JP3800515B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置にかかり、特にビデオカメラなどに用いられる固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般にこの種の固体撮像装置は、一次元状に配列された電荷結合素子(CCD)と、このCCD端に設けられ、CCDにより転送された信号電荷を不純物拡散層からなるフローティングディフュージョン(FD)に流し込み、このフローティングディフュージョンの電位変動を検出し出力する出力回路とで構成される。このフローティングディフュージョンは検出された信号電荷を所望のタイミングで排出するリセットトランジスタ(RS)と、リセットドレイン(RD)とを備える。CCDは2相駆動型CCDであり、各相は2層電極にて構成され、第1層電極下に形成される第1のチャネルは、第2層電極下に形成される第2のチャネルより深い電位に形成され、信号電荷転送時には第一層電極下の第1チャネルに信号電荷を一次蓄積するように構成されている。
【0003】
このような固体撮像装置の実際の装置構成は、図21に示すように、一導電型の半導体基板1と、この半導体基板1上に形成され、反対導電型を有するウエル2と、ウェル2中の基板表面に形成され、ウェルと反対導電型を有する第1および第2の不純物層3、4と、この第1および第2の不純物層3,4上に絶縁層6を介してそれぞれ形成された第1層電極7と、第2層電極8とで構成されている。9は出力アンプである。
【0004】
ここで各電極は2相駆動のCCDを形成するため、コンタクトおよびAl等の配線により所望の回路構成をなすように電気的接続がなされる。
【0005】
これら第1層および第2層電極7、8は、転送電極最終段では第2層電極8により出力ゲート(OG)を構成し、OG下のチャネルには第2の不純物層4が形成されており、その前段では第1層電極7と第2層電極8とがH1電位を構成し、H1電位を構成する第1層電極7下のチャネルは第1の不純物層3、H1電位の第2層電極8下のチャネルは第2の不純物層4で構成される。
【0006】
さらに転送反対方向にはH2を構成する第1層および第2層電極が形成され、チャネルの構成はH1電位と同様である。更にこの上流側には、H2電位を構成する第1層電極および第2層電極8が形成され、チャネルの構成はH1電位と同様である。このようにして順次H1電位、H2電位が交互配置される。
【0007】
一方、OG下チャネル端には不純物層5が接続され、信号電荷に応じた電圧を生起するように形成されたFDを構成し、出力回路に信号出力電圧を伝達している。
【0008】
FDには更にトランジスタが接続され、リセットトランジスタをなす。
この固体撮像装置は図22に示すような駆動パルスによって駆動される。ここでリセットトランジスタゲートの駆動パルスΦRS、H1,H2電位に夫々印加される駆動パルスΦH1,ΦH2によって駆動され、この時の出力回路からの出力電圧をOSで示す。ここでH1,H2は逆相のパルスで周知の2相駆動CCD動作を実現し、DCバイアスにより固定の電圧を印加したOGを介してFDに転送されるようになっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところでフローティングディフュージョンFDは小信号時でもより高い出力電圧を得るために静電容量を小さくなるようにするため、面積的により小さく形成される。従って十分な転送容量を確保するために、転送方向に広い幅を有するCCDチャネルに対して接続するには図21に示すように、転送最終段近傍よりチャネル幅を順次狭く形成する必要がある。
【0010】
図23に、図21のA-A断面、図24(a)、(b)(c)に図21のBB断面、CC断面を示す。また図24(c)にそれらの電位を示すように、フローティングディフュージョンFDに近いB-B部分では、チャネル幅が狭くなり、いわゆるナローチャネル効果によって電位が浅くなるという問題があった。
【0011】
図25(a)および(b)は、図23のa−a‘部分における電位を示す図である。図24(c)に示すように、同一電極下において電位差が生じることで、転送方向に向かって電位に逆勾配が生じ、図25(a)および(b)に示すように、途中で信号電荷が正常に転送されずに残留してしまういわゆる転送不良を生じることがある。
【0012】
このような転送不良は、例えばこの2相駆動型CCDを、フォトダイオードが二次元状に配列された固体撮像装置の水平CCDに用いた場合、画像の横流れや解像度の劣化となって現れる。また、フォトダイオード上にカラーフィルタを積層し、カラー信号を得ようとした場合には、色偽信号として表われることがある。このような転送不良は、いずれの場合も画像の劣化を招くものとなる。
