JPH02143502A - Ｎｔｃサーミスタの製造方法 - Google Patents
Ｎｔｃサーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH02143502A JPH02143502A JP29791188A JP29791188A JPH02143502A JP H02143502 A JPH02143502 A JP H02143502A JP 29791188 A JP29791188 A JP 29791188A JP 29791188 A JP29791188 A JP 29791188A JP H02143502 A JPH02143502 A JP H02143502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conducted
- electrode
- baking
- ntc thermistor
- atmospheric air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 abstract 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- -1 Aβ or Zr Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N oxoaluminum Chemical compound O1[Al]O[Al]1 WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＮ Ｔ Ｃ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタに係
り、特に高温使用下の抵抗変化率が小さいＮＴＣサーミ
スタの製造方法に関するものである。
ａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタに係
り、特に高温使用下の抵抗変化率が小さいＮＴＣサーミ
スタの製造方法に関するものである。
ＮＴＣサーミスタは温度上昇にともなってその抵抗値が
減少するため、例えば感温素子等に使用されている。
減少するため、例えば感温素子等に使用されている。
一般にＮＴＣサーミスタ組成物に、例えばＡｇなどの貴
金属電極を形成し、酸化性雰囲気で焼付けを行ってＮＴ
Ｃサーミスタ素子を製造している。
金属電極を形成し、酸化性雰囲気で焼付けを行ってＮＴ
Ｃサーミスタ素子を製造している。
ところで、前記のような、ＮＴＣサーミスタ組成物にＡ
ｇなどの貴金属電極を形成して酸化性雰囲気中で焼付け
を行うと、得られたＮＴＣサーミスタ素子は１２０℃以
上の高温使用下における抵抗変化率が大きいという問題
があった。
ｇなどの貴金属電極を形成して酸化性雰囲気中で焼付け
を行うと、得られたＮＴＣサーミスタ素子は１２０℃以
上の高温使用下における抵抗変化率が大きいという問題
があった。
特にＣｕＯを含有したＮＴＣサーミスタ組成物はこの抵
抗変化率が非常に大きく、８０℃以上での使用は不可能
であった。
抗変化率が非常に大きく、８０℃以上での使用は不可能
であった。
従って本発明の目的は前記の問題点を解決した、高温の
使用下における抵抗変化率の小さなＮＴＣサーミスタを
提供することである。
使用下における抵抗変化率の小さなＮＴＣサーミスタを
提供することである。
〔課題を解決するための手段及びその作用〕このために
本発明者等は鋭意研究の結果、Ｍｎ、Ｎｉ、、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｃｕ、Ｃｒといった遷移金属酸化物あるいはこれら
にＡβ、Ｚｒなどの金属酸化物を加えたものを主成分と
するＮＴＣサーミスタ組成物に卑金属電極を形成し、還
元または中性雰囲気で焼付けを行ってＮＴＣサーミスタ
を製造することにより、前記目的を達成したＮＴＣサー
ミスタを提供できることを見出した。
本発明者等は鋭意研究の結果、Ｍｎ、Ｎｉ、、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｃｕ、Ｃｒといった遷移金属酸化物あるいはこれら
にＡβ、Ｚｒなどの金属酸化物を加えたものを主成分と
するＮＴＣサーミスタ組成物に卑金属電極を形成し、還
元または中性雰囲気で焼付けを行ってＮＴＣサーミスタ
を製造することにより、前記目的を達成したＮＴＣサー
ミスタを提供できることを見出した。
これにより１２０℃においても抵抗変化率が１％以下と
非常に低いものを得る。しかもＣｕＯを含有するＮＴＣ
サーミスタについても１２０℃における抵抗変化率を同
様に非常に低いものとすることができる。
非常に低いものを得る。しかもＣｕＯを含有するＮＴＣ
サーミスタについても１２０℃における抵抗変化率を同
様に非常に低いものとすることができる。
本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
出発材料としてＭ ｎ ＣＯ３、Ｎｉ０１ＣＯ２０３、
ＣｕＯ，Ｆｅａ○３、Ｃｒ０１ｚｒ０２、Ａｌ２Ｏ２の
ように焼成後に各金属の酸化物になるものを、その焼成
後に第１表の組成比になるように化学天秤で選択的に秤
量配合し、メディアとともにボットミル中に入れて純水
を加えて１６時時間式混合する。その後脱水、乾燥し、
乳鉢、乳棒で粉体にする。
ＣｕＯ，Ｆｅａ○３、Ｃｒ０１ｚｒ０２、Ａｌ２Ｏ２の
ように焼成後に各金属の酸化物になるものを、その焼成
後に第１表の組成比になるように化学天秤で選択的に秤
量配合し、メディアとともにボットミル中に入れて純水
を加えて１６時時間式混合する。その後脱水、乾燥し、
乳鉢、乳棒で粉体にする。
それからＡＡ２０３厘鉢にこの原料を入れて８００℃〜
１０００℃で２時間仮焼する。次いでこれを粉砕し、ボ
ールミルで微粉砕後、脱水、乾燥し、この材料にバイン
