JP2767538B2 - 微細結晶質Ｐｔ粉末、その製造方法及び厚膜導体用Ｐｔペースト - Google Patents
微細結晶質Ｐｔ粉末、その製造方法及び厚膜導体用ＰｔペーストInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、貴金属（特にＰｔ）の
粉末に関し、特にはアルミナ、ジルコニア等のセラミッ
ク基板上に厚膜導体として、電極、ヒーター、回路を形
成することに有効な貴金属粉末及び貴金属粉末ペースト
及びこれらの製造方法に関する。
粉末に関し、特にはアルミナ、ジルコニア等のセラミッ
ク基板上に厚膜導体として、電極、ヒーター、回路を形
成することに有効な貴金属粉末及び貴金属粉末ペースト
及びこれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜導体用Ｐｔペーストには、還元析出
法や気相反応やガス還元等で得られる0.1〜５μｍのＰ
ｔ粉末が用いられる。これらのＰｔ粉末を有機ビヒクル
に分散させて、必要に応じ種々の添加剤を加え、得られ
るペーストは、ドクターブレード法等でシート化された
アルミナ及びジルコニアのグリーンシート上にスクリー
ン印刷によって導体を形成し、同時に焼成することによ
って電極、ヒーター及び回路となる。
法や気相反応やガス還元等で得られる0.1〜５μｍのＰ
ｔ粉末が用いられる。これらのＰｔ粉末を有機ビヒクル
に分散させて、必要に応じ種々の添加剤を加え、得られ
るペーストは、ドクターブレード法等でシート化された
アルミナ及びジルコニアのグリーンシート上にスクリー
ン印刷によって導体を形成し、同時に焼成することによ
って電極、ヒーター及び回路となる。
【０００３】ここで、上記周知の方法により得られるＰ
ｔ粉末は、一般にアモルファス状である。
ｔ粉末は、一般にアモルファス状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらのＰ
ｔ粉末を用いたペーストの焼成温度が高温の場合、例え
ば1000℃以上になると、電極膜中のポアが多くなり、発
泡や剥離、異常収縮等の構造欠陥が生じるという欠点が
あった。
ｔ粉末を用いたペーストの焼成温度が高温の場合、例え
ば1000℃以上になると、電極膜中のポアが多くなり、発
泡や剥離、異常収縮等の構造欠陥が生じるという欠点が
あった。
【０００５】そこで、本発明は高温焼成しても発泡や剥
離、異常収縮等の構造欠陥が生じない厚膜導体用Ｐｔペ
ーストを提供すること、及び、特に、そのために有用な
Ｐｔ粉末を提供することを目的とする。
離、異常収縮等の構造欠陥が生じない厚膜導体用Ｐｔペ
ーストを提供すること、及び、特に、そのために有用な
Ｐｔ粉末を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的に
従い鋭意研究の結果、上記構造欠陥が、Ｐｔの粒子成長
が激しく起こるために生じることを突き止め、Ｐｔ粉末
に所定の微細結晶性を付与することによりこれらが解消
され、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完
成させた。
従い鋭意研究の結果、上記構造欠陥が、Ｐｔの粒子成長
が激しく起こるために生じることを突き止め、Ｐｔ粉末
に所定の微細結晶性を付与することによりこれらが解消
され、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完
成させた。
【０００７】即ち、本発明は第１の視点において、アモ
ルファス状のＰｔ粉末が不活性なガス雰囲気中かつ該Ｐ
ｔ粉末同士が焼結をおこさない条件で加熱された粉末で
あって結晶子が３５〜６０ｎｍである微細結晶質の粒子
からなるＰｔ粉末を提供するものである。第２の視点に
おいて、不活性かつＰｔ粉末同士が焼結をおこさない条
件でアモルファス状のＰｔ粉末を３５０〜６５０℃で、
結晶子が３５〜６０ｎｍになるまで加熱して結晶化させ
て微細結晶質にするものである。第３の視点において、
有機ビヒクルに、アモルファス状のＰｔ粉末が不活性な
ガス雰囲気中かつ該Ｐｔ粉末同士が焼結をおこさない条
件で加熱された粉末であって結晶子が３５〜６０ｎｍの
微細結晶質Ｐｔ粉末を所定量分散させてなるものであ
る。第４の視点において、第３の視点に基づき、微細結
晶質Ｐｔ粉末を全重量の６０〜９０重量％含有する。
ルファス状のＰｔ粉末が不活性なガス雰囲気中かつ該Ｐ
ｔ粉末同士が焼結をおこさない条件で加熱された粉末で
あって結晶子が３５〜６０ｎｍである微細結晶質の粒子
からなるＰｔ粉末を提供するものである。第２の視点に
おいて、不活性かつＰｔ粉末同士が焼結をおこさない条
件でアモルファス状のＰｔ粉末を３５０〜６５０℃で、