【0013】
また、転送最終段近傍よりチャネル幅を順次狭く形成した場合、チャネル幅を縮小した電極の電極長は、幅を狭くしないチャネルと同等の転送容量を得るために電極下チャネルが同じかそれ以上の面積を得るために、信号電荷を蓄積する第1層電極の電極長を長く形成せざるを得ないという問題がある。
【0014】
そこで、図26に示すように、チャネル幅を狭くした電極の電極長L1は、狭くしていない電極長L2より長く形成されている。
図27(a)および(b)は、図26のA−A‘部の電位図を示す図である。ここで図27(a)は図22のt1時に示される、電極長L1領域下に信号電荷が蓄積された状態であり、」図27(b)は図22のt2時に示される、OGを介してFDに信号電荷を転送する状態を示す図である。
【0015】
チャネル長が長い場合、転送時間がより多く必要となり、一方駆動パルスは例えば二次元状に配置された固体撮像装置などの水平CCDに用いられた場合、システムの高速化のために読み出し速度の高速化が求められることから、転送時間が十分に取れず、転送不良を生じることが多々あった。
【0016】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、水平CCD転送路のチャネル幅の狭くなる転送最終段付近における転送不良を防止し、信頼性の高い固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像装置は、一導電型の半導体基板表面に一次元状に配列せしめられた複数の電極と、前記電極下に対応して形成されたチャネル領域とを具備した電荷結合素子と、前記電荷結合素子より転送された信号を検出する信号検出部と、前記信号検出部で検出された信号を出力する出力部とを具備し、前記電荷結合素子と前記信号検出部との接続部分近傍で、前記チャネル領域が、前記電荷結合素子のチャネル幅が絞りこまれた絞り込み領域を形成してなる固体撮像装置であって、前記電荷結合素子と前記電荷検出部の接続部分に位置する最終段電極下のチャネル領域は、チャネルの幅方向の一部の電位が当該チャネル領域の他の部分の電位より深くなるように形成され、前記最終段電極直前の転送電極下の前記チャネル領域は、前記最終段電極下の電位が深くなるように形成された部分に連続する部分であって、チャネルの幅方向の一部でかつチャネルの電荷転送方向下流側の一部の部分の電位が、当該チャネル領域の他の部分の電位より深くなるように形成されていることを特徴とする。
【0018】
本発明の固体撮像装置は、前記チャネル領域の電位が深くなるように形成されている領域が、他の領域よりも高濃度となるように形成された高濃度不純物領域であるものを含む。
【0019】
本発明の固体撮像装置は、前記チャネル領域の他の部分が、逆導電型の半導体領域であるものを含む。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態の固体撮像装置について説明する。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置は図1に示すように出力ゲート電極OG下のチャネル内に、前記出力ゲート電極OG下の読み出し端子RD側に隣接するように、第2の不純物層4と同一導電型の高濃度層4Bを形成し、図3(c)に示すようにこの高濃度層4Bによって形成される電位のピークが、出力ゲート電極OG下の上流側における第2の不純物層4によって形成される電位のピークよりも深くなるように構成し、転送方向でFD5方向に向かって電位勾配を生ぜしめるようにしたことを特徴とするものである。
【0023】
すなわち、図1は本発明の実施の形態の固体撮像装置の転送電極配列部と読み出し部とを示す図であり、図2に、図1のA-A断面、図3(a)、(b)(c)に図1のBB断面、CC断面を示す。また図3(c)にそれらの電位を示す。
【0024】
図4(a)および(b)は、図2のa−a‘部分における電位を示す図である。図3(c)に示すように、高濃度層4Bの存在により、同一電極下において良好な電位差が生じることで、転送方向に向かって良好な電位勾配が形成され、図4(a)および(b)に示すように、途中で信号電荷が正常に転送されずに残留してしまういわゆる転送不良を生じることなく良好に電荷転送が達成される。
【0025】