ダーとしてポリビニールアルコール（ＰＶＡ）を加え、
乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径１６ｍ、厚さ２．
５鰭の円板状に加圧成型する。この加圧成型に際し２
” ／ ａｍ ２の圧力を加える。
１０００℃で２時間仮焼する。次いでこれを粉砕し、ボ
ールミルで微粉砕後、脱水、乾燥し、この材料にバイン
ダーとしてポリビニールアルコール（ＰＶＡ）を加え、
乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径１６ｍ、厚さ２．
５鰭の円板状に加圧成型する。この加圧成型に際し２
” ／ ａｍ ２の圧力を加える。
そして大気中で６００℃で２時間加熱してバインダーを
除脱した後に、大気中で１０００℃〜１４００℃の範囲
で２時間本焼成する。
除脱した後に、大気中で１０００℃〜１４００℃の範囲
で２時間本焼成する。
このようにして得られた試料に、第１表に示す如く、Ａ
ｇまたはＣｕ、ｐＪｉのペーストをスクリーン印刷で塗
布して電極を形成し、Ａｇについては大気中で、Ｃｕ及
びＮｉについてはＮ２雰囲気中で、５００℃以上で１０
分間以上電極焼付けを行った。
ｇまたはＣｕ、ｐＪｉのペーストをスクリーン印刷で塗
布して電極を形成し、Ａｇについては大気中で、Ｃｕ及
びＮｉについてはＮ２雰囲気中で、５００℃以上で１０
分間以上電極焼付けを行った。
このようにして得られた、ＮＴＣサーミスタの各試料を
直流四端子法を用いて、ヒユーレット・バッカー社製の
ＨＰ ３４５６Ａという番号の測定器を使用して抵抗
値を測定した結果、第１表に示す通りのものが得られた
。
直流四端子法を用いて、ヒユーレット・バッカー社製の
ＨＰ ３４５６Ａという番号の測定器を使用して抵抗
値を測定した結果、第１表に示す通りのものが得られた
。
以下余白
なお、この第１表に示す如く、各試料をそれぞれ１２５
℃で１００時間、５００時間、１０００時間の高温保管
試験後に抵抗値を測定して２５℃での抵抗値との抵抗変
化率（％）も測定した結果、第１表の通りのものが得ら
れた。
℃で１００時間、５００時間、１０００時間の高温保管
試験後に抵抗値を測定して２５℃での抵抗値との抵抗変
化率（％）も測定した結果、第１表の通りのものが得ら
れた。
また２５℃での比抵抗換算は、２５℃での抵抗値をＲ２
５としたとき次式で算出する。
５としたとき次式で算出する。
Ｒ２５” ’ Ｒ２Ｓ （Ω・ＣＩＩりρ
ｚｓ：２５℃での比抵抗（Ω・ｃｍ）Ｓ：電極面積（ｃ
ｍ２） ｔ：素子の厚み（ｃａｎ） Ｂ定数は、２５℃及び８５℃の抵抗値をそれぞれＲ２Ｓ
、Ｒ８Ｓとするとき、次式により換算算出する。
ｚｓ：２５℃での比抵抗（Ω・ｃｍ）Ｓ：電極面積（ｃ
ｍ２） ｔ：素子の厚み（ｃａｎ） Ｂ定数は、２５℃及び８５℃の抵抗値をそれぞれＲ２Ｓ
、Ｒ８Ｓとするとき、次式により換算算出する。
第１表において○印が本発明によるものであり、Ｘ印は
本発明によらないものである。
本発明によらないものである。
この第１表により明らかな如く、試料Ｎｏ、ｌ、２．７
．８．１３．１４．１９．２０．２５．２８．３１．３
４に示すように、本発明によらないものは、１２５℃に
おいて１０００時間保持後の抵抗変化率がいずれも１％
を大きくあるいは相当越えているが、本発明によるもの
は１％以下と小さいものであることがわかる。
．８．１３．１４．１９．２０．２５．２８．３１．３
４に示すように、本発明によらないものは、１２５℃に
おいて１０００時間保持後の抵抗変化率がいずれも１％
を大きくあるいは相当越えているが、本発明によるもの
は１％以下と小さいものであることがわかる。
しかも試料Ｎｏ、９〜１２．２１〜２４に示す如く、比
抵抗の低いＣｕの酸化物を含有する場合でも１０００時
間保管後の抵抗変化率が１％以下となり１２０℃以上で
の使用が十分可能である。
抵抗の低いＣｕの酸化物を含有する場合でも１０００時
間保管後の抵抗変化率が１％以下となり１２０℃以上で
の使用が十分可能である。
勿論、本発明のＮＴＣサーミスタ素子の製造に際しては
、Ｍｎ、Ｎｉ５Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒといった遷移金
属酸化物あるいはこれらに八！、Ｚｒなどの金属酸化物
のうち、必要な特性を満たすように２〜４成分を主成分
となるように選択配合されるものであり、仮焼、粉砕、
本焼成して得られた粉末を加圧成型して卑金属電極を形
成し、５００°Ｃ以上の還元性または中性雰囲気中で焼
付けるものである。
、Ｍｎ、Ｎｉ５Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒといった遷移金
属酸化物あるいはこれらに八！、Ｚｒなどの金属酸化物
のうち、必要な特性を満たすように２〜４成分を主成分
となるように選択配合されるものであり、仮焼、粉砕、
本焼成して得られた粉末を加圧成型して卑金属電極を形
成し、５００°Ｃ以上の還元性または中性雰囲気中で焼
付けるものである。
第１表のデータは、これらの一部を示すものにすぎない
。
。
本発明によれば１２０℃以上の高温下で使用しても、そ
の抵抗変化率の非常に小さいＮＴＣサーミスタ素子を提
供することができる。
の抵抗変化率の非常に小さいＮＴＣサーミスタ素子を提
供することができる。
しかもこのような高温で使用可能な、ＣｕＯを含有する
ＮＴＣサーミスタ素子を提供することができる。
ＮＴＣサーミスタ素子を提供することができる。
また卑金属電極を使用するので、貴金属電極のものに比
して安価なＮＴＣサーミスタ素子を提供することができ
る。
して安価なＮＴＣサーミスタ素子を提供することができ
る。
Claims (1)
- （１）Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒといった遷
移金属酸化物あるいはこれらにＡｌ、Ｚｒなどの金属酸
化物を加えたものを主成分とするＮＴＣサーミスタ組成
物に卑金属電極を形成し、還元または中性雰囲気で焼付
けを行うことを特徴とするＮＴＣサーミスタの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297911A JP2841395B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297911A JP2841395B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143502A true JPH02143502A (ja) | 1990-06-01 |
| JP2841395B2 JP2841395B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17852688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297911A Expired - Fee Related JP2841395B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841395B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582310A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| JPH0582308A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| US5497139A (en) * | 1994-09-23 | 1996-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature sensor and its manufacturing method |
| WO1998058392A1 (en) * | 1997-06-17 | 1998-12-23 | Thermometrics, Inc. | Growth of nickel-iron-manganese-chromium oxide single crystals |
| US5936513A (en) * | 1996-08-23 | 1999-08-10 | Thermometrics, Inc. | Nickel-iron-manganese oxide single crystals |
| US6076965A (en) * | 1996-06-17 | 2000-06-20 | Therometrics, Inc. | Monocrystal of nickel-cobalt-manganese oxide having a cubic spinel structure, method of growth and sensor formed therefrom |
| US6099164A (en) * | 1995-06-07 | 2000-08-08 | Thermometrics, Inc. | Sensors incorporating nickel-manganese oxide single crystals |
| CN115073140A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-09-20 | 盐城工学院 | 一种含铜系负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319043B (zh) * | 2014-10-10 | 2017-05-03 | 广州新莱福磁电有限公司 | 一种负温度系数热敏电阻芯片电极的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57111004A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Tdk Electronics Co Ltd | Voltage non-linear resistance element and method of producing same |
| JPS63119503A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | 株式会社村田製作所 | サ−ミスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63297911A patent/JP2841395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57111004A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Tdk Electronics Co Ltd | Voltage non-linear resistance element and method of producing same |
| JPS63119503A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | 株式会社村田製作所 | サ−ミスタの製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582310A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| JPH0582308A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| US5497139A (en) * | 1994-09-23 | 1996-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature sensor and its manufacturing method |