結晶子が３５〜６０ｎｍになるまで加熱して結晶化させ
て微細結晶質にするものである。第３の視点において、
有機ビヒクルに、アモルファス状のＰｔ粉末が不活性な
ガス雰囲気中かつ該Ｐｔ粉末同士が焼結をおこさない条
件で加熱された粉末であって結晶子が３５〜６０ｎｍの
微細結晶質Ｐｔ粉末を所定量分散させてなるものであ
る。第４の視点において、第３の視点に基づき、微細結
晶質Ｐｔ粉末を全重量の６０〜９０重量％含有する。
【０００８】結晶化に際しては、不活性かつＰｔ粉末粒
子同士の結合による急激な粒成長を生じない条件でＰｔ
粉末粒子内での微細結晶子の生成を図る。これにより、
結晶の状態が安定化し、メタライズ時の高温加熱に際し
てもＰｔの粒子としての成長を抑制することができる。
これは、微細結晶子を予め生成させれば粒成長が一層増
大すると、一見考えられることに対する大きな驚きであ
り、アンチテーゼを成す。即ち、所定の微細結晶子の生
成は、Ｐｔ粉末をかえって温度に対して安定化させる効
果を有することが判明したのである。
子同士の結合による急激な粒成長を生じない条件でＰｔ
粉末粒子内での微細結晶子の生成を図る。これにより、
結晶の状態が安定化し、メタライズ時の高温加熱に際し
てもＰｔの粒子としての成長を抑制することができる。
これは、微細結晶子を予め生成させれば粒成長が一層増
大すると、一見考えられることに対する大きな驚きであ
り、アンチテーゼを成す。即ち、所定の微細結晶子の生
成は、Ｐｔ粉末をかえって温度に対して安定化させる効
果を有することが判明したのである。
【０００９】ここに、結晶子とは一つのＰｔ粉末粒子の
中に含まれる微細結晶子のことをいう。また、結晶子の
大きさは、粉末Ｘ線回折から求められる値を指し、Ｘ線
回折チャートの強度ピークの半値幅を求め下記のシェラ
ーの式により算出される値とする。
中に含まれる微細結晶子のことをいう。また、結晶子の
大きさは、粉末Ｘ線回折から求められる値を指し、Ｘ線
回折チャートの強度ピークの半値幅を求め下記のシェラ
ーの式により算出される値とする。
【００１０】
【数１】
【００１１】
【定義】本明細書中において、「アモルファスＰｔ粉
末」とは、周知の方法、即ち、還元析出法、気相反応法
及びガス還元法等により製造された結晶性の低いアモル
ファス状のＰｔ粉末をいうこととし、「微細結晶質性Ｐ
ｔ粉末」とは、前記アモルファスＰｔ粉末を不活性かつ
該Ｐｔ粉末同士が焼結をおこさない条件で熱処理して得
られる、又は不活性かつＰｔ粉末同士が焼結をおこさな
い条件でアモルファス状のＰｔ粉末を３５０〜６５０℃
で加熱して結晶化させて得られる、結晶子が３５〜６０
ｎｍの微細結晶質を有するＰｔ粉末をいうこととし、呼
び方を変えることで、両者を区別させることとする。
末」とは、周知の方法、即ち、還元析出法、気相反応法
及びガス還元法等により製造された結晶性の低いアモル
ファス状のＰｔ粉末をいうこととし、「微細結晶質性Ｐ
ｔ粉末」とは、前記アモルファスＰｔ粉末を不活性かつ
該Ｐｔ粉末同士が焼結をおこさない条件で熱処理して得
られる、又は不活性かつＰｔ粉末同士が焼結をおこさな
い条件でアモルファス状のＰｔ粉末を３５０〜６５０℃
で加熱して結晶化させて得られる、結晶子が３５〜６０
ｎｍの微細結晶質を有するＰｔ粉末をいうこととし、呼
び方を変えることで、両者を区別させることとする。
【００１２】
【作用】本発明の微細結晶質性Ｐｔ粉末を用いて作製さ
れた電極、ヒーター及び回路等は、焼成時の高温による
Ｐｔ粒子の異常成長が抑制され、セラミックシートの収
縮とペーストの収縮が合う為に発泡やシートからの剥
離、収縮等の構造欠陥が防止できる。また、本発明の微
細結晶質性Ｐｔ粉末は、その結晶性を上げて微細結晶質
としている為、高温時における粒子の異常成長が抑制さ
れる。従って、有機ビヒクル中に配合させると、前記種
々の構造欠陥を防止できる厚膜導体用Ｐｔペーストを得
ることができる。 更には、本発明の微細結晶質性Ｐｔ
粉末の製造方法により、粒子の異常成長が抑制されたＰ
ｔ粉末を製造することができる。
れた電極、ヒーター及び回路等は、焼成時の高温による
Ｐｔ粒子の異常成長が抑制され、セラミックシートの収
縮とペーストの収縮が合う為に発泡やシートからの剥
離、収縮等の構造欠陥が防止できる。また、本発明の微
細結晶質性Ｐｔ粉末は、その結晶性を上げて微細結晶質
としている為、高温時における粒子の異常成長が抑制さ
れる。従って、有機ビヒクル中に配合させると、前記種
々の構造欠陥を防止できる厚膜導体用Ｐｔペーストを得
ることができる。 更には、本発明の微細結晶質性Ｐｔ
粉末の製造方法により、粒子の異常成長が抑制されたＰ
ｔ粉末を製造することができる。
【００１３】従って、Ｐｔ粉末の結晶性をコントロール