すなわち図1乃至3に示すように、この固体撮像装置は、n型半導体基板1表面に形成されたP型ウェル領域2内に、フォトダイオード部(図示せず)を形成するとともに、水平CCD領域としてのN型領域からなる第2の不純物層4、N型領域からなる第1の不純物層3が形成されている。そして、シリコン酸化膜6を介して、ポリシリコン電極からなる第1層電極7と、第2層電極8とが形成されている。そしてここでは第2の不純物層4内に、出力ゲート電極OG下の読み出し端子RD側に隣接するように、第2の不純物層4と同一導電型の高濃度層4Bを形成し、図3(c)に示すようにこの高濃度層4Bによって形成される電位のピークが、出力ゲート電極OG下の上流側における第2の不純物層4によって形成される電位のピークよりも深くなるように形成されている。ここで第1および第2の不純物層は5.0e17cm-3程度の不純物濃度をもつものであり、また、高濃度層4Bは4.0e17cm-3程度である。
【0026】
半導体基板1はN型のシリコン基板である。この半導体基板1中にその一方の主面に沿ってP型ウェル領域2が形成されている。このP型ウェル領域2中に半導体基板1の一方の主面側から不純物を選択的に拡散させて、フォトダイオード部のN型領域と水平CCD部のN型領域である第1および第2の不純物層3および4とが所定寸法の間隔で形成されている。
【0027】
また、シリコン酸化膜6上には、減圧CVD法により、ポリシリコン、タングステンまたはそのシリサイドからなる遮光膜とが積層され第1層電極7が形成される。そして、この第1層電極7上からその側面、さらには酸化膜7の側面を覆うように、酸化シリコン膜6が形成されている。そして、この上層には、ポリシリコンと、タングステンまたはそのシリサイドからなる遮光膜とが積層されからなる第2層電極が形成されている。
【0028】
以上のように構成された固体撮像装置についてその動作を説明する。
半導体基板1中のP型ウェル領域2中に形成されたN型領域からなるフォトダイオード部(図示せず)において、光電変換によって信号電荷が発生せしめられる。そして第1層電極8にパルス電圧を印加することによって、この第1層電極8下の水平CCD部のN型領域4に、このフォトダイオード領域から信号電荷を移動させる。次に第1層電極7と2層目となる第2層電極8との間にパルス信号を交互に印加して信号電荷を転送する。
【0029】
この固体撮像装置では、電荷転送電極をそれぞれ交互に第1層電極と第2層電極に区別し、これらの電極に順次パルス電圧を印加することによって、図1に示したFD領域5を介して信号電荷を読み出し端子RDに移動させるものである。すなわち第1層電極と第2層電極にパルス信号を交互に印加して信号電荷を転送する。
【0030】
このようにして信号電荷の転送がなされるが、高濃度層4Bの存在により、同一電極下において良好な電位差が生じることで、転送方向に向かって良好な電位勾配が形成され、途中で信号電荷が正常に転送されずに残留してしまういわゆる転送不良を生じることなく良好に電荷転送が達成される。
【0031】
従って、この2相駆動型CCDを、フォトダイオードが二次元状に配列された固体撮像装置の水平CCDに用いた場合にも、画像の横流れや解像度の劣化もない。
【0032】
また、フォトダイオード上にカラーフィルタを積層し、カラー信号を得ようとした場合にも、色偽信号として表われることもなく、画像の劣化の低減を図ることが可能となる。
なお製造に際しては、不純物拡散工程を追加するのみでよく、また必要に応じて、セルフアラインで追加拡散を行うようにしてもよい。
【0033】
(第2の実施の形態)
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。この例では、転送最終段近傍よりチャネル幅を順次狭く形成した場合に、チャネル幅を縮小した電極の電極長は、幅を狭くしないチャネルと同等の転送容量を得るために電極下チャネルが同じかそれ以上の面積を得る程度に、信号電荷を蓄積する第1層電極の電極長を長く形成されるが、この場合に図4に示すように出力ゲート電極OG下のチャネル内に、前記出力ゲート電極OG下の読み出し端子RD側に隣接するように、第1層電極下にいたるように、第2の不純物層4と同一導電型の第2の高濃度層4Cを形成し、図3(c)に示すようにこの高濃度層4Bによって形成される電位のピークが、出力ゲート電極OG下の上流側における第2の不純物層4によって形成される電位のピークよりも深くなるように構成し、転送方向でFD5方向に向かって電位勾配を生ぜしめるようにしたことを特徴とするものである。
【0034】
すなわち、図5は本発明の第2の実施の形態の固体撮像装置の転送電極配列部と読み出し部とを示す図であり、図6に、図5のA-A断面、図7(a)、(b)(c)に図5のBB断面、CC断面を示す。また図7(c)にそれらの電位を示す。
【0035】