| EP0703438A1 (en) * | 1994-09-23 | 1996-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A temperature sensor and its manufacturing method |
| US6099164A (en) * | 1995-06-07 | 2000-08-08 | Thermometrics, Inc. | Sensors incorporating nickel-manganese oxide single crystals |
| US6076965A (en) * | 1996-06-17 | 2000-06-20 | Therometrics, Inc. | Monocrystal of nickel-cobalt-manganese oxide having a cubic spinel structure, method of growth and sensor formed therefrom |
| US6125529A (en) * | 1996-06-17 | 2000-10-03 | Thermometrics, Inc. | Method of making wafer based sensors and wafer chip sensors |
| US5936513A (en) * | 1996-08-23 | 1999-08-10 | Thermometrics, Inc. | Nickel-iron-manganese oxide single crystals |
| WO1998058392A1 (en) * | 1997-06-17 | 1998-12-23 | Thermometrics, Inc. | Growth of nickel-iron-manganese-chromium oxide single crystals |
| US6027246A (en) * | 1997-06-17 | 2000-02-22 | Thermometrics, Inc. | Monocrystal of nickel-cobalt-manganese-copper oxide having cubic spinel structure and thermistor formed therefrom |
| CN115073140A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-09-20 | 盐城工学院 | 一种含铜系负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2841395B2 (ja) | 1998-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02143502A (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JP3201477B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH08162302A (ja) | サーミスタとその製造方法 | |
| JPH01290549A (ja) | サーミスタ用酸化物半導体組成物 | |
| CN115894026B (zh) | 一种低电阻率高b值的ntc热敏电阻材料及制备方法 | |
| JPS6057205B2 (ja) | 非直線高抵抗を有するセラミツク電気材料およびその製造方法 | |
| JPS63315554A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS6143841B2 (ja) | ||
| JP3559911B2 (ja) | サーミスタ | |
| JPH04701A (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JP4850330B2 (ja) | サーミスタ組成物およびその製造方法、サーミスタ素子 | |
| JP2948933B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS6236361B2 (ja) | ||
| KR970007509B1 (ko) | 부온도계수 써미스터 | |
| JP2578804B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JP2578805B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH0766007A (ja) | 高温用サーミスタ | |
| JP2948934B2 (ja) | サ−ミスタ用組成物 | |
| JPS63315555A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| US6270693B1 (en) | Thermistor composition | |
| JPH03271154A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS63315562A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS6211202A (ja) | サ−ミスタ用組成物 | |
| JPH0259462A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS63315561A (ja) | サーミスタ磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |