JP2008166845A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】充分な感度を確保することができ、良好な特性を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】受光センサ部1の各列の一側に設けられた電荷転送部2の転送電極が、第1層の電極層3A,3Cから成る第1の転送電極と、第1層の電極層(多結晶シリコン)3B,3D及び第2層の電極層(多結晶シリコン)4がコンタクト層5により電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、コンタクト層5及び第2の電極層4が同一の導電材料で形成され、第2の転送電極の第1層の電極層3B,3Dが電荷転送部2毎に独立して形成され、電荷転送部2の方向において隣接する画素間部においては、第1の転送電極3A,3Cと第2の転送電極の第2層の電極層4とが積層形成されている固体撮像素子を構成する。
【選択図】図1
【解決手段】受光センサ部1の各列の一側に設けられた電荷転送部2の転送電極が、第1層の電極層3A,3Cから成る第1の転送電極と、第1層の電極層(多結晶シリコン)3B,3D及び第2層の電極層(多結晶シリコン)4がコンタクト層5により電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、コンタクト層5及び第2の電極層4が同一の導電材料で形成され、第2の転送電極の第1層の電極層3B,3Dが電荷転送部2毎に独立して形成され、電荷転送部2の方向において隣接する画素間部においては、第1の転送電極3A,3Cと第2の転送電極の第2層の電極層4とが積層形成されている固体撮像素子を構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、CCD固体撮像素子等の電荷転送部を有する固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法に係わる。
CCD固体撮像素子では、電荷転送部として、CCD構造を有する転送レジスタが設けられ、フォトダイオードから成る受光センサ部で光電変換され蓄積された信号電荷を転送レジスタに読み出して、転送レジスタにおいて信号電荷が転送されるように構成されている。
そして、転送レジスタは、信号電荷が転送される転送チャネルの上に、絶縁膜を介して転送電極が形成されて構成される。信号電荷を転送するためには、隣接する転送電極に互いに位相の異なる電圧パルスを印加する必要があり、またチャネルに断絶を生じないようにする必要がある。そのため、転送電極を第1層及び第2層の2層の電極層により構成すると共に、第1層の転送電極に、第2層の転送電極の端部が少しオーバーラップするようにしている(例えば特許文献1参照。)。
このように転送電極を2層の電極層により構成したCCD固体撮像素子の概略構成図(平面図)を図3に示す。
図3に示すように、このCCD固体撮像素子は、受光センサ部51がマトリクス状に配置され、受光センサ部51の各列の一側に、電荷転送部として垂直方向(図中上下方向)に延びる垂直転送レジスタ52が設けられている。垂直転送レジスタ52の一端には、図示しないが水平転送レジスタが接続される。
図3に示すように、このCCD固体撮像素子は、受光センサ部51がマトリクス状に配置され、受光センサ部51の各列の一側に、電荷転送部として垂直方向(図中上下方向)に延びる垂直転送レジスタ52が設けられている。垂直転送レジスタ52の一端には、図示しないが水平転送レジスタが接続される。
また、図3のCCD固体撮像素子において、垂直転送レジスタ52の断面図を図4Aに示し、垂直方向に隣接する受光センサ部51間、即ち画素間部の断面図を図4Bに示す。なお、図4A及び図4Bにおいて、半導体基体内の半導体領域(受光センサ部の各領域や転送チャネル領域等)は記載を省略している。
垂直転送レジスタ52は、転送電極53と、半導体基体54内に形成された転送チャネル領域(図示せず)により構成され、CCD構造の電荷転送部となっている。
また、転送電極53は、第1層の電極層から成る転送電極53B,53Dと、第2層の電極層から成る転送電極53A,53Cとが、垂直方向に交互に配置されている。
そして、垂直転送レジスタ52では、第1層の転送電極53B,53Dに、第2層の転送電極53A,53Cの端部が少しオーバーラップして形成されている。
また、転送電極53は、第1層の電極層から成る転送電極53B,53Dと、第2層の電極層から成る転送電極53A,53Cとが、垂直方向に交互に配置されている。
