JP2758373B2 - 低温三元c4ボンディング法 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路チップをチッ
プ・キャリアにフリップ・チップ・ボンディングする方
法(C4ボンディング法)に関するものである。詳細に
は、集積回路およびチップ・キャリア上に2種類の融点
の異なる組成物を使用して、一方の組成物を溶融させ、
他方の組成物を可溶化させて融点のより低いはんだボン
ドを形成する方法に関するものである。
プ・キャリアにフリップ・チップ・ボンディングする方
法(C4ボンディング法)に関するものである。詳細に
は、集積回路およびチップ・キャリア上に2種類の融点
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他方の組成物を可溶化させて融点のより低いはんだボン
ドを形成する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】コントロール・コラプス・チップ・コネ
クション(C4)技術、すなわちフリップ・チップ技術
は、20年以上も、シリコン・チップ上の、入出力ピン
数が多く面積が広いアレイ・はんだバンプを、ベースの
セラミック・チップ・キャリア、たとえばアルミナ・キ
ャリアに相互接続するために使用されてきた。はんだバ
ンプは、通常Pb95%、Sn5%など鉛とスズの合
金、またはPb50%、In50%など鉛とインジウム
の合金であり、後で使用し試験できるように、チップを
セラミック・チップ・キャリアに取り付ける手段とな
る。半導体チップのキャリアへのフェース・ダウン・ボ
ンディングのコントロール・コラプス・チップ・コネク
ション(C4)技術の詳細は、たとえば、米国特許第3
401126号および第3429040号明細書に開示
されている。通常、金属はんだの展性パッドを半導体装
置の接点上に形成し、はんだ接合可能なサイトをチップ
・キャリア上の導体上に形成する。集積回路チップとチ
ップ・キャリアを接触させ、たとえば、放射加熱、加熱
窒素、加熱不活性ガスなどによって加熱して、はんだバ
ンプをリフローさせ、はんだカラムを形成する。この加
熱は、通常、Pb/Snはんだでは約370℃で約3
分、Pb/Inはんだでは約265℃で約3分行う。
クション(C4)技術、すなわちフリップ・チップ技術
は、20年以上も、シリコン・チップ上の、入出力ピン
数が多く面積が広いアレイ・はんだバンプを、ベースの
セラミック・チップ・キャリア、たとえばアルミナ・キ
ャリアに相互接続するために使用されてきた。はんだバ
ンプは、通常Pb95%、Sn5%など鉛とスズの合
金、またはPb50%、In50%など鉛とインジウム
の合金であり、後で使用し試験できるように、チップを
セラミック・チップ・キャリアに取り付ける手段とな
る。半導体チップのキャリアへのフェース・ダウン・ボ
ンディングのコントロール・コラプス・チップ・コネク
ション(C4)技術の詳細は、たとえば、米国特許第3
401126号および第3429040号明細書に開示
されている。通常、金属はんだの展性パッドを半導体装
置の接点上に形成し、はんだ接合可能なサイトをチップ
・キャリア上の導体上に形成する。集積回路チップとチ
ップ・キャリアを接触させ、たとえば、放射加熱、加熱
窒素、加熱不活性ガスなどによって加熱して、はんだバ
ンプをリフローさせ、はんだカラムを形成する。この加
熱は、通常、Pb/Snはんだでは約370℃で約3
分、Pb/Inはんだでは約265℃で約3分行う。
【0003】最近では、有機物基板が開発されている。
これらの有機物基板は、セラミック・チップ・キャリア
より低温を必要とする。従来セラミック・チップ・キャ
リアに使用されていた温度は、有機物基板に著しい熱応
力を生じ、樹脂の劣化の原因ともなる。したがって、従
来のPb/Snはんだ合金とセラミック・チップ・キャ
リアに伴う温度を避ける、はんだ組成物および技術が必
要とされる。
これらの有機物基板は、セラミック・チップ・キャリア
より低温を必要とする。従来セラミック・チップ・キャ
リアに使用されていた温度は、有機物基板に著しい熱応
力を生じ、樹脂の劣化の原因ともなる。したがって、従
来のPb/Snはんだ合金とセラミック・チップ・キャ
リアに伴う温度を避ける、はんだ組成物および技術が必
要とされる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、従
来のPb/Snはんだ合金とセラミック・チップ・キャ
リアに伴う温度を避ける、はんだボンディングの方法を
提供することにある。
来のPb/Snはんだ合金とセラミック・チップ・キャ
リアに伴う温度を避ける、はんだボンディングの方法を
