JPS6281050A - 静電保護回路 - Google Patents
静電保護回路Info
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- JPS6281050A JPS6281050A JP22211385A JP22211385A JPS6281050A JP S6281050 A JPS6281050 A JP S6281050A JP 22211385 A JP22211385 A JP 22211385A JP 22211385 A JP22211385 A JP 22211385A JP S6281050 A JPS6281050 A JP S6281050A
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- JP
- Japan
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- wiring
- input
- discharge
- output pad
- discharge gaps
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- Pending
Links
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は靜7保護回路に関し0、特に集積回路に適用さ
れる静電保護回路に関する。
れる静電保護回路に関する。
従来、この種の静電保護回路は、第3図に示すように、
抵抗11及びダイオード12で構成され、抵抗による電
圧低減効果とダイオードによる電圧クランプ効果とによ
り静電保護を行っていた。
抵抗11及びダイオード12で構成され、抵抗による電
圧低減効果とダイオードによる電圧クランプ効果とによ
り静電保護を行っていた。
上述した従来の静電保護回路は、入力端子に直列抵抗及
び並列容量が付加されるため入力信号の立上り時間tr
h及び立下り時間tfが大きくなり、もって出力遅延時
間t、aが増大する欠点がある。
び並列容量が付加されるため入力信号の立上り時間tr
h及び立下り時間tfが大きくなり、もって出力遅延時
間t、aが増大する欠点がある。
本発明の目的は、出力遅延時間を増大させることなくし
かも静電破壊を防止する静電保護回路を提供することに
ある。
かも静電破壊を防止する静電保護回路を提供することに
ある。
に微小な間隙を有する放電ギャップを少くとも1個設け
ることによプ構成される。
ることによプ構成される。
次に1本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図である。
集積回路の入出力パット2と電源配線3及び接地配線4
との間で、かつ互いに向い合う部分に放電ギャップ1を
設ける。放電ギャップエは、図示するように、とがった
先端を互いに微小間隙、例えばきクロン単位の間隙で向
い合わせて構成されル、放1′ギャップlには破線で示
すようなカバー5は設けない、また、配線6は内部回路
に接続する配線である。
との間で、かつ互いに向い合う部分に放電ギャップ1を
設ける。放電ギャップエは、図示するように、とがった
先端を互いに微小間隙、例えばきクロン単位の間隙で向
い合わせて構成されル、放1′ギャップlには破線で示
すようなカバー5は設けない、また、配線6は内部回路
に接続する配線である。
入出力パッド2に高電圧の静電気が印加され、放1ギャ
ップlの放電開始電圧以上になると、入出力パッド2と
電源配線3との間の放電ギャップ、あるいけ入出力パッ
ド2と接地配線4との間で放電し、内部回路の破啼を防
止する。
ップlの放電開始電圧以上になると、入出力パッド2と
電源配線3との間の放電ギャップ、あるいけ入出力パッ
ド2と接地配線4との間で放電し、内部回路の破啼を防
止する。
第2図は本発明の第2の実施例の平面図である。
この第2の実施例は、入出力パッドと11i源配線3及
び接地配線4との間が広いときに適する形状に放電ギャ
ップlを形成lまたものであり、それ以外は第1の実施
例と同じである。
び接地配線4との間が広いときに適する形状に放電ギャ
ップlを形成lまたものであり、それ以外は第1の実施
例と同じである。
放電ギャップ1が複数個ある場合は、1個のギャップが
放電により放電ギャップ間隙が大きくなり、放電開始電
圧が高くなって[、まっても他の放電ギャップで放電す
るので、静電保護効果は維持される。
放電により放電ギャップ間隙が大きくなり、放電開始電
圧が高くなって[、まっても他の放電ギャップで放電す
るので、静電保護効果は維持される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、放電開始!圧の低い放電
ギャップを人出カパッドと電源配線及びあるいは接地配
線との間に設けたので、信号遅延を生じさせることなく
静電保護を行う効果がある。
ギャップを人出カパッドと電源配線及びあるいは接地配
線との間に設けたので、信号遅延を生じさせることなく
静電保護を行う効果がある。
第1図及び第2図はそねそれ本発明の第1及び第2の実
施例の平面図、第3図は従来の静電保護回路の一例の回
路図である。 l・・・・・・放電ギャップ、2・・団・入出力パッド
、3・・・・・・電源配線、4・・・・・・接地配線、
5・・・・・・カバー、6・・・・・・配線、10・・
・・・・入力端子、11・旧・・抵抗。 】 2・・・・・・ダイオード。
施例の平面図、第3図は従来の静電保護回路の一例の回
路図である。 l・・・・・・放電ギャップ、2・・団・入出力パッド
、3・・・・・・電源配線、4・・・・・・接地配線、
5・・・・・・カバー、6・・・・・・配線、10・・
・・・・入力端子、11・旧・・抵抗。 】 2・・・・・・ダイオード。
Claims (1)
- 入出力パッドと電源配線及びあるいは接地配線との間で
かつ向い合う部分に微小な間隙を有する放電ギャップを