することによって、種々の構造欠陥を防止することが期
待される。
することによって、種々の構造欠陥を防止することが期
待される。
【００１４】
【好適な実施態様】本発明の微細結晶質性Ｐｔ粉末の製
造方法は、周知の還元析出法、気相反応法及びガス還元
法等で製造されるアモルファスＰｔ粉末を材料とする。
本発明に適用するＰｔ粉末の好ましい粒子径は0.2〜２
μｍである。
造方法は、周知の還元析出法、気相反応法及びガス還元
法等で製造されるアモルファスＰｔ粉末を材料とする。
本発明に適用するＰｔ粉末の好ましい粒子径は0.2〜２
μｍである。
【００１５】結晶子が３５〜６０ｎｍの微細結晶質から
なるＰｔ粉末は焼結の際の異常粒成長が抑制されたもの
となる。結晶子が３５ｎｍ未満では粒成長を抑制するこ
とができず、発泡等を防ぎきれない。結晶子が６０ｎｍ
を超える粒子は製造するために７００℃程度の高熱で処
理されなければならず、そうすると粒子同士のネッキン
グが進行するなどの弊害が生じ、製造が困難であるため
不適である。
なるＰｔ粉末は焼結の際の異常粒成長が抑制されたもの
となる。結晶子が３５ｎｍ未満では粒成長を抑制するこ
とができず、発泡等を防ぎきれない。結晶子が６０ｎｍ
を超える粒子は製造するために７００℃程度の高熱で処
理されなければならず、そうすると粒子同士のネッキン
グが進行するなどの弊害が生じ、製造が困難であるため
不適である。
【００１６】本発明の微細結晶質性Ｐｔ粉末の製造方法
に関し、Ｐｔ粉末と不活性な環境でかつＰｔ粉末同士が
焼結しないようにすることが肝要である。そこで、不活
性ガス中で、前記不活性ガスを流通循環させてＰｔ粉末
を分散させて熱処理を行う。空気中で熱処理を行うと、
微細結晶性は獲得されるものの、Ｐｔが酸化を受けるた
め該粉末を使用して作製したヒーター、電極等の焼結時
に構造欠陥をきたす。故に不活性ガスにはＮ２、Ｈ２及
びＡｒなどの希ガスが挙げられる。
に関し、Ｐｔ粉末と不活性な環境でかつＰｔ粉末同士が
焼結しないようにすることが肝要である。そこで、不活
性ガス中で、前記不活性ガスを流通循環させてＰｔ粉末
を分散させて熱処理を行う。空気中で熱処理を行うと、
微細結晶性は獲得されるものの、Ｐｔが酸化を受けるた
め該粉末を使用して作製したヒーター、電極等の焼結時
に構造欠陥をきたす。故に不活性ガスにはＮ２、Ｈ２及
びＡｒなどの希ガスが挙げられる。
【００１７】前記条件を満足するものであれば、熱処理
方法は、ここに掲げたものに限定されない。
方法は、ここに掲げたものに限定されない。
【００１８】微細結晶質形成には熱処理温度が重要なフ
ァクターになっていると考えられる。熱処理温度は３５
０℃以上６５０℃以下とし、好ましくは、５００℃〜６
００℃である。３５０℃以下では結晶子が３５ｎｍ未満
のＰｔ粒子が多数存在し、結晶質形成が十分ではなく、
発泡等を防ぎきれない。一方、６５０℃より高温では、
粒子の結晶質化は６０ｎｍを超え十分に大きくなるが、
かえって粒子同士のネッキングが進行しペースト化には
適さなくなる。
ァクターになっていると考えられる。熱処理温度は３５
０℃以上６５０℃以下とし、好ましくは、５００℃〜６
００℃である。３５０℃以下では結晶子が３５ｎｍ未満
のＰｔ粒子が多数存在し、結晶質形成が十分ではなく、
発泡等を防ぎきれない。一方、６５０℃より高温では、
粒子の結晶質化は６０ｎｍを超え十分に大きくなるが、
かえって粒子同士のネッキングが進行しペースト化には
適さなくなる。
【００１９】熱処理時間は熱処理温度に従い適宜調節さ
れるが、好ましくは１〜５時間程度である。例えば、具
体的なスケジュールを一つ挙げると、２０〜３０℃／ｍ
ｉｎで昇温していき、５００〜６００℃になったら１５
〜６０分保持した後、３〜５℃／ｍｉｎで降温してい
く。
れるが、好ましくは１〜５時間程度である。例えば、具
体的なスケジュールを一つ挙げると、２０〜３０℃／ｍ
ｉｎで昇温していき、５００〜６００℃になったら１５
〜６０分保持した後、３〜５℃／ｍｉｎで降温してい
く。
【００２０】本発明の微細結晶質性Ｐｔ粉末を用いて、
従来のＰｔペーストの製造方法と同様にして有機ビヒク
ル中に分散させれば、本発明の導体用Ｐｔペーストが得
られる。本発明の導体用Ｐｔペーストは、従来のものと
異なり、発泡やセラミックシートからの剥離、収縮等の
構造欠陥が生じない。
従来のＰｔペーストの製造方法と同様にして有機ビヒク
ル中に分散させれば、本発明の導体用Ｐｔペーストが得
られる。本発明の導体用Ｐｔペーストは、従来のものと
異なり、発泡やセラミックシートからの剥離、収縮等の
構造欠陥が生じない。
【００２１】ペースト中に配合される微細結晶質性Ｐｔ
粉末は、通常配合されている量でよく、好ましくは６０
