JPS5951133B2 - パツケ−ジング方法 - Google Patents
パツケ−ジング方法Info
- Publication number
- JPS5951133B2 JPS5951133B2 JP1497677A JP1497677A JPS5951133B2 JP S5951133 B2 JPS5951133 B2 JP S5951133B2 JP 1497677 A JP1497677 A JP 1497677A JP 1497677 A JP1497677 A JP 1497677A JP S5951133 B2 JPS5951133 B2 JP S5951133B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- mold
- viscosity
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパッケージング方法、特にレジンモールド型半
導体装置の製造におけるモールディング方法に関する。
導体装置の製造におけるモールディング方法に関する。
従来、レジンモールド型半導体装置の製造におけるモー
ルディング工程にあつては、第5図a、bに示すように
、組立が終了したリードフレーム1をモールド上型2お
よびモールド下型3で挟持するとともに、モールド下型
3に設けられた下型キャビティ4と上型キャビティ5と
からなるモールド空間6にモールド下型3に設けられる
ランナ7およびゲート8から前記モールド空間6にレジ
ンを注入することによつてリードフレームのパッケージ
(モールド)を行なつている。
ルディング工程にあつては、第5図a、bに示すように
、組立が終了したリードフレーム1をモールド上型2お
よびモールド下型3で挟持するとともに、モールド下型
3に設けられた下型キャビティ4と上型キャビティ5と
からなるモールド空間6にモールド下型3に設けられる
ランナ7およびゲート8から前記モールド空間6にレジ
ンを注入することによつてリードフレームのパッケージ
(モールド)を行なつている。
ところで、ゲート8から流入するレジンは流れる途中あ
るいは最初のリード9(最もゲートに近いリード、以下
これを第1リード10と呼ぶ)に衝突することによつて
内部に気泡11を生ずる。
るいは最初のリード9(最もゲートに近いリード、以下
これを第1リード10と呼ぶ)に衝突することによつて
内部に気泡11を生ずる。
一方、従来は溶融粘度の低いレジン(たとえば100ポ
アズ以下)が用いられていたため、気泡11が発生して
も、これらの気泡は動きやすい。このため、第1リード
10の流れの陰の部分に留まることもな<、レジンの流
入とともにモールド空間の反対側の通路から抜けてしま
う。また、残つた小さな気泡もレジン注入時の圧力によ
つて潰れてしまう。したがつて、モールド後に第1リー
ド10の表面にボード(気泡)が形成されることはない
。しかし、最近では500〜700ポアズ程度の比較的
溶融粘度の高いレジンが用いられている。このような粘
度の高いレジンでは、気泡の移動もあまりなく、第1リ
ードの陰に停滞してしまい、ボードが発生してしまう。
したがつて、本発明の目的は、リード表面にボードが発
生しないようにモールデインダ方法を提供することにあ
る。
アズ以下)が用いられていたため、気泡11が発生して
も、これらの気泡は動きやすい。このため、第1リード
10の流れの陰の部分に留まることもな<、レジンの流
入とともにモールド空間の反対側の通路から抜けてしま
う。また、残つた小さな気泡もレジン注入時の圧力によ
つて潰れてしまう。したがつて、モールド後に第1リー
ド10の表面にボード(気泡)が形成されることはない
。しかし、最近では500〜700ポアズ程度の比較的
溶融粘度の高いレジンが用いられている。このような粘
度の高いレジンでは、気泡の移動もあまりなく、第1リ
ードの陰に停滞してしまい、ボードが発生してしまう。
したがつて、本発明の目的は、リード表面にボードが発
生しないようにモールデインダ方法を提供することにあ
る。
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
第1図に本発明のパッケージング方法(モールディング
方法)の一実施例を示す。同図はモールド下型20とモ
ールド上型21との間には組立を終了したリードフレー
ム22が挟持されている。モールド下型20にはレジン
が流れるランナ23′が設けられている。また、このラ
ンナ23はキャビティ24にゲート25を介して連通状
態となつている。また、ゲートロとリードフレーム22
のリード24の最もゲートロに近い第1リード26との
距離aは途中で曲折し1.5mm以上となつてい5る。
この結果、第1リード26部分にはモールドが終了して
もボードは生じない。つぎに、ボードが発生しない根拠
を第2図を参照して説明する。
方法)の一実施例を示す。同図はモールド下型20とモ
ールド上型21との間には組立を終了したリードフレー
ム22が挟持されている。モールド下型20にはレジン
が流れるランナ23′が設けられている。また、このラ
ンナ23はキャビティ24にゲート25を介して連通状
態となつている。また、ゲートロとリードフレーム22
のリード24の最もゲートロに近い第1リード26との
距離aは途中で曲折し1.5mm以上となつてい5る。
この結果、第1リード26部分にはモールドが終了して
もボードは生じない。つぎに、ボードが発生しない根拠
を第2図を参照して説明する。
すなわち、レジンの各粘度に対するボードの発生始期を
ゲートロと第1リードとの間隔aの関係において調べて
みると、レジン粘度が400〜500ボアズ前後ではa
