JP2664302B2 - 光磁気ディスク再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスク再生装置
に係り、特に、データがエッジ記録方式で記録された光
磁気ディスクを再生する光磁気ディスク再生装置に関す
る。

【０００２】近年、光磁気記録再生装置は大容量、可換
性、高信頼性等によりイメージ情報の記録再生からコン
ピュータ用のコード記録再生まで市場が急速に拡大して
いる。

【０００３】

【従来の技術】光磁気ディスク記録再生の基本原理を図
７、図８、図９に示す。

【０００４】記録の際には、まず図７（Ａ）に示す如く
光磁気ディスク媒体１６に磁石１７の外部磁界を印加し
書き換えたい部分に消去ビーム１８を照射して加熱し既
記録部分の磁化の向きを一方向に備え不要なデータを消
去する。

【０００５】その後図７（Ｂ）に示す如く磁石１７の外
部磁界の向きを逆にして、図８（Ａ）に示す如き記録し
たいデータに応じて図８（Ｂ）の示す発光パターンの記
録光ビーム１９を照射して選択的に加熱し、磁化の向き
の異なる磁区（ドメイン）列を磁区のエッジの位置間隔
が図８（Ｃ）に示す如く記録データと対応するように形
成する。

【０００６】そして、再生時には図９（Ａ）に示す如く
再生光スポットで記録ドメインを走査して、図９（Ｂ）
の再生波形からエッジの位置間隔を検出し、図９（Ｃ）
に示す記録データを再生する。

【０００７】このように光磁気ディスクの再生方式とし
ては従来より特開昭６３−５３７２２号、特開昭６１−
２１４２７８号に記載のものがある。

【０００８】図１０は従来の光磁気ディスク再生装置の
一例のブロック図を示す。同図中、光学ヘッド２０で再
生した再生信号はエッジ検出回路２１に供給され、ここ
で記録磁区（ドメイン）の前縁、後縁が検出される。前
縁、後縁夫々のエッジ検出信号はフェーズ・ロックド・
ループ（ＰＬＬ）２２ａ，２２ｂ夫々に供給され、ここ
で各エッジ検出信号に同期したクロックが生成される。

【０００９】データセパレータ２３ａ，２３ｂ夫々は前
縁、後縁夫々のエッジ検出信号から上記ＰＬＬ２２ａ，
２２ｂよりのクロック夫々を用いてデータを分離しバッ
ファ２４ａ，２４ｂ夫々に書込む。バッファ２４ａ，２
４ｂ夫々に書込まれたデータは互いに同期して読出さ
れ、合成回路２５で合成される。こうして再生されたデ
ータは走長制限符号（ＲＬＬＣ）であるため、復調回路
２６でＮＲＺ（ノン・リターン・ゼロ）符号の信号に復
調して端子２７より出力する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】光磁気ディスク装置で
は記録に際しては、記録光ビームにより選択的に加熱し
て記録磁区を形成する熱磁気書き込みである。したがっ
て、まず、環境温度が変化すると同一パワーで記録光ビ
ームを照射しても温度分布は同一にならず形成される磁
区の大きさは変化しエッジの位置間隔が変化して正しい
記録ができない。逆に環境温度一定の場合でも記録光ビ
ームのパワーが変動すると同様にエッジ位置間隔が変化
して正しい記録ができない。

【００１１】また、光磁気ディスク媒体の媒体内での感
度バラツキあるいは媒体間での感度バラツキにより、温
度分布が同一であっても形成される磁区の大きさにバラ
ツキが生じる。