提供することにある。
【0005】本発明の他の目的は、従来のPb/Snは
んだ合金とセラミック・チップ・キャリアに伴う高温よ
り低い融点のはんだカラムを形成するはんだ合金組成物
を提供することにある。
んだ合金とセラミック・チップ・キャリアに伴う高温よ
り低い融点のはんだカラムを形成するはんだ合金組成物
を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、本発明
の方法によって達成される。本明細書に開示する発明に
よれば、集積回路チップをキャリアにフリップ・チップ
・ボンディングする方法が提供される。本発明によれ
ば、2種類のはんだ組成物を使用する。その1つは低融
点の組成物であり、他の1つはこれより融点の高い組成
物である。これらの組成物は、高融点のはんだ組成物が
低融点組成物の溶融物中に溶解して、さらに融点の低い
第3の組成物を生成するように選択される。これらの一
方の組成物を集積回路チップ上のパッド上に付着し、他
方の組成物をチップ・キャリア上のパッド上に付着す
る。集積回路チップとチップ・キャリアとを接触させて
チップとキャリアの温度を低融点のはんだ組成物の融点
まで上昇させて低融点組成物を溶融させ、その溶融物中
に高融点の組成物を溶解させてさらに低融点で上記両組
成物から成る多元の第3の組成物を生成する。この溶融
物が固体化して集積回路チップと基板とを接着する。
の方法によって達成される。本明細書に開示する発明に
よれば、集積回路チップをキャリアにフリップ・チップ
・ボンディングする方法が提供される。本発明によれ
ば、2種類のはんだ組成物を使用する。その1つは低融
点の組成物であり、他の1つはこれより融点の高い組成
物である。これらの組成物は、高融点のはんだ組成物が
低融点組成物の溶融物中に溶解して、さらに融点の低い
第3の組成物を生成するように選択される。これらの一
方の組成物を集積回路チップ上のパッド上に付着し、他
方の組成物をチップ・キャリア上のパッド上に付着す
る。集積回路チップとチップ・キャリアとを接触させて
チップとキャリアの温度を低融点のはんだ組成物の融点
まで上昇させて低融点組成物を溶融させ、その溶融物中
に高融点の組成物を溶解させてさらに低融点で上記両組
成物から成る多元の第3の組成物を生成する。この溶融
物が固体化して集積回路チップと基板とを接着する。
【0007】本発明の一実施例では、低融点のはんだ組
成物はBi/Sn二元組成物であり、高融点のはんだ組
成物はPb/Sn二元組成物であり、これによって形成
される第3のはんだ組成物はBi/Pb/Sn三元組成
物である。この実施例の方法は、最初にPb/Sn二元
組成物をチップの接点上に付着させ、チップ・キャリア
上にBiとSnを共付着させる。次に、チップとチップ
・キャリアを加熱して、BiとSnを溶融し、低融点の
Bi/Sn合金を形成し、これにこれより融点の高いP
b/Sn合金を溶解させる。これにより、さらに融点の
低いBi/Pb/Snの三元はんだボンドが形成され
る。
成物はBi/Sn二元組成物であり、高融点のはんだ組
成物はPb/Sn二元組成物であり、これによって形成
される第3のはんだ組成物はBi/Pb/Sn三元組成
物である。この実施例の方法は、最初にPb/Sn二元
組成物をチップの接点上に付着させ、チップ・キャリア
上にBiとSnを共付着させる。次に、チップとチップ
・キャリアを加熱して、BiとSnを溶融し、低融点の
Bi/Sn合金を形成し、これにこれより融点の高いP
b/Sn合金を溶解させる。これにより、さらに融点の
低いBi/Pb/Snの三元はんだボンドが形成され
る。
【0008】融点の低いBi/Pb/Snの三元合金
は、少なくとも50重量%のBi、20〜32重量%の
Pb、残量のSnを含む。一般に、三元合金は、少なく
とも約15.5重量%のSnを含有する。
は、少なくとも50重量%のBi、20〜32重量%の
Pb、残量のSnを含む。一般に、三元合金は、少なく
とも約15.5重量%のSnを含有する。
【0009】Bi/Sn二元合金を、チップ・キャリア
の上に直接付着させる。代替方法として、1層または複
数のBi中間層および1層または複数のSn中間層をチ
ップ・キャリアの上に付着させてもよい。
の上に直接付着させる。代替方法として、1層または複
数のBi中間層および1層または複数のSn中間層をチ
ップ・キャリアの上に付着させてもよい。
【0010】使用することのできる他のはんだ系として
は、Sn/Pb/Sb三元合金を形成するためのSn/
Pb−Sn/Sb系、Sn/Pb/Ag三元合金を形成
するためのSn/Pb−Sn/Ag系、およびSn/P
b/In三元合金を形成するためのSn/Pb−Sn/
In系がある。
は、Sn/Pb/Sb三元合金を形成するためのSn/
