JP2794155B2 - 電気光学表示装置の駆動方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アレイ（行列状）に配
列されたアドレス位置を有する電気光学表示装置、特に
副次的データ伝播即ちアドレス位置間のクロストークを
減少させる電気光学表示装置の駆動方法に関する。
列されたアドレス位置を有する電気光学表示装置、特に
副次的データ伝播即ちアドレス位置間のクロストークを
減少させる電気光学表示装置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学アドレス指定装置は、ビデオ・
カメラ、データ蓄積デバイス及びフラット・パネル液晶
表示装置を含む種々の用途に利用されている。斯るアド
レス指定装置は、通常、行列状に配置された多数のアド
レス位置を有する。例えば、高品位テレビジョン方式に
準じて構成したフラット・パネル液晶表示装置は、通
常、少なくとも２,０００,０００個のアドレス位置を有
する。アドレス位置は、各々が約２０００個の表示素子
即ちピクセルから成る１０００本のラインに配列された
ピクセルに対応する。
カメラ、データ蓄積デバイス及びフラット・パネル液晶
表示装置を含む種々の用途に利用されている。斯るアド
レス指定装置は、通常、行列状に配置された多数のアド
レス位置を有する。例えば、高品位テレビジョン方式に
準じて構成したフラット・パネル液晶表示装置は、通
常、少なくとも２,０００,０００個のアドレス位置を有
する。アドレス位置は、各々が約２０００個の表示素子
即ちピクセルから成る１０００本のラインに配列された
ピクセルに対応する。
【０００３】斯る表示装置内の隣接するピクセルは近接
して離間され、この狭い間隔に起因して副次的容量性結
合が生じる。隣接するピクセル間の容量性結合を、ここ
では「側方（サイド・ツー・サイド）」結合と呼ぶ。更
に、電気光学アドレス装置の動作の間、行又は列内の全
ピクセルに対するデータ駆動信号は、ピクセルに近接す
る共通導線を伝わる。電気光学アドレス装置の電気特性
は、行又は列内の全ピクセル間の容量性結合に影響され
る。行又は列内の全ピクセル間の斯る結合を、ここでは
「前後（フロント・ツー・バック）」結合と呼ぶ。これ
ら２種類の容量性結合により、特定のピクセルに送られ
るデータ駆動信号が、副次的データ信号即ちクロストー
クとして他のピクセルに送られる。
して離間され、この狭い間隔に起因して副次的容量性結
合が生じる。隣接するピクセル間の容量性結合を、ここ
では「側方（サイド・ツー・サイド）」結合と呼ぶ。更
に、電気光学アドレス装置の動作の間、行又は列内の全
ピクセルに対するデータ駆動信号は、ピクセルに近接す
る共通導線を伝わる。電気光学アドレス装置の電気特性
は、行又は列内の全ピクセル間の容量性結合に影響され
る。行又は列内の全ピクセル間の斯る結合を、ここでは
「前後（フロント・ツー・バック）」結合と呼ぶ。これ
ら２種類の容量性結合により、特定のピクセルに送られ
るデータ駆動信号が、副次的データ信号即ちクロストー
クとして他のピクセルに送られる。
【０００４】表示システムでは、クロストークは画像に
依存する。即ち、クロストークは、導体上のデータ駆動
信号に依存し、特定のピクセルに実際に蓄積された電圧
を変化させる。クロストーク効果は、実現可能なグレイ
・レベルの数を許容可能なビデオ性能に必要な数以下に
抑制する予想不可能なグレイスケールを生じさせる。グ
レイ・レベルは、表示素子の実効値（ＲＭＳ）電圧の小
さな変動に対し敏感であり、クロストークはこの電圧を
変化させる。本明細書において、グレイスケールは、モ
ノクローム又はカラー表示システムで得られる光出力レ
ベルの範囲を意味する。
依存する。即ち、クロストークは、導体上のデータ駆動
信号に依存し、特定のピクセルに実際に蓄積された電圧
を変化させる。クロストーク効果は、実現可能なグレイ
・レベルの数を許容可能なビデオ性能に必要な数以下に
抑制する予想不可能なグレイスケールを生じさせる。グ
レイ・レベルは、表示素子の実効値（ＲＭＳ）電圧の小
さな変動に対し敏感であり、クロストークはこの電圧を
変化させる。本明細書において、グレイスケールは、モ
ノクローム又はカラー表示システムで得られる光出力レ
ベルの範囲を意味する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フラット・パネル液晶
表示装置に使用される電気光学アドレス装置の１つは、
ピクセル位置をアドレス指定するために薄膜トランジス
タ・アレイを使用している。斯る表示装置で画像に依存
するクロストークを減少させる駆動方法であるデータ・
コンプリメント・ドライブ（ＤＣＤ）は、１９８８年の
国際表示研究会議でのハワード他による「薄膜トランジ
スタ／液晶表示装置のクロストーク」に記載されてい
る。ＤＣＤは、データ入力信号及びその相補信号を１行
アドレス指定期間に１行のアドレス位置に供給すること
を必要とする。
表示装置に使用される電気光学アドレス装置の１つは、
ピクセル位置をアドレス指定するために薄膜トランジス
タ・アレイを使用している。斯る表示装置で画像に依存
するクロストークを減少させる駆動方法であるデータ・
コンプリメント・ドライブ（ＤＣＤ）は、１９８８年の
国際表示研究会議でのハワード他による「薄膜トランジ
スタ／液晶表示装置のクロストーク」に記載されてい
る。ＤＣＤは、データ入力信号及びその相補信号を１行
アドレス指定期間に１行のアドレス位置に供給すること
を必要とする。
【０００６】従来のアドレス指定では、個々のデータ駆
動信号Ｖiは、１行アドレス期間に１行の各ピクセルに
供給される。ＤＣＤは、行アドレス期間の半分の期間に
ピクセルにデータ駆動信号Ｖiを供給し、行アドレス期
間の残りの半分の期間に別個のデータ相補信号／Ｖiを
供給する。データ駆動相補信号／Ｖiは、データ駆動信
号Ｖiに依存し、固定レベルＶm及び元のデータ駆動信号
Ｖiの差に等しい。
動信号Ｖiは、１行アドレス期間に１行の各ピクセルに
供給される。ＤＣＤは、行アドレス期間の半分の期間に
ピクセルにデータ駆動信号Ｖiを供給し、行アドレス期
間の残りの半分の期間に別個のデータ相補信号／Ｖiを
供給する。データ駆動相補信号／Ｖiは、データ駆動信
号Ｖiに依存し、固定レベルＶm及び元のデータ駆動信号
Ｖiの差に等しい。
【０００７】ＤＣＤは、全てのアドレス装置で全種のク
ロストーク効果を適切に減少できるわけではなく、特に
側方結合により生じるクロストーク・エラーに対して比
較的感受性が高いアドレス装置では、適切に減少できな
い。この様なあるアドレス装置は、「イオン化可能ガス
媒体を使用するアドレス装置」と題するブザック他によ
る米国特許第４８９６１４９号に記載されている。側方
結合により生じるクロストーク・エラーに対する比較的
に高い感受性は、接地面から比較的に離れてアドレス位
置即ちピクセルを配置する物理構造の結果であると考え
られている。接地面への距離が長いと、近接するピクセ
ル間に副次的な電界即ちクロストークが生じる。
ロストーク効果を適切に減少できるわけではなく、特に
側方結合により生じるクロストーク・エラーに対して比
較的感受性が高いアドレス装置では、適切に減少できな
い。この様なあるアドレス装置は、「イオン化可能ガス
媒体を使用するアドレス装置」と題するブザック他によ
る米国特許第４８９６１４９号に記載されている。側方
結合により生じるクロストーク・エラーに対する比較的
に高い感受性は、接地面から比較的に離れてアドレス位
置即ちピクセルを配置する物理構造の結果であると考え
られている。接地面への距離が長いと、近接するピクセ
ル間に副次的な電界即ちクロストークが生じる。
【０００８】クロストークを減少させる他の駆動方法に
は、リターン・ツー・コモン・ドライブ（ＲＴＣ）があ
る。ＲＴＣは、行アドレス指定期間の第１段階の間にピ
クセル行にデータ駆動信号Ｖiを供給し、アドレス指定
期間の残りの間に共通（コモン）電圧を供給する必要が
ある。共通電圧は一定であり、データ駆動信号と独立し
ている。同一の共通電圧が、表示装置の全ての行及び列
に使用される。この方法により、側方クロストークは効
果的に減少するが、前後クロストークはそれ程効果的に
減少しない。
は、リターン・ツー・コモン・ドライブ（ＲＴＣ）があ
る。ＲＴＣは、行アドレス指定期間の第１段階の間にピ
クセル行にデータ駆動信号Ｖiを供給し、アドレス指定
期間の残りの間に共通（コモン）電圧を供給する必要が
ある。共通電圧は一定であり、データ駆動信号と独立し
ている。同一の共通電圧が、表示装置の全ての行及び列
に使用される。この方法により、側方クロストークは効
果的に減少するが、前後クロストークはそれ程効果的に
減少しない。
【０００９】米国特許出願第０７／８５４１４５号に記
載されるように、２段階信号の周波数に反応する液晶材
料に関連する２段階アドレス指定方法を使用することに
よっても、クロストークを減少できる。しかし、斯る周
波数反応液晶は、全てのアプリケーションに適している
訳ではない。
載されるように、２段階信号の周波数に反応する液晶材
料に関連する２段階アドレス指定方法を使用することに
よっても、クロストークを減少できる。しかし、斯る周
波数反応液晶は、全てのアプリケーションに適している
訳ではない。
【００１０】したがって、本発明の目的は、電気光学ア
ドレス指定装置のクロストーク軽減方法の提供にある。
ドレス指定装置のクロストーク軽減方法の提供にある。
【００１１】本発明の他の目的は、アクティブ・マトリ
ックス電気光学アドレス指定装置のクロストーク軽減方
法の提供にある。
ックス電気光学アドレス指定装置のクロストーク軽減方
法の提供にある。
【００１２】本発明の他の目的は、側方クロストーク及
び前後クロストークを同時に減少させる電気光学アドレ
ス指定装置のクロストーク軽減方法の提供にある。
び前後クロストークを同時に減少させる電気光学アドレ
ス指定装置のクロストーク軽減方法の提供にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、例え
ば、フラット・パネル表示システムに使用されるアクテ
ィブ・マトリックス型電気光学アドレス指定装置におけ
るクロストーク効果を軽減する。斯るシステムは、通
常、アレイ状に配列された複数のアドレス位置の各々を
アドレス指定し、データ駆動信号を供給するためのアド
レス指定装置を含む。各アドレス位置は、表示素子又は
ピクセルに対応する。表示素子のグループには、副次的
データ信号又はクロストークの形でノイズを伝える副次
的容量性結合が生じる。
ば、フラット・パネル表示システムに使用されるアクテ
ィブ・マトリックス型電気光学アドレス指定装置におけ
るクロストーク効果を軽減する。斯るシステムは、通
常、アレイ状に配列された複数のアドレス位置の各々を
アドレス指定し、データ駆動信号を供給するためのアド
レス指定装置を含む。各アドレス位置は、表示素子又は
ピクセルに対応する。表示素子のグループには、副次的
データ信号又はクロストークの形でノイズを伝える副次
的容量性結合が生じる。
【００１４】アレイの１列内の全ての表示素子は、通常
は、１つのデータ駆動電極に接続され、１行内の全ての