図8(a)および(b)は、図6のa−a‘部分における電位を示す図である。図3(c)に示すように、第2の高濃度層4Cの存在により、第1層電極下および出力ゲートOG下領域に至まで良好な電位差が生じることで、転送方向に向かって良好な電位勾配が形成され、図8(a)および(b)に示すように、途中で信号電荷が正常に転送されずに残留してしまういわゆる転送不良を生じることなく良好に電荷転送が達成される。
【0036】
従って、この2相駆動型CCDを、フォトダイオードが二次元状に配列された固体撮像装置の水平CCDに用いた場合にも、画像の横流れや解像度の劣化もない。
また、フォトダイオード上にカラーフィルタを積層し、カラー信号を得ようとした場合にも、色偽信号として表われることもなく、画像の劣化の低減を図ることが可能となる。
る。
【0037】
(第3の実施の形態)
次に本発明の第3の実施の形態について説明する。この例では、図9に示すように、前記第1の実施の形態における高濃度層4Bの形成領域を規定するものである。なお断面図については前記第1の実施の形態と同様である。
【0038】
すなわち、前記第1の実施の形態では、FD5から徐々に幅広になる不純物層と同一幅となるように、高濃度層4Bを形成したが、幅方向に一部だけ形成されるようにしてもよい。
【0039】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
【0040】
(第4の実施の形態)
次に本発明の第4の実施の形態について説明する。この例では、前記第1の実施の形態における高濃度層4Bの形成領域を規定するものである。
すなわち、前記第1の実施の形態では、高濃度層4Bと第2の不純物層4との、境界面端面が直線をなすように形成したが、図10に示すように、高濃度層4Bの端面が転送方向において一部突出するように形成してもよい。なお幅方向の端面はFD5から徐々に幅広になる第2の不純物層4と同一幅となるように形成されている。
【0041】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
【0042】
(第5の実施の形態)
次に本発明の第5の実施の形態について説明する。この例では、図11に示すように、前記第2の実施の形態における高濃度層4Bの形成領域を規定するものである。なお断面図については前記第2の実施の形態と同様である。
【0043】
すなわち、前記第2の実施の形態では、FD5から徐々に幅広になる第2の不純物層4と同一幅となるように、第2の高濃度層4Cを形成したが、幅方向に一部だけ形成されるようにしてもよい。
【0044】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
【0045】
(第6の実施の形態)
次に本発明の第6の実施の形態について説明する。この例では、前記第2の実施の形態における第2の高濃度層4Cの形成領域を規定するものである。
【0046】
すなわち、前記第2の実施の形態では、高濃度層4Cと第2の不純物層4との、境界面端面が直線をなすように形成したが、図12に示すように、高濃度層4Cの端面が転送方向において一部突出するように形成してもよい。なお幅方向の端面はFD5から徐々に幅広になる第2の不純物層4と同一幅となるように形成されている。
【0047】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
【0048】
(第7の実施の形態)
次に本発明の第7の実施の形態について説明する。この例では、図13および図14に示すように、前記第1の実施の形態における高濃度層4Bの形成に代えて、この第2の不純物層4内における高濃度層4Bに対して反転した領域に逆導電型層4Dを形成したものである。ここで図14は図13のA−A断面図である。
【0049】
すなわち、前記第1の実施の形態では、第2の不純物層4内に高濃度層4Cを形成し電位勾配を良好に形成するようにしたが、この例では、これに代えて、逆にこの反転領域に逆導電型層4Dを形成したことを特徴とするものである。
【0050】
かかる構成によれば、転送方向反対側の逆導電型層4Dの境界を第1層電極のセルフアラインで形成することができ、製造工程のあわせずれに起因した第1層電極下への逆導電型層4Dの入り込みを防止でき、また第1の不純物層3を形成するために形成する第2の不純物層4と反対導電型の不純物のセルフアライン注入と兼ねることができるという効果がある。
【0051】
(第8の実施の形態)