Pb−Sn/Sb系、Sn/Pb/Ag三元合金を形成
するためのSn/Pb−Sn/Ag系、およびSn/P
b/In三元合金を形成するためのSn/Pb−Sn/
In系がある。
【0011】
【実施例】本発明によれば、C4接続を形成するため、
集積回路チップとチップ・キャリアとの対のうちの一方
の上に高融点の第1のはんだ組成物の構成成分を付着さ
せ、上記対のうちの他方の相対する表面上に、第1の組
成物より低融点の第2のはんだ組成物の構成成分を付着
させる。チップをキャリア上に置き、両方を加熱して低
融点の第2の組成物を溶融させ、低融点はんだ合金の溶
融物を生成してその溶融物中に融点の高い第1のはんだ
組成物成分を溶解して、両組成物から成る多元で融点の
非常に低い第3の組成物を生成する。第3の組成物は、
固体化すると集積回路を基板に接着させる。これによ
り、最初のはんだのリフロー後、はんだカラム全体が、
使用している元のはんだ組成物よりはるかに低い融点と
なる方法が得られる。このように、本発明によれば、第
2のはんだ組成物であるBi/Snなどの低融点の二元
合金が、これより融点の高い第1のはんだ組成物である
Pb/Snなどの合金を溶解させて、さらに融点の低い
第3のはんだ組成物であるBi/Pb/Snなどの三元
合金が生成される。
集積回路チップとチップ・キャリアとの対のうちの一方
の上に高融点の第1のはんだ組成物の構成成分を付着さ
せ、上記対のうちの他方の相対する表面上に、第1の組
成物より低融点の第2のはんだ組成物の構成成分を付着
させる。チップをキャリア上に置き、両方を加熱して低
融点の第2の組成物を溶融させ、低融点はんだ合金の溶
融物を生成してその溶融物中に融点の高い第1のはんだ
組成物成分を溶解して、両組成物から成る多元で融点の
非常に低い第3の組成物を生成する。第3の組成物は、
固体化すると集積回路を基板に接着させる。これによ
り、最初のはんだのリフロー後、はんだカラム全体が、
使用している元のはんだ組成物よりはるかに低い融点と
なる方法が得られる。このように、本発明によれば、第
2のはんだ組成物であるBi/Snなどの低融点の二元
合金が、これより融点の高い第1のはんだ組成物である
Pb/Snなどの合金を溶解させて、さらに融点の低い
第3のはんだ組成物であるBi/Pb/Snなどの三元
合金が生成される。
【0012】本発明の好ましい実施例によれば、集積回
路チップ上にPb/Sn二元合金を付着させ、チップ・
キャリア上にBi/Sn二元合金を付着させるか、ある
いはBiおよびSnの層を共付着させることにより、C
4接続を形成する。チップをキャリアの上に置き、加熱
してBi/Sn合金を溶融させ、低融点の合金を生成さ
せる。加熱は、約200℃で、少なくとも約1分行う。
溶融したBi/Snはんだが、これより融点の高いPb
/Sn合金を溶解して、融点の非常に低いBi/Pb/
Snの三元合金を生成する。
路チップ上にPb/Sn二元合金を付着させ、チップ・
キャリア上にBi/Sn二元合金を付着させるか、ある
いはBiおよびSnの層を共付着させることにより、C
4接続を形成する。チップをキャリアの上に置き、加熱
してBi/Sn合金を溶融させ、低融点の合金を生成さ
せる。加熱は、約200℃で、少なくとも約1分行う。
溶融したBi/Snはんだが、これより融点の高いPb
/Sn合金を溶解して、融点の非常に低いBi/Pb/
Snの三元合金を生成する。
【0013】低融点のBi/Pb/Sn三元合金は、少
なくとも50重量%のBi、20ないし32重量%のP
b、残量のSnを含む。一般に、三元合金は、少なくと
も約15.5重量%のSnを含有する。
なくとも50重量%のBi、20ないし32重量%のP
b、残量のSnを含む。一般に、三元合金は、少なくと
も約15.5重量%のSnを含有する。
【0014】BiとSnの二元合金は、チップ・キャリ
ア上に直接付着させることができる。1層または複数の
Biの中間層および1層または複数のSnの中間層をチ
ップ・キャリア上に付着させることが好ましい。これに
より、チップ・キャリアの製造が簡単になる。付着は、
スパッタリング、電気メッキ、蒸着、またははんだペー
ストとして行うことができる。さらに、個々の層の付着
により、第1のはんだ合金の付着物のBiとSnの比を
精密に制御することによって、得られるはんだカラムの
リフロー温度の制御が可能になる。各層の厚みは、一般
に約25〜100μmである。
ア上に直接付着させることができる。1層または複数の
Biの中間層および1層または複数のSnの中間層をチ
ップ・キャリア上に付着させることが好ましい。これに
より、チップ・キャリアの製造が簡単になる。付着は、
スパッタリング、電気メッキ、蒸着、またははんだペー