表示素子は、１つのデータ・ストローブ電極に接続され
る。アナログ・データ駆動信号の形式での情報は、行ア
ドレス指定期間に各データ駆動電極に供給される。デー
タ駆動信号は、アドレス指定された行の各表示素子に対
し所望のグレイ・レベルを生じさせる振幅が変化する電
圧を有する。その行に対するデータ・ストローブ電極に
供給されるデータ・ストローブ信号は、データ蓄積を行
う。１行のみがデータ・ストローブ信号を受け取るの
で、他の行の表示素子は、同一のデータ・ストローブ電
極に接続されていても、データ駆動信号を蓄積しない。
は、１つのデータ駆動電極に接続され、１行内の全ての
表示素子は、１つのデータ・ストローブ電極に接続され
る。アナログ・データ駆動信号の形式での情報は、行ア
ドレス指定期間に各データ駆動電極に供給される。デー
タ駆動信号は、アドレス指定された行の各表示素子に対
し所望のグレイ・レベルを生じさせる振幅が変化する電
圧を有する。その行に対するデータ・ストローブ電極に
供給されるデータ・ストローブ信号は、データ蓄積を行
う。１行のみがデータ・ストローブ信号を受け取るの
で、他の行の表示素子は、同一のデータ・ストローブ電
極に接続されていても、データ駆動信号を蓄積しない。
【００１５】適応性駆動（アダプティブ・ドライブ）方
法と呼ばれる本発明は、複数のデータ駆動信号の電圧を
使用し、クロストークを効果的に減少させる補償信号を
決める。補償信号はデータ駆動信号により決まるので、
前後クロストークは、ＲＴＣによるよりも効果的に減少
される。補償信号は、複数の列からのデータ駆動信号に
より決まるので、側方クロストークは、ＤＣＤによるよ
りも効果的に減少される。
法と呼ばれる本発明は、複数のデータ駆動信号の電圧を
使用し、クロストークを効果的に減少させる補償信号を
決める。補償信号はデータ駆動信号により決まるので、
前後クロストークは、ＲＴＣによるよりも効果的に減少
される。補償信号は、複数の列からのデータ駆動信号に
より決まるので、側方クロストークは、ＤＣＤによるよ
りも効果的に減少される。
【００１６】好適な実施例では、信号は行アドレス期間
の第１及び第２段階にデータ駆動電極に供給される。第
１段階では、表示素子により蓄積される情報は、データ
駆動信号としてデータ駆動電極に供給される。次に、デ
ータ駆動信号は、データ・ストローブ電極に供給され、
情報の蓄積が行われる。更に、第２段階の間は、第１段
階で以前に供給された全てのデータ駆動信号から得られ
た単一の補償信号は、全てのデータ駆動電極に供給され
る。
の第１及び第２段階にデータ駆動電極に供給される。第
１段階では、表示素子により蓄積される情報は、データ
駆動信号としてデータ駆動電極に供給される。次に、デ
ータ駆動信号は、データ・ストローブ電極に供給され、
情報の蓄積が行われる。更に、第２段階の間は、第１段
階で以前に供給された全てのデータ駆動信号から得られ
た単一の補償信号は、全てのデータ駆動電極に供給され
る。
【００１７】補償信号の電圧値は、重み付け係数δ／
（１−δ）を乗算したデータ駆動信号として第１段階の
間に供給された全情報の平均の逆極性に等しい。ここ
で、第１段階の割合δは、行アドレス期間に対する第１
段階の期間の比である。この補償信号を第２段階に全て
のデータ駆動電極に供給すると、前後クロストーク及び
側方クロストークの両方が減少する。第１及び第２段階
の期間が等しければ、δ＝１／２、重み付け係数δ／
（１−δ）＝１で、補償信号はデータ駆動信号の平均値
の単純な逆極性である。
（１−δ）を乗算したデータ駆動信号として第１段階の
間に供給された全情報の平均の逆極性に等しい。ここ
で、第１段階の割合δは、行アドレス期間に対する第１
段階の期間の比である。この補償信号を第２段階に全て
のデータ駆動電極に供給すると、前後クロストーク及び
側方クロストークの両方が減少する。第１及び第２段階
の期間が等しければ、δ＝１／２、重み付け係数δ／
（１−δ）＝１で、補償信号はデータ駆動信号の平均値
の単純な逆極性である。
【００１８】データ駆動信号の平均は、不均等な段階の
期間の平均を重み付けするために選択された抵抗器を有
するアナログ加算回路を使用して行われる。第１段階の
間、重み付けされた平均は、加算回路網により計算さ
れ、バッファされる。第２段階では、計算された電圧の
反転電圧は、全てのデータ列に供給される。他の方法で
は、重み付けされた平均値は、デジタル的に求めてもよ
い。
期間の平均を重み付けするために選択された抵抗器を有
するアナログ加算回路を使用して行われる。第１段階の
間、重み付けされた平均は、加算回路網により計算さ
れ、バッファされる。第２段階では、計算された電圧の
反転電圧は、全てのデータ列に供給される。他の方法で
は、重み付けされた平均値は、デジタル的に求めてもよ
い。
【００１９】表示素子をアドレス指定するために、アド
レス指定装置は、薄膜トランジスタ型、ダイオード型、
イオン化可能なガス媒体型、金属−絶縁−金属型又はい
ずれかの他のアクティブ・マトリックス型を含む種々の
アドレス指定素子のいずれを使用してもよい。データ・
ストローブ電極は、例えば、薄膜トランジスタのゲート
をオンに切り替え、又はプラズマ・アドレス指定装置内
のガスをイオン化する。
レス指定装置は、薄膜トランジスタ型、ダイオード型、
イオン化可能なガス媒体型、金属−絶縁−金属型又はい
ずれかの他のアクティブ・マトリックス型を含む種々の
アドレス指定素子のいずれを使用してもよい。データ・
ストローブ電極は、例えば、薄膜トランジスタのゲート
をオンに切り替え、又はプラズマ・アドレス指定装置内
のガスをイオン化する。
【００２０】
【実施例】図７は、表示面１４を有する表示パネル１２
を備えたフラット・パネル表示装置１０を示す。公称同
一のデータ蓄積素子即ち表示素子１６から成る矩形平面
アレイは、垂直方向及び水平方向１８ａ及び１８ｂに夫
々所定距離だけ互いに離間される。後述の数式における
下付き文字及び上付き文字は、個々の表示素子１６が配
置された各行及び列を示す。しかし、本文中では数式と
異なり、例えば下付き文字ｉ及び上付き文字ｋは、夫々
l(i)及びu(k)で表され、例えば、ｉ行、ｋ列に配置され
た表示素子は、「表示素子１６l(i)・u(k)」で表され
る。表示素子１６をアドレス指定するために、表示パネ
ル１２は、薄膜トランジスタ型、金属−絶縁物−金属
型、又はイオン化可能ガス媒体型を含む種々のアクティ
ブ・マトリックス・アドレス指定装置のいずれを使用し
てもよいが、イオン化可能ガス媒体型が好適であり、後
述する。
を備えたフラット・パネル表示装置１０を示す。公称同
一のデータ蓄積素子即ち表示素子１６から成る矩形平面
アレイは、垂直方向及び水平方向１８ａ及び１８ｂに夫
々所定距離だけ互いに離間される。後述の数式における
下付き文字及び上付き文字は、個々の表示素子１６が配
置された各行及び列を示す。しかし、本文中では数式と
異なり、例えば下付き文字ｉ及び上付き文字ｋは、夫々
l(i)及びu(k)で表され、例えば、ｉ行、ｋ列に配置され
た表示素子は、「表示素子１６l(i)・u(k)」で表され
る。表示素子１６をアドレス指定するために、表示パネ
ル１２は、薄膜トランジスタ型、金属−絶縁物−金属
型、又はイオン化可能ガス媒体型を含む種々のアクティ
ブ・マトリックス・アドレス指定装置のいずれを使用し
てもよいが、イオン化可能ガス媒体型が好適であり、後
述する。
【００２１】アレイ内の各表示素子１６は、垂直列に配
列された薄くて幅の狭いデータ駆動電極２０と、水平行
に配列された細長い溝２２との重畳部分に相当する。
（電極２０を列電極２０と呼び、特定の列を表すために
上付き文字が付される。）溝２２の各行内の表示素子１
６は、１行分の情報即ちデータを表す。
列された薄くて幅の狭いデータ駆動電極２０と、水平行
に配列された細長い溝２２との重畳部分に相当する。
（電極２０を列電極２０と呼び、特定の列を表すために
上付き文字が付される。）溝２２の各行内の表示素子１
６は、１行分の情報即ちデータを表す。
【００２２】図８は、表示パネル１２を形成する構成要
素から成る層を示す。図７及び図８を参照すると、列電
極２０の幅及び溝２２の幅により、略矩形である表示素
子１６の寸法が決まる。列電極２０は、非導電性で光透
過性の第１基板２４の主面上に配置され、溝２２は、非
導電性で光透過性の第２基板２６の主面上に刻まれる。
２周波数ネマチック液晶Ｎｏ．ＺＬＩ−２４６１の様な
周波数反応電気光学材料層２８が、基板２４及び２６間
に充填される。この材料は、高周波数信号に対して鈍感
であり、よって、クロストークを減少させる。しかし、
本発明では、クロストークを減少させるために周波数依
存型液晶を使用する必要はない。直視又は投射型の反射
型表示装置の様な特定のシステムは、基板の一方が光透
過性である必要があることは当業者には理解されるであ
ろう。
素から成る層を示す。図７及び図８を参照すると、列電
極２０の幅及び溝２２の幅により、略矩形である表示素
子１６の寸法が決まる。列電極２０は、非導電性で光透
過性の第１基板２４の主面上に配置され、溝２２は、非
導電性で光透過性の第２基板２６の主面上に刻まれる。
２周波数ネマチック液晶Ｎｏ．ＺＬＩ−２４６１の様な
周波数反応電気光学材料層２８が、基板２４及び２６間
に充填される。この材料は、高周波数信号に対して鈍感
であり、よって、クロストークを減少させる。しかし、
本発明では、クロストークを減少させるために周波数依
存型液晶を使用する必要はない。直視又は投射型の反射
型表示装置の様な特定のシステムは、基板の一方が光透
過性である必要があることは当業者には理解されるであ
ろう。
【００２３】列電極２０は、データ駆動信号及び補償信
号の形の情報を受け取る。これらの信号はアナログ電圧
であり、データ駆動手段であるデータ駆動回路３２の各
出力増幅器３０により並列な出力導体３０’に発生す
る。溝２２は、データ・ストローブ手段であるデータ・
ストローブ回路３６の各出力増幅器３４により平行導体
３４’に発生する電圧パルスであるデータ・ストローブ
信号を受け取る。データ・ストローブ信号により、溝２
２の行に沿った表示素子１６は、列電極２０上のデータ
駆動信号に対応する情報を蓄積する。表示面１４の略全
面に画像を形成するために、表示装置１０は走査制御回
路４０を有する。これは、データ駆動回路３２及びデー
タ・ストローブ回路３６の動作を調整し、表示パネル１
２の表示素子１６の全ての列電極が、行走査方式で行か
ら行へ順にアドレス指定されるようにする。
号の形の情報を受け取る。これらの信号はアナログ電圧
であり、データ駆動手段であるデータ駆動回路３２の各
出力増幅器３０により並列な出力導体３０’に発生す
る。溝２２は、データ・ストローブ手段であるデータ・
ストローブ回路３６の各出力増幅器３４により平行導体
３４’に発生する電圧パルスであるデータ・ストローブ
信号を受け取る。データ・ストローブ信号により、溝２
２の行に沿った表示素子１６は、列電極２０上のデータ
駆動信号に対応する情報を蓄積する。表示面１４の略全
面に画像を形成するために、表示装置１０は走査制御回
路４０を有する。これは、データ駆動回路３２及びデー