〜９０重量％であり、更に好ましくは６５〜８０重量％
である。６０重量％未満では、貴金属粉末が少なすぎる
ため導電性が悪く、逆に９０重量％を超えると、ペース
トの流動性が失われ、印刷性、塗布性が悪化する。
粉末は、通常配合されている量でよく、好ましくは６０
〜９０重量％であり、更に好ましくは６５〜８０重量％
である。６０重量％未満では、貴金属粉末が少なすぎる
ため導電性が悪く、逆に９０重量％を超えると、ペース
トの流動性が失われ、印刷性、塗布性が悪化する。
【００２２】有機ビヒクルについても、通常導体用ペー
ストに使用されているものを選択すれば良く、例えば、
バインダーにはエチルセルロースなど、溶剤にはＢ．
Ｃ．系などが挙げられる。また、本発明のペースト中に
は必要に応じてセラミック粉末等の添加剤を１５重量％
程度まで含有させることができる。
ストに使用されているものを選択すれば良く、例えば、
バインダーにはエチルセルロースなど、溶剤にはＢ．
Ｃ．系などが挙げられる。また、本発明のペースト中に
は必要に応じてセラミック粉末等の添加剤を１５重量％
程度まで含有させることができる。
【００２３】
【実施例１】各種の方法で得られたアモルファスＰｔ粉
末を所定のセラミック容器に入れ、雰囲気置換できる電
気炉に入れ、真空脱気を行なった。真空度は１０-1〜１
０-3Ｔｏｒｒが望ましい。その後、Ｎ2等の不活性ガス
を１００〜５００ｃｃ／ｍｉｎの流速で導入し雰囲気置
換を行なった。
末を所定のセラミック容器に入れ、雰囲気置換できる電
気炉に入れ、真空脱気を行なった。真空度は１０-1〜１
０-3Ｔｏｒｒが望ましい。その後、Ｎ2等の不活性ガス
を１００〜５００ｃｃ／ｍｉｎの流速で導入し雰囲気置
換を行なった。
【００２４】雰囲気置換後、ガス流通状態（１００〜５
００ｃｃ／ｍｉｎ）で所定の温度でＰｔ粉末の熱処理を
行ない、それぞれ１０、３０、３５、４０、４５、５０
ｎｍの結晶子を有する結晶質性Ｐｔ粉末を製造した。各
結晶子ごとに表１に記載の組成に従ってペースト材料を
調合し、セラミック三本ロールミルを用い混練を行ない
ペースト化した。
００ｃｃ／ｍｉｎ）で所定の温度でＰｔ粉末の熱処理を
行ない、それぞれ１０、３０、３５、４０、４５、５０
ｎｍの結晶子を有する結晶質性Ｐｔ粉末を製造した。各
結晶子ごとに表１に記載の組成に従ってペースト材料を
調合し、セラミック三本ロールミルを用い混練を行ない
ペースト化した。
【００２５】この導体用Ｐｔペーストをアルミナない
し、ジルコニア等のセラミックグリーンシートにスクリ
ーン印刷し、プレスを行ない、電極及び回路を作製し
た。また、前記導体用Ｐｔペーストを前記セラミックグ
リーンシートにスクリーン印刷し、これを積層してプレ
スを行ない、ヒーターを作製した。焼成は共に、１５５
０℃〜１５９０℃で２時間保持し、できあがった製品の
構造欠陥等を調べた。結果を表２に示す。
し、ジルコニア等のセラミックグリーンシートにスクリ
ーン印刷し、プレスを行ない、電極及び回路を作製し
た。また、前記導体用Ｐｔペーストを前記セラミックグ
リーンシートにスクリーン印刷し、これを積層してプレ
スを行ない、ヒーターを作製した。焼成は共に、１５５
０℃〜１５９０℃で２時間保持し、できあがった製品の
構造欠陥等を調べた。結果を表２に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】結晶子が３５〜６０ｎｍではいずれも発泡
による不良が認められず、電極の剥離も生じなかった。
しかし、結晶子が３５ｎｍ未満（１０、３０ｎｍ）のも
のを用いた電極及びヒーターは発泡が認められ、剥離等
の不良が生じた。図１にＰｔ粒子の結晶子と発泡率の関
係を示すが、３０ｎｍにおいて５０％の発泡率を示した
が、３５ｎｍ以上では０％を示した。
による不良が認められず、電極の剥離も生じなかった。
しかし、結晶子が３５ｎｍ未満（１０、３０ｎｍ）のも
のを用いた電極及びヒーターは発泡が認められ、剥離等
の不良が生じた。図１にＰｔ粒子の結晶子と発泡率の関
係を示すが、３０ｎｍにおいて５０％の発泡率を示した
が、３５ｎｍ以上では０％を示した。
【００２９】１０ｎｍと３５ｎｍの結晶子のＰｔペース
トを用いて作製したヒーターの表面及び断面を走査型電
子顕微鏡により観察を行なった（図２及び図３）。表面
を比較すると、結晶子が１０ｎｍのＰｔ粒子を配合した
ペーストを用いた場合には粒子の成長が大きく粒界も鮮
明であったが、結晶子が３５ｎｍのものの場合には粒子
の成長は小さく粒界が不鮮明であった。断面を比較する
と、前者の場合はポアが大きく多数存在するが、後者の
場合はポアは小さく、数も少なくなることがわかった。
トを用いて作製したヒーターの表面及び断面を走査型電
