JPS6325644B2 - - Google Patents
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- JPS6325644B2 JPS6325644B2 JP59239203A JP23920384A JPS6325644B2 JP S6325644 B2 JPS6325644 B2 JP S6325644B2 JP 59239203 A JP59239203 A JP 59239203A JP 23920384 A JP23920384 A JP 23920384A JP S6325644 B2 JPS6325644 B2 JP S6325644B2
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信において必要な光フアイバと
光導波路との直接接続を容易としたフアイバ・ガ
イド付光回路およびその製造方法に関するもので
ある。
光導波路との直接接続を容易としたフアイバ・ガ
イド付光回路およびその製造方法に関するもので
ある。
光分岐回路、光合分波器等の導波形光部品を光
通信システムに導入する場合、これら光部品と光
フアイバとの接続法としては、効率が良く、信頼
性が高く、かつ短時間で行なえる方法が要求され
る。従来は、ただ単に光フアイバ端面と光導波路
端面とを直接つき合わせて接続する端面接続法が
主として用いられてきた。しかし、この方法に
は、(i)接続に先立ち、導波路端面の切断ならびに
研磨が必要である、(ii)光フアイバと光導波路との
精密な位置合わせが必要である、(iii)接続部の機械
的信頼性に欠けける、等の欠点がある。
通信システムに導入する場合、これら光部品と光
フアイバとの接続法としては、効率が良く、信頼
性が高く、かつ短時間で行なえる方法が要求され
る。従来は、ただ単に光フアイバ端面と光導波路
端面とを直接つき合わせて接続する端面接続法が
主として用いられてきた。しかし、この方法に
は、(i)接続に先立ち、導波路端面の切断ならびに
研磨が必要である、(ii)光フアイバと光導波路との
精密な位置合わせが必要である、(iii)接続部の機械
的信頼性に欠けける、等の欠点がある。
これら従来の問題点を解決する方法として、石
英ガラス系光導波路上に光回路パタン化と同時に
光フアイバ位置合わせ用のガイドを形成し、この
ガイドを利用して接続を行なう接続法がある〔特
願昭58−125699号〕。この方法は上記従来の問題
点が解決でき、光導波路端面の切断、研磨および
光フアイバと導波路との位置合わせの必要なし
に、光フアイバと光導波路との高効率接続が可能
とするものである。
英ガラス系光導波路上に光回路パタン化と同時に
光フアイバ位置合わせ用のガイドを形成し、この
ガイドを利用して接続を行なう接続法がある〔特
願昭58−125699号〕。この方法は上記従来の問題
点が解決でき、光導波路端面の切断、研磨および
光フアイバと導波路との位置合わせの必要なし
に、光フアイバと光導波路との高効率接続が可能
とするものである。
上記のガイドを形成する方法では、外径
125μm、コア径50μmの光フアイバを光導波路と
接続する場合、石英ガラス系光導波路を深さ
90μm程度エツチングする必要がある。この加工
には、アモルフアスSi（ａ−Si）をマスク、C2F6，
C2，H4の混合ガスをエツチヤントとする反応性
イオンエツチングを用いているが、この方法で深
さ90μmにも及ぶ深いエツチングを行なうと、形
成された導波路幅が、フオトマスク段階のパタン
化幅を比較して、大きく減少するという問題があ
つた。したがつて、このパタン幅減少量をおさえ
るために従来は、光回路のエツチング深さを約
70μm程度にし、フアイバ端部の外径を70μm程度
のエツチングした光フアイバを用いて接続を行な
つていた。
125μm、コア径50μmの光フアイバを光導波路と
接続する場合、石英ガラス系光導波路を深さ
90μm程度エツチングする必要がある。この加工
には、アモルフアスSi（ａ−Si）をマスク、C2F6，
C2，H4の混合ガスをエツチヤントとする反応性
イオンエツチングを用いているが、この方法で深
さ90μmにも及ぶ深いエツチングを行なうと、形
成された導波路幅が、フオトマスク段階のパタン
化幅を比較して、大きく減少するという問題があ
つた。したがつて、このパタン幅減少量をおさえ
るために従来は、光回路のエツチング深さを約
70μm程度にし、フアイバ端部の外径を70μm程度
のエツチングした光フアイバを用いて接続を行な
つていた。
この発明のフアイバ・ガイド付光回路は、上記