タ・ストローブ回路３６の動作を調整し、表示パネル１
２の表示素子１６の全ての列電極が、行走査方式で行か
ら行へ順にアドレス指定されるようにする。
【００２４】好適な実施例では、データ駆動回路３２
は、データ駆動信号及び補償信号を、行アドレス指定期
間の第１及び第２段階に夫々出力する。第１段階では、
列電極２０は、アナログ電圧であるデータ駆動信号とし
ての情報を受け取り、１個の溝２２は、電圧パルスであ
るデータ・ストローブ信号を受け取り、データ駆動信号
に関係する電圧がデータ・ストローブ信号を受け取る行
内の表示素子１６に蓄積される。第２段階では、全ての
列電極２０は同一の補償信号を受け取る。補償信号は、
第１段階の間に出力される全てのデータ駆動信号の重み
付けされた平均値の反転値、即ち大きさは同一であるが
極性が反対である逆極性値である。
は、データ駆動信号及び補償信号を、行アドレス指定期
間の第１及び第２段階に夫々出力する。第１段階では、
列電極２０は、アナログ電圧であるデータ駆動信号とし
ての情報を受け取り、１個の溝２２は、電圧パルスであ
るデータ・ストローブ信号を受け取り、データ駆動信号
に関係する電圧がデータ・ストローブ信号を受け取る行
内の表示素子１６に蓄積される。第２段階では、全ての
列電極２０は同一の補償信号を受け取る。補償信号は、
第１段階の間に出力される全てのデータ駆動信号の重み
付けされた平均値の反転値、即ち大きさは同一であるが
極性が反対である逆極性値である。
【００２５】データ駆動信号の重み付け平均値は、デー
タ駆動信号を加算し、信号の数で除算し、δ／（１−
δ）を乗算することで計算される。ここでδは、上述の
段階の割合である。データ駆動信号及び補償信号の持続
期間が等しければ、δ＝１／２であり、補償信号の値は
データ駆動信号の平均値の逆極性値に等しい。δの値が
小さければ、クロストークを効果的に補償できるので、
δは実現できる限り小さいことが望ましい。最終的に
は、δの大きさは、データ駆動信号をセットアップし、
捕捉するのに必要な時間により制限される。
タ駆動信号を加算し、信号の数で除算し、δ／（１−
δ）を乗算することで計算される。ここでδは、上述の
段階の割合である。データ駆動信号及び補償信号の持続
期間が等しければ、δ＝１／２であり、補償信号の値は
データ駆動信号の平均値の逆極性値に等しい。δの値が
小さければ、クロストークを効果的に補償できるので、
δは実現できる限り小さいことが望ましい。最終的に
は、δの大きさは、データ駆動信号をセットアップし、
捕捉するのに必要な時間により制限される。
【００２６】補償信号の値は、データ信号及び補償信号
の段階の長さが等しくないことを考慮するように選択さ
れた抵抗器を含むアナログ加算回路を使用して求めるこ
とができる。データ駆動信号が電極２０に供給される行
アドレス指定期間の第１段階の間に、データ駆動信号の
重み付け平均値は加算回路により求められ、バッファに
蓄積される。第２段階では、データ駆動信号の重み付け
平均値の逆極性値が、全ての列電極２０に供給される。
重み付け平均値はデジタル的に行うこともできる。この
際にも、計算は第１段階で行われ、重み付けされた平均
値の逆極性値は第２段階に供給される。
の段階の長さが等しくないことを考慮するように選択さ
れた抵抗器を含むアナログ加算回路を使用して求めるこ
とができる。データ駆動信号が電極２０に供給される行
アドレス指定期間の第１段階の間に、データ駆動信号の
重み付け平均値は加算回路により求められ、バッファに
蓄積される。第２段階では、データ駆動信号の重み付け
平均値の逆極性値が、全ての列電極２０に供給される。
重み付け平均値はデジタル的に行うこともできる。この
際にも、計算は第１段階で行われ、重み付けされた平均
値の逆極性値は第２段階に供給される。
【００２７】アナログ加算に要する時間は、通常、デジ
タル計算よりも短いが、近接して離間された多数の導体
により干渉作用が生じる虞がある。したがって、好適な
計算方法は、表示器装置の大きさ及びアドレス指定構体
の種類の様な使用環境によるパラメータに依存する。
タル計算よりも短いが、近接して離間された多数の導体
により干渉作用が生じる虞がある。したがって、好適な
計算方法は、表示器装置の大きさ及びアドレス指定構体
の種類の様な使用環境によるパラメータに依存する。
【００２８】図８を参照すると、表示パネル１２は、ネ
マチック液晶材料層２８により離間された通常は平行な
１対の電極構体１４０及び１４２を含む。ガラス、雲母
又はプラスチックのような誘電体材料の薄い層１４６
は、層２８及び電極構体１４２間に配置される。電極構
体１４０は、光透過性の酸化インジウム錫の列電極２０
を内面１５０に縞状に被着形成したガラス製の誘電体基
板を有する。列電極２０の隣接する対は、間隔１５２だ
け離間されており、この間隔で行上の隣接する表示素子
１６間の水平距離が決まる。
マチック液晶材料層２８により離間された通常は平行な
１対の電極構体１４０及び１４２を含む。ガラス、雲母
又はプラスチックのような誘電体材料の薄い層１４６
は、層２８及び電極構体１４２間に配置される。電極構
体１４０は、光透過性の酸化インジウム錫の列電極２０
を内面１５０に縞状に被着形成したガラス製の誘電体基
板を有する。列電極２０の隣接する対は、間隔１５２だ
け離間されており、この間隔で行上の隣接する表示素子
１６間の水平距離が決まる。
【００２９】電極構体１４２は、ガラス製の誘電体基板
２６を有し、その内面には、断面が台形の複数の複数の
溝が設けられている。溝２２は、内面１５６、この内面
１５６から底部１６０まで測定した深さ１５８を有す
る。溝２２の各々には、底部１６０に沿って延びる薄く
幅の狭い１対のニッケル電極１６２ａ及び１６２ｂと、
底部１６０から内面１５６に向かって末広がりに延びる
１対の内面側壁部１６４がある。
２６を有し、その内面には、断面が台形の複数の複数の
溝が設けられている。溝２２は、内面１５６、この内面
１５６から底部１６０まで測定した深さ１５８を有す
る。溝２２の各々には、底部１６０に沿って延びる薄く
幅の狭い１対のニッケル電極１６２ａ及び１６２ｂと、
底部１６０から内面１５６に向かって末広がりに延びる
１対の内面側壁部１６４がある。
【００３０】基準電極１６２ａと呼ばれる電極１６２ａ
の各々は、接地電位に固定された共通の基準電位に接続
される。データ・ストローブ電極即ち簡単には「行電極
１６２ｂ」と呼ばれる電極１６２ｂは、データ・ストロ
ーブ回路１３６の出力増幅器３４（図８に３個が示され
ている。）の各々に接続される。
の各々は、接地電位に固定された共通の基準電位に接続
される。データ・ストローブ電極即ち簡単には「行電極
１６２ｂ」と呼ばれる電極１６２ｂは、データ・ストロ
ーブ回路１３６の出力増幅器３４（図８に３個が示され
ている。）の各々に接続される。
【００３１】隣合う溝２２間の側壁１６４は、誘電体材
料層１４６を支持する上面１５６を有する複数の支持構
体１６６となる。その隣の溝２２は、各支持構体１６６
の上部の幅１６８だけ相互に離間されている。この幅１
６８で、列中の隣接する蓄積素子１６間の垂直距離が決
まる。列電極２０及び溝２２の重畳部分１７０で、点線
で示す様に表示素子１６の大きさが決まる。
料層１４６を支持する上面１５６を有する複数の支持構
体１６６となる。その隣の溝２２は、各支持構体１６６
の上部の幅１６８だけ相互に離間されている。この幅１
６８で、列中の隣接する蓄積素子１６間の垂直距離が決
まる。列電極２０及び溝２２の重畳部分１７０で、点線
で示す様に表示素子１６の大きさが決まる。
【００３２】列電極２０に供給される電圧の大きさに応
じて、隣合う列電極２０を絶縁するための距離１５２が
決まる。距離１５２は、列電極２０の幅よりも通常は大
幅に小さい。隣合う溝２２の側壁部の傾きに応じて、幅
１６８が決まる。幅１６８は、溝２２の幅よりも通常は
大幅に小さい。列電極２０及び溝２０の幅は、通常は等
しく、表示用途で特定される所望の画像解像度に応じて
決められる。間隔１５２及び１６８は、できるだけ小さ
くしたほうがよい。表示パネル１２の現行のモデルで
は、溝の深さ１５８は溝の幅の半分である。
じて、隣合う列電極２０を絶縁するための距離１５２が
決まる。距離１５２は、列電極２０の幅よりも通常は大
幅に小さい。隣合う溝２２の側壁部の傾きに応じて、幅
１６８が決まる。幅１６８は、溝２２の幅よりも通常は
大幅に小さい。列電極２０及び溝２０の幅は、通常は等
しく、表示用途で特定される所望の画像解像度に応じて
決められる。間隔１５２及び１６８は、できるだけ小さ
くしたほうがよい。表示パネル１２の現行のモデルで
は、溝の深さ１５８は溝の幅の半分である。
【００３３】溝２２の各々は、ヘリウムが１つの好適例
であるイオン化可能なガスが満たされている。誘電体材
料層１４６は、溝２２に含まれるイオン化可能なガス及
び液層材料層２８の間で、絶縁遮断層として機能する。
誘電体材料層１４６が無い場合は、液晶材料が溝に流れ
込んでしまったり、イオン化可能ガスが液晶材料を汚染
することが起きる。誘電体材料層１４６は、固体材料又
はカプセルに封入された電気光学材料を使用した表示装
置では除外してもよい。
であるイオン化可能なガスが満たされている。誘電体材
料層１４６は、溝２２に含まれるイオン化可能なガス及
び液層材料層２８の間で、絶縁遮断層として機能する。
誘電体材料層１４６が無い場合は、液晶材料が溝に流れ
込んでしまったり、イオン化可能ガスが液晶材料を汚染
することが起きる。誘電体材料層１４６は、固体材料又
はカプセルに封入された電気光学材料を使用した表示装
置では除外してもよい。
【００３４】図９は、表示素子１６の構成要素と関連す
る電気特性を示す等価回路である。溝２２内に含まれる
イオン化可能なガスは、行電極１６２ｂにデータ・スト
ローブ回路３６により供給される電圧に応じて、接触子
の位置が２つの切替状態間で変化する電気スイッチ１７
２として動作する。スイッチ１７２は、誘電体層１４６
及び基準電極１６２ａ間に接続される。ストローブ・パ
ルスが無いと、溝２０内のガスは、イオン化していない
状態となって、非導通状態でなり、これにより、イオン
化可能なガスは開放スイッチ１７２として動作する。非
導通オフ状態にある溝２２は、電気容量Ｃpcを有し、コ
ンデンサ１７４として表される。行電極１６２ｂに供給
されるストローブ・パルスの振幅は、溝２２内のガスを
イオン化し導通状態にするに足りる大きさであり、これ
により、イオン化可能なガスは閉成スイッチとして動作
する。
る電気特性を示す等価回路である。溝２２内に含まれる
イオン化可能なガスは、行電極１６２ｂにデータ・スト
ローブ回路３６により供給される電圧に応じて、接触子
の位置が２つの切替状態間で変化する電気スイッチ１７
２として動作する。スイッチ１７２は、誘電体層１４６
及び基準電極１６２ａ間に接続される。ストローブ・パ
ルスが無いと、溝２０内のガスは、イオン化していない
状態となって、非導通状態でなり、これにより、イオン
化可能なガスは開放スイッチ１７２として動作する。非
導通オフ状態にある溝２２は、電気容量Ｃpcを有し、コ
ンデンサ１７４として表される。行電極１６２ｂに供給
されるストローブ・パルスの振幅は、溝２２内のガスを
イオン化し導通状態にするに足りる大きさであり、これ
により、イオン化可能なガスは閉成スイッチとして動作
する。
【００３５】液晶材料層２８に電圧を蓄積するために、
データ駆動信号を列電極２０に供給する。行電極１６２
ｂがストローブされると、電極構体１４０の下の溝２２
内に含まれるガスはイオン化され、誘電体層１４６から
通常は接地された基準電極１６２ａへ導電路が形成され
る。このように、データ駆動信号は、直列のコンデンサ
１７６及び１７８により表される誘電体層１４６及び液
晶層２８によりサンプルされる。プラズマが消失する
と、スイッチ１７２を開放することにより接地への導電
路が断たれ、回路内にコンデンサ１７４により表される
溝２２のオフ状態コンデンサＣpcが置かれ、これによ
り、サンプルされた電圧が表示素子１６に蓄積される。
データ駆動信号を列電極２０に供給する。行電極１６２
ｂがストローブされると、電極構体１４０の下の溝２２
内に含まれるガスはイオン化され、誘電体層１４６から
通常は接地された基準電極１６２ａへ導電路が形成され
る。このように、データ駆動信号は、直列のコンデンサ
１７６及び１７８により表される誘電体層１４６及び液
晶層２８によりサンプルされる。プラズマが消失する
と、スイッチ１７２を開放することにより接地への導電
路が断たれ、回路内にコンデンサ１７４により表される
溝２２のオフ状態コンデンサＣpcが置かれ、これによ
り、サンプルされた電圧が表示素子１６に蓄積される。
【００３６】液晶層２８を横切る電圧は、プラズマ溝２
２の性質が導電性の性質から容量性素子の性質へ切り替
わるにつれて幾分変化する。液晶自体を横切って蓄積さ
れる実際の電圧は、データ駆動信号、液晶層２８のキャ
パシタンス、誘電体層１４６及びオフ状態のプラズマ溝
２２に関係して決まる。電圧は、続く画像フィールド内
の新しいラインを表す電圧が層２８を横切って生じるま
で、液晶材料層２８を横切って蓄積されたままであり、
漏洩電流により生じる減少は無視できる。上述のアドレ
ス指定構体及び技術は、実質的に１００％のデューティ
ー比の信号を表示素子１６の各々に供給する。
２の性質が導電性の性質から容量性素子の性質へ切り替
わるにつれて幾分変化する。液晶自体を横切って蓄積さ
れる実際の電圧は、データ駆動信号、液晶層２８のキャ
パシタンス、誘電体層１４６及びオフ状態のプラズマ溝
２２に関係して決まる。電圧は、続く画像フィールド内
の新しいラインを表す電圧が層２８を横切って生じるま
で、液晶材料層２８を横切って蓄積されたままであり、
漏洩電流により生じる減少は無視できる。上述のアドレ
ス指定構体及び技術は、実質的に１００％のデューティ
ー比の信号を表示素子１６の各々に供給する。
【００３７】図１は、表示装置１０内の例示的な行ｉの
全期間と、前の行ｉ−１及び次の行ｉ＋１に関するアド
レス指定期間の一部の異なる時間制約を示す。各行のア
ドレス指定期間は、水平方向に分割された３つの区分で
表され、一番下の区分は溝２２内のプラズマ状態を示
し、一番上の区分は列電極２０に供給される電圧を示
し、真ん中の区分は異なる期間を示す。
全期間と、前の行ｉ−１及び次の行ｉ＋１に関するアド
レス指定期間の一部の異なる時間制約を示す。各行のア
ドレス指定期間は、水平方向に分割された３つの区分で
表され、一番下の区分は溝２２内のプラズマ状態を示
し、一番上の区分は列電極２０に供給される電圧を示
し、真ん中の区分は異なる期間を示す。
【００３８】例示した行は、ストローブされた溝２２の
行電極１６２ｂがストローブ信号を受け取った後に、プ
ラズマを形成するためのプラズマ形成期間１８０を必要
とする。好適な実施例では、プラズマ形成期間１８０
は、ヘリウム・ガスを使用した場合に、公称数マイクロ
秒である。プラズマ形成期間１８０は、前の行のクロス
トーク補償期間１８１に補償信号を供給する間にストロ
ーブ・パルスを供給することにより開始する。プラズマ
減衰（表示）期間１８２は、行電極１６２ｂからストロ
ーブ・パルスを除去することで、溝２２内のプラズマが
非イオン化状態に戻る時間を表す。
行電極１６２ｂがストローブ信号を受け取った後に、プ
ラズマを形成するためのプラズマ形成期間１８０を必要
とする。好適な実施例では、プラズマ形成期間１８０
は、ヘリウム・ガスを使用した場合に、公称数マイクロ
秒である。プラズマ形成期間１８０は、前の行のクロス
トーク補償期間１８１に補償信号を供給する間にストロ
ーブ・パルスを供給することにより開始する。プラズマ
減衰（表示）期間１８２は、行電極１６２ｂからストロ
ーブ・パルスを除去することで、溝２２内のプラズマが
非イオン化状態に戻る時間を表す。
【００３９】データ・セットアップ期間１８４は、デー
タ駆動回路３２が、前のラインに関する補償信号値（Ｖ
COMPi-1）及び現在ストローブされているラインのデー
タ駆動信号値（ＶDATA）の間で変化し、列電極２０に供
給されるアナログ・データ駆動電圧信号を出力増幅器３
０に生じさせる時間を表す。補償セットアップ期間１８
５は、データ・セットアップ期間１８４に類似するが、
データは、現在のラインのデータ駆動値（ＶDATA）及び
補償値（ＶCOMPi）の間で変化する。セットアップ期間
１８４及び１８５は、データ駆動回路３２を構成するた
めに使用する電子回路によって決まる。１.０マイクロ
秒より小さいデータ・セットアップ期間１８４が達成可
能である。
タ駆動回路３２が、前のラインに関する補償信号値（Ｖ
COMPi-1）及び現在ストローブされているラインのデー
タ駆動信号値（ＶDATA）の間で変化し、列電極２０に供
給されるアナログ・データ駆動電圧信号を出力増幅器３
０に生じさせる時間を表す。補償セットアップ期間１８
５は、データ・セットアップ期間１８４に類似するが、
データは、現在のラインのデータ駆動値（ＶDATA）及び
補償値（ＶCOMPi）の間で変化する。セットアップ期間
１８４及び１８５は、データ駆動回路３２を構成するた
めに使用する電子回路によって決まる。１.０マイクロ
秒より小さいデータ・セットアップ期間１８４が達成可
能である。
【００４０】データ捕捉期間１８６は、溝２２内に含ま
れるイオン化可能ガスの導電性に依存する。ガス圧及び
電流の様な動作パラメータを好適な値にすると、アノー
ド（基準電極１６２ａ）から陰極（行電極１６２ｂ）へ
の正のイオンの流れに対して最も速いデータ捕捉時間１
８６が得られる。この値は、溝２２の大きさ及び形状に
より決まる。
れるイオン化可能ガスの導電性に依存する。ガス圧及び
電流の様な動作パラメータを好適な値にすると、アノー
ド（基準電極１６２ａ）から陰極（行電極１６２ｂ）へ
の正のイオンの流れに対して最も速いデータ捕捉時間１
８６が得られる。この値は、溝２２の大きさ及び形状に
より決まる。
【００４１】プラズマが消失するときに、液晶層２８を
横切って蓄積された電圧及びその後のクロストークによ
り、層２８を横切るＲＭＳ電圧が決まる。層２８を横切
るＲＭＳ電圧は、液晶分子の方位を決め、それにより、
層２８の光透過性及び表示素子１６のグレイ・レベルが
決まる。オフ状態で液晶層２８、誘電体層１４６及びプ
ラズマ溝のキャパシタンスは一定で既知であるので、行
アドレス指定期間の間に適切なデータ駆動信号を供給す
ることにより、所望のグレイ・レベルに必要な電圧を液
晶層２８を横切って蓄積できる。
横切って蓄積された電圧及びその後のクロストークによ
り、層２８を横切るＲＭＳ電圧が決まる。層２８を横切
るＲＭＳ電圧は、液晶分子の方位を決め、それにより、
層２８の光透過性及び表示素子１６のグレイ・レベルが
決まる。オフ状態で液晶層２８、誘電体層１４６及びプ
ラズマ溝のキャパシタンスは一定で既知であるので、行
アドレス指定期間の間に適切なデータ駆動信号を供給す
ることにより、所望のグレイ・レベルに必要な電圧を液
晶層２８を横切って蓄積できる。
【００４２】しかし、クロストークは、表示素子１６及
びデータ駆動電極２０間の固定した容量性結合に依存す
るだけでなく、次の行アドレス指定期間中に行２０に供
給されるデータ駆動信号にも依存する。次のデータ駆動
信号の値は、特定の行のアドレス指定期間の間未知であ
るので、液晶層２８を横切るＲＭＳ電圧へのクロストー
クの影響は、十分に求められず、そのときには補償でき
ない。
びデータ駆動電極２０間の固定した容量性結合に依存す
るだけでなく、次の行アドレス指定期間中に行２０に供
給されるデータ駆動信号にも依存する。次のデータ駆動
信号の値は、特定の行のアドレス指定期間の間未知であ
るので、液晶層２８を横切るＲＭＳ電圧へのクロストー
クの影響は、十分に求められず、そのときには補償でき
ない。
【００４３】図２は、表示パネル１２の列電極２０u(k)
に沿って配置された表示素子１６l(i)・u(k)，１６l(i+
1)・u(k)，・・・１６(i+4)・(k)に供給される例示的な
データ駆動信号２０２ａ〜２０２ｅ及び対応する補償信
号２０４ａ〜２０４ｅを示すタイミング図２００であ
る。同様に、図３は、列電極２０u(k+1)に沿って配列さ
れた表示素子１６l(i)・u(k+1)，１６l(i+1)・u(k+1)，
・・・１６l(i+4)・u(k+1)に供給された例示的なデータ
駆動信号２０８ａ〜２０８ｅ及び対応する補償信号２０
４ａ〜２０４ｅを示すタイミング図２０６である。電圧
２０２ａを供給する間にアドレス指定される表示素子及
び電圧２０８ａを供給する間にアドレス指定される表示
素子は、夫々列ｋ及びｋ＋１内で、両方共ｉ内にある。
電圧２０２ｂ及び２０８ｂは、行ｉ＋１内の素子にアド
レス指定され、電圧２０２ｃ及び２０８ｃは行ｉ＋２内
の素子にアドレス指定され、電圧２０２ｅ及び２０８ｅ
は行ｉ＋４内の素子にアドレス指定される。図２及び図
６より、データ駆動信号２０２ａ〜２０２ｅは、データ
駆動信号２０８ａ〜２０８ｅと異なるが、同一補償信号
２０４ａ〜２０４ｅが、列電極２０u(k)及び２０(k+1)
の両方で使用される。
に沿って配置された表示素子１６l(i)・u(k)，１６l(i+
1)・u(k)，・・・１６(i+4)・(k)に供給される例示的な
データ駆動信号２０２ａ〜２０２ｅ及び対応する補償信
号２０４ａ〜２０４ｅを示すタイミング図２００であ
る。同様に、図３は、列電極２０u(k+1)に沿って配列さ
れた表示素子１６l(i)・u(k+1)，１６l(i+1)・u(k+1)，
・・・１６l(i+4)・u(k+1)に供給された例示的なデータ
駆動信号２０８ａ〜２０８ｅ及び対応する補償信号２０
４ａ〜２０４ｅを示すタイミング図２０６である。電圧
２０２ａを供給する間にアドレス指定される表示素子及
び電圧２０８ａを供給する間にアドレス指定される表示
素子は、夫々列ｋ及びｋ＋１内で、両方共ｉ内にある。
電圧２０２ｂ及び２０８ｂは、行ｉ＋１内の素子にアド
レス指定され、電圧２０２ｃ及び２０８ｃは行ｉ＋２内
の素子にアドレス指定され、電圧２０２ｅ及び２０８ｅ
は行ｉ＋４内の素子にアドレス指定される。図２及び図
６より、データ駆動信号２０２ａ〜２０２ｅは、データ
駆動信号２０８ａ〜２０８ｅと異なるが、同一補償信号
２０４ａ〜２０４ｅが、列電極２０u(k)及び２０(k+1)
の両方で使用される。
【００４４】図４は、図２に示すデータ駆動信号２０２