【００１２】更に、形成される磁区は図８（Ｃ），図９
（Ａ）に示す如く涙滴形状と呼ばれる形状をしており前
縁の形状と後縁の形状とで検出位置にずれが生じる。

【００１３】ところが、隣接する磁区の前縁のエッジ間
距離又は後縁のエッジ間距離夫々は環境温度変化や記録
光ビームのパワー変化によらず略一定であり、媒体内の
感度バラツキ及び、磁区の前縁と後縁の形状の違いによ
る検出位置ずれがあっても、図１０の回路の如く前縁、
後縁夫々のエッジを別々に検出して得たデータを同期を
取って合成することにより、上記環境温度の変化、記録
光ビームのパワー変化媒体間のバラツキ、磁区前後縁形
状の相違夫々の影響を受けない再生が可能である。

【００１４】しかし、図１０の従来回路はＰＬＬ２２
ａ，２２ｂ、データセパレータ２３ａ，２３ｂ、バッフ
ァ２４ａ，２４ｂを前縁、後縁夫々について２系統必要
であるため、回路規模が大きくなるという問題点があっ
た。

【００１５】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
比較的小さな回路規模で環境温度の変化、記録光ビーム
のパワー変化、媒体間のバラツキ、磁区前後縁形状の相
違夫々の影響を受けない再生を行なえる光磁気ディスク
再生装置を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理ブロ
ック図を示す。同図中、１１は光磁気ディスクを示す。
光磁気ディスク１１は記録しようとするデータに応じて
磁化の向きが異なる磁区列が形成されている。

【００１７】１２は再生手段で、光磁気ディスク１１に
形成された磁区列を再生し、再生信号を検出する。

【００１８】エッジ検出手段１３は、スライスレベル生
成手段１４ａで生成されたスライスレベルに応じて再生
手段１２により再生した再生信号から各磁区のエッジの
検出を行なう。

【００１９】スライスレベル生成手段１４ａは、再生手
段１２により再生された再生信号からエッジを検出する
ためのスライスレベル信号を生成するとともに、スライ
スレベルと基準レベルとの差に応じた補正量を生成す
る。スライスレベルの生成方法としては、再生信号のピ
ーク値とボトム値から得る方法や再生信号を積分して得
る方法等がある。ラッチ手段１４ｂは、繰り返しパター
ンが記録された引き込み領域でスライスレベル生成手段
１４ａで生成された補正量を記憶する。

【００２０】補正手段１５は、ラッチ手段１４ｂに記憶
された補正量に応じてエッジ検出手段で検出されたエッ
ジ位置の補正を行なう。

【００２１】

【作用】再生信号のピーク値及びボトム値からスライス
レベルを求め、このスライスレベルに応じて再生信号よ
り検出したエッジの位置を補正する。

【００２２】このため、記録時に環境温度や媒体のバラ
ツキによりエッジ位置にズレが生じてもこれを補正して
再生することができる。

【００２３】

【実施例】図２は本発明の一実施例のブロック図を示
す。

【００２４】同図中、１は光学ヘッドで、光学ヘッド１
は光磁気ディスク媒体上に形成されたドメインを走査し
て再生信号を得る。

【００２５】光学ヘッド１により再生された再生信号は
ＡＧＣ（Automatic Gain Control)回路、フィルタ、イ
コライザ等よりなる波形等化器２に供給される。波形等
化器２は光学ヘッド１からの再生信号の増幅、不要成分
の除去等を行なう。

【００２６】波形等化器２により増幅、不要成分除去等
が行なわれた再生信号はエッジ検出回路３に供給され
る。

【００２７】エッジ検出回路３は再生信号の立ち上がり
及び立ち下がり、つまり、記録磁区の前縁、後縁夫々の
エッジ検出を行なう。エッジ検出回路３で検出された前
縁のエッジ検出信号はプログラマブルディレイライン４
に（遅延量０〜２ｔ）に供給され、後縁のエッジ検出信
号は固定のディレイライン５（遅延量ｔ）に供給され
る。

【００２８】また、エッジ検出回路３では再生信号から
スライスレベル信号を生成しエッジの検出を行なう。こ
のスライスレベル信号はＡ／Ｄ（アナログ／ディジタ
ル）変換回路６にも供給される。