ストとして行うことができる。さらに、個々の層の付着
により、第1のはんだ合金の付着物のBiとSnの比を
精密に制御することによって、得られるはんだカラムの
リフロー温度の制御が可能になる。各層の厚みは、一般
に約25〜100μmである。
【0015】使用することのできる他のはんだ系として
は、Sn/Pb/Sb三元合金を形成するためのSn/
Pb−Sn/Sb系、Sn/Pb/Ag三元合金を形成
するためのSn/Pb−Sn/Ag系、およびSn/P
b/In三元合金を形成するためのSn/Pb−Sn/
In系がある。
は、Sn/Pb/Sb三元合金を形成するためのSn/
Pb−Sn/Sb系、Sn/Pb/Ag三元合金を形成
するためのSn/Pb−Sn/Ag系、およびSn/P
b/In三元合金を形成するためのSn/Pb−Sn/
In系がある。
【0016】例 本発明は、下記の例を参照することにより理解すること
ができる。Pb/Snはんだボールを集積回路チップの
接点上に付着させ、SnおよびBiの層を有機物のチッ
プ・キャリア上に付着させる。集積回路チップとチップ
・キャリアをはんだ付着物の位置で圧縮接触させ、加熱
してSn/Bi付着物をリフローさせ、Pb/Snはん
だボールを可溶化して、これによりPb/Sn/Biは
んだカラムを形成する。
ができる。Pb/Snはんだボールを集積回路チップの
接点上に付着させ、SnおよびBiの層を有機物のチッ
プ・キャリア上に付着させる。集積回路チップとチップ
・キャリアをはんだ付着物の位置で圧縮接触させ、加熱
してSn/Bi付着物をリフローさせ、Pb/Snはん
だボールを可溶化して、これによりPb/Sn/Biは
んだカラムを形成する。
【0017】各例で、97重量%のPbと、3重量%の
Snのはんだボールを集積回路チップ上の接点に付着さ
せ、SnとBiの層を有機物のチップ・キャリア上に電
着させる。
Snのはんだボールを集積回路チップ上の接点に付着さ
せ、SnとBiの層を有機物のチップ・キャリア上に電
着させる。
【0018】Sn層は、フルオロホウ酸スズから電着さ
せる。
せる。
【0019】Bi層は、過塩素酸ビスマス溶液から電着
させる。
させる。
【0020】BiとSnの層は、下記の表1「Sn/B
i付着パラメータ」に示す厚みおよび重量比になるよう
に付着させる。
i付着パラメータ」に示す厚みおよび重量比になるよう
に付着させる。
【0021】
【表1】
【0022】次に、集積回路チップと基板を圧縮接触さ
せ、チップと基板とを赤外線もしくは対流加熱または両
方を併用して、窒素雰囲気中でフラックスと共に約23
0℃に約4分加熱する。これにより、Sn/Bi付着物
がリフローし、その中にPb/Snのはんだボールが溶
解するようになる。これにより、はんだカラムが形成さ
れる。
せ、チップと基板とを赤外線もしくは対流加熱または両
方を併用して、窒素雰囲気中でフラックスと共に約23
0℃に約4分加熱する。これにより、Sn/Bi付着物
がリフローし、その中にPb/Snのはんだボールが溶
解するようになる。これにより、はんだカラムが形成さ
れる。
【0023】得られたはんだカラムは、下記の表2「三
元はんだ組成物および融点」に示す組成および融点を有
する。
元はんだ組成物および融点」に示す組成および融点を有
する。
【0024】
【表2】
【0025】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【0026】(1)第1の高融点組成物をチップの1つ
およびチップ・キャリアの接点上に付着させ、第1の組
成物より融点の低い第2の組成物をチップの反対側のチ
ップの1つおよびチップ・キャリアの接点上に付着させ
る工程と、チップおよびチップ・キャリアを加熱して第
2の組成物を溶融し、第2の組成物よりも融点の低い第
3の組成物を形成し、この中に第1の高融点組成物を溶
解させて、低融点合金のはんだボンドを形成する工程と
を含む、集積回路チップをチップ・キャリアにフリップ
・チップ・ボンディングする方法。 (2)PbとSnの二元合金をチップ上の接点に付着さ
せ、チップ・キャリア上にBiとSnを共付着させる工
程と、チップおよびチップ・キャリアを加熱して低融点
組成物を溶融し、低融点のBiとSnの合金を形成し、
この中にこれより融点の高いPbとSnの合金を溶解さ
せて、Bi/Pb/Snの低融点三元合金を形成する工
程とからなる、集積回路チップをチップ・キャリアにフ
リップ・チップ・ボンディングする方法。 (3)Bi/Pb/Snの低融点三元合金が、少なくと
も50%のBiと、20〜32%のPbと、残量のSn
とを含むことを特徴とする、上記(2)に記載の方法。 (4)Bi/Pb/Snの低融点三元合金が、50〜5
2.5重量%のBiと、20〜32%のPbと、残量の
少なくとも約15.5%のSnとを含むことを特徴とす
る、上記(3)に記載の方法。 (5)チップ・キャリアの上に、BiとSnの二元合金
を付着させる工程を含む、上記(2)に記載の方法。 (6)チップ・キャリアの上に、Biの層とSnの層を
付着させる工程を含む、上記(2)に記載の方法。
およびチップ・キャリアの接点上に付着させ、第1の組
成物より融点の低い第2の組成物をチップの反対側のチ
ップの1つおよびチップ・キャリアの接点上に付着させ
る工程と、チップおよびチップ・キャリアを加熱して第
2の組成物を溶融し、第2の組成物よりも融点の低い第
3の組成物を形成し、この中に第1の高融点組成物を溶
解させて、低融点合金のはんだボンドを形成する工程と
を含む、集積回路チップをチップ・キャリアにフリップ
・チップ・ボンディングする方法。 (2)PbとSnの二元合金をチップ上の接点に付着さ
せ、チップ・キャリア上にBiとSnを共付着させる工
程と、チップおよびチップ・キャリアを加熱して低融点
組成物を溶融し、低融点のBiとSnの合金を形成し、
この中にこれより融点の高いPbとSnの合金を溶解さ
せて、Bi/Pb/Snの低融点三元合金を形成する工
程とからなる、集積回路チップをチップ・キャリアにフ
リップ・チップ・ボンディングする方法。 (3)Bi/Pb/Snの低融点三元合金が、少なくと
も50%のBiと、20〜32%のPbと、残量のSn
とを含むことを特徴とする、上記(2)に記載の方法。 (4)Bi/Pb/Snの低融点三元合金が、50〜5
2.5重量%のBiと、20〜32%のPbと、残量の
少なくとも約15.5%のSnとを含むことを特徴とす
る、上記(3)に記載の方法。 (5)チップ・キャリアの上に、BiとSnの二元合金
を付着させる工程を含む、上記(2)に記載の方法。 (6)チップ・キャリアの上に、Biの層とSnの層を
付着させる工程を含む、上記(2)に記載の方法。
【0027】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、従
来Pb/Snはんだ合金およびセラミック・チップ・キ
ャリアに伴う高温を避ける方法が提供される。
来Pb/Snはんだ合金およびセラミック・チップ・キ
ャリアに伴う高温を避ける方法が提供される。
【0028】さらに、本発明によれば、従来Pb/Sn
はんだ合金およびセラミック・チップ・キャリアに伴う
温度より低い温度ではんだカラムを形成するはんだ合金
組成物が提供される。
はんだ合金およびセラミック・チップ・キャリアに伴う
温度より低い温度ではんだカラムを形成するはんだ合金
組成物が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンソニー・ポール・イングラハム アメリカ合衆国13760 ニューヨーク州 エンディコット テューダー・ドライブ 20 (56)参考文献 特開 平4−133391(JP,A) 特開 平4−22144(JP,A) 特開 平7−1178(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 311
Claims (6)
- 【請求項1】第1の高融点はんだ合金組成物をチップお
よびチップ・キャリア対のうちの一方の上の接点上に付
着させ、上記第1の組成物より融点の低い第2のはんだ
合金組成物を上記対のうちの他方の上の接点上に付着さ
せる工程と、上記両接点が対向するように上記チップを
チップ・キャリア上に置いて加熱して、上記第2の組成
物を溶融しこの溶融物中に第1の高融点組成物を溶解さ
せて、第2の組成物よりも低融点で上記両組成物から成
る多元の第3のはんだ合金組成物を生成する工程とを含
む、集積回路チップをチップ・キャリアにフリップ・チ
ップ・ボンディングする方法。 - 【請求項2】PbとSnの二元合金をチップ上の接点に
付着させ、チップ・キャリア上にBiとSnを共付着さ
せる工程と、チップおよびチップ・キャリアを加熱して
低融点組成物を溶融し、低融点のBiとSnの合金を形
成し、この中にこれより融点の高いPbとSnの合金を
溶解させて、Bi/Pb/Snの低融点三元合金を形成
する工程とからなる、集積回路チップをチップ・キャリ
アにフリップ・チップ・ボンディングする方法。 - 【請求項3】Bi/Pb/Snの低融点三元合金が、少
なくとも50%のBiと、20〜32%のPbと、残量
のSnとを含むことを特徴とする、請求項2に記載の方
法。 - 【請求項4】Bi/Pb/Snの低融点三元合金が、5
0〜52.5重量%のBiと、20〜32%のPbと、
残量の少なくとも約15.5%のSnとを含むことを特
徴とする、請求項3に記載の方法。 - 【請求項5】チップ・キャリアの上に、BiとSnの二
