている。モールド下型２０にはレジン
が流れるランナ２３′が設けられている。また、このラ
ンナ２３はキャビティ２４にゲート２５を介して連通状
態となつている。また、ゲートロとリードフレーム２２
のリード２４の最もゲートロに近い第１リード２６との
距離ａは途中で曲折し１．５ｍｍ以上となつてい５る。
この結果、第１リード２６部分にはモールドが終了して
もボードは生じない。つぎに、ボードが発生しない根拠
を第２図を参照して説明する。

すなわち、レジンの各粘度に対するボードの発生始期を
ゲートロと第１リードとの間隔ａの関係において調べて
みると、レジン粘度が４００〜５００ボアズ前後ではａ
が１．５ｍｍ程度でボードが発生するようになる。また
、粘度が４００〜５００ボアズよりも小さくなつたり、
あるいは大きくなつたりすると、ａの数値は小さくなる
。なお、気泡の発生はゲートロを通過するレジンの流速
によつても異なるが、第２図のグラフではレジンのゲー
トロでの流入速度は４０〜８０ｍｍ／ＳｅＣであつて、
一般のモールデイング装置においてもこれらの速度は高
速度に属する。また、第３図に、Ａ，Ｂの２種類のレジ
ンを用いてモールドを行なつた場合におけるＡ，Ｂ２種
類のレジンの粘度の変遷を示す。

同グラフで示すＨ領域はレジンが温まり、固形物から液
体に代り徐々に粘度が低下する処理時間帯であり、Ｓ領
域はレジンが完全に溶融して最も粘度が低下する時間帯
である。さらに、Ｑ領域ではレジンが硬化温度に達し、
硬化を開始する時期（時間）であつ・て、再び粘度が高
くなり始める。実線で示す従来使用されているＡレジン
は粘度が低い。また、鎖線で示すＢレジンは粘度が高く
、このＢレジンが最近使用され始めている。たとえば、
Ｂレジンを加熱して溶融化を図るとともに、プランジヤ
を用２いてゲートロでのレジン流速を２０ｍｍ／ＳｅＣ
で注入すると、全てのキヤビテイに注入を行なうのに４
０ｓｅｃ要する。このとき、最後のキヤビテイに注入さ
れるレジンの粘度は第３図でも明らかなように１０００
ボアズにまで高くなつている。これを、第３２図で見る
と、ａが１．０ｍｍ程度以上あればボードは発生しない
ことになる。すなわち、第２図からも明らかなように、
レジンの溶融粘度が１００〜１５００ポイズでは、ゲー
トロと第１リードとの間隔は少なくとも１．５ｍｍ以上
にしておけばボードは発３！生しないことになる。なお
、これらのデータは、ゲートロでのレジン注入速度が最
大で８０ｍｍ／Ｓｅｃの場合に確実に適用できる。第４
図は、従来のゲートロ２７と第１リード２８との間隔ａ
が１．５ｍｍ以上採れない場合に、ゲート２９を移動し
第１リード２８との間隔ａを１．５ｍｍ以上にした例を
示す。

また、ゲートロと第１リードとの間隔を１．５ｍｍ以上
に保つには、モールド空間を形成する上下型のキヤビテ
イを大きくしたり、第１図で示すように、第１リードを
屈曲させたりする方法がある。以上のように、本発明の
パツケージング方法によれば、ゲートロに最も近いリー
ドに対し、その間隔を大きく採ることによつて、そのリ
ードのレジンの流れの陰部分に気泡が巻き込まれ停滞し
なくなる。

このため、ボードのないモールド品を製造することがで
き、特にレジンモールド型半導体装置にあつては、耐湿
性の優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のパツケージング方法の一実施例による
一部断面平面図、第２図は注入レジンの粘度とゲートロ
と第１リードとの距離の関係にあつてモールド部中にボ
ードが発生する状態を示すグラフ、第３図は熱硬化型レ
ジンの加熱注入時の各時間における粘度変化状態を示す
グラフ、第４図は本発明の他の実施例を示す一部断面平
面図、第５図Ａ，ｂは従来のレジンモールド状態の一部
を示す断面図および平面図である。］・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・モール
ド上型、３・・・・・・モールド下型、４・・・・・・
下型キヤビテイ、５・・・・・・上型キヤビテイ、６・
・・・・・モールド空間、７・・・・・・ランナ、８・
・・・・・ゲート、９・・・・・・リード、１０・・・
・・・第１リード、１１・・・・・・気泡、２０・・・
・・・モールド下型、２１・・・・・・モールド上型、
２２・・・・・・リードフレーム、２３・・・・・・ラ
ンナ、２４・・・・・・キヤビテイ、２５・・・・・・
ゲート、２６・・・・・・第１リード、２７・・・・・
・ゲートロ、２８・・・・・・第１リード、２９・・・
・・・ゲート。

Claims

【特許請求の範囲】

１組立を終了したリードフレームをモールド上下型間
に挟み、モールド空間内にゲートからレジンを注入させ
てリードフレームのパッケージを行なうパッケージング
方法において、ゲート口に最も近いリードフレームのリ
ードとゲート口との間の距離を、第２図に示すボイド発
生曲線で示される距離を除いてこの距離以上とし、レジ
ン注入速度を４０〜８０ｍｍ／ｓｅｃとし、かつレジン
粘度を１５００ポアズ以下としたことを特徴とするパッ
ケージング方法。