子顕微鏡により観察を行なった（図２及び図３）。表面
を比較すると、結晶子が１０ｎｍのＰｔ粒子を配合した
ペーストを用いた場合には粒子の成長が大きく粒界も鮮
明であったが、結晶子が３５ｎｍのものの場合には粒子
の成長は小さく粒界が不鮮明であった。断面を比較する
と、前者の場合はポアが大きく多数存在するが、後者の
場合はポアは小さく、数も少なくなることがわかった。
【００３０】
【発明の効果】本発明に基づき提供される微細結晶質性
Ｐｔ粉末は、粒子の異常成長が抑制された粉末で、ペー
スト化における印刷性も問題なく導体を形成し、１００
０℃以上での高温焼成においても発泡、剥離、収縮等の
構造欠陥を抑制することができる。従って、従来のアモ
ルファスＰｔ粉末では防止できなかった不良を解決した
画期的なものである。
Ｐｔ粉末は、粒子の異常成長が抑制された粉末で、ペー
スト化における印刷性も問題なく導体を形成し、１００
０℃以上での高温焼成においても発泡、剥離、収縮等の
構造欠陥を抑制することができる。従って、従来のアモ
ルファスＰｔ粉末では防止できなかった不良を解決した
画期的なものである。
【図１】Ｐｔ粒子の結晶子の大きさと発泡率との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図２】（ａ）３５ｎｍの結晶子を有する本発明のＰｔ
粉末を配合した本発明の導体用Ｐｔペーストを用いて作
製したヒーターの表面の電子顕微鏡写真であり、焼成後
のセラミック材料（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わ
したものである（倍率×1000）。（ｂ）前記ヒーターの
断面の電子顕微鏡写真であり、焼成後のセラミック材料
（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わしたものである
（倍率×1000）。
粉末を配合した本発明の導体用Ｐｔペーストを用いて作
製したヒーターの表面の電子顕微鏡写真であり、焼成後
のセラミック材料（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わ
したものである（倍率×1000）。（ｂ）前記ヒーターの
断面の電子顕微鏡写真であり、焼成後のセラミック材料
（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わしたものである
（倍率×1000）。
【図３】（ａ）１０ｎｍの結晶子を有する比較品のＰｔ
粉末を配合した比較品の導体用Ｐｔペーストを用いて作
製したヒーターの表面の電子顕微鏡写真であり、焼成後
のセラミック材料（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わ
したものである（倍率×1000）。（ｂ）前記ヒーターの
断面の電子顕微鏡写真であり、焼成後のセラミック材料
（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わしたものである
（倍率×1000）。
粉末を配合した比較品の導体用Ｐｔペーストを用いて作
製したヒーターの表面の電子顕微鏡写真であり、焼成後
のセラミック材料（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わ
したものである（倍率×1000）。（ｂ）前記ヒーターの
断面の電子顕微鏡写真であり、焼成後のセラミック材料
（導体用Ｐｔペースト）の組織を表わしたものである
（倍率×1000）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長井 淳 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 安藤 廣樹 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 小島 孝夫 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 黒木 義昭 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊陶業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−306401（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】アモルファス状のＰｔ粉末が不活性なガス
雰囲気中かつ該Ｐｔ粉末同士が焼結をおこさない条件で
加熱された粉末であって結晶子径が３５〜６０ｎｍの微
細結晶質から成ることを特徴とする微細結晶質Ｐｔ粉