そして、垂直転送レジスタ52では、第1層の転送電極53B,53Dに、第2層の転送電極53A,53Cの端部が少しオーバーラップして形成されている。
ところで、デジタルカメラの多画素化や小型化に対応して、固体撮像素子の画素セルの微細化が進んできている。
そして、固体撮像素子の画素セルの微細化を図ると共に、高い感度を有することも要望されるため、光の取り込み効率をいかに上げていくかが大きな課題となる。
そして、固体撮像素子の画素セルの微細化を図ると共に、高い感度を有することも要望されるため、光の取り込み効率をいかに上げていくかが大きな課題となる。
しかしながら、図3及び図4に示した、2層の電極層から成る転送電極53がオーバーラップした構成のCCD固体撮像素子では、受光センサ部61の周囲の凹凸が、転送電極53のオーバーラップ部で大きくなり、この部分で入射光が一部遮られてしまう。
このため、光の取り込み効率を向上させることが困難である。
転送電極53のオーバーラップ部では、厚さが通常1μm以上にもなるため、特に画素セルのサイズが3μm以下となり、受光センサ部51上の開口幅が1μm程度に縮小されると、オーバーラップ部により入射光が一部遮られてしまうことが問題になる。
特開平9−312390号公報
このため、光の取り込み効率を向上させることが困難である。
転送電極53のオーバーラップ部では、厚さが通常1μm以上にもなるため、特に画素セルのサイズが3μm以下となり、受光センサ部51上の開口幅が1μm程度に縮小されると、オーバーラップ部により入射光が一部遮られてしまうことが問題になる。
これに対して、転送電極のオーバーラップをなくして、単層の電極層から転送電極を構成したCCD固体撮像素子も提案されている。
このように転送電極を単層の電極層により構成したCCD固体撮像素子の概略構成図(平面図)を図5に示す。
図5に示すように、このCCD固体撮像素子は、受光センサ部61がマトリクス状に配置され、受光センサ部61の各列の一側に、電荷転送部として垂直方向(図中上下方向)に延びる垂直転送レジスタ62が設けられている。垂直転送レジスタ62の一端には、図示しないが水平転送レジスタが接続される。
図5に示すように、このCCD固体撮像素子は、受光センサ部61がマトリクス状に配置され、受光センサ部61の各列の一側に、電荷転送部として垂直方向(図中上下方向)に延びる垂直転送レジスタ62が設けられている。垂直転送レジスタ62の一端には、図示しないが水平転送レジスタが接続される。
また、図5のCCD固体撮像素子において、垂直転送レジスタ62の断面図を図6Aに示し、垂直方向に隣接する画素間の断面図を図6Bに示す。なお、図6A及び図6Bにおいて、半導体基体内の半導体領域(受光センサ部の各領域や転送チャネル領域等)は記載を省略している。
垂直転送レジスタ62は、転送電極63と、半導体基体64内に形成された転送チャネル領域(図示せず)により構成され、CCD構造の電荷転送部となっている。
また、転送電極63は、いずれも第1層の電極層から成る、4つの転送電極63A,63B,63C,63Dから構成されている。
そして、転送電極63A,63B,63C,63Dが、同一層の電極層で形成されているため、オーバーラップ部がない。
また、転送電極63は、いずれも第1層の電極層から成る、4つの転送電極63A,63B,63C,63Dから構成されている。
そして、転送電極63A,63B,63C,63Dが、同一層の電極層で形成されているため、オーバーラップ部がない。
しかしながら、この構造のCCD固体撮像素子においては、図6Bに示すように、垂直方向(電荷転送方向)に隣接する画素の画素間部において、2本の電極63A,63Bを渡す構造を採るために、画素間幅が比較的大きくなってしまう。
そのため、受光センサ部61の面積が小さくなってしまう、という欠点がある。例えば、同じ画素セルサイズで比較すると、2層の電極層から成る構造から30%程度も面積が小さくなってしまう。
そのため、受光センサ部61の面積が小さくなってしまう、という欠点がある。例えば、同じ画素セルサイズで比較すると、2層の電極層から成る構造から30%程度も面積が小さくなってしまう。
このように受光センサ部の面積が小さくなると、受光センサ部に蓄積できる電荷量が小さくなるため、感度が低下し、ダイナミックレンジが小さくなる。また、シェーディングの影響を大きく受けるようになる。
特に、画素サイズが縮小化されることにより、この問題が顕著になる。
特に、画素サイズが縮小化されることにより、この問題が顕著になる。
