JP2784503B2 - ガイド付光導波路およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光導波路と光ファイバ間の接続を簡便にか
つ高い信頼性をもって行い得るガイド付光導波路および
その製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 光導波回路の製作にあたっては、光導波路への光ファ
イバの接続が必要であり、このため、簡便で、かつ信頼
性の高い光ファイバ接続技術の開発が求められている。

石英ガラス系光導波路基板上に、光回路のパターン化
と同時に光ファイバ位置合わせ用のガイドを形成し、こ
のガイドを利用して接続を行う方法（特開昭60-17406号
公報）は、簡便で信頼性の高い光ファイバ接続技術とし
て期待されている。第９図は、この接続方法を説明する
図である。同図において、１は光回路基板、２はリッジ
状光導波路であり、2aはコア層,2bはそのバッファ層,2c
はクラッド層である。３はファイバガイドであり、４は
光ファイバ、4aはそのコア層である。ガイド３に囲まれ
たガイド溝部の幅および深さは適切に設定されているの
で、光ファイバ４をガイド中に挿入するだけで光ファイ
バと光導波路との位置合わせが実現できる。しかも、光
ファイバ４はガイド３により、その位置が機械的に決定
されているので、光ファイバの固定後において、使用環
境の温度変動が生じたとしても位置ずれが発生せず、し
たがって、極めて信頼性の高いファイバ接続が実現でき
る。

このように、従来のガイドはガイド上面の高さと、光
導波路表面の高さとが等しく製作されており、かつ、単
一構造のガイドがファイバ位置決め機能と、ファイバ固
定機能とを兼ね備える構造となっている。

しかしながら、この方法は、従来はリッジ状光導波路
に適用されてきたが、クラッド層を厚く形成して、コア
を埋め込む埋め込み構造光導波路への適用は難しかっ
た。この理由は、このような埋め込み形の光導波路を製
作する場合、従来はガイドと光導波路とを１枚のフォト
マスクを用いて製造することができず、例えば第10図に
示す工程に基き製造していたからであった。まず第10図
（ａ）に示すように基板１に形成した光導波路２′にフ
ォトマスクパターン22aを用いたフォトリソグラフィ技
術により光導波路コア部マスクパターンを形成する。な
お、10はマスク材である。

次に、ドライエッチングにより、光導波路コア部2aを
形成し（第10図（ｂ））、その上に埋め込みクラッド層
2cを形成するとともに（第10図（ｃ））、埋め込みクラ
ッド層2cで埋め込まれた光導波路２上に、再びマスク材
11を形成し、フォトマスクパターン23bにより、ガイド
マスクをパターン化する（第10図（ｄ））。

さらに、前記クラッド層2cをドライエッチングするこ
とによって光導波路２へのファイバ接続用ガイド３を形
成する（第10図（ｅ））。

［発明が解決しようとする課題］ このような従来の工程において、第10図（ｅ）に示さ
れた工程では、ガイドパターン23bを、既に形成された
光導波路２の位置に対して、誤差１μｍ以内の精度で設
けてパターン化する必要がある。しかしながら、下層に
形成された位置合わせをすべき光導波路は、コア層、ク
ラッド層共に透明であるので、目視で精密位置合わせを
実現することは極めて困難であった。

本発明の第１の目的は、従来の構造のガイドでは埋め
込み光導波路への精密位置決めを行ってのガイド形成が
困難であるという問題点を解決し、埋め込み導波路に適
した構造のガイドを有する光導波路を提供することにあ
る。

本発明の第２の目的は、埋め込み導波路に適した構造
のガイドを有する光導波路の製造方法を提供することに
ある。

［課題を解決するめの手段］ 本発明によるガイド付き光導波路は、光導波路の端部
近傍に、光ファイバと光導波路との位置合わせ用のガイ
ド部を有するガイド付き光導波路において、ガイド部は
光導波路を加工して形成された側壁および底部で構成さ
れたガイド溝を有し、かつガイド部は幅が互いに異なる
光ファイバ位置決め用第１ガイドおよび光ファイバ固定
用第２ガイドが高さ方向に積層されて設けられており、
第１ガイドは、その上面の高さが光導波路のコア部上面
の高さと同等以下であり、かつ第１ガイドの幅方向の中
心軸はコア部の中心軸と一致しており、さらに光ファイ
バを第１ガイド中に挿入する際の光ファイバと第１ガイ
ドとの接触点から光導波路コア部中心までの距離が、光
ファイバの半径と等しく、第２ガイドは、第１ガイドの
上部に設けられており、かつその上面の底部からの高さ
が光ファイバの半径より大きく、幅が光ファイバの直径
より大きいことを特徴とする。

