JP2724995B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
し、特に垂直電荷転送（ＶＣＣＤ）領域が形成されるウ
ェルと水平電荷転送（ＨＣＣＤ）領域が形成されるウェ
ルとの重畳部分が水平転送ゲートの下側にのみ形成され
るようにして信号電荷の転送効率を高めた固体撮像素子
に関するものである。
来の固体撮像素子について説明する。図１は従来の固体
撮像素子のレイアウト図であり、図２ａは図１Ａ−Ａ′
線による断面図であり、図２ｂは図１Ａ−Ａ′線による
ポテンシャルプロファイル図である。
図１に示すように、半導体基板にマトリックスの形態に
配列されて光の信号を電気的な映像信号電荷に変換する
複数個のフォトダイオード（ＰＤ）と、そのフォトダイ
オード（ＰＤ）の間に形成されて、フォトダイオードか
ら生成された映像信号電荷を転送ゲート（ＶＧ1 −ＶＧ
4 ）により出力側に転送する複数個の垂直電荷転送（Ｖ
ＣＣＤ）領域１と、その領域の出力側に形成されてＶＣ
ＣＤ領域１から転送された映像信号電荷を出力に向けて
転送する１つの水平電荷転送（ＨＣＣＤ）域領２とから
構成される。
ＣＤ領域１の上側に４つの垂直転送ゲート（ＶＧ1、Ｖ
Ｇ2、ＶＧ3、ＶＧ4）が形成され、４相クロックにより
それらのポテンシャルレベルを順次可変させ、フォトダ
イオード（ＰＤ）からの映像信号電荷を出力側に転送す
る。これらのゲート（ＶＧ1−ＶＧ4）には垂直クロック
信号（Ｖφ1、Ｖφ2、Ｖφ3、Ｖφ4）がそれぞれ印加さ
れる。一方、ＨＣＣＤ領域２の上側にも２つの水平転送
ゲート（ＨＧ1、ＨＧ2）が形成され、２相クロックによ
りそれらのポテンシャルレベルを順次可変させ、ＶＣＣ
Ｄ領域１から映像信号電荷をＨＣＣＤ領域の出力に向け
て転送する。これらのゲート（ＨＧ1 、ＨＧ2 ）にはク
ロック信号（ＨＯ1，ＨＯ2）がそれぞれ印加される。
いに異なるポテンシャルレベルを有する２つのＰ型ウェ
ル４、５内にそれぞれ形成されている。このＶＣＣＤ領
域１と水平電荷転送領域２は基板３の表面から内側に形
成されるので２つともＢＣＣＤと呼ばれることもある。
従来では、図１に示すように、２つのウェル４、５は製
造工程の中で拡散工程により互いに重なる部分、重畳領
域６が形成される。その重畳領域６は最終垂直転送ゲー
ト（ＶＧ4 ）と水平転送ゲート（ＨＧ1、ＨＧ2）の下側
に双方にまたがって形成される。
示している。ｎ型基板３の表面から内側にＰ型ウェル４
とＰ型ウェル５が形成され、Ｐ型ウェル４の表面部にｎ
型ＶＣＣＤ領域１、Ｐ型ウェル５表面部にｎ型ＨＣＣＤ
領域２が形成される。図２ａに示したように、ウェル４
とウェル５は前述した如く、製造工程中の拡散工程によ
り互いに重畳される領域６がどうしてもできる。図２ａ
におけて特徴的な事項は、その重畳された領域６が最終
垂直転送ゲート（ＶＧ4 ）と水平転送ゲート（ＨＧ1、
ＨＧ2）とにまたがるように形成されるということであ
る。
ると、図３に示したように、各フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）から生成された映像信号電荷は、垂直転送用クロッ
ク信号（Ｖφ1、Ｖφ2、Ｖφ3、Ｖφ4）に基づいてポテ
ンシャルレベルが順次に変化するＶＣＣＤ領域１を介し
てＨＣＣＤ領域２に転送される。前記のＶＣＣＤ領域１
により転送された映像信号電荷は水平転送クロック信号
（ＨＯ1，ＨＯ2）によりポテンシャルレベルが順次に変
化するＨＣＣＤ領域（ＨＣＣＤ）２を介してセンス増幅
器７に転送され、センス増幅器７は転送された映像信号
電荷を所定利得を有するように増幅して出力する。しか
し、図１のＡ−Ａ′線による電位プロファイル図である
図２ｂに示したように、従来の固体撮像素子においては
ＶＣＣＤ領域１が形成されるウェル４とＨＣＣＤ領域２
が形成されるウェル５との境界部における重畳領域６の
Ｐ型濃度が高くなるので、その重畳領域６の中心部分で
ポテンシャル障壁８が発生して電荷転送効率（ＣＴＥ）
が低下するという問題点があった。
一部は図２ｂのポテンシャル障壁８によりＨＣＣＤ領域
２に転送されずに、図３に示したように、ＶＣＣＤ領域
１とＨＣＣＤ領域２との間の領域に止まることがある。
このように、従来固体撮像素子の構造のよると、映像信
号電荷が効率的に転送されず、画面上にブラックライン
が発生する欠陥が発生しやすかった。
域６のＰ型濃度が増加された場合を例に取ったが、その
重畳領域６のＰ型濃度よりＶＣＣＤ領域１とＨＣＣＤ領
域２のｎ型濃度がずっと大きい場合、重畳領域６はｎ導
電型を有するようになり、従って、その中心部分でポテ
ンシャル障壁の代わりにポテンシャルポケットが発生す
ることになる。この場合も電荷転送効率を落とす要因に
なる。
決するために案出したもので、ＶＣＣＤ領域を形成する
ためのウェルとＨＣＣＤ領域を形成するためのウェルと
の重畳領域によって転送効率が低下するのを防ぐことが
できる固体映像素子を提供しようとするものである。
を従来のように垂直転送ゲートと水平転送ゲートとの間
の部分に形成させずに、水平転送ゲートの下側のみに形
成されるようにしたことを特徴とするものである。
して本発明による固体撮像素子について詳細に説明す
る。図４は本発明による固体撮像素子のレイアウト図で
あり、図５ａは図４のＢーＢ′線による断面図であり、
図５ｂは図４のＢーＢ′線によるポテンシャルプロファ
イル図である。
本発明による固体撮像素子は、従来同様、半導体基板の
表面内にマトリックス形態に配列されて光の信号を電気
的な映像信号電荷に変換する複数個のフォトダイオード
（ＰＤ）を有する。このマトリックス形態に配列された
フォトダイオード（ＰＤ）の間にＶＣＣＤ領域１１が形
成され、さらにＶＣＣＤの端部にＨＣＣＤ領域１２が形
成されている。上記構成で、フォトダイオード（ＰＤ）
で生成された映像信号電荷をＶＣＣＤ領域に転送し、垂
直転送ゲート（ＶＧ5−ＶＧ8）によりＨＣＣＤ領域１１
に転送し、さらに、ＶＣＣＤ領域１１から転送された映
像信号電荷をＨＣＣＤ領域１２から出力させている。
ＣＦ領域１１の上側には、４相クロックによりフォトダ
イオード（ＰＤ）から転送された映像信号電荷をＨＣＣ
Ｄ領域側に向けて転送するように内部のポテンシャルレ
ベルを順次に可変させる４つの垂直転送ゲート（Ｖ
Ｇ5、ＶＧ6、ＶＧ7、ＶＧ8）が形成されている。これの
らのゲート（ＶＧ5、ＶＧ6、ＶＧ7、ＶＧ8）には垂直ク
ロック信号（Ｖφ5、Ｖφ6、Ｖφ7、Ｖφ8）がそれぞれ
印加される。
相クロックによりＶＣＣＤ領域１１から転送された映像
信号電荷を出力側に向けて転送するように順次にポテン
シャルレベルを可変させる２つの水平転送ゲート（ＨＧ
3、ＨＧ4）が形成されている。これらのゲート（Ｈ
Ｇ3、ＨＧ4）には水平クロック信号（Ｈφ3、Ｈφ4）が
それぞれ印加される。ＨＣＣＤ領域１２とＶＣＣＤ領域
１１は互いに異なるポテンシャルレベルを有する２つの
Ｐ型ウェル１３、１４内にそれぞれ形成されている。
と格別異なることはない。以下に従来の固体撮像素子と
本発明による固体撮像素子の差異点を説明する。図４に
おいて、２つのウェル１４、１５は製造工程中の拡散工
程によって素子のドライブ・イン工程後に重畳領域１６
が形成されるが、その重畳領域１６は従来の固体撮像素
子の構造とは異なるり、水平転送ゲート（ＨＧ3、Ｈ
Ｇ4）の下側にのみ形成されている。
示したものであり、ｎ型基板１３にはｎ型ウェル１４と
Ｐ型ウェル１５とが形成され、ウェル１４表面部には複
数個のｎ型ＶＣＣＤ領域１１が形成され、ウェル１５内
には１つのｎ型ＨＣＣＤ領域１２が形成される。先行技
術で予め言及したように、素子の製造工程中行われる拡
散工程等によって素子のドライブ・イン工程後にウェル
１４とウェル１５は互いに重畳領域１６を不可避的に有
するようになる。
る固体撮像素子の特徴は、この重畳領域が従来の固体撮
像素子とは異なるように、水平転送ゲート（ＨＧ3、Ｈ
Ｇ4）の下側、即ちＨＣＣＤ領域１２内にのみ形成され
るということである。
素子の動作を映像信号電荷の流れを示す図６を参照して
説明する。フォトダイオード（ＰＤ）から生成された映
像信号電荷は垂直転送ゲート（ＶＧ5−ＶＧ8）にそれぞ
れ印加された垂直クロック信号（Ｖφ5−Ｖφ8）に基づ
いてポテンシャルレベルが順次に変化されるＶＣＣＤ領
域１１を介してＨＣＣＤ領域１２に向けて転送される。
ＶＣＣＤ領域１１から転送された映像信号電荷は、水平
転送クロック信号（Ｈφ3、Ｈφ4）によってポテンシャ
ルレベルが順次に変化するＨＣＣＤ領域１２を通ってセ
ンス増幅器１７に転送される。センス増幅器１７は感知
された映像信号電荷を所定利得を有するように増幅して
出力する。
ル１４とウェル１５との重畳領域１６のＰ型濃度はウェ
ル１４、１５に比べて高くなるので、図５ａに示したよ
うに重畳領域１６の中心部分でポテンシャル障壁１８が
発生する。しかし、このポテンシャル障壁１８は、図２
ｂに示した従来固体撮像素子におけるポテンシャル障壁
８とは異なり、映像信号電荷の流れを示す図６に示した
ように、水平転送ゲート（ＨＧ3、ＨＧ4）の下側にのみ
存在するので、固体撮像素子の電荷転送効率を落とす要
因にならない。
域１２内だけに形成されるので、映像信号電荷はポテン
シャル障壁１８により分けられても、結局ＨＣＣＤ領域
１２の出力側で出会うことになると共にセンス増幅器１
７に伝達される。
双方のウエルの境界に重畳領域１６が形成されて、それ
によりポテンシャル障壁１８が形成されるても、そのポ
テンシャル障壁１８はＨＣＣＤ領域１２内のみにあるの
で、水平電荷転送ゲート（ＨＧ3、ＨＧ4）の下側にのみ
発生することになり、映像信号電荷は損失無しにセンス
増幅器１７に向いて転送される。従って、従来の固体撮
像素子の場合に表れるブラックラインのような欠陥を防
止することができる。
のＡ−Ａ′線によるポテンシャルプロファイル図（ｂ）
である。
れを示す説明図である。
ある。
３のＢーＢ′線によるポテンシャルプロファイル図
（ｂ）である。
電荷の流れを示す説明図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型半導体基板と、 前記第１導電型半導体基板に形成される複数個のフォト
ダイオードと、 前記第１導電型半導体基板に形成される第２導電型第１
ウェルと、 前記第１導電型半導体基板に一部が第１ウェルと重畳領
域を有するように形成された第２導電型の第２ウェル
と、 前記第２導電型を有する第１ウェル領域の表面部に形成
されて前記フォトダイオードから生成された信号電荷を
外部から印加される垂直転送用クロック信号に基づいて
転送する第１導電型を有する複数個の垂直電荷転送領域
と、 前記複数個の垂直電荷転送領域上に形成され前記外部か
らの垂直転送用クロック信号を印加する垂直転送ゲート
と、 前記第２導電型を有する第２ウェル領域内に形成され、
前記垂直電荷転送領域から転送された映像信号電荷を外
部からの水平転送用クロック信号に基づいて出力に転送
する第１導電型を有する水平電荷転送領域と、 前記水平電荷転送領域上に形成され、前記水平転送用ク
ロック信号を印加する複数個の水平転送ゲートとを具備
した固体撮像素子であって、 前記垂直電荷転送領域が形成される第１ウェルと前記水
平電荷転送領域が形成される第２ウェルとの重畳領域
が、前記水平電荷転送領域内における水平転送ゲートの
下側にのみ形成されたことを特徴とする固体撮像素子。
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