ａによりアドレス指定された表示素子１６l(i)・u(k)を
横切る例示的な電圧を示すタイミング図２７０である。
電圧２７１ａは、行アドレス指定期間の表示素子１６l
(i)・u(k)の液晶部分を横切る電圧を表す。
ａによりアドレス指定された表示素子１６l(i)・u(k)を
横切る例示的な電圧を示すタイミング図２７０である。
電圧２７１ａは、行アドレス指定期間の表示素子１６l
(i)・u(k)の液晶部分を横切る電圧を表す。
【００４５】表示素子１６を介する光透過は、液晶層２
８を横切るＲＭＳ電圧に応じるので、所望のグレイ・レ
ベルを得るための公称値にＲＭＳ電圧を維持することが
望ましい。ｉ番目の行アドレス指定期間に表示素子１６
l(i)・u(k)に供給される電圧２７１ａは、プラズマ溝２
２がオフ状態であるときに、所望の公称電圧が液晶層２
８に蓄積されるようにする電圧である。しかし、電圧２
７１ｂ〜２７１ｅ、即ちｉ＋１〜ｉ＋４の行アドレス指
定期間の第１段階の間の表示素子１６を横切る電圧は、
列ｋに供給されるデータ駆動電圧２０２ａ〜２０２ｅに
よる前後クロストーク及び隣接する列ｋ−１及びｋ＋１
に供給される２０８ａ〜２０８ｅの様なデータ駆動信号
による側方クロストークにより、所望の公称値とは異な
る。
８を横切るＲＭＳ電圧に応じるので、所望のグレイ・レ
ベルを得るための公称値にＲＭＳ電圧を維持することが
望ましい。ｉ番目の行アドレス指定期間に表示素子１６
l(i)・u(k)に供給される電圧２７１ａは、プラズマ溝２
２がオフ状態であるときに、所望の公称電圧が液晶層２
８に蓄積されるようにする電圧である。しかし、電圧２
７１ｂ〜２７１ｅ、即ちｉ＋１〜ｉ＋４の行アドレス指
定期間の第１段階の間の表示素子１６を横切る電圧は、
列ｋに供給されるデータ駆動電圧２０２ａ〜２０２ｅに
よる前後クロストーク及び隣接する列ｋ−１及びｋ＋１
に供給される２０８ａ〜２０８ｅの様なデータ駆動信号
による側方クロストークにより、所望の公称値とは異な
る。
【００４６】電圧２７２ａ〜２７２ｅは、ｉ〜ｉ＋４の
行アドレス期間の各々の第２段階に、好適な補償信号を
供給する間、表示素子１６で液晶層２８を横切る電圧を
表す。電圧２７２ａ〜２７２ｅは、所望の公称電圧から
の電圧２７１ｂ〜２７１ｅの偏差を補償し、表示素子１
６を横切るＲＭＳ電圧は、近似的に所望公称電圧とな
る。
行アドレス期間の各々の第２段階に、好適な補償信号を
供給する間、表示素子１６で液晶層２８を横切る電圧を
表す。電圧２７２ａ〜２７２ｅは、所望の公称電圧から
の電圧２７１ｂ〜２７１ｅの偏差を補償し、表示素子１
６を横切るＲＭＳ電圧は、近似的に所望公称電圧とな
る。
【００４７】所望のクロストーク補償駆動方法を導き、
評価するために、表示素子１６l(i)・u(k)で液晶層１８
を横切るＲＭＳ電圧は、数式により記述でき、この数式
はクロストーク補償方法を評価するために使用される。
評価するために、表示素子１６l(i)・u(k)で液晶層１８
を横切るＲＭＳ電圧は、数式により記述でき、この数式
はクロストーク補償方法を評価するために使用される。
【００４８】単一段階のアドレス指定方法により駆動さ
れる表示素子１６l(i)・u(k)を横切る、フレーム・アド
レス指定期間の間のＲＭＳ電圧は、数１で表される。
れる表示素子１６l(i)・u(k)を横切る、フレーム・アド
レス指定期間の間のＲＭＳ電圧は、数１で表される。
【数１】 ここで、＜Ｖ**2＞l(i)・u(k)は、行ｉ及び列ｋの表示
素子を横切るＲＭＳ電圧を表す（Ｖ**2は、Ｖの２乗を
表す）。Ｎは、フレーム・アドレス期間の行アドレス期
間の数である。Ｖl(i)・u(k)は、ｉ番目のアドレス指定
期間中にｋ番目の列に供給される電圧である。Ｖl(i)・
u(k)は、プラズマ・アドレス指定される表示装置では０
〜６０Ｖで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスでは
０〜数Ｖである。Ｃは、液晶層の公称キャパシタンスで
ある。
素子を横切るＲＭＳ電圧を表す（Ｖ**2は、Ｖの２乗を
表す）。Ｎは、フレーム・アドレス期間の行アドレス期
間の数である。Ｖl(i)・u(k)は、ｉ番目のアドレス指定
期間中にｋ番目の列に供給される電圧である。Ｖl(i)・
u(k)は、プラズマ・アドレス指定される表示装置では０
〜６０Ｖで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスでは
０〜数Ｖである。Ｃは、液晶層の公称キャパシタンスで
ある。
【００４９】α≡１／Ｃ+1／ＣTD、ここで、ＣTDは誘電
体層１４６のキャパシタンスである。パラメータαは、
データ駆動電圧が、液晶層２８及び誘電体層１４６間に
分割されることを示し、プラズマ・アドレス指定される
表示装置では約７〜９の値を有する。ＴＦＴ表示器で
は、誘電体層は存在せず、したがって、α＝１である。
体層１４６のキャパシタンスである。パラメータαは、
データ駆動電圧が、液晶層２８及び誘電体層１４６間に
分割されることを示し、プラズマ・アドレス指定される
表示装置では約７〜９の値を有する。ＴＦＴ表示器で
は、誘電体層は存在せず、したがって、α＝１である。
【００５０】β≡１／Ｃ+1／ＣTD+1／Ｃpc、ここで、Ｃ
pcはオフ状態でのプラズマ溝２２のキャパシタンスを示
す。パラメータβは、溝２２内のプラズマが消失すると
きに、液晶層２８を横切る電圧が変化することを意味す
る。パラメータβは、プラズマ・アドレス指定される表
示装置では約１００の値であり、ＴＦＴ表示素子のソー
ス・ドレイン・キャパシタンスに等しい。
pcはオフ状態でのプラズマ溝２２のキャパシタンスを示
す。パラメータβは、溝２２内のプラズマが消失すると
きに、液晶層２８を横切る電圧が変化することを意味す
る。パラメータβは、プラズマ・アドレス指定される表
示装置では約１００の値であり、ＴＦＴ表示素子のソー
ス・ドレイン・キャパシタンスに等しい。
【００５１】Ｄは、表示素子及び隣接するバス・ライン
間の容量性結合を示す経験的に得た項であり、上述のプ
ラズマ・アドレス指定される表示装置では約１００の値
を有する。
間の容量性結合を示す経験的に得た項であり、上述のプ
ラズマ・アドレス指定される表示装置では約１００の値
を有する。
【００５２】数１の第１項は、表示素子１６l(i)・u(k)
をアドレス指定するデータ駆動電圧による、その表示素
子の液晶層１８を横切るＲＭＳ電圧への寄与度を表す。
第２項は、行１〜ｉ−１にアドレス指定された駆動電圧
の寄与度を表し、第３項は、行ｉ＋１〜Ｎにアドレス指
定されたデータ駆動電圧の寄与度を表す。
をアドレス指定するデータ駆動電圧による、その表示素
子の液晶層１８を横切るＲＭＳ電圧への寄与度を表す。
第２項は、行１〜ｉ−１にアドレス指定された駆動電圧
の寄与度を表し、第３項は、行ｉ＋１〜Ｎにアドレス指
定されたデータ駆動電圧の寄与度を表す。
【００５３】第２及び第３項に関して、各加算式内の第
１項は、ｉ番目のアドレス指定期間中に表示装置に蓄積
され、プラズマ溝がオフ状態にあるとき、プラズマ溝の
キャパシタンスの結果として再分配される電荷のＲＭＳ
電圧への寄与度を表す。各加算式の第２項は、前後クロ
ストークにより生じるＲＭＳ電圧、即ちｉ番目の行アド
レス期間以外の行アドレス期間中に列電極２０u(k)に供
給される駆動信号により生じる副次的効果により生じる
ＲＭＳ電圧への寄与度を表す。斯る副次的効果は、液晶
層１８、誘電体層１４６及びプラズマ溝２２のキャパシ
タンスによって決まる。各加算式の最後の項は、側方ク
ロストーク、即ちｋ番目の列内のピクセルにＲＭＳ電圧
を供給したときの隣接する列ｋ＋１及びｋ−１上の駆動
電圧の効果を表す。
１項は、ｉ番目のアドレス指定期間中に表示装置に蓄積
され、プラズマ溝がオフ状態にあるとき、プラズマ溝の
キャパシタンスの結果として再分配される電荷のＲＭＳ
電圧への寄与度を表す。各加算式の第２項は、前後クロ
ストークにより生じるＲＭＳ電圧、即ちｉ番目の行アド
レス期間以外の行アドレス期間中に列電極２０u(k)に供
給される駆動信号により生じる副次的効果により生じる
ＲＭＳ電圧への寄与度を表す。斯る副次的効果は、液晶
層１８、誘電体層１４６及びプラズマ溝２２のキャパシ
タンスによって決まる。各加算式の最後の項は、側方ク
ロストーク、即ちｋ番目の列内のピクセルにＲＭＳ電圧
を供給したときの隣接する列ｋ＋１及びｋ−１上の駆動
電圧の効果を表す。
【００５４】本発明の好適な実施例のアダプティブ駆動
方法、ＤＣＤ又はＲＴＣの様なアドレス指定方法は、２
段階駆動方法である。第１電圧は、期間δの第１段階に
列電極に供給され、第２電圧は、期間１−δの第２段階
に列電極２０に供給される。斯る駆動方法で駆動される
表示素子を横切るＲＭＳ電圧を表す式は、第２段階を表
す類似する１組の項が追加される以外は、数１の式に類
似する。
方法、ＤＣＤ又はＲＴＣの様なアドレス指定方法は、２
段階駆動方法である。第１電圧は、期間δの第１段階に
列電極に供給され、第２電圧は、期間１−δの第２段階
に列電極２０に供給される。斯る駆動方法で駆動される
表示素子を横切るＲＭＳ電圧を表す式は、第２段階を表
す類似する１組の項が追加される以外は、数１の式に類
似する。
【数２】 ここで、Ｗl(i)・u(k)は、ｉ番目の行のアドレス指定期
間の第２段階中に列電極２０u(k)に供給される電圧であ
る。溝２２のオフ状態で電荷の再配分により生じる表示
素子１６l(i)・u(k)を横切る電圧の変化の影響は、全て
のデータ駆動電圧にβ／（β−α）を乗算することで補
償できる。ＲＭＳ電圧は、数３の様に簡約される。
間の第２段階中に列電極２０u(k)に供給される電圧であ
る。溝２２のオフ状態で電荷の再配分により生じる表示
素子１６l(i)・u(k)を横切る電圧の変化の影響は、全て
のデータ駆動電圧にβ／（β−α）を乗算することで補
償できる。ＲＭＳ電圧は、数３の様に簡約される。
【数３】
【００５５】β／（β−α）は小さいので、この補正に
よりα及びβに誘発される変化は無視される。
よりα及びβに誘発される変化は無視される。
【００５６】液晶層１８を横切る実際の電圧及び所望の
ＲＭＳ電圧間の差は、ＲＭＳ電圧誤差と呼ばれ、数４で
表される。
ＲＭＳ電圧間の差は、ＲＭＳ電圧誤差と呼ばれ、数４で
表される。
【数４】
【００５７】数３で得られる＜Ｖ**2＞l(i)・u(k)に関
する式を数４の式に代入すると、表示素子内のＲＭＳ電
圧誤差を表す理解し易い式になる。
する式を数４の式に代入すると、表示素子内のＲＭＳ電
圧誤差を表す理解し易い式になる。
【数５】
【数６】
【００５８】各項の相対的大きさ、即ち次数が項の上の
四角の中に示されている。次数の小さい項は、次数の大
きい項より重要であり、次数の各単位減少は、大きさが
約１０倍に増加したことを表す。項Ｃ、α、Ｄ及びβの
相対的大きさは、０、１、１、２である。
四角の中に示されている。次数の小さい項は、次数の大
きい項より重要であり、次数の各単位減少は、大きさが
約１０倍に増加したことを表す。項Ｃ、α、Ｄ及びβの
相対的大きさは、０、１、１、２である。
【００５９】数５、６に表す誤差式は、前後クロストー
クと、側方クロストークと、誘電体及びプラズマ溝キャ