本発明によるガイド付き光導波路の製造方法は、光導
波路の表面に、光導波路コア部形成用マスクパターン
と、光ファイバ位置決めのための第１ガイド用マスクパ
ターンとを形成する第１工程と、光導波路コア部と第１
ガイド用パターンを形成する第２工程と、コアパターン
上のマスクを除去し、第１ガイド上のマスクを残したま
ま光導波路表面上に埋め込みクラッド層を形成する第３
工程と、光ファイバ固定のための第２ガイド用マスクパ
ターンを埋め込みクラッド層表面に形成する第４工程
と、埋め込みクラッド層表面に形成した第２ガイド用マ
スクパターンと埋め込みクラッド層内部に埋め込んだ第
１ガイド用マスクパターンをマスクとして、光導波路の
不要部分を所望の深さエッチングする第５工程とを備え
たことを特徴とする。

さらに、本発明によるガイド付き光導波路の製造方法
は、光導波路の表面に、光導波路コア部形成用マスクパ
ターンと、光ファイバ位置決めのための第１ガイド用マ
スクパターンとを形成する第１工程と、光導波路コア部
と第１ガイド用パターンを形成する第２工程と、コアパ
ターン上のマスクおよび第１ガイド上のマスクを除去
し、光導波路表面上に埋め込みクラッド層を形成する第
３工程と、光ファイバ固定のための第２ガイド用マスク
パターンを埋め込みクラッド層表面に形成する第４工程
と、埋め込みクラッド層表面に形成した第２ガイド用マ
スクパターンと埋め込みクラッド層内部に埋め込んだ第
１ガイド用パターンをマスクとして、光導波路の不要部
分を所望の深さエッチングする第５工程とを備えたこと
を特徴とする。

［作用］ 本発明は、埋め込み形光導波路に適した構造のガイド
として、光ファイバと導波路の位置合わせを行うための
第１ガイドと、光ファイバ固定機能を有する第２ガイド
との２つの構成要素からなるガイドを用いている。位置
決め用の第１ガイドは、ガイド上面の高さが、光導波路
のコア上面と同等または、それより低くなっている。第
１ガイドの溝幅の中心位置は、光導波路コア中心と一致
しており、これにより水平方向のファイバ導波路の位置
合わせが実現できる。また、第１ガイドと光ファイバと
の接触点から、光導波路コア中心までの距離を光ファイ
バ半径と概ね等しくなるように設定しており、これによ
り垂直方向のファイバ導波路間の位置合わせが実現でき
る。光ファイバ固定機能を有する第２ガイドは、第１ガ
イド上面より上部に形成してあり、基板とファイバ下面
の接触点から第２ガイド上面までの高さは、光ファイバ
の半径より十分に大きく設定する。実用性を考慮すると
半径より10μｍ以上大きくすることが好ましい。溝幅
は、第１ガイドの溝幅より広く、光ファイバ直径より若
干大きい寸法に設定してある。

第２ガイドの目的は、上記のように固定機能をもたせ
ることにある。もし、ファイバガイドの高さが光ファイ
バの半径と比べて低い場合（すなわち、第２ガイドがな
い場合）、接着剤を光ファイバのまわりに塗布すると、
その分布に大きな不均一さが生じ易い。接着剤分布に大
きな不均一性があると、接着剤が硬化する際に、光ファ
イバに非対称応力が働き、光ファイバが動き易くなる。
しかも、非対称応力の大きさは、接着剤の量が多い程大
きくなる。