の問題点を解決する構成として、Si基板上に石英
ガラス系光導波路が形成されている光回路におい
て、光導波路端部付近に、光回路パタン化と同時
に形成した光フアイバ端部の位置決め用のガイド
を有し、かつ、ガイド中に光フアイバを挿入した
とき光フアイバコア部と光導波路コア部とが一致
するように少なくともガイド近傍のSi基板が適当
な深さにエツチングされていることを特徴とする
ものである。
の問題点を解決する構成として、Si基板上に石英
ガラス系光導波路が形成されている光回路におい
て、光導波路端部付近に、光回路パタン化と同時
に形成した光フアイバ端部の位置決め用のガイド
を有し、かつ、ガイド中に光フアイバを挿入した
とき光フアイバコア部と光導波路コア部とが一致
するように少なくともガイド近傍のSi基板が適当
な深さにエツチングされていることを特徴とする
ものである。
また、上記のフアイバ・ガイド付光回路の製造
方法であるこの発明は、Si基板上に石英ガラス系
光導波路を形成し、その石英ガラス系光導波路を
フオトリソグラフイ技術を用いてSi基板に到る深
さまでエツチングを行ない所望の光導波路パター
ンと光フアイバ位置決め用のガイドとを同時に形
成し、次にガイド中に光フアイバを挿入したとき
光フアイバコア部と光導波路コア部とが一致する
ように少なくともガイド付近のSi基板をそのガイ
ドをマスクとして適当な深さまでエツチングする
ようにしたことを特徴とするものである。
方法であるこの発明は、Si基板上に石英ガラス系
光導波路を形成し、その石英ガラス系光導波路を
フオトリソグラフイ技術を用いてSi基板に到る深
さまでエツチングを行ない所望の光導波路パター
ンと光フアイバ位置決め用のガイドとを同時に形
成し、次にガイド中に光フアイバを挿入したとき
光フアイバコア部と光導波路コア部とが一致する
ように少なくともガイド付近のSi基板をそのガイ
ドをマスクとして適当な深さまでエツチングする
ようにしたことを特徴とするものである。
第１図は、本発明の実施例であるフアイバ・ガ
イド付光回路の斜視図である。１はSi基板、１ａ
はSi（100）面、１ｂはエツチングによつて形成さ
れたSi（111）面、２はフアイバ・ガイド、３は光
導波路であり、３ａはクラツド層、３ｂはコア
層、３ｃはバツフア層である。光導波路３及びフ
アイバ・ガイド２はいずれも石英系ガラスであ
る。
イド付光回路の斜視図である。１はSi基板、１ａ
はSi（100）面、１ｂはエツチングによつて形成さ
れたSi（111）面、２はフアイバ・ガイド、３は光
導波路であり、３ａはクラツド層、３ｂはコア
層、３ｃはバツフア層である。光導波路３及びフ
アイバ・ガイド２はいずれも石英系ガラスであ
る。
第２図は、第１図におけるガイド２、光導波路
３のコア部３ｂおよび、接続する光フアイバ７の
コア部７ｂとの位置関係を示したものである。ガ
イド２，２の間隔は、光フアイバ外径と一致して
おり、ガイド２の深さは、Si基板をエツチングす
ることにより調整し、光フアイバ７のコア部７ｂ
と光導波路３のコア部３ｂとが一致するようにな
つている。したがつて、光フアイバ７をガイド
２，２中に挿入するだけで、その光フアイバ７
は、ガイド２，２によつて水平横方向の位置決め
がなされるとともに、Si基板１にエツチングされ
て形成された溝によつて高さ方向の位置決めがな
され、したがつて、光フアイバ７と光回路との高
精度な位置合わせが完了する。
３のコア部３ｂおよび、接続する光フアイバ７の
コア部７ｂとの位置関係を示したものである。ガ
イド２，２の間隔は、光フアイバ外径と一致して
おり、ガイド２の深さは、Si基板をエツチングす
ることにより調整し、光フアイバ７のコア部７ｂ
と光導波路３のコア部３ｂとが一致するようにな
つている。したがつて、光フアイバ７をガイド
２，２中に挿入するだけで、その光フアイバ７
は、ガイド２，２によつて水平横方向の位置決め
がなされるとともに、Si基板１にエツチングされ
て形成された溝によつて高さ方向の位置決めがな
され、したがつて、光フアイバ７と光回路との高
精度な位置合わせが完了する。
第３図は、上記のようなフアイバ・ガイド付光
回路の製作方法を示したものである。第３図ａ
は、Si基板１上に石英系光導波膜３１を形成する
工程である。本実施例では、Si基板１として
（100）面基板を用い、SiCl4，TiCl4，GeCl4，
BCl3，PCl3等を原料ガスとする火炎加水分解反
応を利用して、このSi基板１上に石英系光導波膜
３１を形成する。石英系光導波膜３１は厚さ
53μmで３層構造をしており、３１ａはクラツド