上述した問題の解決のために、本発明においては、充分な感度を確保することができ、良好な特性を有する固体撮像素子を提供するものである。
本発明の固体撮像素子、並びに、その駆動方法に係る固体撮像素子は、それぞれ画素を構成する受光センサ部が行列状に配置され、受光センサ部の各列の一側に電荷転送部が設けられ、電荷転送部の転送電極が、第1層の電極層から成る第1の転送電極と、第1層の電極層及び第2層の電極層が電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、第1層の電極層及び第2層の電極層が多結晶シリコンであり、第2の転送電極の第1層の電極層及び第2層の電極層をコンタクトするコンタクト層と、第2層の電極層とが、同一の導電材料で形成され、第2の転送電極の第1層の電極層は、電荷転送部毎に独立して形成され、電荷転送部の方向において隣接する画素間部においては、第1の転送電極と第2の転送電極の第2層の電極層とが積層形成されているものである。
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、電荷転送部の転送電極が、第1層の電極層から成る第1の転送電極と、第1層の電極層及び第2層の電極層が電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、第1層の電極層及び第2層の電極層が多結晶シリコンであり、第2の転送電極の第1層の電極層及び第2層の電極層をコンタクトするコンタクト層と、第2層の電極層とが、同一の導電材料で形成され、第2の転送電極の第1層の電極層は、電荷転送部毎に独立して形成されていることにより、電荷転送部においては、第2の転送電極が主として第1層の電極層により構成され、一部第2層の電極層があるだけとなるため、従来の2層の電極層がオーバーラップした構造と比較して、転送電極によって入射光が遮られる度合いが大幅に少なくなる。
また、電荷転送部の方向において隣接する画素間部においては、(第1層の電極層から成る)第1の転送電極と、第2の転送電極の第2層の電極層とが、積層形成されていることにより、第1層の電極層のみで転送電極を構成した場合(単層電極構造)と比較して、画素間部の幅を狭くすることが可能になる。これにより、電荷転送部の方向における受光センサ部の寸法を大きく設定することが可能になる。
また、電荷転送部の方向において隣接する画素間部においては、(第1層の電極層から成る)第1の転送電極と、第2の転送電極の第2層の電極層とが、積層形成されていることにより、第1層の電極層のみで転送電極を構成した場合(単層電極構造)と比較して、画素間部の幅を狭くすることが可能になる。これにより、電荷転送部の方向における受光センサ部の寸法を大きく設定することが可能になる。
上述の本発明によれば、受光センサ部の寸法を大きく設定して、受光センサ部の面積を広く確保することが可能になる。
従って、本発明によれば、受光センサ部の取り扱い電荷量が充分であり、充分な感度やダイナミックレンジを有し、良好な特性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
従って、本発明によれば、受光センサ部の取り扱い電荷量が充分であり、充分な感度やダイナミックレンジを有し、良好な特性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
そして、本発明により、固体撮像素子の微細化に伴って顕著に生じる問題(感度の低下やダイナミックレンジの低下等)を解決することができるため、固体撮像素子の微細化を可能にして、固体撮像素子の多画素化や高密度化を図ることができる。また、固体撮像素子の小型化を図ることも可能になる。
本発明の一実施の形態として、固体撮像素子の概略構成図(平面図)を図1に示す。
本実施の形態は、本発明をCCD固体撮像素子に適用した場合である。
この固体撮像素子は、マトリクス状(行列状)に配置された受光センサ部1の各列の一側に、垂直転送レジスタ2が形成されて、撮像領域が構成されている。
受光センサ部1は、それぞれ画素を構成するものであり、本実施の形態では、1画素に1つずつ設けられている。
撮像領域外においては、図示しないが垂直転送レジスタ2の一端に接続して水平転送レジスタが設けられ、水平転送レジスタの一端に出力部が設けられる。
本実施の形態は、本発明をCCD固体撮像素子に適用した場合である。
この固体撮像素子は、マトリクス状(行列状)に配置された受光センサ部1の各列の一側に、垂直転送レジスタ2が形成されて、撮像領域が構成されている。