次に本発明の第8の実施の形態について説明する。この例では、図15および図16に示すように、前記第2の実施の形態における高濃度層4Bの形成に代えて、この第2の不純物層4内における高濃度層4Bに対して反転した領域に逆導電型層4Eを形成したものである。ここで図16は図15のA−A断面図である。
【0052】
すなわち、前記第2の実施の形態では、第2の不純物層4内に高濃度層4Cを形成し電位勾配を良好に形成するようにしたが、この例では、これに代えて、逆にこの反転領域に逆導電型層4Dを形成したことを特徴とするものである。
【0053】
(第9の実施の形態)
次に本発明の第9の実施の形態について説明する。前記第3の実施の形態における高濃度層4Bの形成領域を、この例では、図17に示すように、高濃度層4Bの形成に代えて、この第2の不純物層4内における高濃度層4Bに対して反転した領域に逆導電型層4Dを形成したものである。
【0054】
すなわち、前記第3の実施の形態では、第2の不純物層4内に高濃度層4Bを形成し電位勾配を良好に形成するようにしたが、この例では、これに代えて、逆にこの反転領域に逆導電型層4Dを形成したことを特徴とするものである。
【0055】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
【0056】
(第10の実施の形態)
次に本発明の第10の実施の形態について説明する。前記第4の実施の形態における高濃度層4Bの形成領域を、この例では、図18に示すように、高濃度層4Bの形成に代えて、この第2の不純物層4内における高濃度層4Bに対して反転した領域に逆導電型層4Dを形成したものである。
【0057】
すなわち、前記第4の実施の形態では、第2の不純物層4内に高濃度層4Cを形成し電位勾配を良好に形成するようにしたが、この例では、これに代えて、逆にこの反転領域に逆導電型層4Dを形成したことを特徴とするものである。
【0058】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
【0059】
(第11の実施の形態)
次に本発明の第11の実施の形態について説明する。
前記第5の実施の形態における高濃度層4Bの形成領域を、この例では、図19に示すように、高濃度層4Cの形成に代えて、この第2の不純物層4内における高濃度層4Cに対して反転した領域に逆導電型層4Eを形成したものである。
【0060】
すなわち、前記第6の実施の形態では、第2の不純物層4内に高濃度層4Cを形成し電位勾配を良好に形成するようにしたが、この例では、これに代えて、逆にこの反転領域に逆導電型層4Eを形成したことを特徴とするものである。
【0061】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
【0062】
(第12の実施の形態)
次に本発明の第12の実施の形態について説明する。この例では、前記第6の実施の形態における第2の高濃度層4Cの形成領域をこの例では、図20に示すように、高濃度層4Cの形成に代えて、この第2の不純物層4内における高濃度層4Cに対して反転した領域に逆導電型層4Eを形成したものである。
【0063】
すなわち、前記第6の実施の形態では、第2の不純物層4内に高濃度層4Cを形成し電位勾配を良好に形成するようにしたが、この例では、これに代えて、逆にこの反転領域に逆導電型層4Eを形成したことを特徴とするものである。
【0064】
かかる構成によれば、FD5の入り口近傍で幅方向のみならず長さ方向でもポテンシャルの勾配が形成されるため、より効率よく電荷転送を行うことが可能となる。
前記実施の形態では、各単一の電極下における電位の段差が2段である場合に付いて説明したが、第2の不純物層4内に設ける不純物層のプロファイルを変更することにより、第2の不純物層内で2段以上の電位段差を生じるように形成してもよいことは言うまでもない。
【0065】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、転送最終段近傍より、チャネル幅を順次狭く形成した場合に生じる信号電荷の取り残しが低減され、良好に電荷転送がなされるため、特に、フォトダイオードが二次元状に配列された固体撮像装置の水平CCDに用いられる場合、画像の横流れや解像度の劣化が生じることなく信頼性の高い固体撮像装置を提供することができる。
【0066】
また、フォトダイオード上にカラーフィルタを積層し、カラー信号を得る場合にも色疑心号が生じることもなく良好な画質を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図2】図1に示した固体撮像装置のA−A断面図である。
【図3】図3(a)は図1に示した固体撮像装置のB−B断面図、図3(b)は図1に示した固体撮像装置のC−C断面図、図3(c)はそのポテンシャルを示す図である。