層（厚さ3μm），３１ｂはコア層（厚さ45μm），
３１ｃはバツフア層（厚さ5μm）である。第３図
ｂは、石英系光導波膜３１をエツチングして、所
望の光導波路及びフアイバ・ガイドをパタン化す
る工程である。このためには、まず、石英系光導
波膜３１上にアモルフアスSi膜４を形成し、この
上にAZ系フオトレジスト５を塗布する。次いで
フオトマスク６を用いて、フオトリソグラフイの
手法により、AZ系フオトレジスト５をパタン化
する。フオトマスク６において、２６はフアイ
バ・ガイドパタンで、ガイド間隔１1は120μmに
設定してある。３６は光導波路パタンで、光導波
路幅l2は45μmに設定してある。このように、フ
アイバ・ガイドパタン２６と、光導波路パタン３
６とを有するフオトマスク６を用いることで、ガ
イド２，２と光導波路３のパタン化を一度で行え
るとともに、ガイド２，２と光導波路３の相対的
な位置合わせを高精度で、すなわちフオトマスク
６のパタン描画精度（0.1〜0.2μm程度）で行うこ
とができる。
回路の製作方法を示したものである。第３図ａ
は、Si基板１上に石英系光導波膜３１を形成する
工程である。本実施例では、Si基板１として
（100）面基板を用い、SiCl4，TiCl4，GeCl4，
BCl3，PCl3等を原料ガスとする火炎加水分解反
応を利用して、このSi基板１上に石英系光導波膜
３１を形成する。石英系光導波膜３１は厚さ
53μmで３層構造をしており、３１ａはクラツド
層（厚さ3μm），３１ｂはコア層（厚さ45μm），
３１ｃはバツフア層（厚さ5μm）である。第３図
ｂは、石英系光導波膜３１をエツチングして、所
望の光導波路及びフアイバ・ガイドをパタン化す
る工程である。このためには、まず、石英系光導
波膜３１上にアモルフアスSi膜４を形成し、この
上にAZ系フオトレジスト５を塗布する。次いで
フオトマスク６を用いて、フオトリソグラフイの
手法により、AZ系フオトレジスト５をパタン化
する。フオトマスク６において、２６はフアイ
バ・ガイドパタンで、ガイド間隔１1は120μmに
設定してある。３６は光導波路パタンで、光導波
路幅l2は45μmに設定してある。このように、フ
アイバ・ガイドパタン２６と、光導波路パタン３
６とを有するフオトマスク６を用いることで、ガ
イド２，２と光導波路３のパタン化を一度で行え
るとともに、ガイド２，２と光導波路３の相対的
な位置合わせを高精度で、すなわちフオトマスク
６のパタン描画精度（0.1〜0.2μm程度）で行うこ
とができる。
また、AZ系レジストのパタン化にあたつては、
フアイバ・ガイドパタン２６が、Si基板１の
〔110〕方向と、ほぼ平行になるようにする。AZ
系レジストのパタン化にひき続いて、パタン化し
たAZ系レジストをマスク、CBrF3をエツチヤン
トとする反応性イオン・エツチングによりアモル
フアスSi膜４をパタン化する。最後に、このアモ
ルフアスSiをマスク、C2，F6，C2，H4の混合ガ
スをエツチヤントとした反応性イオンエツチング
により、第３図ｃのように、Si基板１上に石英系
光導波膜よりなるフアイバ・ガイド２及び光導波
路３がパタン化される。石英系光導波膜のエツチ
ング深さは53μm必要である。これらのエツチン
グ工程に伴い、形成パタンには若干のパタン幅の
減少が生じて、ガイド間隔l3は約125μm、光導波
路幅l4、は約40μmとなる。次にSi基板をエツチ
ングしてガイド深さを調整する工程を行う。この
工程はSi基板１をエチレンジアミンピロカテコー
ル等のアルカリエツチ液に浸すと石英系光導波膜
でできたガイド２、および光導波路３がマスクと
なり、Si基板１が異方性エツチングされるもので
ある。すなわち、上記エツチ液を用いた場合、Si
結晶面とエツチング速度の関係は（100）：
（110）：（111）＝50：30：3μm／ｈとなるので、
（111）面があらわれると、その面は、それ以上エ
ツチングされなくなる。この結果、第１図に示し
た形状の光回路が得られる。本実施例において
は、上記の方法でSi基板を35μmの深さにエツチ
ングを行なう。この結果、第２図に示すようにガ
イド中に外径125μm、コア径50μmの光フアイバ
を挿入するだけで石英系光導波路との位置合わせ
が行なえるようになる。
フアイバ・ガイドパタン２６が、Si基板１の
〔110〕方向と、ほぼ平行になるようにする。AZ
系レジストのパタン化にひき続いて、パタン化し
たAZ系レジストをマスク、CBrF3をエツチヤン
トとする反応性イオン・エツチングによりアモル
フアスSi膜４をパタン化する。最後に、このアモ