が1.5mm程度でボードが発生するようになる。また
、粘度が400〜500ボアズよりも小さくなつたり、
あるいは大きくなつたりすると、aの数値は小さくなる
。なお、気泡の発生はゲートロを通過するレジンの流速
によつても異なるが、第2図のグラフではレジンのゲー
トロでの流入速度は40〜80mm/SeCであつて、
一般のモールデイング装置においてもこれらの速度は高
速度に属する。また、第3図に、A,Bの2種類のレジ
ンを用いてモールドを行なつた場合におけるA,B2種
類のレジンの粘度の変遷を示す。
ゲートロと第1リードとの間隔aの関係において調べて
みると、レジン粘度が400〜500ボアズ前後ではa
が1.5mm程度でボードが発生するようになる。また
、粘度が400〜500ボアズよりも小さくなつたり、
あるいは大きくなつたりすると、aの数値は小さくなる
。なお、気泡の発生はゲートロを通過するレジンの流速
によつても異なるが、第2図のグラフではレジンのゲー
トロでの流入速度は40〜80mm/SeCであつて、
一般のモールデイング装置においてもこれらの速度は高
速度に属する。また、第3図に、A,Bの2種類のレジ
ンを用いてモールドを行なつた場合におけるA,B2種
類のレジンの粘度の変遷を示す。
同グラフで示すH領域はレジンが温まり、固形物から液
体に代り徐々に粘度が低下する処理時間帯であり、S領
域はレジンが完全に溶融して最も粘度が低下する時間帯
である。さらに、Q領域ではレジンが硬化温度に達し、
硬化を開始する時期(時間)であつ・て、再び粘度が高
くなり始める。実線で示す従来使用されているAレジン
は粘度が低い。また、鎖線で示すBレジンは粘度が高く
、このBレジンが最近使用され始めている。たとえば、
Bレジンを加熱して溶融化を図るとともに、プランジヤ
を用2いてゲートロでのレジン流速を20mm/SeC
で注入すると、全てのキヤビテイに注入を行なうのに4
0sec要する。このとき、最後のキヤビテイに注入さ
れるレジンの粘度は第3図でも明らかなように1000
ボアズにまで高くなつている。これを、第32図で見る
と、aが1.0mm程度以上あればボードは発生しない
ことになる。すなわち、第2図からも明らかなように、
レジンの溶融粘度が100〜1500ポイズでは、ゲー
トロと第1リードとの間隔は少なくとも1.5mm以上
にしておけばボードは発3!生しないことになる。なお
、これらのデータは、ゲートロでのレジン注入速度が最
大で80mm/Secの場合に確実に適用できる。第4
図は、従来のゲートロ27と第1リード28との間隔a
が1.5mm以上採れない場合に、ゲート29を移動し
第1リード28との間隔aを1.5mm以上にした例を
示す。
体に代り徐々に粘度が低下する処理時間帯であり、S領
域はレジンが完全に溶融して最も粘度が低下する時間帯
である。さらに、Q領域ではレジンが硬化温度に達し、
硬化を開始する時期(時間)であつ・て、再び粘度が高
くなり始める。実線で示す従来使用されているAレジン
は粘度が低い。また、鎖線で示すBレジンは粘度が高く
、このBレジンが最近使用され始めている。たとえば、
Bレジンを加熱して溶融化を図るとともに、プランジヤ
を用2いてゲートロでのレジン流速を20mm/SeC
で注入すると、全てのキヤビテイに注入を行なうのに4
0sec要する。このとき、最後のキヤビテイに注入さ
れるレジンの粘度は第3図でも明らかなように1000
ボアズにまで高くなつている。これを、第32図で見る
と、aが1.0mm程度以上あればボードは発生しない
ことになる。すなわち、第2図からも明らかなように、
レジンの溶融粘度が100〜1500ポイズでは、ゲー
トロと第1リードとの間隔は少なくとも1.5mm以上
にしておけばボードは発3!生しないことになる。なお
、これらのデータは、ゲートロでのレジン注入速度が最
大で80mm/Secの場合に確実に適用できる。第4
図は、従来のゲートロ27と第1リード28との間隔a
が1.5mm以上採れない場合に、ゲート29を移動し
第1リード28との間隔aを1.5mm以上にした例を
示す。
また、ゲートロと第1リードとの間隔を1.5mm以上
に保つには、モールド空間を形成する上下型のキヤビテ
イを大きくしたり、第1図で示すように、第1リードを
屈曲させたりする方法がある。以上のように、本発明の
パツケージング方法によれば、ゲートロに最も近いリー
ドに対し、その間隔を大きく採ることによつて、そのリ
ードのレジンの流れの陰部分に気泡が巻き込まれ停滞し
なくなる。
に保つには、モールド空間を形成する上下型のキヤビテ
イを大きくしたり、第1図で示すように、第1リードを
屈曲させたりする方法がある。以上のように、本発明の
パツケージング方法によれば、ゲートロに最も近いリー
ドに対し、その間隔を大きく採ることによつて、そのリ
ードのレジンの流れの陰部分に気泡が巻き込まれ停滞し
なくなる。
このため、ボードのないモールド品を製造することがで
き、特にレジンモールド型半導体装置にあつては、耐湿
性の優れたものとなる。
き、特にレジンモールド型半導体装置にあつては、耐湿
性の優れたものとなる。
第1図は本発明のパツケージング方法の一実施例による
一部断面平面図、第2図は注入レジンの粘度とゲートロ
と第1リードとの距離の関係にあつてモールド部中にボ
ードが発生する状態を示すグラフ、第3図は熱硬化型レ
ジンの加熱注入時の各時間における粘度変化状態を示す
グラフ、第4図は本発明の他の実施例を示す一部断面平
面図、第5図A,bは従来のレジンモールド状態の一部
を示す断面図および平面図である。 ]・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・モール