少くとも1個設けたことを特徴とする放電保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22211385A JPS6281050A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 静電保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22211385A JPS6281050A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 静電保護回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6281050A true JPS6281050A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16777349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22211385A Pending JPS6281050A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 静電保護回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6281050A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0187559U (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | ||
JPH04129227A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2000200869A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-07-18 | Littelfuse Inc | 電圧可変材料を持つ集積回路の保護 |
JP2002507062A (ja) * | 1998-03-10 | 2002-03-05 | オリックス テクノロジー コーポレイション | 集積回路用過電圧保護デバイス |
JP2014075586A (ja) * | 2008-02-15 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2015190267A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 三菱製紙株式会社 | 光透過性導電材料 |
CN107870293A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 亚德诺半导体集团 | 电气过应力检测装置 |
US11668734B2 (en) | 2018-03-26 | 2023-06-06 | Analog Devices International Unlimited Company | Spark gap structures for detection and protection against electrical overstress events |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22211385A patent/JPS6281050A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0187559U (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | ||
JPH04129227A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2778235B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2002507062A (ja) * | 1998-03-10 | 2002-03-05 | オリックス テクノロジー コーポレイション | 集積回路用過電圧保護デバイス |
JP2000200869A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-07-18 | Littelfuse Inc | 電圧可変材料を持つ集積回路の保護 |
JP2014075586A (ja) * | 2008-02-15 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
CN106462286A (zh) * | 2014-06-12 | 2017-02-22 | 三菱制纸株式会社 | 光透导电材料 |
TWI559189B (zh) * | 2014-06-12 | 2016-11-21 | 三菱製紙股份有限公司 | 光穿透性導電材料 |
WO2015190267A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 三菱製紙株式会社 | 光透過性導電材料 |
CN107870293A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 亚德诺半导体集团 | 电气过应力检测装置 |
JP2018067705A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-26 | アナログ・ディヴァイシス・グローバル・アンリミテッド・カンパニー | 電気的過剰ストレス検出デバイス |
JP2020047934A (ja) * | 2016-09-27 | 2020-03-26 | アナログ・ディヴァイシス・グローバル・アンリミテッド・カンパニー | 電気的過剰ストレス検出デバイス |
US10677822B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-06-09 | Analog Devices Global Unlimited Company | Electrical overstress detection device |
JP2022000900A (ja) * | 2016-09-27 | 2022-01-04 | アナログ・ディヴァイシス・インターナショナル・アンリミテッド・カンパニー | 電気的過剰ストレス検出デバイス |
US11372030B2 (en) | 2016-09-27 | 2022-06-28 | Analog Devices International Unlimited Company | Electrical overstress detection device |
US11668734B2 (en) | 2018-03-26 | 2023-06-06 | Analog Devices International Unlimited Company | Spark gap structures for detection and protection against electrical overstress events |
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