この結果、ファイバガイドの高さが光ファイバ半径と
比較して低い場合には、ファイバ固定時に、軸ずれが発
生する確率が極めて高くなる。本発明の第２ガイドは、
上記の問題点を解決するためのものである。すなわち、
光ファイバの固定にあたり、接着剤等の固定剤を滴下す
ると、固定剤は光ファイバと第２ガイド間との界面張力
により流動を開始し、第１および第２ガイド中にいきわ
たる。この時、固定剤の量と分布は、光ファイバの半径
より十分に大きい高さを有する第２ガイドを用いること
により容易に制御可能となり、この結果、固定剤塗布お
よび硬化に伴う光ファイバの軸ずれを防止できる。

上述したガイド付光導波路を製造するために、本発明
においては、第１および第２ガイドの２重構造からなる
ガイドを形成するにあたり、第１ガイドと光導波路とを
１枚のフォトマスクを用いたプロセスで同時に形成し、
引き続いて第２ガイドを埋め込みクラッド層形成後の別
種のフォトマスクを用いたプロセスで形成する。

［実施例］ 以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明
する。

実施例１ 第１図は本発明の第１の実施例を説明する斜視図であ
る。１は基板、２は光導波路コア部2a、光導波路埋め込
みクラッド層2cからなる光導波路、2a′はコア部2aを形
成するために設けられたコア層、３はガイドであり、第
１ガイド3aおよび第２ガイド3bとで構成される。第１ガ
イドの上面31は、この実施例では、コア部2aの上面とほ
ぼ同一の高さに形成されている。第２ガイド3bの上面
は、埋め込みクラッド層2cの表面と同一の高さになって
いる。なお、本実施例においては、基板１はSi基板、光
導波路2aおよび2cは石英系光導波路である。

第２図は第１図のガイドの位置合わせ機能を説明する
断面図である。同図において、４は光ファイバであり、
4aはそのコア層である。第１ガイド3aの上面31の高さ
は、上述のように、光導波路コア部2aの上面の高さとほ
ぼ同一に設定してある。したがって、第１ガイド3aの溝
部の幅Ｗを光ファイバ４の直径Ｄとおおむね等しく（Ｗ
Ｄ）設定し、かつ、ガイド底部から光導波路コア部2a
の中心まで高さＨを、光ファイバ４の半径D/2とおおむ
ね等しく（ＨD/2）設定することにより、光ファイバ
４をガイド３中に挿入することにより、光ファイバを光
導波路間の位置合わせが実現する。この時、光ファイバ
と第１ガイドとの接点は、第２図に示したA,B,Cの３点
であり、これらと光導波路コア部2aの中心０との距離は
A0B0C0D/2の関係になっている。したがって、光
ファイバ４をガイド３中に挿入するだけで、光ファイバ
と導波路間の位置合わせを行うことができる。

第３図はガイドの固定機能を説明する斜視図である。
例えば、同図（ａ）のように、固定剤がファイバと光導
波路の接続面に回り込まないように、ガイド３のファイ
バ端面より遠い側の端部付近に固定剤５を滴下すると、
固定剤５は光ファイバ４と第２ガイド3bとの界面張力に
より、溝中をファイバ導波路接続部に向かって流動す
る。固定剤が所望の場所まで流動し終わった時点で固定
剤を硬化する。硬化のためには、例えば、固定剤が紫外
線硬化接着剤であれば、紫外線照射を行い、また固定剤
が半田であれば、基板温度を下げればよい。

このように、固定剤をガイドとファイバとの界面張力
を利用して塗布することにより、使用できる固定剤の選
択の自由度が大きくなるという利点が生じる。すなわ
ち、この方法によれば、光導波路と光ファイバとの接続
端面に固定剤を塗布しないことが可能となるので、上記
のように、半田，あるいは光吸収の大きな接着剤を用い
ることが可能となる。

固定剤が流動した場所での断面図を第３図（ｂ）に示
す。同図で示したように、固定剤の量は第２ガイドおよ
び第１ガイドの寸法および固定剤の界面張力で決定され
る。この結果、固定剤の量および分布が制御され、光フ
ァイバが安定に固定できる。

