JP2653636B2 - 高磁束密度方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
高磁束密度方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JP2653636B2 JP2653636B2 JP6067059A JP6705994A JP2653636B2 JP 2653636 B2 JP2653636 B2 JP 2653636B2 JP 6067059 A JP6067059 A JP 6067059A JP 6705994 A JP6705994 A JP 6705994A JP 2653636 B2 JP2653636 B2 JP 2653636B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として変圧器その他の
電気機器等の鉄心として利用される｛１１０｝〈００
１〉もしくは｛１００｝〈００１〉方位集積を高度に発
達させたいわゆる方向性電磁鋼板（一方向性、二方向
性）の製造方法に関するものである。
電気機器等の鉄心として利用される｛１１０｝〈００
１〉もしくは｛１００｝〈００１〉方位集積を高度に発
達させたいわゆる方向性電磁鋼板（一方向性、二方向
性）の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】方向性電磁鋼板は、ミラー指数で｛１１
０｝〈００１〉もしくは｛１００｝〈００１〉方位に集
積した結晶粒から構成された、Ｓｉを０．８〜６．８％
（通常は約３％）含有する鋼板である。この鋼板はその
磁気特性として励磁特性と鉄損特性が優れていることが
要求される。その要求特性を満たすためには、結晶粒の
方位を高度に揃えることが重要で、通常はその集積度を
８００Ａ／ｍの磁場で励磁した場合の磁束密度（Ｂ
8 値）で示している。この｛１１０｝〈００１〉もしく
は｛１００｝〈００１〉方位への結晶方位制御は二次再
結晶と呼ばれるカタストロフィックな粒成長現象を利用
して達成される。二次再結晶を制御するためには二次再
結晶前の一次再結晶組織の調整とインヒビターと呼ばれ
る微細析出物もしくは粒界偏析型の元素の調整が必須の
ものである。
０｝〈００１〉もしくは｛１００｝〈００１〉方位に集
積した結晶粒から構成された、Ｓｉを０．８〜６．８％
（通常は約３％）含有する鋼板である。この鋼板はその
磁気特性として励磁特性と鉄損特性が優れていることが
要求される。その要求特性を満たすためには、結晶粒の
方位を高度に揃えることが重要で、通常はその集積度を
８００Ａ／ｍの磁場で励磁した場合の磁束密度（Ｂ
8 値）で示している。この｛１１０｝〈００１〉もしく
は｛１００｝〈００１〉方位への結晶方位制御は二次再
結晶と呼ばれるカタストロフィックな粒成長現象を利用
して達成される。二次再結晶を制御するためには二次再
結晶前の一次再結晶組織の調整とインヒビターと呼ばれ
る微細析出物もしくは粒界偏析型の元素の調整が必須の
ものである。
【０００３】これまで析出物としてはＭｎＳ(J. E. May
& D. Turnbull: Trans. Met. Soc.AIME212(1958) p76
9）、ＡｌＮ（田口，坂倉：特公昭４０−１５６４４号
公報）、（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ（小松等：特公昭６２−４５
２８５号公報）等が有効であることが提示されている。
粒界偏析型の元素としては、斎藤はＰｂ，Ｓｂ，Ｎｂ，
Ａｇ，Ｔｅ等が有効であることを提示（日本金属学会誌
27(1963) p186, p191)しているが、工業的には析出物型
インヒビターの補助的なものとして使用されているにす
ぎない。このインヒビターは一次再結晶組織の中で｛１
１０｝〈００１〉もしくは｛１００｝〈００１〉方位粒
以外の結晶粒の成長を抑制し、これらの方位を優先的に
成長させる機能を持つ。
& D. Turnbull: Trans. Met. Soc.AIME212(1958) p76
9）、ＡｌＮ（田口，坂倉：特公昭４０−１５６４４号
公報）、（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ（小松等：特公昭６２−４５
２８５号公報）等が有効であることが提示されている。
粒界偏析型の元素としては、斎藤はＰｂ，Ｓｂ，Ｎｂ，
Ａｇ，Ｔｅ等が有効であることを提示（日本金属学会誌
27(1963) p186, p191)しているが、工業的には析出物型
インヒビターの補助的なものとして使用されているにす
ぎない。このインヒビターは一次再結晶組織の中で｛１
１０｝〈００１〉もしくは｛１００｝〈００１〉方位粒
以外の結晶粒の成長を抑制し、これらの方位を優先的に
成長させる機能を持つ。
【０００４】これらの析出物がインヒビターとしての機
能を発揮するうえで必要な条件は次のように考えられ
る。（１）二次再結晶前に一次再結晶粒の粒成長を抑制
するのに充分な量の微細析出物となること。（２）二次
再結晶焼鈍時に急激な熱的変化を起こさないこと。現
在、代表的な一方向性電磁鋼板の製造方法としては４種
類ある。第１の技術は、Ｍ．Ｆ．Ｌｉｔｔｍａｎｎ等に
より特公昭３０−３６５１号公報に開示されたＭｎＳを
用いた二回冷延法によるもの、第２の技術は田口，坂倉
により特公昭４０−１５６４４号公報に開示されたＡｌ
Ｎ＋ＭｎＳを用いる一回冷延法によるもの、第３の技術
は今中等により特公昭５１−１３４６９号公報に開示さ
れたＭｎＳ（またはＭｎＳｅ）＋Ｓｂを用いた二回冷延
法によるもの、そして第４の技術は小松等により特公昭
６２−４５２８５号公報に開示された（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ
を用いた一回冷延法のものである。
能を発揮するうえで必要な条件は次のように考えられ
る。（１）二次再結晶前に一次再結晶粒の粒成長を抑制
するのに充分な量の微細析出物となること。（２）二次
再結晶焼鈍時に急激な熱的変化を起こさないこと。現
在、代表的な一方向性電磁鋼板の製造方法としては４種
類ある。第１の技術は、Ｍ．Ｆ．Ｌｉｔｔｍａｎｎ等に
より特公昭３０−３６５１号公報に開示されたＭｎＳを
用いた二回冷延法によるもの、第２の技術は田口，坂倉
により特公昭４０−１５６４４号公報に開示されたＡｌ
Ｎ＋ＭｎＳを用いる一回冷延法によるもの、第３の技術
は今中等により特公昭５１−１３４６９号公報に開示さ
れたＭｎＳ（またはＭｎＳｅ）＋Ｓｂを用いた二回冷延
法によるもの、そして第４の技術は小松等により特公昭
６２−４５２８５号公報に開示された（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ
を用いた一回冷延法のものである。
【０００５】また、代表的な二方向性電磁鋼板の製造方
法としては２種類ある。第１の技術は特公昭３５−２６
５７号公報に開示されたＡｌＮ＋ＭｎＳを用いるクロス
冷延法によるもの、第２の方法は特開平２−１４１５３
１号公報に開示された（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎを用いたクロス
冷延法によるものである。これらの技術は、インヒビタ
ーの観点からは（１）熱延工程での高温スラブ加熱及び
（２）窒化処理による析出物作り込みを基本技術にする
ものに分類される。
法としては２種類ある。第１の技術は特公昭３５−２６
５７号公報に開示されたＡｌＮ＋ＭｎＳを用いるクロス
冷延法によるもの、第２の方法は特開平２−１４１５３
１号公報に開示された（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎを用いたクロス
冷延法によるものである。これらの技術は、インヒビタ
ーの観点からは（１）熱延工程での高温スラブ加熱及び
（２）窒化処理による析出物作り込みを基本技術にする
ものに分類される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法で形成した微細析出物は、実際の仕上げ焼鈍中の
二次再結晶発現までにコイルの部位によっては大きく変
化してしまい、二次再結晶不良あるいは磁性不良を完全
に解消するに至っていない。本発明の目的は、かかる問
題を回避し、工業的に安定して磁気特性の優れた方向性
電磁鋼板の製造方法を提供することである。
の方法で形成した微細析出物は、実際の仕上げ焼鈍中の
二次再結晶発現までにコイルの部位によっては大きく変
化してしまい、二次再結晶不良あるいは磁性不良を完全
に解消するに至っていない。本発明の目的は、かかる問
題を回避し、工業的に安定して磁気特性の優れた方向性
電磁鋼板の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するための検討を行い、仕上げ焼鈍におけるイン
ヒビターの変質を抑制することが重要であるとの結論を
得た。この結果を基に実験を行い、具体的な条件として
インヒビターとして窒化物を用い、その窒化物を仕上げ
焼鈍時の雰囲気ガスの窒素分圧を１気圧以上に高めるこ
とによりインヒビターひいては二次再結晶を安定化させ
ることができることを見出した。
を解決するための検討を行い、仕上げ焼鈍におけるイン
ヒビターの変質を抑制することが重要であるとの結論を
得た。この結果を基に実験を行い、具体的な条件として
インヒビターとして窒化物を用い、その窒化物を仕上げ
焼鈍時の雰囲気ガスの窒素分圧を１気圧以上に高めるこ
とによりインヒビターひいては二次再結晶を安定化させ
ることができることを見出した。
【０００８】以下、詳細に説明する。重量で、Ｓｉ：
３．３％、Ｍｎ：０．１４％、Ｃ：０．０５％、Ｓ：
０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８％、Ｎ：０．
００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加熱した後、板
厚１．６mmに熱延した。この熱延板を１１００℃で２分
間焼鈍した後最終板厚０．１５mmに冷延した。この冷延
板を湿潤ガス中で脱炭を兼ね８３０℃で７０秒焼鈍し一
次再結晶させた。その後、アンモニア窒化により窒素量
を０．０２％まで高めインヒビターを強化した。この脱
炭焼鈍板に焼鈍分離剤を塗布した後、仕上げ焼鈍を施し
た。
３．３％、Ｍｎ：０．１４％、Ｃ：０．０５％、Ｓ：
０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８％、Ｎ：０．
００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加熱した後、板
厚１．６mmに熱延した。この熱延板を１１００℃で２分
間焼鈍した後最終板厚０．１５mmに冷延した。この冷延
板を湿潤ガス中で脱炭を兼ね８３０℃で７０秒焼鈍し一
次再結晶させた。その後、アンモニア窒化により窒素量
を０．０２％まで高めインヒビターを強化した。この脱
炭焼鈍板に焼鈍分離剤を塗布した後、仕上げ焼鈍を施し
た。
【０００９】仕上げ焼鈍は２０℃／hrで１１００℃まで
昇温し、１１００℃で１５時間保持して二次再結晶させ
た。この二次再結晶焼鈍の雰囲気ガスは（１）Ｎ2 ＋Ｈ
2 混合ガス、１気圧中でＮ2 ：０〜１００％または、
（２）Ｎ2 ガス：１〜２気圧で行い、窒素分圧の影響を
調べた。その後、Ｈ2 ：１００％に切り替え１２００℃
で２０時間純化焼鈍を行った。これらの試料の磁気特性
を図１に示す。
昇温し、１１００℃で１５時間保持して二次再結晶させ
た。この二次再結晶焼鈍の雰囲気ガスは（１）Ｎ2 ＋Ｈ
2 混合ガス、１気圧中でＮ2 ：０〜１００％または、
（２）Ｎ2 ガス：１〜２気圧で行い、窒素分圧の影響を
調べた。その後、Ｈ2 ：１００％に切り替え１２００℃
で２０時間純化焼鈍を行った。これらの試料の磁気特性
を図１に示す。
【００１０】これらの結果より、窒素分圧を１気圧以上
とすることにより磁束密度（Ｂ8 ）のばらつきが低減
し、高磁束密度の製品が安定して製造できることがわか
る。これは、窒素分圧が低い場合には窒化物は基本的に
は分解し、界面の酸化物皮膜のばらつきにより窒素の透
過能に差が生じ、窒化物の安定性が異なるためであると
考えられる。このような仕上げ焼鈍時のインヒビター量
のばらつきが、二次再結晶を不安定にしていると考えら
れる。
とすることにより磁束密度（Ｂ8 ）のばらつきが低減
し、高磁束密度の製品が安定して製造できることがわか
る。これは、窒素分圧が低い場合には窒化物は基本的に
は分解し、界面の酸化物皮膜のばらつきにより窒素の透
過能に差が生じ、窒化物の安定性が異なるためであると
考えられる。このような仕上げ焼鈍時のインヒビター量
のばらつきが、二次再結晶を不安定にしていると考えら
れる。
【００１１】以下、実施形態を説明する。基本的な製造
法としては、一方向性電磁鋼板としては、例えば特公昭
４０−１５６４４号公報、また二方向性電磁鋼板として
は例えば特公昭６２−４５２８５号公報を適用すればよ
い。Ｓｉは電気抵抗を高め、鉄損を下げる上で重要な元
素である。含有量が４．８％を超えると、冷間圧延時に
材料が割れ易くなり温間圧延を行う必要が生じる。磁気
特性改善効果が急激に薄れてしまう６．８％を上限とす
る。一方、Ｓｉ量を下げると仕上げ焼鈍時にα→γ変態
を生じ、結晶の方向性が損なわれるので、実質的に結晶
の方向性に影響を及ぼさない０．８％を下限とする。
法としては、一方向性電磁鋼板としては、例えば特公昭
４０−１５６４４号公報、また二方向性電磁鋼板として
は例えば特公昭６２−４５２８５号公報を適用すればよ
い。Ｓｉは電気抵抗を高め、鉄損を下げる上で重要な元
素である。含有量が４．８％を超えると、冷間圧延時に
材料が割れ易くなり温間圧延を行う必要が生じる。磁気
特性改善効果が急激に薄れてしまう６．８％を上限とす
る。一方、Ｓｉ量を下げると仕上げ焼鈍時にα→γ変態
を生じ、結晶の方向性が損なわれるので、実質的に結晶
の方向性に影響を及ぼさない０．８％を下限とする。
【００１２】窒化物形成元素として、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒが有効である。これらの元素を
２種または複数複合添加しても有効である。特にＡｌは
Ｎと結合してＡｌＮまたは（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎとしてイン
ヒビターとして機能する有効な元素である。Ｎは製鋼時
に０．０１％以上添加するとブリスターと呼ばれる鋼板
中の空孔を生じるので０．０１％を上限とする。インヒ
ビターとして一次再結晶粒成長を抑制するためには、一
次再結晶後に窒化させ０．０１％以上としておく必要が
ある。インヒビター構成元素として、粒界偏析元素であ
るＳｎ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｐｂ，Ｓ等を補助的に添加
することもできる。
Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒが有効である。これらの元素を
２種または複数複合添加しても有効である。特にＡｌは
Ｎと結合してＡｌＮまたは（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎとしてイン
ヒビターとして機能する有効な元素である。Ｎは製鋼時
に０．０１％以上添加するとブリスターと呼ばれる鋼板
中の空孔を生じるので０．０１％を上限とする。インヒ
ビターとして一次再結晶粒成長を抑制するためには、一
次再結晶後に窒化させ０．０１％以上としておく必要が
ある。インヒビター構成元素として、粒界偏析元素であ
るＳｎ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｐｂ，Ｓ等を補助的に添加
することもできる。
【００１３】上記成分の溶鋼は、通常の工程により熱延
板とされるか、もしくは溶鋼を連続鋳造して薄帯とす
る。前記熱延板または連続鋳造薄帯はただちに、もしく
は短時間焼鈍を経て冷間圧延される。上記焼鈍は７５０
〜１２００℃の温度域で３０秒〜３０分間行われ、この
焼鈍は製品の磁気特性を高めるために有効である。望む
製品の特性レベルとコストを勘案して採否を決めるとよ
い。
板とされるか、もしくは溶鋼を連続鋳造して薄帯とす
る。前記熱延板または連続鋳造薄帯はただちに、もしく
は短時間焼鈍を経て冷間圧延される。上記焼鈍は７５０
〜１２００℃の温度域で３０秒〜３０分間行われ、この
焼鈍は製品の磁気特性を高めるために有効である。望む
製品の特性レベルとコストを勘案して採否を決めるとよ
い。
【００１４】冷間圧延は、一方向性電磁鋼板に対しては
最終冷延圧化率８０％以上、二方向性電磁鋼板に対して
は４０〜８０％及び３０〜７０％のクロス冷延を施せば
よい。冷間圧延後の材料は、鋼中に含まれる炭素除去を
合わせた７５０〜９００℃の温度域での一次再結晶焼鈍
を行う。この一次再結晶焼鈍板にインヒビターとして窒
化物を形成させるために窒化処理を施す。この窒化処理
の方法は特に限定するものではなく、アンモニア等の窒
化能のある雰囲気ガス中で焼鈍する方法、または仕上げ
焼鈍中に行う方法等がある。量的には０．００５％以
上、望ましくは全窒素量として鋼中の窒化物当量以上窒
化すればよい。
最終冷延圧化率８０％以上、二方向性電磁鋼板に対して
は４０〜８０％及び３０〜７０％のクロス冷延を施せば
よい。冷間圧延後の材料は、鋼中に含まれる炭素除去を
合わせた７５０〜９００℃の温度域での一次再結晶焼鈍
を行う。この一次再結晶焼鈍板にインヒビターとして窒
化物を形成させるために窒化処理を施す。この窒化処理
の方法は特に限定するものではなく、アンモニア等の窒
化能のある雰囲気ガス中で焼鈍する方法、または仕上げ
焼鈍中に行う方法等がある。量的には０．００５％以
上、望ましくは全窒素量として鋼中の窒化物当量以上窒
化すればよい。
【００１５】これらの一次再結晶焼鈍板に焼鈍分離剤を
塗布し、仕上げ焼鈍を施す。仕上げ焼鈍において一方向
性電磁鋼板に対しては特開平２−２５８９２９号公報、
また二方向性電磁鋼板に対しては特開平２−１４１５３
１号公報に開示されるように二次再結晶温度を制御する
ことは有効である。この際、インヒビターである窒化物
を雰囲気ガスの窒素分圧により安定化させることが本発
明のポイントである。この雰囲気ガスとしては、窒素単
体もしくは水素及びアルゴン等の不活性ガスの混合ガス
を使用すればよい。この窒素分圧制御は窒化物の変化が
起こる温度域で行えばよい。二次再結晶完了後、窒化物
の純化を行うために１００％水素で１１００℃以上の温
度で焼鈍する。仕上げ焼鈍後、張力コーティング処理を
行い、必要に応じてレーザー照射等の磁区細分化処理を
施せばよい。
塗布し、仕上げ焼鈍を施す。仕上げ焼鈍において一方向
性電磁鋼板に対しては特開平２−２５８９２９号公報、
また二方向性電磁鋼板に対しては特開平２−１４１５３
１号公報に開示されるように二次再結晶温度を制御する
ことは有効である。この際、インヒビターである窒化物
を雰囲気ガスの窒素分圧により安定化させることが本発
明のポイントである。この雰囲気ガスとしては、窒素単
体もしくは水素及びアルゴン等の不活性ガスの混合ガス
を使用すればよい。この窒素分圧制御は窒化物の変化が
起こる温度域で行えばよい。二次再結晶完了後、窒化物
の純化を行うために１００％水素で１１００℃以上の温
度で焼鈍する。仕上げ焼鈍後、張力コーティング処理を
行い、必要に応じてレーザー照射等の磁区細分化処理を
施せばよい。
【００１６】
実施例１ 重量で、Ｓｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１４％、Ｃ：０．
０５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加
熱した後、板厚１．６mmに熱延した。この熱延板を１１
００℃で２分間焼鈍した後最終板厚０．１５mmに冷延し
た。この冷延板を湿潤ガス中で脱炭を兼ね８３０℃で７
０秒焼鈍し一次再結晶させた。その後、アンモニア窒化
により窒素量を０．０１６〜０．０３９％まで高めイン
ヒビターを強化した。
０５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加
熱した後、板厚１．６mmに熱延した。この熱延板を１１
００℃で２分間焼鈍した後最終板厚０．１５mmに冷延し
た。この冷延板を湿潤ガス中で脱炭を兼ね８３０℃で７
０秒焼鈍し一次再結晶させた。その後、アンモニア窒化
により窒素量を０．０１６〜０．０３９％まで高めイン
ヒビターを強化した。
【００１７】この脱炭焼鈍板に焼鈍分離剤を塗布した
後、仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は１０００℃まで
５０℃／hrで昇温し、１０００〜１１００℃まで５℃／
hrで徐加熱し二次再結晶させた。雰囲気ガスはＮ2 ：
１．５気圧である。その後、雰囲気ガスをＨ2 に切り替
え１２００℃で２０時間純化焼鈍を行った。得られた製
品の磁気特性を表１に示す。窒化量０．０１６〜０．０
３９％の広い範囲で磁束密度Ｂ8 は高位安定である。
後、仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は１０００℃まで
５０℃／hrで昇温し、１０００〜１１００℃まで５℃／
hrで徐加熱し二次再結晶させた。雰囲気ガスはＮ2 ：
１．５気圧である。その後、雰囲気ガスをＨ2 に切り替
え１２００℃で２０時間純化焼鈍を行った。得られた製
品の磁気特性を表１に示す。窒化量０．０１６〜０．０
３９％の広い範囲で磁束密度Ｂ8 は高位安定である。
【００１８】
【表１】
【００１９】実施例２ 重量で、Ｓｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１％、Ｃ：０．０
５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０３％、
Ｎ：０．００８％、Ｓｎ：０．０５％の板厚１．８mm珪
素鋼熱延板を酸洗後１．４mmに冷延した。次いで、１１
００℃で２分間焼鈍した後最終板厚０．１４mmに冷延し
た。この冷延板を湿潤雰囲気ガス中で脱炭を兼ね８２０
℃で焼鈍し一次再結晶させた。その後、アンモニア窒化
により窒素量を０．０２５％まで高めインヒビターを強
化した。
５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０３％、
Ｎ：０．００８％、Ｓｎ：０．０５％の板厚１．８mm珪
素鋼熱延板を酸洗後１．４mmに冷延した。次いで、１１
００℃で２分間焼鈍した後最終板厚０．１４mmに冷延し
た。この冷延板を湿潤雰囲気ガス中で脱炭を兼ね８２０
℃で焼鈍し一次再結晶させた。その後、アンモニア窒化
により窒素量を０．０２５％まで高めインヒビターを強
化した。
【００２０】これらの鋼板に焼鈍分離剤を塗布した後、
仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は１０５０℃までは
（１）Ｎ2 ：２気圧及び（２）Ｎ2 ：１５％＋Ｈ2 ：８
５％の雰囲気ガス中で昇温し、１０５０℃で２０時間保
持し二次再結晶させた。その後、雰囲気ガスをＨ2 に切
り替え１２００℃で２０時間焼鈍を行った。これらの試
料を張力コーティング処理を施した後、レーザー照射し
て磁区細分化した。得られた製品の磁気特性を表２に示
す。二次再結晶時の窒素分圧を高めることにより、高磁
束密度低鉄損の製品を製造することができた。
仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は１０５０℃までは
（１）Ｎ2 ：２気圧及び（２）Ｎ2 ：１５％＋Ｈ2 ：８
５％の雰囲気ガス中で昇温し、１０５０℃で２０時間保
持し二次再結晶させた。その後、雰囲気ガスをＨ2 に切
り替え１２００℃で２０時間焼鈍を行った。これらの試
料を張力コーティング処理を施した後、レーザー照射し
て磁区細分化した。得られた製品の磁気特性を表２に示
す。二次再結晶時の窒素分圧を高めることにより、高磁
束密度低鉄損の製品を製造することができた。
【００２１】
【表２】
【００２２】実施例３ 表３に示す板厚２．０mm珪素鋼熱延板を１１２０℃で２
分間焼鈍した後最終板厚０．２３mmに冷延した。この冷
延板を湿潤雰囲気ガス中で８３０℃で焼鈍し一次再結晶
させた。その後、アンモニア窒化により窒素量を０．０
２〜０．０４％まで高めインヒビターを強化した。本試
料に焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍を施した。仕上げ
焼鈍は１２００℃まで１．３気圧の窒素ガス中で１５℃
／hrの昇温速度で昇温し二次再結晶させた。その後、１
気圧の水素ガスに切り替え１２００℃で２０時間純化焼
鈍を行った。得られた製品の磁気特性を表４に示す。窒
化物形成元素であるＴｉ，Ｖを添加することにより二次
再結晶が安定し、磁束密度Ｂ8 が高くなることがわか
る。
分間焼鈍した後最終板厚０．２３mmに冷延した。この冷
延板を湿潤雰囲気ガス中で８３０℃で焼鈍し一次再結晶
させた。その後、アンモニア窒化により窒素量を０．０
２〜０．０４％まで高めインヒビターを強化した。本試
料に焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍を施した。仕上げ
焼鈍は１２００℃まで１．３気圧の窒素ガス中で１５℃
／hrの昇温速度で昇温し二次再結晶させた。その後、１
気圧の水素ガスに切り替え１２００℃で２０時間純化焼
鈍を行った。得られた製品の磁気特性を表４に示す。窒
化物形成元素であるＴｉ，Ｖを添加することにより二次
再結晶が安定し、磁束密度Ｂ8 が高くなることがわか
る。
【００２３】
【表３】
【００２４】
【表４】
【００２５】実施例４ 重量で、Ｓｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１４％、Ｃ：０．
０５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加
熱した後、板厚２．０mmに熱延した。この熱延板を１１
００℃で２分間焼鈍した後、熱延方向に圧下率５０％、
次いで直交方向に圧下率５０％のクロス冷延を施し最終
板厚０．２５mmに冷延した。この冷延板を湿潤ガス中で
脱炭を兼ね８１０℃で９０秒焼鈍し一次再結晶させた。
その後、アンモニア窒化により窒素量を０．０１８％ま
で高めインヒビターを強化した。
０５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加
熱した後、板厚２．０mmに熱延した。この熱延板を１１
００℃で２分間焼鈍した後、熱延方向に圧下率５０％、
次いで直交方向に圧下率５０％のクロス冷延を施し最終
板厚０．２５mmに冷延した。この冷延板を湿潤ガス中で
脱炭を兼ね８１０℃で９０秒焼鈍し一次再結晶させた。
その後、アンモニア窒化により窒素量を０．０１８％ま
で高めインヒビターを強化した。
【００２６】この脱炭焼鈍板に焼鈍分離剤を塗布した
後、仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は１０５０℃まで
昇温し、１０５０℃で２０時間焼鈍し二次再結晶させ
た。雰囲気ガスはＮ2 ：１．５気圧である。その後、雰
囲気ガスをＨ2 に切り替え１２００℃で２０時間純化焼
鈍を行った。得られた製品の磁気特性を表５に示す。二
方向性電磁鋼板においても、本発明法により磁束密度の
高い製品が得られた。
後、仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は１０５０℃まで
昇温し、１０５０℃で２０時間焼鈍し二次再結晶させ
た。雰囲気ガスはＮ2 ：１．５気圧である。その後、雰
囲気ガスをＨ2 に切り替え１２００℃で２０時間純化焼
鈍を行った。得られた製品の磁気特性を表５に示す。二
方向性電磁鋼板においても、本発明法により磁束密度の
高い製品が得られた。
【００２７】
【表５】
【００２８】
【発明の効果】本発明により、仕上げ焼鈍時のインヒビ
ターを安定化させ工業的規模で高磁束密度の方向性電磁
鋼板を安定して製造することができる。
ターを安定化させ工業的規模で高磁束密度の方向性電磁
鋼板を安定して製造することができる。
【図１】仕上げ焼鈍の二次再結晶焼鈍時の窒素分圧と製
品の磁気特性（磁束密度：Ｂ8）の関係を示す図表であ
る。
品の磁気特性（磁束密度：Ｂ8）の関係を示す図表であ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 重量でＳｉ：０．８〜６．８％を含有
し、インヒビターとして窒化物を用いる方向性珪素鋼板
の製造方法において、仕上げ焼鈍における二次再結晶焼
鈍と純化焼鈍の各段階の雰囲気ガスを （１）二次再結晶焼鈍では、窒素分圧を１気圧以上とす
ること （２）純化焼鈍では、１００％水素ガスとすること を特徴とする高磁束密度方向性電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項２】 窒化物形成元素として、Ａｌ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒの１種または２種以上を用
いる請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 一次再結晶焼鈍後に窒化処理を施す請求
項１または２記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6067059A JP2653636B2 (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | 高磁束密度方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6067059A JP2653636B2 (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | 高磁束密度方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278674A JPH07278674A (ja) | 1995-10-24 |
| JP2653636B2 true JP2653636B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=13333898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6067059A Expired - Fee Related JP2653636B2 (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | 高磁束密度方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653636B2 (ja) |
-
1994
- 1994-04-05 JP JP6067059A patent/JP2653636B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07278674A (ja) | 1995-10-24 |
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