ド上型、3・・・・・・モールド下型、4・・・・・・
下型キヤビテイ、5・・・・・・上型キヤビテイ、6・
・・・・・モールド空間、7・・・・・・ランナ、8・
・・・・・ゲート、9・・・・・・リード、10・・・
・・・第1リード、11・・・・・・気泡、20・・・
・・・モールド下型、21・・・・・・モールド上型、
22・・・・・・リードフレーム、23・・・・・・ラ
ンナ、24・・・・・・キヤビテイ、25・・・・・・
ゲート、26・・・・・・第1リード、27・・・・・
・ゲートロ、28・・・・・・第1リード、29・・・
・・・ゲート。
一部断面平面図、第2図は注入レジンの粘度とゲートロ
と第1リードとの距離の関係にあつてモールド部中にボ
ードが発生する状態を示すグラフ、第3図は熱硬化型レ
ジンの加熱注入時の各時間における粘度変化状態を示す
グラフ、第4図は本発明の他の実施例を示す一部断面平
面図、第5図A,bは従来のレジンモールド状態の一部
を示す断面図および平面図である。 ]・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・モール
ド上型、3・・・・・・モールド下型、4・・・・・・
下型キヤビテイ、5・・・・・・上型キヤビテイ、6・
・・・・・モールド空間、7・・・・・・ランナ、8・
・・・・・ゲート、9・・・・・・リード、10・・・
・・・第1リード、11・・・・・・気泡、20・・・
・・・モールド下型、21・・・・・・モールド上型、
22・・・・・・リードフレーム、23・・・・・・ラ
ンナ、24・・・・・・キヤビテイ、25・・・・・・
ゲート、26・・・・・・第1リード、27・・・・・
・ゲートロ、28・・・・・・第1リード、29・・・
・・・ゲート。
Claims (1)
- 1 組立を終了したリードフレームをモールド上下型間
に挟み、モールド空間内にゲートからレジンを注入させ
てリードフレームのパッケージを行なうパッケージング
方法において、ゲート口に最も近いリードフレームのリ
ードとゲート口との間の距離を、第2図に示すボイド発
生曲線で示される距離を除いてこの距離以上とし、レジ
ン注入速度を40〜80mm/secとし、かつレジン
粘度を1500ポアズ以下としたことを特徴とするパッ
ケージング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1497677A JPS5951133B2 (ja) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | パツケ−ジング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1497677A JPS5951133B2 (ja) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | パツケ−ジング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53100773A JPS53100773A (en) | 1978-09-02 |
JPS5951133B2 true JPS5951133B2 (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=11875999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1497677A Expired JPS5951133B2 (ja) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | パツケ−ジング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5951133B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0279731U (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-19 | ||
JPH0441749B2 (ja) * | 1986-07-24 | 1992-07-09 | Naka Tech Lab | |
JPH0433313Y2 (ja) * | 1987-03-11 | 1992-08-10 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5923525A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1977
- 1977-02-16 JP JP1497677A patent/JPS5951133B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0441749B2 (ja) * | 1986-07-24 | 1992-07-09 | Naka Tech Lab | |
JPH0433313Y2 (ja) * | 1987-03-11 | 1992-08-10 | ||
JPH0279731U (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-19 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS53100773A (en) | 1978-09-02 |
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