受光センサ部1は、それぞれ画素を構成するものであり、本実施の形態では、1画素に1つずつ設けられている。
撮像領域外においては、図示しないが垂直転送レジスタ2の一端に接続して水平転送レジスタが設けられ、水平転送レジスタの一端に出力部が設けられる。
また、図1の固体撮像素子の垂直転送レジスタ2部の断面図を図2Aに示し、図1の固体撮像素子の垂直方向(垂直転送レジスタ2の電荷転送方向)に隣接する受光センサ部1間、即ち画素間部の断面図を図2Bに示す。
垂直転送レジスタ2は、半導体基体11内に形成された図示しない転送チャネル領域及びゲート絶縁膜と、転送電極とにより構成される。
垂直転送レジスタ2は、半導体基体11内に形成された図示しない転送チャネル領域及びゲート絶縁膜と、転送電極とにより構成される。
また、図示しないが、転送電極の上を覆って遮光膜が形成される。この遮光膜は、受光センサ部1に光が入射するように、受光センサ部1上に開口を有する構成とされる。
さらに遮光膜よりも上方には、必要に応じて、図示しないが、遮光膜を覆う絶縁層、カラーフィルタ、オンチップレンズ等が設けられる。
さらに遮光膜よりも上方には、必要に応じて、図示しないが、遮光膜を覆う絶縁層、カラーフィルタ、オンチップレンズ等が設けられる。
本実施の形態の固体撮像素子は、特に、垂直転送レジスタ2を構成する転送電極の構成に特徴を有する。
第1相の転送パルスφV1が印加される転送電極3A及び第3相の転送パルスφV3が印加される転送電極3Cは、図1に示すように、垂直転送レジスタ2に沿って延びる電極部と、垂直方向(図中上下方向)に隣接する受光センサ部1間の部分(画素間部)に延びる配線部とを有している。
また、これら第1相の転送パルスφV1が印加される転送電極3A及び第3相の転送パルスφV3が印加される転送電極3Cは、図2A及び図2Bに示すように、第1層の電極層により形成されている。これら転送電極3A及び転送電極3Cは、配線部により、同一行の画素と共通に形成されている。
また、これら第1相の転送パルスφV1が印加される転送電極3A及び第3相の転送パルスφV3が印加される転送電極3Cは、図2A及び図2Bに示すように、第1層の電極層により形成されている。これら転送電極3A及び転送電極3Cは、配線部により、同一行の画素と共通に形成されている。
第2相の転送パルスφV2が印加される転送電極3B及び第4相の転送パルスφV4が印加される転送電極3Dは、図1に示すように、各垂直転送レジスタ2毎に独立して形成され、垂直転送レジスタ2に沿う電極部だけを有している。
また、これら第2相の転送パルスφV2が印加される転送電極3B及び第4相の転送パルスφV4が印加される転送電極3Dは、図2A及び図2Bに示すように、第1層の電極層により形成されている。
さらに、第2相の転送パルスφV2が印加される転送電極3B及び第4相の転送パルスφV4が印加される転送電極3Dには、図1及び図2Aに示すように、コンタクト層5を介して、第2層の電極層により形成された転送電極4が接続されている。
この第2層の電極層から成る転送電極(以下、第2層の転送電極とする)4は、垂直転送レジスタ2に沿って延びると共にコンタクト層5と接続される部分と、垂直方向(電荷転送方向)に隣接する受光センサ部1間の部分(画素間部)に延びる配線部とを有している。
この転送電極4の配線部によって、各垂直転送レジスタ2毎に独立して形成された転送電極3B及び転送電極3Dが、同一行毎に電気的に接続されると共に、それぞれの垂直転送パルスφV2,φV4が供給される。
また、これら第2相の転送パルスφV2が印加される転送電極3B及び第4相の転送パルスφV4が印加される転送電極3Dは、図2A及び図2Bに示すように、第1層の電極層により形成されている。
さらに、第2相の転送パルスφV2が印加される転送電極3B及び第4相の転送パルスφV4が印加される転送電極3Dには、図1及び図2Aに示すように、コンタクト層5を介して、第2層の電極層により形成された転送電極4が接続されている。
この第2層の電極層から成る転送電極(以下、第2層の転送電極とする)4は、垂直転送レジスタ2に沿って延びると共にコンタクト層5と接続される部分と、垂直方向(電荷転送方向)に隣接する受光センサ部1間の部分(画素間部)に延びる配線部とを有している。
この転送電極4の配線部によって、各垂直転送レジスタ2毎に独立して形成された転送電極3B及び転送電極3Dが、同一行毎に電気的に接続されると共に、それぞれの垂直転送パルスφV2,φV4が供給される。
このように転送電極3A,3B,3C,3D,4が構成されているため、垂直方向に隣接する受光センサ部1間の部分、即ち画素間部では、図2Bに示すように、2層の転送電極3A,4が層間絶縁膜を介して積層形成されている。
