JPS6396902A - サ−ミスタ用酸化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体素子の製造方法Info
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- JPS6396902A JPS6396902A JP24341186A JP24341186A JPS6396902A JP S6396902 A JPS6396902 A JP S6396902A JP 24341186 A JP24341186 A JP 24341186A JP 24341186 A JP24341186 A JP 24341186A JP S6396902 A JPS6396902 A JP S6396902A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、0℃〜150’(:の範囲で温度センサーお
よび突入電流防止用として利用できるところの負の抵抗
温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体素子の製造
方法に関するものである。
よび突入電流防止用として利用できるところの負の抵抗
温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体素子の製造
方法に関するものである。
従来の技術
従来、上記サーミスタ用酸化物半導体をディスク状素子
として製造する場合、銅の還元を防止するために空気中
10oO℃〜115o℃の温度で焼結させた焼結性の甘
い焼結体の両面に、ガラスフリット成分中にBi2O5
を含んだ銀電極材料を用いて電極を設けるという製造方
法であった。
として製造する場合、銅の還元を防止するために空気中
10oO℃〜115o℃の温度で焼結させた焼結性の甘
い焼結体の両面に、ガラスフリット成分中にBi2O5
を含んだ銀電極材料を用いて電極を設けるという製造方
法であった。
発明が解決しようとする問題点
どのような従来の構成では、上記サーミスタ用酸化物半
導体素子を高湿度雰囲気中で長時間使用した場合、抵抗
値経時変化率が大きく信頼性が低いという問題があった
。
導体素子を高湿度雰囲気中で長時間使用した場合、抵抗
値経時変化率が大きく信頼性が低いという問題があった
。
本発明はこのような問題点を解決するもので、上記サー
ミスタ用酸化物半導体素子を高湿度雰囲気中で長時間使
用するにア走り、抵抗値経時変化率をきわめで小さくす
ることを目的とするものである。
ミスタ用酸化物半導体素子を高湿度雰囲気中で長時間使
用するにア走り、抵抗値経時変化率をきわめで小さくす
ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、金属元素として
マンガン、コバルト、ニッケル、銅の4種を合計100
原子チ含有し、1000℃〜1150℃の温度で焼結さ
せた焼結性の甘い焼結体を用いたサーミスタ用酸化物半
導体素子を得るために、ガラスフリット成分中にBi2
O3を含まない銀電極材料を用いることを特徴とする製
造方法としたものである。
マンガン、コバルト、ニッケル、銅の4種を合計100
原子チ含有し、1000℃〜1150℃の温度で焼結さ
せた焼結性の甘い焼結体を用いたサーミスタ用酸化物半
導体素子を得るために、ガラスフリット成分中にBi2
O3を含まない銀電極材料を用いることを特徴とする製
造方法としたものである。
作用
この構成により、上記サーミスタ用酸化物半導体素子は
高湿度雰囲気中での長時間使用に対し、抵抗値経時変化
率がきわめて小さくなるものである0 実施例 以下、本発明の実施例について説明する。市販の原料M
n005.C;o50.、NiO,CuOをMn :
Co :Ni:Cu=−42: 44 : 9 : t
s (原子%)の組成となるように配合した。これをボ
ールミルで混合後乾燥させ、760℃で仮焼した。これ
を再びボールミルで粉砕し、得られたスラリーの乾燥後
、ポリビニールアルコールをバインダーとして添加混合
し、所要景採ってディスク状に加圧成形し、これを空気
中1100℃で2時間焼成し念。こうして得られたディ
スク状焼結体の両面に、ガラスフリット成分中にBi2
O,を含んだ銀電極材料を焼付けて、オーミック接触を
得た。この素子の断面を鏡面研磨し金属顕微鏡で観察し
たところ、電極面直下に約1ooμm程度の多孔質層が
確認された。そこで、このディスク状焼結体の両面にガ
ラスフリット成分中にBi2O3を含まない銀電極材料
を焼付け、断面を金属顕微鏡で観察し友ところ、上記多
孔質層は確認されなかった。
高湿度雰囲気中での長時間使用に対し、抵抗値経時変化
率がきわめて小さくなるものである0 実施例 以下、本発明の実施例について説明する。市販の原料M
n005.C;o50.、NiO,CuOをMn :
Co :Ni:Cu=−42: 44 : 9 : t
s (原子%)の組成となるように配合した。これをボ
ールミルで混合後乾燥させ、760℃で仮焼した。これ
を再びボールミルで粉砕し、得られたスラリーの乾燥後
、ポリビニールアルコールをバインダーとして添加混合
し、所要景採ってディスク状に加圧成形し、これを空気
中1100℃で2時間焼成し念。こうして得られたディ
スク状焼結体の両面に、ガラスフリット成分中にBi2
O,を含んだ銀電極材料を焼付けて、オーミック接触を
得た。この素子の断面を鏡面研磨し金属顕微鏡で観察し
たところ、電極面直下に約1ooμm程度の多孔質層が
確認された。そこで、このディスク状焼結体の両面にガ
ラスフリット成分中にBi2O3を含まない銀電極材料
を焼付け、断面を金属顕微鏡で観察し友ところ、上記多
孔質層は確認されなかった。
このように2種類の銀電極材料を用いて製造し次サーミ
スタ用酸化物半導体素子の60”C90〜95%湿度中
放置における抵抗値経時変化率を図面に示す。これから
明らかなように、本発明の製造方法により作製した試料
の抵抗値経時変化率aは、従来のガラスフリット成分中
にBi2O5を含む銀電極材料を用いて作製した試料の
抵抗値経時変化率すと比較し、高湿度雰囲気中で安定性
に優れていることがわかる。
スタ用酸化物半導体素子の60”C90〜95%湿度中
放置における抵抗値経時変化率を図面に示す。これから
明らかなように、本発明の製造方法により作製した試料
の抵抗値経時変化率aは、従来のガラスフリット成分中
にBi2O5を含む銀電極材料を用いて作製した試料の
抵抗値経時変化率すと比較し、高湿度雰囲気中で安定性
に優れていることがわかる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、上記サーミスタ用酸化物
半導体素子を製造する場合、銀電極材料としてガラスフ
リット成分中にBi2O5を含まないものを用いること
により、高湿度雰囲気中での抵抗値経時変化率をきわめ
て小さくできるという効果が得られた。これにより、信
頼性に優れた上記サーミスタ用酸化物半導体素子を提供
できるものである。
半導体素子を製造する場合、銀電極材料としてガラスフ
リット成分中にBi2O5を含まないものを用いること
により、高湿度雰囲気中での抵抗値経時変化率をきわめ
て小さくできるという効果が得られた。これにより、信
頼性に優れた上記サーミスタ用酸化物半導体素子を提供
できるものである。
図は本発明の製造方法を用いて得られたディスク状サー
ミスタ用酸化物半導体素子の60℃90〜95チ湿度中
における抵抗値経時変化率を示すグラフであるO a・・・・・・本発明の方法による抵抗値変化率、b・
・・・・・従来の方法による抵抗値変化率0代理人の氏
名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名a−本発明の方
5五による 抵抗値変化率 b−4更釆の方法による イ1!cmイ直*(tJ 放!時Fl111(赴〕
ミスタ用酸化物半導体素子の60℃90〜95チ湿度中
における抵抗値経時変化率を示すグラフであるO a・・・・・・本発明の方法による抵抗値変化率、b・
・・・・・従来の方法による抵抗値変化率0代理人の氏
名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名a−本発明の方
5五による 抵抗値変化率 b−4更釆の方法による イ1!cmイ直*(tJ 放!時Fl111(赴〕
Claims (1)
- 金属元素としてマンガン、コバルト、ニッケル、銅の4
種を合計100原子%含有し、1000℃〜1150℃
の温度で焼結させた焼結体を用意し、この焼結体にガラ
スフリット成分中にBi_2O_3を含まない銀電極材
料を形成することを特徴とするサーミスタ用酸化物半導
体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24341186A JPS6396902A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | サ−ミスタ用酸化物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24341186A JPS6396902A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | サ−ミスタ用酸化物半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6396902A true JPS6396902A (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=17103462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24341186A Pending JPS6396902A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | サ−ミスタ用酸化物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6396902A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03165005A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形サーミスタ |
JPH04286301A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ntcサーミスタの製造法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5030083A (ja) * | 1973-07-21 | 1975-03-26 | ||
JPS5633801A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Nippon Telegraph & Telephone | High frequency thermistor porcelain and method of manufacturing same |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP24341186A patent/JPS6396902A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5030083A (ja) * | 1973-07-21 | 1975-03-26 | ||
JPS5633801A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Nippon Telegraph & Telephone | High frequency thermistor porcelain and method of manufacturing same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03165005A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形サーミスタ |
JPH04286301A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ntcサーミスタの製造法 |
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