【００２９】Ａ／Ｄ変換回路６はスライスレベル信号を
レベルに応じたディジタル値に変換し、そのディジタル
値をプログラマブルディレイライン４に供給する。プロ
グラマブルディレイライン４はＡ／Ｄ変換器６からのデ
ィジタルデータに応じて遅延量が０〜２Ｔまで変化する
構成とされている。

【００３０】プログラマブルディレイライン４、及びデ
ィレイライン５の出力エッジ検出信号はＯＲゲート７に
供給され、合成された後、ＰＬＬ８に供給される。

【００３１】ＰＬＬ８はＯＲゲート７で合成されたパル
ス信号に同期したクロックを生成してデータセパレータ
９に供給する。データセパレータ９はパルス信号から上
記クロックを用いてデータとクロックを分離し、復調回
路１０に供給する。

【００３２】復調回路１０は走長制限符号である分離し
たデータからＮＲＺ符号の信号に復調して出力する。

【００３３】図３は本発明の一実施例の要部のブロック
図を示す。ここでは、再生信号のピーク値とボトム値と
によりスライスレベル信号を生成する手段を用いた例に
ついて説明する。同図中、エッジ検出回路３はピークホ
ールド（Ｐ／Ｈ）回路３ａ、ボトムホールド（Ｂ／Ｈ）
回路３ｂ、スライスレベル（ＳＬ）生成回路３ｃ、コン
パレータ（ＣＰ）３ｄよりなる。ピークホールド回路３
ａ、ボトムホールド回路３ｂ、スライスレベル生成回路
３ｃによりスライスレベル生成手段１４ａが構成されて
いる。また、コンパレータ３ｄはエッジ検出手段１３に
対応している。

【００３４】ピークホールド回路３ａには波形等化器２
より、アナログ再生信号が供給され、ピークホールド回
路３ａは供給されたアナログ再生信号のピーク値を検出
し、ホールドして、スライスレベル生成回路３ｃに供給
する。また、ボトムホールド回路３ｂにもピークホール
ド回路３ａ同様波形等化器２よりアナログ再生信号が供
給され、ボトムホールド回路３ｂは供給されたアナログ
再生信号のボトム値を検出し、ホールドして、スライス
レベル生成回路３ｃに供給する。

【００３５】スライスレベル生成回路３ｃはピークホー
ルド回路３ａから供給されたピーク値とボトムホールド
回路３ｂから供給されたボトム値との略中間レベルを検
出し、スライスレベル信号として出力する。

【００３６】また、スライスレベル生成回路３ｃで生成
されたスライスレベル信号がコンパレータ３ｄに供給さ
れると共にスライスレベル信号がＡ／Ｄ変換器６を介し
て補正手段１５に対応するプログラマブルディレイライ
ン４に供給される。

【００３７】コンパレータ３ｄにはスライスレベル信号
の他に波形等化器２よりアナログ再生信号が供給されて
いる。コンパレータ３ｄはスライスレベル信号とアナロ
グ再生信号とを比較し、アナログ再生信号がスライスレ
ベルより大きいときはハイレベル、小さいときはローレ
ベルとなるパルス信号を生成し、このパルス信号の立ち
上がり（前縁）に同期して立ち上がる一定パルス幅の前
縁パルス信号及び立ち下がり（後縁）に同期して立ち下
がる一定パルス幅の後縁パルス信号を生成する。

【００３８】コンパレータ３ｄにより生成された前縁パ
ルス信号はプログラマブルディレイライン４に供給さ
れ，後縁パルス信号はディレイライン５に供給される。

【００３９】プログラマブルディレイライン４はラッチ
(latch) ４ａ、可変ディレイライン４ｂよりなる。ラッ
チ４ａは、図１のラッチ手段１４ｂに相当し、Ａ／Ｄ変
換器６からスライスレベルに応じたディジタルデータが
入力されると共に、ＶＦＯＲＤ信号が入力され、ＶＦＯ
ＲＤ信号がハイレベルのときにスライスレベルに応じた
ディジタルデータがラッチされる。

【００４０】図５は光磁気ディスクのフォーマットの概
略を示す図である。光磁気ディスクには記録データの管
理上の必要から１トラックが十数から数十セクタに分割
され、各セクタの先頭にはセクタの開始を意味するセク
タマークＳＭと、それに続いて各セクタを特定するＩＤ
番号ＩＤがλ／４（λ：波長）の物理的な凹凸（ピッ
ト）によって形成されている。更に、それに続いて、Ｖ
ＦＯ（Variable Frequency Oscillator)引き込み領域Ｖ
ＦＯに引き込みドメインが、またＳＢ（Synchronized B
yte)領域ＳＢに位相調整用のドメインが光磁気的な方法
で形成され、その後のデータ領域ＤＡＴＡにデータが書
き込まれるようになっている。上記ＶＦＯ引き込みドメ
インは所定長さのドメインが所定間隔で配列されること
によって構成されている。

【００４１】ＶＦＯＲＤ信号は図５に示すデータを読み
込ませるためのリードゲート信号とＶＦＯ、ＳＢ、ＤＡ
ＴＡを読み込むためのＤＴＲＤゲート信号とに基づい
て、生成される。ＶＦＯ、ＳＢ、ＤＡＴＡはリードゲー
ト信号及びＤＴＲＤゲート信号が共にハイレベルのとき
に読み込まれる。プログラマブルディレイライン４は図
４に示すようにＡ／Ｄ変換器６からのディジタルデータ
に対応してディレイ時間が０〜２ｔで変化するように設
定されている。

【００４２】次に再生動作について説明する。

【００４３】再生信号はそのピーク値とボトム値の中点
をスライスレベルＬとして、このスライスレベルＬと再
生信号の交点をドメインのエッジとして前縁と後縁とが
夫々検出される。

【００４４】このとき、後縁信号はディレイライン５に
よりｔだけ遅延され、前縁信号はプログラマブルディレ
イライン４により０〜２ｔの間で遅延される。プログラ
マブルディレイライン４の遅延量はＶＦＯＲＤ信号によ
りラッチされており、したがって、ＶＦＯ引き込み領域
での再生信号のスライスレベルに応じて決定されること
になる。

【００４５】ＶＦＯ引き込み領域には図６（Ａ）に示す
ようにデューティ比５０％のパルス信号が光磁気により
記録されている。

【００４６】スライスレベルは図６（Ｂ）に示すように
記録した磁区が記録データと同一の長さに記録された状
態の場合、スライスレベルは再生波形の基準レベルと同
一レベルとなる。

【００４７】このとき、後縁は時間ｔだけ遅延している
ため、前縁を同様に時間ｔだけ遅延させていることによ
り補正を行なわない。

【００４８】これに対して図６（Ｃ）に示すように磁区
が伸長すると再生信号波形が歪み、スライスレベルに対
して基準レベルがプラス方向に移動する。したがって、
この時、磁区は伸びるため記録データも同様に伸びてい
るから、その伸び分前縁信号を遅らせることにより、補
正することができる。

【００４９】この場合、スライスレベルに対して基準レ
ベルが高いレベルとなり、可変ディレイライン４ｂは、
前縁の遅延時間はｔ〜２ｔでスライスレベルと基準レベ
ルとの差に応じた遅延量だけ変化させる。このため、後
縁に対し前縁の遅延時間が大きくなり、前縁と後縁との
間の時間が縮まり、伸びた磁区を補正できる。

【００５０】図６（Ｄ）のように磁区が短縮すると再生
信号波形が歪みスライスレベルに対して基準レベルがマ
イナス方向に移動する。この時、磁区は縮んでいるから
その縮み分前縁信号を進めることにより補正することが
できる。

【００５１】この場合、スライスレベルに対して基準レ
ベルがマイナスとなり、可変ディレイライン４ｂは、前
縁の遅延時間を０〜ｔでスライスレベルと基準レベルと
の差に応じた遅延時間分だけ、変化させる。このため、
後縁に対し前縁の遅延時間は小さくなる。したがって、
前縁と後縁との間の時間が伸びることになり、縮んだ磁
区の補正を行なうことができる。

【００５２】このように、検出された前縁のエッジが環
境温度の変化、媒体間のバラツキ、磁区前後縁形状の相
違等の影響によるずれに対して補正されるため、上記の
影響を受けない再生を行なうことができ、またＰＬＬ
８、データセパレータ９は単一で済むため、回路規模が
小さくて済む。

【００５３】また、ＶＦＯ引込み領域は各セクタ毎に記
録されているため、セクタ毎に記録時の環境温度の変
化、媒体間のバラツキ、磁区前後縁形状の相違によるず
れを補正できる。

【００５４】

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、エッジ位
置を引き込み領域での再生信号のスライスレベルと基準
レベルとの差に応じて求められラッチされた補正量によ
り補正することによりデータ記録時の環境温度の変化、
媒体による記録温度のバラツキ、磁区前後縁形状の相
違、記録光ビームのパワー変化等の影響を補正できるた
め、小さい回路規模で安定したデータ再生を行なうこと
ができる等の特長を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理ブロック図である。

【図２】本発明の一実施例のブロック図である。

【図３】本発明の一実施例の要部のブロック図である。

【図４】本発明の一実施例の補正値に対するディレイ時
間の特性図である。

【図５】光磁気ディスクの１セクタのフォーマットを示
す図である。

【図６】本発明の一実施例の要部の動作を説明するため
の図である。

【図７】光磁気ディスクの記録原理を示す図である。

【図８】光磁気ディスクの記録原理を示す図である。

【図９】光磁気ディスクの再生原理を示す図である。

【図１０】従来の一例のブロック図である。

【符号の説明】 １１ 光磁気ディスク １２ 再生手段 １３ エッジ検出手段 １４ａ スライスレベル生成手段１４ｂ ラッチ手段 １５ 補正手段

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁化の向きが異なる磁区列を各磁区のエ
   ッジ位置がデータと対応するように形成した光磁気ディ
   スク（１１）を再生手段（１２）により再生し、該再生
   手段（１２）により再生した再生信号から該各磁区のエ
   ッジ位置を検出してデータを再生する光磁気ディスク再
   生装置において、前記再生手段（１２）により再生された前記再生信号か
   らスライスレベルを生成するとともに、該スライスレベ
   ルと基準レベルとの差に応じた補正量を検出するスライ
   スレベル生成手段（１４ａ）と、 繰り返しパターンが記録された引き込み領域で、前記ス
   ライスレベル生成手段（１４ａ）で検出された前記補正
   量を記憶するラッチ手段（１４ｂ）と、 前記スライスレベル生成手段（１４ａ）で生成されたス
   ライスレベルに応じて前記再生手段（１２）により再生
   した再生信号から各磁区のエッジの検出を行なうエッジ
   検出手段（１３）と、 前記ラッチ手段（１４ｂ）にラッチされた前記スライス
   レベルに応じて前記エッジ検出回路（１３）と、 前記ラッチ手段（１４ｂ）に記憶された前記補正量に応
   じて前記エッジ位置の補正を行なう補正手段（１５）と
   を有する ことを特徴とする光磁気ディスク再生装置。
2. 【請求項２】 前記補正手段（１５）はＶＦＯ引き込み
   領域の再生信号により生成したスライスレベルを用いる
   ことを特徴とする請求項１記載の光磁気ディスク再生装
   置。
3. 【請求項３】 前記エッジ検出手段（１３）はスライス
   レベル生成手段（１４）により生成したスライスレベル
   に応じてエッジ検出を行なうことを特徴とする請求項１
   又は２記載の光磁気ディスク再生装置。