従って、図4Bに示した単層の電極層により転送電極を構成した場合と比較して、画素間部の転送電極の幅を狭くすることができる。
従って、図4Bに示した単層の電極層により転送電極を構成した場合と比較して、画素間部の転送電極の幅を狭くすることができる。
例えば、画素セルのサイズが2.0μmのCCD固体撮像素子において、垂直転送レジスタの転送電極が単層の電極層から成る構成(単層電極構造)では、画素間部が0.7μm程度の幅を占めるのに対して、本実施の形態の積層構造とすると0.3μm程度の幅で形成することが可能になるため、0.4μmを受光センサ部のフォトダイオードの寸法を増やすために当てることができる。これにより、フォトダイオードの寸法が、単層電極構造の1.0μm×1.3μmから、1.0μm×1.7μmにまで拡げることが可能になるため、受光センサ部の取り扱い電荷量が約30%増加し、充分な感度が得られることが期待できる。
一方、垂直転送レジスタ2では、基本的に、第1層の電極層から成る転送電極(以下、第1層の転送電極とする)3A,3B,3C,3Dから構成される、単層電極構造を採り、コンタクト部5付近に第2層の転送電極4があるだけであるため、従来の2層電極構造と比較して、転送電極によって入射光が遮られる度合いが大幅に少なくなる。
第1層の転送電極3A,3B,3C,3Dの材料には、多結晶シリコン、WSi等のシリサイド、W等の金属等の各種導電材料を用いることができる。
第2層の転送電極4の材料にも、各種導電材料を用いることができる。第1層の電極層から成る転送電極3A,3B,3C,3Dと同じ材料を用いて形成してもよいが、異なる材料を用いることも可能である。本実施の形態の構成では、従来の2層の電極層により転送電極を構成した場合とは異なり、第2層の転送電極4がゲート絶縁膜の直上には形成されないため、第2層の転送電極4の材料についての制約が少なくなる。
そして、垂直転送レジスタ2において、垂直方向に隣接する転送電極3A,3B,3C,3Dに対して、それぞれ異なる垂直転送パルスφV1,φV2,φV3,φV4が印加される。これにより、4相駆動による信号電荷の垂直転送が行われる。
コンタクト層5は、第1層の転送電極3B,3Dと第2層の転送電極4との間の層間絶縁層13を貫通して形成されたコンタクトホールに、導電材料が埋め込まれて形成されている。
なお、コンタクト層5と第2層の転送電極4とは、同一の導電材料で形成しても、それぞれ別々の導電材料で形成しても、いずれの構成も可能である。
なお、コンタクト層5と第2層の転送電極4とは、同一の導電材料で形成しても、それぞれ別々の導電材料で形成しても、いずれの構成も可能である。
上述の本実施の形態の固体撮像素子によれば、画素間部の転送電極が、第1層の電極層から成る転送電極3A,3Cと、第2層の電極層から成る転送電極4との、積層構造となっていることにより、第1層の電極層のみで転送電極を構成した場合(単層電極構造)と比較して、画素間部の幅を縮小することができる。
従って、単層電極構造と比較して、受光センサ部1の垂直方向の寸法を大きく設定し、受光センサ部の面積を広く確保することが可能になる。
これにより、受光センサ部1の取り扱い電荷量が充分確保されることから、充分な感度やダイナミックレンジを有し、良好な特性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
これにより、受光センサ部1の取り扱い電荷量が充分確保されることから、充分な感度やダイナミックレンジを有し、良好な特性を有する固体撮像素子を実現することが可能になる。
また、本実施の形態の固体撮像素子によれば、垂直転送レジスタ2においては、基本的に、第1層の転送電極3A,3B,3C,3Dから構成される、単層電極構造を採り、コンタクト層5によるコンタクト部付近に第2層の転送電極4があるだけであるため、従来の2層電極構造と比較して、転送電極によって入射光が遮られる度合いが大幅に少なくなる。
なお、上述の実施の形態では、垂直転送レジスタ2の転送電極3に、垂直転送パルスφV1,φV2,φV3,φV4が印加されて4相駆動がなされる構成であったが、本発明では、4相駆動に限らず、他の駆動にも対応させることが可能である。
そして、上述の実施の形態と同様に、行毎に接続された第1層の電極層から成る(第1のステージの)転送電極と、垂直転送レジスタ毎(画素毎)に独立して形成された第1層の電極層と行毎に接続された第2層の電極層とから成る(第2のステージの)転送電極とを、1画素の垂直ピッチにそれぞれ設けることにより、1相駆動、2相駆動、4相駆動、8相駆動、16相駆動の各駆動に対応させることが可能である。