第４図は本実施例のガイド付光導波路の製造方法の例
を説明する図である。同図（ａ）はSi基板１上に形成し
た石英系光導波路のコア層2a′の上面に光導波路コア部
マスクパターン12aおよび第１ガイド膜厚13aを形成する
工程である。このためには第５図に示すように、石英系
光導波路コア層2a′上面にマスク材10を形成した後、こ
の基板に光導波路パターン22aおよび第１ガイドパター
ン23aが描かれた１枚のフォトマスク20を用いたフォト
リソグラフィ技術およびエッチング技術を適用すればよ
い。本実施例ではマスク材としてアモルファスSi（ａ−
Si）を用いた。第４図（ａ）において光導波路マスクパ
ターン12aと第１ガイドマスクパターン13aは１枚のフォ
トマスクを用いて一括して形成できるので、両者の位置
合わせ精度は極めて高く、誤差を0.1〜0.2μｍ以内とす
ることができる。第４図（ｂ）は不要部分の石英系光導
波路コア層をエッチングし、光導波路コア部2aおよび第
１ガイド3aを形成する工程である。このためには例えば
反応性イオンエッチングを適用すればよい。なお、この
例では第１ガイド3aもエッチングしてあるが、第１ガイ
ド部はエッチングしないでおくことも可能である。第４
図（ｃ）は第１ガイドのマスクパターン13aを残して光
導波路2a上のマスク材を除去する工程である。第４図
（ｄ）は、石英系光導波路クラッド層2cを形成し、光導
波路コア部2a、第１ガイド3aおよび第１ガイドマスクパ
ターン13aを埋め込む工程である。第４図（ｅ）は、埋
め込みクラッド層2cの上面に、第２ガイドマスクパター
ン13b等を形成する工程である。ここでは第６図に示す
ように埋め込みクラッド層2cの上面に、第２マスク材11
を形成した後、第２ガイドパターン23b等が描かれた第
２のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用
いている。この工程においては、埋め込まれた光導波路
コア部2aおよび第１ガイド3aに対して、第２ガイドマス
クパターンを位置合わせして形成する必要がある。この
場合、上述のように、第２ガイドの幅は第１ガイドと比
較して大きく、また、第２ガイドの機能がファイバ位置
合わせではなく、固定にあるので、第２ガイドの下層パ
ターンに対する位置ずれ許容量は十分大きい。従って、
この工程における第２ガイドマスクの下層パターンに対
する位置合わせは容易に実行できる。

第４図（ｆ）は第２ガイドマスクパターン13bおよび
クラッド層2c中に埋め込まれた第１ガイドマスクパター
ン13aをマスクとして、石英系光導波路を所望の深さエ
ッチングし、ガイド付光導波路を形成する工程である。
本実施例においては、石英系光導波路をエッチングし、
Si基板表面を露出させた後、さらにSi基板をエッチング
することにより、ガイドの深さを所望の値に設定した。
なお、光導波路バッファ層が十分に厚ければ、Si基板エ
ッチングは不要となる。

以上述べたように、本実施例では、第１ガイドのマス
クパターンを光導波路のマスクパターンと同時に形成す
るようにしたので、光導波路に対する第１ガイドの位置
を精密に合わせて製作することが可能となった。

また、第２ガイドの高さが、光ファイバ半径より十分
に高いので、光ファイバをガイド中に挿入した後、接着
剤等で安定に固定できる。従って、これにより埋め込み
光導波路へのセルフ・アライメントファイバ接続が実現
できる。

実施例２ 本発明にかかるガイドを用いれば、位置決め機能を有
する第１ガイドの高さが、光導波路コア部の高さより大
幅に低い場合であっても、固定用の第２ガイドを設けて
あるために、光ファイバを安定に固定することが可能と
なる。

第７図はこのような第１ガイドの高さが低い場合の、
ガイド構造の例を示したものである。第７図（ａ）は第
１ガイドの溝形状が凹形をしており、第１ガイドと光フ
ァイバとが、ガイドのエッジＡ点,C点および溝底部Ｂ点
とで接触する構造の例である。この場合、第１ガイドの
寸法は、0A0B0CD/2（Ｏは光導波路コア中心、Ｄ
はファイバ直径）となるように設定した。第７図（ｂ）
は、第１ガイドの溝形状がＶ溝形状をしており、第１ガ
イドと光ファイバとは、Ｖ溝面Ａ点およびＢ点で接触す
る例である。ガイドの寸法は0A0BD/2に設定する。