元合金を付着させる工程を含む、請求項2に記載の方
法。 - 【請求項6】チップ・キャリアの上に、Biの層とSn
の層を付着させる工程を含む、請求項2に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US229883 | 1988-08-08 | ||
US08/229,883 US5391514A (en) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | Low temperature ternary C4 flip chip bonding method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07297229A JPH07297229A (ja) | 1995-11-10 |
JP2758373B2 true JP2758373B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=22863048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7031942A Expired - Lifetime JP2758373B2 (ja) | 1994-04-19 | 1995-02-21 | 低温三元c4ボンディング法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5391514A (ja) |
EP (1) | EP0678908B1 (ja) |
JP (1) | JP2758373B2 (ja) |
KR (1) | KR0167470B1 (ja) |
CN (1) | CN1066578C (ja) |
DE (1) | DE69503824T2 (ja) |
MY (1) | MY113781A (ja) |
TW (1) | TW267249B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3348528B2 (ja) * | 1994-07-20 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置 |
US5672545A (en) * | 1994-08-08 | 1997-09-30 | Santa Barbara Research Center | Thermally matched flip-chip detector assembly and method |
FI98899C (fi) * | 1994-10-28 | 1997-09-10 | Jorma Kalevi Kivilahti | Menetelmä elektroniikan komponenttien liittämiseksi juottamalla |
US5985692A (en) * | 1995-06-07 | 1999-11-16 | Microunit Systems Engineering, Inc. | Process for flip-chip bonding a semiconductor die having gold bump electrodes |
US6336262B1 (en) | 1996-10-31 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Process of forming a capacitor with multi-level interconnection technology |
US5808853A (en) * | 1996-10-31 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Capacitor with multi-level interconnection technology |
US5891754A (en) * | 1997-02-11 | 1999-04-06 | Delco Electronics Corp. | Method of inspecting integrated circuit solder joints with x-ray detectable encapsulant |
US6025649A (en) * | 1997-07-22 | 2000-02-15 | International Business Machines Corporation | Pb-In-Sn tall C-4 for fatigue enhancement |
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