【図4】同固体撮像装置の出力ゲート近傍での電位勾配を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図6】図5に示した固体撮像装置のA−A断面図である。
【図7】図7(a)は図5に示した固体撮像装置のB−B断面図、図7(b)は図5に示した固体撮像装置のC−C断面図、図7(c)はそのポテンシャルを示す図である。
【図8】同固体撮像装置の出力ゲート近傍での電位勾配を示す図である。
【図9】本発明の第3の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図10】本発明の第4の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図11】本発明の第5の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図12】本発明の第6の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図13】本発明の第7の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図14】図13に示した固体撮像装置のA−A断面図である。
【図15】本発明の第8の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図16】図15に示した固体撮像装置のA−A断面図である。
【図17】本発明の第9の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図18】本発明の第10の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図19】本発明の第11の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図20】本発明の第12の実施の形態の固体撮像装置を示す平面図である。
【図21】従来例の固体撮像装置を示す平面図である。
【図22】固体撮像装置の駆動タイミングを示す図である。
【図23】図21に示した固体撮像装置のA−A断面図である。
【図24】図24(a)は図21に示した固体撮像装置のB−B断面図、図24(b)は図21に示した固体撮像装置のC−C断面図、図24(c)はそのポテンシャルを示す図である。
【図25】同固体撮像装置の出力ゲート近傍での電位勾配を示す図である。
【図26】従来例の固体撮像装置を示す平面図である。
【図27】図26に示した固体撮像装置の電位勾配を示す図である。従来の固体撮像装置の他の例の断面図
【符号の説明】
1 半導体基板
2 P型ウェル領域
3 第1の不純物層
4 第2の不純物層
5 不純物層(FD)
6 絶縁膜
7 第1層電極
8 第2層電極
9 出力アンプ
Claims (3)
- 一導電型の半導体基板表面に一次元状に配列せしめられた複数の電極と、前記電極下に対応して形成されたチャネル領域とを具備した電荷結合素子と、
前記電荷結合素子より転送された信号を検出する信号検出部と、
前記信号検出部で検出された信号を出力する出力部とを具備し、
前記電荷結合素子と前記信号検出部との接続部分近傍で、前記チャネル領域が、前記電荷結合素子のチャネル幅が絞りこまれた絞り込み領域を形成してなる固体撮像装置であって、
前記電荷結合素子と前記電荷検出部の接続部分に位置する最終段電極下のチャネル領域は、チャネルの幅方向の一部の電位が当該チャネル領域の他の部分の電位より深くなるように形成され、
前記最終段電極直前の転送電極下の前記チャネル領域は、前記最終段電極下の電位が深くなるように形成された部分に連続する部分であって、チャネルの幅方向の一部でかつチャネルの電荷転送方向下流側の一部の部分の電位が、当該チャネル領域の他の部分の電位より深くなるように形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記チャネル領域の電位が深くなるように形成されている領域は、他の領域よりも高濃度となるように形成された高濃度不純物領域であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記チャネル領域の他の部分は、逆導電型の半導体領域であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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