第７図（ａ）の構造のガイドは、基本的には第４図に
示したのとほぼ同様の寸法で製作できる。すなわち、第
１ガイド3aと光導波路2aとを１枚のフォトマスクを用い
て、マスク材10をパターン化し、このマスクパターンに
より両者を形成する。第２ガイド3bについては、クラッ
ド層埋め込み後、クラッド層2c表面にマスク材11を形成
し、これに、第２のフォトマスクを用いてパターン化し
たマスクパターンにより、ガイド3bを形成すればよい。
本実施例のガイドは、第１ガイド3aの高さが第１図の実
施例と比較して低く設定してある。従って、本実施例の
場合、第１ガイドマスクパターン13aとして埋め込むべ
きマスク厚が薄くてよい。マスク材の埋め込みはマスク
厚が薄いほど容易であるので、本実施例の構造は第１図
のガイド構造より製作が容易である。

第７図（ｂ）の構造のガイドも、先に述べたのと同様
の方法で石英系光導波路をエッチングした後、Si基板を
異方性エッチングすればよい。これとともに、第８図の
ように、第１ガイドを埋め込みマスクを用いないで形成
することも可能である。すなわち、はじめに、第１ガイ
ド3aと光導波路2aとを１枚のフォトマスクを用いて同時
に形成する（第８図（ａ））。次に残マスク材をすべて
除去した後、第１ガイド3aおよび光導波路2aをともにク
ラッド層2cに埋め込み（第８図（ｂ））、しかる後、ク
ラッド表面に形成した第２ガイドマスクパターン13bを
用いて石英系光導波路をエッチングし、Si基板表面を露
出させる（第８図（ｃ））。この際、コア層のエッチン
グ速度がクラッド層のエッチング速度よりわずかに遅い
ので、石英系光導波路のエッチング終点検出を慎重に行
うと、第１ガイド部3aの石英系光導波路を若干量残した
まま、ガイド底部のSi基板を露出させることができる。
最後にSi基板の異方性エッチングを行えば、第１ガイド
部に残った石英系光導波路をマスクとして、Si基板にＶ
溝が形成できる（第８図（ｄ））。

以上のように、本発明では、第１ガイド上面の高さ
が、光ファイバの半径と比較して、かなり低い場合であ
っても、第２ガイドを設けたために、ガイドを用いた安
定で信頼性の高い光ファイバ接続が可能となる。このた
め、第１ガイドの構造の設計の自由度が大きくなるとい
う効果がある。

なお、以上述べてきた実施例は、Si基板上に形成した
石英系光導波路に関するものであったが、本発明の光導
波路は他の材料系に対しても有効であることは言うまで
もない。第１ガイドおよび第２ガイドを形成するため
に、エッチングにより不要部分を除去することのできる
材料を用いた光導波路に対しては、すべて適用可能であ
る。また、さらに述べれば、光導波路コア部の形成にあ
たり、本実施例では、エッチングにより不要部分を除去
する例を示したが、本発明の効果はこの構造に限定され
るものでもない。例えば、不要部分をマスクでかくし、
コア部分のみにドーパントを拡散する拡散形の光導波路
に対しても適用することができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明では、ファイバ接続用の
ガイドを、その機能に従って２つの構成要素、すなわち
光導波路と光ファイバとの位置決めを行う第１ガイド
と、光ファイバの固定を行う第２ガイドとに分割した。
そして、第１ガイドについては第１ガイド用のマスクパ
ターンを光導波路コア部用のマスクパターンと同時に形
成し、このマスクを用いたエッチングにより第１ガイド
を形成するようにしたので、光導波路と第１ガイドとの
精密位置合わせが実現できた。第２ガイドについては、
光導波路に対する位置ずれ許容度が大きいので、埋め込
みクラッド形成後に、クラッド層表面に形成したマスク
パターンを用いたエッチングにより形成することが可能
となった。この結果、第２ガイドは光ファイバを安定に
固定するのに十分な高さを有することが可能となった。

従って、本発明により、埋め込み構造の光導波路への
セルフアライメントファイバ接続が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、 第２図は実施例１の第１ガイドの位置合わせ機能を説明
する断面図、 第３図は実施例１の第２ガイドのファイバ固定機能の説
明図、 第４図は実施例１のガイド付光導波路の製造方法の一例
の説明図、 第５図は第４図の方法において、第１ガイドと光導波路
コア部のマスクパターンを形成する工程の説明図、 第６図は第４図の方法において、第２ガイドのマスクパ
ターンを形成する工程の説明図、 第７図は本発明のガイド付光導波路のガイド構造の他の
実施例の説明図、 第８図は第７図（ｂ）の構造のガイド付光導波路の製造
方法の一例の説明図、 第９図は従来のガイド付光導波路の構造の説明図、 第10図は従来の方法で埋め込み形光導波路にガイドを形
成する工程の説明図である。 １……基板、２……光導波路、2a……コア部、2b……バ
ッファ層、2c……クラッド層、３……ガイド、3a……第
１ガイド、3b……第２ガイド、４……光ファイバ、５…
…固定剤、10,11……マスク材、12a……光導波路コア部
用マスクパターン、13a……第１ガイド用マスクパター
ン、13b……第２ガイド用マスクパターン、20,21……フ
ォトマスク、22a……光導波路コア部マスクパターン、2
3a……第１ガイド用マスクパターン、23b……第２ガイ
ド用マスクパターン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 保治 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−267010（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−21611（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−8706（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭63−25644（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02B 6/30 G02B 6/12

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光導波路の端部近傍に、光ファイバと該光
   導波路との位置合わせ用のガイド部を有するガイド付き
   光導波路において、 前記ガイド部は前記光導波路を加工して形成された側壁
   および底部で構成されたガイド溝を有し、かつ該ガイド
   部は幅が互いに異なる光ファイバ位置決め用第１ガイド
   および光ファイバ固定用第２ガイドが高さ方向に積層さ
   れて設けられており、 前記第１ガイドは、その上面の高さが前記光導波路のコ
   ア部上面の高さと同等以下であり、かつ該第１ガイドの
   幅方向の中心軸は前記コア部の中心軸と一致しており、
   さらに前記光ファイバを第１ガイド中に挿入する際の光
   ファイバと該第１ガイドとの接触点から前記光導波路コ
   ア部中心までの距離が、前記光ファイバの半径と等し
   く、 前記第２ガイドは、前記第１ガイドの上部に設けられて
   おり、かつその上面の前記底部からの高さが光ファイバ
   の半径より大きく、幅は前記光ファイバの直径より大き
   い ことを特徴とするガイド付き光導波路。
2. 【請求項２】光導波路の表面に、光導波路コア部形成用
   マスクパターンと、光ファイバ位置決めのための第１ガ
   イド用マスクパターンとを形成する第１工程と、 光導波路コア部と第１ガイド用パターンを形成する第２
   工程と、 前記コアパターン上のマスクを除去し、前記第１ガイド
   上のマスクを残したまま前記光導波路表面上に埋め込み
   クラッド層を形成する第３工程と、 光ファイバ固定のための第２ガイド用マスクパターンを
   前記埋め込みクラッド層表面に形成する第４工程と、 埋め込みクラッド層表面に形成した前記第２ガイド用マ
   スクパターンと前記埋め込みクラッド層内部に埋め込ん
   だ第１ガイド用マスクパターンをマスクとして、光導波
   路の不要部分を所望の深さエッチングする第５工程と を備えたことを特徴とするガイド付き光導波路の製造方
   法。
3. 【請求項３】光導波路の表面に、光導波路コア部形成用
   マスクパターンと、光ファイバ位置決めのための第１ガ
   イド用マスクパターンとを形成する第１工程と、 光導波路コア部と第１ガイド用パターンを形成する第２
   工程と、 前記コアパターン上のマスクおよび前記第１ガイド上の
   マスクを除去し、前記光導波路表面上に埋め込みクラッ
   ド層を形成する第３工程と、 光ファイバ固定のための第２ガイド用マスクパターンを
   前記埋め込みクラッド層表面に形成する第４工程と、 埋め込みクラッド層表面に形成した前記第２ガイド用マ
   スクパターンと前記埋め込みクラッド層内部に埋め込ん
   だ第１ガイド用パターンをマスクとして、光導波路の不
   要部分を所望の深さエッチングする第５工程と を備えたことを特徴とするガイド付き光導波路の製造方
   法。