ルフアスSiをマスク、C2，F6，C2，H4の混合ガ
スをエツチヤントとした反応性イオンエツチング
により、第３図ｃのように、Si基板１上に石英系
光導波膜よりなるフアイバ・ガイド２及び光導波
路３がパタン化される。石英系光導波膜のエツチ
ング深さは53μm必要である。これらのエツチン
グ工程に伴い、形成パタンには若干のパタン幅の
減少が生じて、ガイド間隔l3は約125μm、光導波
路幅l4、は約40μmとなる。次にSi基板をエツチ
ングしてガイド深さを調整する工程を行う。この
工程はSi基板１をエチレンジアミンピロカテコー
ル等のアルカリエツチ液に浸すと石英系光導波膜
でできたガイド２、および光導波路３がマスクと
なり、Si基板１が異方性エツチングされるもので
ある。すなわち、上記エツチ液を用いた場合、Si
結晶面とエツチング速度の関係は（100）：
（110）：（111）＝50：30：3μm／ｈとなるので、
（111）面があらわれると、その面は、それ以上エ
ツチングされなくなる。この結果、第１図に示し
た形状の光回路が得られる。本実施例において
は、上記の方法でSi基板を35μmの深さにエツチ
ングを行なう。この結果、第２図に示すようにガ
イド中に外径125μm、コア径50μmの光フアイバ
を挿入するだけで石英系光導波路との位置合わせ
が行なえるようになる。
このように、Si基板をエツチングする工程を導
入することにより石英系光導波膜のエツチング深
さは53μmで十分である。一方、Si基板のエツチ
ング工程を入れずに、石英系光導波膜のエツチン
グのみで、外径125μmの光フアイバ用のガイドを
形成する場合には、石英系光導波膜のエツチング
深さは、約90μm必要となる。ところで第３図ｃ
の工程の説明でも述べたように、エツチング工程
では若干のパタン幅の減少が生じて、最終的に形
成されるパタン幅は、初めに設計したフオトマス
クパタン幅よりも狭くなる。これは、第４図に示
すメカニズムで生ずる。第４図ａは、石英系光導
波膜３１のエツチング深さが比較的浅い場合を示
している。反応性イオンエツチングにおいては、
アモルフアスSiマスク４のエツヂ部分４ａのよう
に、とがつた部分のエツチングの進行速度は他の
部分より速い傾向がある。このため、図中４ａの
ように、この部分が削られ、マスク側面の垂直性
が劣化する。しかし、エツチングが浅い場合はマ
スクの下の石英系光導波膜３１には、この影響が
表われないので、エツチングによつて形成される
パタン幅ｄは、フオトマスク段階の幅から変化す
ることはない。しかし第４図ｂのように、エツチ
ングがある程度深くなると、アモルフアスSiマス
ク４の側面４ａの垂直性劣化の影響が表われ、エ
ツチングにより形成されるパタン幅に2Δdの減少
が生じる。第４図ｃは、さらにエツチングが深く
なつた場合である。アモルフアスSiマスク４の側
面４ａの垂直性の劣化は、第４図ａ，ｂよりも著
しくなるので、エツチングの進行に伴うパタン幅
の減少量2Δdは、さらに大きくなり、しかも、減
少速度も速くなる。第５図は、パタン幅減少量と
エツチング深さとの関係を調べたものである。こ
のグラフより、エツチング深さ50μm程度の時は、
パタン幅減少量は約5μm程度であるのに対してエ
ツチング深さ90μmになると、パタン幅減少量は
20μm程度にも達することがわかる。
入することにより石英系光導波膜のエツチング深
さは53μmで十分である。一方、Si基板のエツチ
ング工程を入れずに、石英系光導波膜のエツチン
グのみで、外径125μmの光フアイバ用のガイドを
形成する場合には、石英系光導波膜のエツチング
深さは、約90μm必要となる。ところで第３図ｃ
の工程の説明でも述べたように、エツチング工程
では若干のパタン幅の減少が生じて、最終的に形
成されるパタン幅は、初めに設計したフオトマス
クパタン幅よりも狭くなる。これは、第４図に示
すメカニズムで生ずる。第４図ａは、石英系光導
波膜３１のエツチング深さが比較的浅い場合を示
している。反応性イオンエツチングにおいては、
アモルフアスSiマスク４のエツヂ部分４ａのよう
に、とがつた部分のエツチングの進行速度は他の
部分より速い傾向がある。このため、図中４ａの
ように、この部分が削られ、マスク側面の垂直性
が劣化する。しかし、エツチングが浅い場合はマ
スクの下の石英系光導波膜３１には、この影響が
表われないので、エツチングによつて形成される
パタン幅ｄは、フオトマスク段階の幅から変化す
ることはない。しかし第４図ｂのように、エツチ
ングがある程度深くなると、アモルフアスSiマス
ク４の側面４ａの垂直性劣化の影響が表われ、エ
ツチングにより形成されるパタン幅に2Δdの減少
が生じる。第４図ｃは、さらにエツチングが深く
なつた場合である。アモルフアスSiマスク４の側
面４ａの垂直性の劣化は、第４図ａ，ｂよりも著
しくなるので、エツチングの進行に伴うパタン幅
の減少量2Δdは、さらに大きくなり、しかも、減
少速度も速くなる。第５図は、パタン幅減少量と
エツチング深さとの関係を調べたものである。こ
のグラフより、エツチング深さ50μm程度の時は、
パタン幅減少量は約5μm程度であるのに対してエ
ツチング深さ90μmになると、パタン幅減少量は
20μm程度にも達することがわかる。
このように、実施例により、精度よく外径
125μm光フアイバ用のガイドが形成できる。長さ
15mmの直線導波路の両端にガイドを設けた光回路
における接続損失の測定では、光源に0.85μmの
LEDを用いた場合、入力部および出力部を合わ
せた接続損失は1.9dBであつた。この値は、比較
のために行なつた通常の端面接続の場合の接続損
失と同程度であり、本方法によつても、高効率接
続ができることが明らかになつた。なお、本実施
例において、上述のように形成された光導波路の
コア部の寸法は幅40μm×高さ45μmであるが、こ
れはコア径50μmのグレイデイツドインデツクス
フアイバ（50GIフアイバ）を用いて、50GIフア
イバ＝光回路（ステツプインデツクス）＝50GIフ
アイバと接続した場合に、接続損失が最小になる
寸法である。
125μm光フアイバ用のガイドが形成できる。長さ
15mmの直線導波路の両端にガイドを設けた光回路
における接続損失の測定では、光源に0.85μmの
LEDを用いた場合、入力部および出力部を合わ
せた接続損失は1.9dBであつた。この値は、比較
のために行なつた通常の端面接続の場合の接続損
失と同程度であり、本方法によつても、高効率接
続ができることが明らかになつた。なお、本実施
例において、上述のように形成された光導波路の
コア部の寸法は幅40μm×高さ45μmであるが、こ
れはコア径50μmのグレイデイツドインデツクス
フアイバ（50GIフアイバ）を用いて、50GIフア
イバ＝光回路（ステツプインデツクス）＝50GIフ
アイバと接続した場合に、接続損失が最小になる
寸法である。
以上説明したように、本発明によれば、光回路
形成と同時に形成した光フアイバと光回路との軸
合わせ用のガイド中に光フアイバを挿入して、光
フアイバと光回路との結合を行なうので無調整で
光フアイバ＝光回路の高効率接続ができる。それ
に加えて、本発明においては、ガイド近傍のSi基
板が適当な深さにエツチングされているので、通
常の光フアイバとの接続を容易に行うことができ
るとともに、光フアイバと光回路との位置合わせ
を高精度で行うことができる。また、本発明の方
法によれば、光回路、ガイド形成工程において、
石英系光導波膜のエツチング深さを必要最小限に
抑え、不足分を、基板であるSi基板をエツチング
することにより深さ調整を行なつている。したが
つて、反応性イオン、エツチングで深いエツチン
グを行なう際に問題となるパタン幅の減少量を大
幅に小さくできるので、加工精度の向上がはかれ
る。それに加えて、本発明の方法によれば、光導
波路パタンとガイドとを同時に形成し、ガイド付
近のSi基板をそのガイドをマスクとしてエツチン
グするものであるので、ガイドの位置を光導波路
の位置に対して極めて高精度に合致させることが
できる、という効果を奏する。
形成と同時に形成した光フアイバと光回路との軸
合わせ用のガイド中に光フアイバを挿入して、光
フアイバと光回路との結合を行なうので無調整で
光フアイバ＝光回路の高効率接続ができる。それ
に加えて、本発明においては、ガイド近傍のSi基
板が適当な深さにエツチングされているので、通
常の光フアイバとの接続を容易に行うことができ
るとともに、光フアイバと光回路との位置合わせ
を高精度で行うことができる。また、本発明の方
法によれば、光回路、ガイド形成工程において、
石英系光導波膜のエツチング深さを必要最小限に
抑え、不足分を、基板であるSi基板をエツチング
することにより深さ調整を行なつている。したが
つて、反応性イオン、エツチングで深いエツチン
グを行なう際に問題となるパタン幅の減少量を大
幅に小さくできるので、加工精度の向上がはかれ
る。それに加えて、本発明の方法によれば、光導
波路パタンとガイドとを同時に形成し、ガイド付
近のSi基板をそのガイドをマスクとしてエツチン
グするものであるので、ガイドの位置を光導波路
の位置に対して極めて高精度に合致させることが