パシタンスの影響を受ける項を含む。側方クロストーク
の項は、ｋ＋１又はｋ−１の上付き文字を有する電圧を
含む。この上付き文字は、列電極２０に隣接するのでは
なく、分析される表示素子１６l(iI・u(k)をアドレス指
定する列電極２０に電圧が存在することを示す。前後ク
ロストークの項は、上付き文字ｋ及び下付き文字ｊ≠ｉ
を有する電圧を含む。これらの文字は、電圧が、ｉ番目
の行以外の行に位置設定した列ｋの表示素子１６にアド
レス指定されることを意味する。下付き文字ｉ及び上付
き文字ｋを有する電圧を含む項は、クロストークの項で
はない。斯る項は、その行アドレス指定期間に表示素子
に蓄積される電圧へのアドレス装置の影響に関係する。
クと、側方クロストークと、誘電体及びプラズマ溝キャ
パシタンスの影響を受ける項を含む。側方クロストーク
の項は、ｋ＋１又はｋ−１の上付き文字を有する電圧を
含む。この上付き文字は、列電極２０に隣接するのでは
なく、分析される表示素子１６l(iI・u(k)をアドレス指
定する列電極２０に電圧が存在することを示す。前後ク
ロストークの項は、上付き文字ｋ及び下付き文字ｊ≠ｉ
を有する電圧を含む。これらの文字は、電圧が、ｉ番目
の行以外の行に位置設定した列ｋの表示素子１６にアド
レス指定されることを意味する。下付き文字ｉ及び上付
き文字ｋを有する電圧を含む項は、クロストークの項で
はない。斯る項は、その行アドレス指定期間に表示素子
に蓄積される電圧へのアドレス装置の影響に関係する。
【００６０】加算式の項の値は、行ｉのアドレス指定の
間は、正確に決定及び補償されない。その理由は、次の
行アドレス期間のためのデータ駆動電圧値は、その時点
で未知であるからである。したがって、本発明の２段階
のアドレス指定方法の目標は、加算式内で低次のＲＭＳ
電圧誤差項を出来るだけ多く代数的に相殺する補償電圧
（Ｗ項）のための値を選択することである。アクティブ
・マトリックス表示用のクロストーク軽減駆動方法の効
果は、Ｗ項の選択された値を数５及び６の式に代入する
ことにより求めるられる。本発明のアダプティブ駆動
（Adaptive Drive）方法では、数７で表される電圧／Ｗ
は、ｉ番目の行に関するアドレス指定期間の第２段階の
間に全ての列電極２０に供給される。
間は、正確に決定及び補償されない。その理由は、次の
行アドレス期間のためのデータ駆動電圧値は、その時点
で未知であるからである。したがって、本発明の２段階
のアドレス指定方法の目標は、加算式内で低次のＲＭＳ
電圧誤差項を出来るだけ多く代数的に相殺する補償電圧
（Ｗ項）のための値を選択することである。アクティブ
・マトリックス表示用のクロストーク軽減駆動方法の効
果は、Ｗ項の選択された値を数５及び６の式に代入する
ことにより求めるられる。本発明のアダプティブ駆動
（Adaptive Drive）方法では、数７で表される電圧／Ｗ
は、ｉ番目の行に関するアドレス指定期間の第２段階の
間に全ての列電極２０に供給される。
【数７】
【００６１】／ＷをＷl(i)・u(k)、Ｗl(i)・u(k+1)、Ｗ
l(i)・u(k+1)の代わりに数５及び６の式に代入し、式を
簡約する。
l(i)・u(k+1)の代わりに数５及び６の式に代入し、式を
簡約する。
【数８】
【００６２】同様に、ＤＣＤの第２段階補償電圧を示す
Ｗl(j)・u(k)＝Ｗl(m)−Ｖl（j)・u(k)を数５及び６に
代入し、等しい長さ（δ＝１／２）の段階を使用して、
ＤＣＤの誤差方程式を生成する。
Ｗl(j)・u(k)＝Ｗl(m)−Ｖl（j)・u(k)を数５及び６に
代入し、等しい長さ（δ＝１／２）の段階を使用して、
ＤＣＤの誤差方程式を生成する。
【００６３】
【数９】 任意の長さの第２段階中に、一定補償電圧Ｗl(c)を供給
するＲＴＣに関しては、結果的に生じる誤差を、数１０
に示す。
するＲＴＣに関しては、結果的に生じる誤差を、数１０
に示す。
【００６４】
【数１０】 ΔＶl(j)・u(k)を含む誤差式である数８、９及び１０内
の項は、側方クロストークを抑制する。Ｖl(j)・u(k)を
含む項は、前後クロストークを抑制し、ΔＶl(j)・u(k)
及びＶl(j)・u(k)の両方を含む項は、相互的項であり、
両方のクロストークを抑制する。
の項は、側方クロストークを抑制する。Ｖl(j)・u(k)を
含む項は、前後クロストークを抑制し、ΔＶl(j)・u(k)
及びＶl(j)・u(k)の両方を含む項は、相互的項であり、
両方のクロストークを抑制する。
【００６５】３つのクロストーク軽減方法の相対的な効
果は、数８、９及び１０の式の項を比較することにより
比較できる。数８（アダプティブ駆動方法）の最大誤差
項は、その全てが側方クロストークを表す２次項であ
る。これらの項は、数１０の（ＲＴＣ）の２次項に等し
く、両方の方法は、側方クロストークをおよそ同じ量だ
け減少させることを示す。
果は、数８、９及び１０の式の項を比較することにより
比較できる。数８（アダプティブ駆動方法）の最大誤差
項は、その全てが側方クロストークを表す２次項であ
る。これらの項は、数１０の（ＲＴＣ）の２次項に等し
く、両方の方法は、側方クロストークをおよそ同じ量だ
け減少させることを示す。
【００６６】数８の式（アダプティブ駆動方法）の項
が、数９の式（ＤＣＤ）の項に対応しないので、アダプ
ティブ駆動の側方クロストーク軽減をＤＣＤのそれと比
較することは困難である。比較可能な項を得る１つの方
法は、最悪の場合の画像即ち交互に垂直の縞が現れる画
像から得られるクロストークを考察することである。こ
の場合に、ＤＣＤの電圧誤差を表す数９の式は、数１１
の様に簡約できる。
が、数９の式（ＤＣＤ）の項に対応しないので、アダプ
ティブ駆動の側方クロストーク軽減をＤＣＤのそれと比
較することは困難である。比較可能な項を得る１つの方
法は、最悪の場合の画像即ち交互に垂直の縞が現れる画
像から得られるクロストークを考察することである。こ
の場合に、ＤＣＤの電圧誤差を表す数９の式は、数１１
の様に簡約できる。
【数１１】 アダプティブ駆動方法の電圧誤差を表す数８の式は、数
１２の式のように簡約できる。
１２の式のように簡約できる。
【数１２】
【００６７】Ｖl(i)・u(k)が十分に小さいピクセルで
は、数１２の式の２次項は無視でき、、アダプティブ駆
動は、側方クロストーク誤差について係数１／（１−
δ）だけＤＣＤに優っている。しかし、Ｖl(i)・u(k)が
小さいとき、２次項は無視できない。その理由は、２次
項は画像に依存し、Ｖl(i)・u(k)は一般の場合に関し計
算できないからである。
は、数１２の式の２次項は無視でき、、アダプティブ駆
動は、側方クロストーク誤差について係数１／（１−
δ）だけＤＣＤに優っている。しかし、Ｖl(i)・u(k)が
小さいとき、２次項は無視できない。その理由は、２次
項は画像に依存し、Ｖl(i)・u(k)は一般の場合に関し計
算できないからである。
【００６８】一連の試験画像の光透過性を測定すること
により、アダプティブ駆動が依然ＤＣＤに優っているこ
とが分かる。図５Ａは、交互になった光の縞３０８及び
暗い縞３１０で構成された領域３０６により囲まれたグ
レイ領域３０４から成る典型的な試験画像を示す。グレ
イ領域３０４のピクセル１６l(i)・u(k)の光透過性に関
するクロストークの効果は、暗いすじ３１０を形成する
ために電極２０に供給される電圧及びピクセル１６l(i)
・u(k)に供給される電圧Ｖl(i)・u(k)、即ちピクセル１
６l(i)・u(k)のグレイスケール・レベルに依存する。試
験画像のグレイ領域３０４を介する光透過性は、０（図
５Ｂ、縞の無い試験画像３１２）から最大値（図ｉ、暗
い縞がある）に段階的に増加された暗い縞３１０を形成
するように供給される電圧として測定される。側方クロ
ストークは、縞３１０を形成するために供給される電圧
の増加と共に増加する。光透過性は、アダプティブ駆
動、ＤＣＤ及び単一の段階の非補償駆動を使用して形成
される画像に関して測定された。アダプティブ駆動及び
ＤＣＤは共に、δ＝１／２の段階幅を使用した。使用し
たＤＣＤ駆動では、相補電圧はＷmは０に選んだ。補償
電圧は駆動信号の反転信号であるので、斯るＤＣＤ方法
を「反転駆動」と呼ぶ。
により、アダプティブ駆動が依然ＤＣＤに優っているこ
とが分かる。図５Ａは、交互になった光の縞３０８及び
暗い縞３１０で構成された領域３０６により囲まれたグ
レイ領域３０４から成る典型的な試験画像を示す。グレ
イ領域３０４のピクセル１６l(i)・u(k)の光透過性に関
するクロストークの効果は、暗いすじ３１０を形成する
ために電極２０に供給される電圧及びピクセル１６l(i)
・u(k)に供給される電圧Ｖl(i)・u(k)、即ちピクセル１
６l(i)・u(k)のグレイスケール・レベルに依存する。試
験画像のグレイ領域３０４を介する光透過性は、０（図
５Ｂ、縞の無い試験画像３１２）から最大値（図ｉ、暗
い縞がある）に段階的に増加された暗い縞３１０を形成
するように供給される電圧として測定される。側方クロ
ストークは、縞３１０を形成するために供給される電圧
の増加と共に増加する。光透過性は、アダプティブ駆
動、ＤＣＤ及び単一の段階の非補償駆動を使用して形成
される画像に関して測定された。アダプティブ駆動及び
ＤＣＤは共に、δ＝１／２の段階幅を使用した。使用し
たＤＣＤ駆動では、相補電圧はＷmは０に選んだ。補償
電圧は駆動信号の反転信号であるので、斯るＤＣＤ方法
を「反転駆動」と呼ぶ。
【００６９】図６は、暗い縞３１０を形成するために供
給される電圧で決まる試験画像のグレイ領域３０４から
の測定された光透過性を示すグラフ３２０である。試験
表示は、電圧が供給されないとき、普通は白モードで動
作する。ＲＧ、ＩＤ及びＮＤの名称が付された曲線は、
夫々アダプティブ駆動方法、反転駆動方法及び非補償駆
動波形に関する光透過性を表す。３つの駆動方法の結果
は、グレイ領域３０４の３つのグレイ・レベル即ち公称
透過値の各々に対し３本のラインを１組としてプロット
されている。各グレイ・レベルは、Ｖl(i)・u(k)の異な
る値に相当する。ライン３２２、３２４及び３２６の組
は、Ｖl(i)・u(k)が最大可能駆動電圧である場合の約２
％の透過率、Ｖl(i)・u(k)が０である場合の１００％の
透過率及び５０％の透過率を夫々表す。公称透過値から
のラインの偏差は、好ましくなく、クロストークによっ
て生じる。公称値からのライン偏差の程度は、クロスト
ーク問題の程度を表す。
給される電圧で決まる試験画像のグレイ領域３０４から
の測定された光透過性を示すグラフ３２０である。試験
表示は、電圧が供給されないとき、普通は白モードで動
作する。ＲＧ、ＩＤ及びＮＤの名称が付された曲線は、
夫々アダプティブ駆動方法、反転駆動方法及び非補償駆
動波形に関する光透過性を表す。３つの駆動方法の結果
は、グレイ領域３０４の３つのグレイ・レベル即ち公称
透過値の各々に対し３本のラインを１組としてプロット
されている。各グレイ・レベルは、Ｖl(i)・u(k)の異な
る値に相当する。ライン３２２、３２４及び３２６の組
は、Ｖl(i)・u(k)が最大可能駆動電圧である場合の約２
％の透過率、Ｖl(i)・u(k)が０である場合の１００％の
透過率及び５０％の透過率を夫々表す。公称透過値から
のラインの偏差は、好ましくなく、クロストークによっ
て生じる。公称値からのライン偏差の程度は、クロスト
ーク問題の程度を表す。
【００７０】図６において０透過率の軸の近くにプロッ
トされた３つの駆動方法に関するライン３２２は、Ｖl
(i)・u(k)が大きいピクセルに関する３つの駆動波形の
クロストーク軽減機能間の差は殆どなく、透過値は０に
近い。しかし、１００％の透過率ライン近くにプロット
されたライン３２４は、ピクセル電圧Ｖl(i)・u(k)が小
さく、暗い縞を形成するために供給された駆動電圧が大
きいときに、アダプティブ駆動方法で生じるクロストー
クが、反転駆動方法又は非補償駆動方法よりも大幅に少
ないことを示す。５０％ラインの近くにプロットされた
ライン３２６は、アダプティブ駆動方法により生じるク
ロストークが、Ｖl(i)・u(k)の中間値でも少なくなるこ
とを示している。したがって、アダプティブ駆動方法に
よる側方クロストークの軽減は、Ｖl(i)・u(k)が小さ
い、中くらい及び大きい値である場合のＤＣＤのものと
同等又は優っている。
トされた３つの駆動方法に関するライン３２２は、Ｖl
(i)・u(k)が大きいピクセルに関する３つの駆動波形の
クロストーク軽減機能間の差は殆どなく、透過値は０に
近い。しかし、１００％の透過率ライン近くにプロット
されたライン３２４は、ピクセル電圧Ｖl(i)・u(k)が小
さく、暗い縞を形成するために供給された駆動電圧が大
きいときに、アダプティブ駆動方法で生じるクロストー
クが、反転駆動方法又は非補償駆動方法よりも大幅に少
ないことを示す。５０％ラインの近くにプロットされた
ライン３２６は、アダプティブ駆動方法により生じるク
ロストークが、Ｖl(i)・u(k)の中間値でも少なくなるこ
とを示している。したがって、アダプティブ駆動方法に
よる側方クロストークの軽減は、Ｖl(i)・u(k)が小さ
い、中くらい及び大きい値である場合のＤＣＤのものと
同等又は優っている。
【００７１】水平方向の対称性が高い、即ち側方クロス
トークの無い画像について考察することにより、種々の
駆動方法の前後クロストークの軽減を比較できる。斯る
画像では、Ｖl(j)・u(k-1)、Ｖl(i)・u(k)及びＶl(j)・
u(k+1)が等しく、よって、ΔＶl(i)・u(k)＝０である。
この様な場合、アダプティブ駆動方法により駆動される
データ素子１６l(i)・u(k)のＲＭＳ電圧誤差は、数１３
の式で表される。
トークの無い画像について考察することにより、種々の
駆動方法の前後クロストークの軽減を比較できる。斯る
画像では、Ｖl(j)・u(k-1)、Ｖl(i)・u(k)及びＶl(j)・
u(k+1)が等しく、よって、ΔＶl(i)・u(k)＝０である。
この様な場合、アダプティブ駆動方法により駆動される
データ素子１６l(i)・u(k)のＲＭＳ電圧誤差は、数１３
の式で表される。
【数１３】
【００７２】ＤＣＤにより生じる可能性がある最小の前
後ＲＭＳ電圧誤差は、Ｗm＝０（即ち、反転駆動）に起
因し、数１４の式で表される。
後ＲＭＳ電圧誤差は、Ｗm＝０（即ち、反転駆動）に起
因し、数１４の式で表される。
【数１４】 ＲＴＣに関する最小の前後ＲＭＳ電圧誤差は、Ｗc＝０
に起因し、数１５の式で表される。
に起因し、数１５の式で表される。
【数１５】
【００７３】数１３、１４及び１５の式のＲＭＳ電圧誤
差を比較すると、アダプティブ駆動方法は、ＤＣＤと同
一の４次誤差項を生じる。したがって、アダプティブ駆
動方法は、ＤＣＤと同等に、ＲＴＣよりも良好に前後ク
ロストークを減少させる。前に、アダプティブ駆動方法
は、ＲＴＣと同等に、ＤＣＤよりも良好に側方クロスト
ークを減少させることは述べた。補償信号／Ｗは、複数
のデータ駆動信号に基づいているので、アダプティブ駆
動方法は両方の種類のクロストークを減少させる。ＲＴ
Ｃと違って、データ駆動信号に基づく補償信号を使用
し、ＤＣＤと違って、複数のデータ駆動信号に基づく補
償信号を使用している。
差を比較すると、アダプティブ駆動方法は、ＤＣＤと同
一の４次誤差項を生じる。したがって、アダプティブ駆
動方法は、ＤＣＤと同等に、ＲＴＣよりも良好に前後ク
ロストークを減少させる。前に、アダプティブ駆動方法
は、ＲＴＣと同等に、ＤＣＤよりも良好に側方クロスト
ークを減少させることは述べた。補償信号／Ｗは、複数
のデータ駆動信号に基づいているので、アダプティブ駆
動方法は両方の種類のクロストークを減少させる。ＲＴ
Ｃと違って、データ駆動信号に基づく補償信号を使用
し、ＤＣＤと違って、複数のデータ駆動信号に基づく補
償信号を使用している。
【００７４】
【発明の効果】本発明の電気光学表示装置の駆動方法に
よれば、各行アドレス指定期間を第１及び第２段階に分
割し、第１段階の期間中に供給されたデータ駆動信号の
平均値を重み付けした値に対応する補償信号電圧を、第
２段階の期間中に総ての列電極に供給するので、側方ク
ロストーク及び前後クロストークを効果的に軽減するこ
とができる。
よれば、各行アドレス指定期間を第１及び第２段階に分
割し、第１段階の期間中に供給されたデータ駆動信号の
平均値を重み付けした値に対応する補償信号電圧を、第
２段階の期間中に総ての列電極に供給するので、側方ク
ロストーク及び前後クロストークを効果的に軽減するこ
とができる。
【図１】本発明の電気光学表示装置の駆動方法のクロス
トーク補償期間を示すタイミング図。
トーク補償期間を示すタイミング図。
【図２】本発明の駆動方法において、行ｉ〜ｉ＋ｋのア
ドレス期間中に列ｋ及びｋ＋１に夫々供給される電圧を
示すタイミング図。
ドレス期間中に列ｋ及びｋ＋１に夫々供給される電圧を
示すタイミング図。
【図３】本発明の駆動方法において、行ｉ〜ｉ＋ｋのア
ドレス期間中に列ｋ及びｋ＋１に夫々供給される電圧を
示すタイミング図。
ドレス期間中に列ｋ及びｋ＋１に夫々供給される電圧を
示すタイミング図。
【図４】行ｉ〜ｉ＋ｋのアドレス期間中に列ｋ及びｋ＋
１に行ｉ及び列ｋの表示素子の電圧の変化を示すタイミ
ング図。
１に行ｉ及び列ｋの表示素子の電圧の変化を示すタイミ
ング図。
【図５】２つの試験画像を示す線図。
【図６】図５の試験信号に関し、光透過率のパーセンテ
ージ及び駆動電圧の関係を示すグラフ図。
ージ及び駆動電圧の関係を示すグラフ図。
【図７】本発明を利用する表示装置の表示パネル及び関
連回路を示す構成図。
連回路を示す構成図。
【図８】図７に示す表示装置の部分切欠き斜視図。
【図９】図８に示す装置でスイッチとしてのプラズマの
動作を示す等価回路。
動作を示す等価回路。
１０ 電気光学表示装置 ２０ 列電極 ２２ 行電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デニス・ダブリュー・プリンス アメリカ合衆国オレゴン州97106 バン クス ノース・ウェスト バックスト ン・セメタリー・ロード 50060 (56)参考文献 特開 平１−137293（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−27894（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−118625（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−11281（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G09G 3/36 G02F 1/133
Claims (1)
- 【請求項１】 行列状に配列された複数の行電極及び複
数の列電極の重畳部分に位置する表示素子を有し、上記
複数の行電極に順次データ・ストローブ信号を供給する
各行アドレス指定期間に、上記複数の列電極に順次デー
タ駆動信号を供給することにより、上記表示素子に画像
情報を蓄積する電気光学表示装置の駆動方法であり、 上記各行アドレス指定期間に上記複数の列電極に供給さ
れる全ての上記データ駆動信号から補償信号電圧を求め
るステップと、 上記各行アドレス指定期間を第１及び第２段階に分割す
るステップと、 上記第１段階に上記データ駆動信号を上記列電極の各々
に供給すると共に、上記第２段階に上記補償信号電圧を
総ての上記列電極に供給するステップとを具え、 上記補償信号電圧は、上記第１段階の期間中に供給され
た上記データ駆動信号の平均値を重み付けした値に対応
する ことを特徴とする電気光学表示装置の駆動方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US95863192A | 1992-10-09 | 1992-10-09 | |
| US958631 | 1992-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06259043A JPH06259043A (ja) | 1994-09-16 |
| JP2794155B2 true JP2794155B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=25501132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2794155B2 (ja) |
| KR (1) | KR940009731A (ja) |
| CA (1) | CA2106843A1 (ja) |
| DE (1) | DE69321064T2 (ja) |
| TW (1) | TW225025B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068264B2 (en) * | 1993-11-19 | 2006-06-27 | Hitachi, Ltd. | Flat display panel having internal power supply circuit for reducing power consumption |
| US6522314B1 (en) * | 1993-11-19 | 2003-02-18 | Fujitsu Limited | Flat display panel having internal power supply circuit for reducing power consumption |
| JP3311201B2 (ja) * | 1994-06-08 | 2002-08-05 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| JP3110618B2 (ja) * | 1994-08-02 | 2000-11-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3332062B2 (ja) * | 1994-09-02 | 2002-10-07 | ソニー株式会社 | ディスプレイ装置 |
| US5805122A (en) * | 1994-12-16 | 1998-09-08 | Philips Electronics North America Corporation | Voltage driving waveforms for plasma addressed liquid crystal displays |
| GB9705703D0 (en) * | 1996-05-17 | 1997-05-07 | Philips Electronics Nv | Active matrix liquid crystal display device |
| KR100222198B1 (ko) * | 1996-05-30 | 1999-10-01 | 구자홍 | 플라즈마 표시장치의 구동회로 |
| JP3629867B2 (ja) * | 1997-01-10 | 2005-03-16 | ソニー株式会社 | プラズマアドレス表示装置 |
| JP3335560B2 (ja) * | 1997-08-01 | 2002-10-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 |
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| US7064740B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-06-20 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Backlit display with improved dynamic range |
| WO2005052673A2 (en) | 2003-11-21 | 2005-06-09 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with adaptive color |
| JP4184334B2 (ja) | 2003-12-17 | 2008-11-19 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法、表示装置、およびプログラム |
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| US7532192B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-05-12 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with filtered black point |
| US7505018B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-03-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with reduced black level insertion |
| US7777714B2 (en) | 2004-05-04 | 2010-08-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with adaptive width |
| US8395577B2 (en) | 2004-05-04 | 2013-03-12 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with illumination control |
| US7872631B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-01-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with temporal black point |
| US7602369B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-10-13 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with colored backlight |
| US7023451B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-04-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System for reducing crosstalk |
| US7898519B2 (en) | 2005-02-17 | 2011-03-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for overdriving a backlit display |
| US8050512B2 (en) | 2004-11-16 | 2011-11-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | High dynamic range images from low dynamic range images |
| US8050511B2 (en) | 2004-11-16 | 2011-11-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | High dynamic range images from low dynamic range images |
| US7525528B2 (en) | 2004-11-16 | 2009-04-28 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Technique that preserves specular highlights |
| US8121401B2 (en) | 2006-01-24 | 2012-02-21 | Sharp Labortories of America, Inc. | Method for reducing enhancement of artifacts and noise in image color enhancement |
| US9143657B2 (en) | 2006-01-24 | 2015-09-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Color enhancement technique using skin color detection |
| US8941580B2 (en) | 2006-11-30 | 2015-01-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal display with area adaptive backlight |
| US8624824B2 (en) * | 2009-03-19 | 2014-01-07 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Area adaptive backlight with reduced color crosstalk |
| JP5100916B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 信号処理装置およびこれを用いた映像表示装置 |
| CN114743516B (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-20 | 惠科股份有限公司 | 补偿电路及液晶显示设备 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS57204592A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-15 | Sony Corp | Two-dimensional address device |
| JPS58186796A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | 社団法人日本電子工業振興協会 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
| NL8601804A (nl) * | 1986-07-10 | 1988-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het besturen van een weergeefinrichting en een weergeefinrichting geschikt voor een dergelijke werkwijze. |
| US4833463A (en) * | 1986-09-26 | 1989-05-23 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Gas plasma display |
| NL8602698A (nl) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het besturen van een weergeefinrichting en een weergeefinrichting geschikt voor een dergelijke werkwijze. |
| JPS63198097A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 非線形２端子型アクテイブマトリクス表示装置 |
| JPS63307433A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-15 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子の駆動法 |
| SE466423B (sv) * | 1987-06-01 | 1992-02-10 | Gen Electric | Saett och anordning foer eliminering av oeverhoering vid matrisadresserade tunnfilmstranssistorbildenheter med flytande kristaller |
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-
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- 1993-09-21 TW TW082107751A patent/TW225025B/zh active
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- 1993-10-12 JP JP5279008A patent/JP2794155B2/ja not_active Expired - Lifetime
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