末。 - 【請求項２】不活性かつＰｔ粉末同士が焼結をおこさな
い条件でアモルファス状のＰｔ粉末を３５０〜６５０℃
で、結晶子が３５〜６０ｎｍになるまで加熱して結晶化
させて微細結晶質にすることを特徴とする微細結晶質Ｐ
ｔ粉末を製造する方法。 - 【請求項３】有機ビヒクルに、アモルファス状のＰｔ粉
末が不活性なガス雰囲気中かつ該Ｐｔ粉末同士が焼結を
おこさない条件で加熱された粉末であって結晶子が３５
〜６０ｎｍの微細結晶質Ｐｔ粉末を所定量分散させてな
ることを特徴とする厚膜導体用Ｐｔペースト。 - 【請求項４】前記微細結晶質Ｐｔ粉末が全重量の６０〜
９０重量％含有する請求項３記載の厚膜導体用Ｐｔペー
スト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5257551A JP2767538B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 微細結晶質Ｐｔ粉末、その製造方法及び厚膜導体用Ｐｔペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5257551A JP2767538B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 微細結晶質Ｐｔ粉末、その製造方法及び厚膜導体用Ｐｔペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794012A JPH0794012A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2767538B2 true JP2767538B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=17307858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5257551A Expired - Lifetime JP2767538B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 微細結晶質Ｐｔ粉末、その製造方法及び厚膜導体用Ｐｔペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767538B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4571009B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2010-10-27 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 白金ペースト |
| JP2006299385A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Noritake Co Ltd | 白金粉末、その製造方法、および圧電セラミック材用白金ペースト |
| JP2008261054A (ja) * | 2008-05-22 | 2008-10-30 | Murata Mfg Co Ltd | 金属粉末の熱処理方法 |
| US10035186B2 (en) | 2012-03-16 | 2018-07-31 | M. Technique Co., Ltd. | Solid gold-nickel alloy nanoparticles and production method thereof |
| JP2014023997A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | M Technique Co Ltd | 微粒子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06306401A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-11-01 | Noritake Co Ltd | 厚膜ペースト用貴金属（合金）粉末の製造方法及びその貴金属（合金）粉末 |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5257551A patent/JP2767538B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0794012A (ja) | 1995-04-07 |
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