できる、という効果を奏する。
第１図は、本発明の実施例であるガイド付光回
路の斜視図、第２図は、第１図の光回路における
ガイド、光導波路および光フアイバの寸法の関係
を示した図、第３図ａ〜ｃは、ガイド付光回路の
製造方法を示した説明図、第４図ａ〜ｃは、光回
路幅の減少のようすを示した模式図、第５図は、
エツチング深さとパタン幅減少量との関係を示す
グラフである。 １……Si基板、１ａ……Si（100）面、１ｂ……
Si（111）面、２……光フアイバ、・ガイド、３…
…光導波路、３ａ……クラツド層、３ｂ……コア
層、３ｃ……バツフア層、７……光フアイバ、７
ｂ……光フアイバのコア部、３１……石英系光導
波膜、３１ａ……クラツド層、３１ｂ……コア
層、３１ｃ……バツフア層、４……アモルフアス
Siマスク、４ａ……アモルフアスSiマスク側面、
５……AZ系レジスト、６……フオトマスク、２
６……ガイド・パタン、３６……光回路パタン。
路の斜視図、第２図は、第１図の光回路における
ガイド、光導波路および光フアイバの寸法の関係
を示した図、第３図ａ〜ｃは、ガイド付光回路の
製造方法を示した説明図、第４図ａ〜ｃは、光回
路幅の減少のようすを示した模式図、第５図は、
エツチング深さとパタン幅減少量との関係を示す
グラフである。 １……Si基板、１ａ……Si（100）面、１ｂ……
Si（111）面、２……光フアイバ、・ガイド、３…
…光導波路、３ａ……クラツド層、３ｂ……コア
層、３ｃ……バツフア層、７……光フアイバ、７
ｂ……光フアイバのコア部、３１……石英系光導
波膜、３１ａ……クラツド層、３１ｂ……コア
層、３１ｃ……バツフア層、４……アモルフアス
Siマスク、４ａ……アモルフアスSiマスク側面、
５……AZ系レジスト、６……フオトマスク、２
６……ガイド・パタン、３６……光回路パタン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Si基板上に石英ガラス系光導波路が形成され
ている光回路において、光導波路端部付近に、光
回路パタン化と同時に形成した光フアイバ端部の
位置決め用のガイドを有し、かつ、ガイド中に光
フアイバを挿入したとき光フアイバコア部と光導
波路コア部とが一致するように少なくともガイド
近傍のSi基板が適当な深さにエツチングされてい
ることを特徴とするフアイバ・ガイド付光回路。 ２ Si基板上に石英ガラス系光導波路を形成する
工程と、その石英ガラス系光導波路をフオトリソ
グラフイ技術を用いてSi基板に到る深さまでエツ
チングを行い所望の光導波路パタンと光フアイバ
位置決め用のガイドとを同時に形成する工程と、
それに引き続いてガイド中に光フアイバを挿入し
たとき光フアイバコア部と光導波路コア部とが一
致するように少なくともガイド付近のSi基板をそ
のガイドをマスクとして適当な深さまでエツチン
グする工程とを有するフアイバ・ガイド付光回路
の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23920384A JPS61117513A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法 |
| CA000486477A CA1255382A (en) | 1984-08-10 | 1985-07-08 | Hybrid optical integrated circuit with alignment guides |
| US06/753,632 US4750799A (en) | 1984-08-10 | 1985-07-10 | Hybrid optical integrated circuit |
| DE8585108730T DE3575208D1 (de) | 1984-08-10 | 1985-07-12 | Optischer, integrierter hybridschaltkreis und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP85108730A EP0171615B1 (en) | 1984-08-10 | 1985-07-12 | Hybrid optical integrated circuit and fabrication method thereof |
| US07/038,127 US4735677A (en) | 1984-08-10 | 1987-04-02 | Method for fabricating hybrid optical integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23920384A JPS61117513A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117513A JPS61117513A (ja) | 1986-06-04 |
| JPS6325644B2 true JPS6325644B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17041262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23920384A Granted JPS61117513A (ja) | 1984-08-10 | 1984-11-13 | フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117513A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396609A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Nec Corp | 光接続回路 |
| US4810049A (en) * | 1987-04-02 | 1989-03-07 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Reducing bend and coupling losses in integrated optical waveguides |
| FR2623915B1 (fr) * | 1987-11-26 | 1990-04-13 | Corning Glass Works | Procede de production d'un composant optique integre en verre comprenant des tranchees de positionnement et de fixation de fibres optiques en alignement avec des guides d'ondes et composants ainsi produits |
| JP2893093B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1999-05-17 | 日本電信電話株式会社 | ファイバ・ガイド部付き光導波路の製作方法 |
| EP0419767B1 (de) * | 1989-09-29 | 1993-11-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Körpers aus Silizium |
| US5077818A (en) * | 1989-09-29 | 1991-12-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Coupling arrangement for optically coupling a fiber to a planar optical waveguide integrated on a substrate |
| US5299276A (en) * | 1991-10-11 | 1994-03-29 | Fujitsu Limited | Waveguide type optical device and method for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953453A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-05-24 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23920384A patent/JPS61117513A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953453A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-05-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117513A (ja) | 1986-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |