JP2612247B2 - Ntcサーミスタの製造法 - Google Patents
Ntcサーミスタの製造法Info
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
ミスタの製造法に関する。
種冷暖房機器、または電子レンジなどの調理器具の温度
検出手段としてNTCサーミスタが用いられている。こ
のような用途に用いられるNTCサーミスタには、薄膜
型、厚膜型またはバルク型などといった構造のものがあ
り、中でもバルク型の酸化物サーミスタが最も一般的に
用いられている。
ような方法で製造されていた。まず、 Mn-Co系、Mn-Co-
Ni系、Mn-Co-Fe系、 Mn-Co-Fe-Al系またはMn-Co-Cu系等
の酸化物を主成分とする次に、平均粒径数μm程度の原
材料に、有機バインダーを加えて所定の形状に成型し、
これを1300〜1500℃で焼成する。次に、得られたサーミ
スタ素体の両端部に外部電極層を形成し、さらにアニー
ル熱処理を施してバルク型酸化物サーミスタを得る。
体を焼成する過程において酸化物サーミスタ素体の結晶
構造に変化が生じることが確認されている。具体的に
は、当初スピネル型結晶の単一相であった材料粉末成形
体が、焼成の過程で立方晶スピネル型結晶と岩塩型結晶
とに相分離してしまう。また、相分離後の各結晶相の比
率は焼成温度と共に変化し、得られる酸化物サーミスタ
の電気的諸特性は各結晶相の比率と共に変化する。すな
わち、酸化物サーミスタの電気的諸特性は焼成条件によ
り大きく左右されるということである。上記製造法によ
ると、製造される酸化物サーミスタは電気的諸特性のバ
ラツキが大きく、所望の電気的特性を有する酸化物サー
ミスタを得ることが困難であった。
技術の問題点を解決し、電気的特性のバラツキが極めて
小さいNTCサーミスタの製造法を提供することを目的
とする。
達成すべく鋭意研究の結果、成型体を結晶相が相分離す
る温度よりも低く、かつ焼結密度が飽和する温度よりも
高い温度で焼成することにより上記目的が達成できるこ
とを見い出し、本発明に到達した。
のサーミスタ材料粉末を準備し、この粉末を所定の形状
に成型した後、結晶相が相分離する温度よりも低く、か
つ焼結密度が飽和する温度よりも高い温度で焼成し、得
られたサーミスタ素体表面に外部電極層を形成すること
を特徴とするNTCサーミスタの製造法を提供するもの
である。
スタ材料粉末を用いているため、材料粉末の活性が高く
比較的低温でも焼結が進行する。また、結晶相が相分離
する温度よりも低く、かつ焼結密度が飽和する温度より
も高い温度で焼成しているため、単一相からなる結晶構
造の酸化物サーミスタ素体を得ることができる。サーミ
スタ素体の結晶相が相分離していないと、製造される酸
化物サーミスタの電気的特性は、焼成時における焼成温
度のバラツキの影響を受けにくい。そのため、本発明に
より製造される酸化物サーミスタの電気的特性のバラツ
キは、著しく低下する。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
例を以下に示す。
407.0g および酸化鉄202.9gに3リットルの蒸留水を加
え、ボールミルにより8時間湿式混合した後これを乾燥
させ、1000℃で2時間仮焼した。仮焼後、得られたサー
ミスタ材料仮焼粉末に再び3リットルの蒸留水を加え、
サンドミルにより2時間湿式粉砕した後これを乾燥させ
た。ここで得られたサーミスタ材料粉末の平均粒径を測
定したところ 0.8μmであった。
バインダー3.0gおよび蒸留水 30gを加え、攪拌機により
混練した後、乾燥し、60メッシュのフルイに通してバイ
ンダー入り造粒粉を得た。得られたバインダー入り造粒
粉は、乾式成型プレス機によって成型し、直径 5mm、厚
さ 1mm、成型密度 3.5g/cm3 のディスク状成型体を得、
これを表1に示す温度で焼成した。焼成後、得られた酸
化物サーミスタ素体の両端部に導体ペーストにより外部
電極を塗布形成し、バルク型の酸化物NTCサーミスタ
を製造した。
タについて電気的諸特性の測定を行った。電気的諸特性
は、表1に示す各項目ごとに無作為に選び出した 100個
のサンプルについて測定し、その結果を表1ならびに図
1に示した。
岩塩構造を表し、特性バラツキにおけるXは 100個のサ
ンプルの平均値を表す。)
施例で製造されたNTCサーミスタは、いずれも焼結密
度が 5.3g/cm3 であり、焼結密度が飽和状態にあった。
また、1190℃以下の温度で焼成したものについては焼結
体の結晶相が立方晶スピネル構造の単一相であった。さ
らに、抵抗値およびB定数の特性バラツキが 1.7%およ
び 0.2%以下であり、共にバラツキが極めて小さかっ
た。
生じる温度(1210℃)で焼成したこと以外は実施例と同
様にしてNTCサーミスタを製造し、実施例と同様の試
験を行なった。なお、試験結果は表1ならびに図1に併
記した。
参考例で製造されたNTCサーミスタは、抵抗値および
B定数の特性バラツキが 3.5%および0.5%とバラツキ
が大きく、また25℃における抵抗値R25が実施例よりも
大幅に増大した。
材料仮焼粉末にサンドミルによる湿式粉砕を施さないこ
と以外は実施例と同様にしてNTCサーミスタを製造
し、実施例と同様の試験を行った。なお、試験結果は表
1ならびに図1に併記した。
比較例で製造されたNTCサーミスタは、焼成温度が上
昇するに伴い焼結密度が大きくなり、いずれも飽和域に
達していなかった。また、抵抗値およびB定数の特性バ
ラツキが 3.2〜 8.5%および1.0 〜 1.8%とバラツキが
大きかった。
発により、製造されるNTCサーミスタにおける電気的
特性のバラツキが極めて小さくなった。
り、サーミスタの電気的特性と焼成温度との関係を示す
グラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】 平均粒径1μm以下のサーミスタ材料粉
末を準備し、この粉末を所定の形状に成型した後、結晶
相が相分離する温度よりも低く、かつ焼結密度が飽和す
る温度よりも高い温度で焼成し、得られたサーミスタ素
体表面に外部電極層を形成することを特徴とするNTC
サーミスタの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3075764A JP2612247B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | Ntcサーミスタの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3075764A JP2612247B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | Ntcサーミスタの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04286301A JPH04286301A (ja) | 1992-10-12 |
JP2612247B2 true JP2612247B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=13585612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3075764A Expired - Lifetime JP2612247B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | Ntcサーミスタの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2612247B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55115301A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-05 | Hitachi Ltd | Thick semiconductor composition |
JPS6396902A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | 松下電器産業株式会社 | サ−ミスタ用酸化物半導体素子の製造方法 |
JPS63315561A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ磁器組成物 |
JPS63315552A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ磁器組成物 |
JPS6412501A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of oxide semiconductor for thermistor |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3075764A patent/JP2612247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04286301A (ja) | 1992-10-12 |
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