そして、上述の実施の形態と同様に、行毎に接続された第1層の電極層から成る(第1のステージの)転送電極と、垂直転送レジスタ毎(画素毎)に独立して形成された第1層の電極層と行毎に接続された第2層の電極層とから成る(第2のステージの)転送電極とを、1画素の垂直ピッチにそれぞれ設けることにより、1相駆動、2相駆動、4相駆動、8相駆動、16相駆動の各駆動に対応させることが可能である。
また、上述の実施の形態では、CCD構造の電荷転送部を有するCCD固体撮像素子に本発明を適用した場合であったが、その他の構造の電荷転送部を有する固体撮像素子にも本発明を適用することができる。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
1 受光センサ部、2 垂直転送レジスタ、3A,3B,3C,3D 第1層の(電極層から成る)転送電極、4 第2層の(電極層から成る)転送電極、5 コンタクト層
Claims (6)
- それぞれ画素を構成する受光センサ部が、行列状に配置され、
前記受光センサ部の各列の一側に電荷転送部が設けられ、
前記電荷転送部の転送電極が、第1層の電極層から成る第1の転送電極と、第1層の電極層及び第2層の電極層が電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、
前記第1層の電極層及び前記第2層の電極層が、多結晶シリコンであり、
前記第2の転送電極の前記第1層の電極層及び前記第2層の電極層をコンタクトするコンタクト層と、前記第2層の電極層とが、同一の導電材料で形成され、
前記第2の転送電極の前記第1層の電極層は、前記電荷転送部毎に独立して形成され、
前記電荷転送部の方向において隣接する画素間部においては、前記第1の転送電極と前記第2の転送電極の前記第2層の電極層とが積層形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記第1の転送電極は、前記垂直転送部に沿って延びる電極部と前記垂直転送部が電荷を垂直転送する方向に隣接する前記受光センサ部間の画素間に延びる配線部を有していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第2の転送電極の前記第2層の電極層は、前記垂直転送部に沿って延びると共に前記コンタクト層と接続される部分と、前記垂直転送部が電荷を垂直転送する方向に隣接する受光センサ部の画素間部に延びる配線部とを有していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第2の転送電極が有する前記第1層の電極層は、前記第2層の電極層により同一行毎に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- それぞれ画素を構成する受光センサ部が、行列状に配置され、
前記受光センサ部の各列の一側に電荷転送部を形成され、
前記電荷転送部の転送電極が、第1層の電極層から成る第1の転送電極と、第1層の電極層及び第2層の電極層が電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、
前記第2の転送電極の前記第1層の電極層は、前記電荷転送部毎に独立して形成され、
前記電荷転送部の方向において隣接する画素間部においては、前記第1の転送電極と前記第2の転送電極の前記第2層の電極層とが積層形成されている固体撮像素子の駆動方法であって、
前記第1層の電極層及び前記第2層の電極層が、多結晶シリコンであり、
前記第2の転送電極の前記第1層の電極層及び前記第2層の電極層をコンタクトするコンタクト層と、前記第2層の電極層とが、同一の導電材料で形成され、
前記第1層の電極層から成る第1の転送電極の一つには第1相の転送パルスが印加され、
前記第1層の電極層から成る第1の転送電極の他方には第3相の転送パルスが印加される
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 前記第2の転送電極の前記第1層の電極層の一つには第2相の転送パルスが印加され、前記第2の転送電極の前記第1層の電極層の他方には第4相の転送パルスが印加されることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像素子の駆動方法。
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