JP2585861B2 - 光メモリ素子用フォトマスクの製造方法 - Google Patents
光メモリ素子用フォトマスクの製造方法Info
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 この発明は、光メモリ素子用のフォトマスクの製造方
法に関する。
法に関する。
（ロ） 従来の技術 近年、光メモリ素子は高密度大容量メモリ素子として
年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子は、
その使用形態により読出し専用メモリ、追加記録可能な
メモリ、及び書き替え可能メモリの３種類に分類でき
る。この中で、追加記録可能なメモリ及び書き替え可能
メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の記録、再
生、消去を行なう光ビームを光メモリ素子の所定の位置
に案内するために、通常、基板にガイドトラックとその
トラックが何番目のトラックかを識別するためのフォー
マット用ピットを備えている。フォーマット用ピットに
はまた、同一トラックを複数個のセクタに分けて使用す
る場合、セクタ番地等の情報もあらかじめ記録される場
合が多い。
年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子は、
その使用形態により読出し専用メモリ、追加記録可能な
メモリ、及び書き替え可能メモリの３種類に分類でき
る。この中で、追加記録可能なメモリ及び書き替え可能
メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の記録、再
生、消去を行なう光ビームを光メモリ素子の所定の位置
に案内するために、通常、基板にガイドトラックとその
トラックが何番目のトラックかを識別するためのフォー
マット用ピットを備えている。フォーマット用ピットに
はまた、同一トラックを複数個のセクタに分けて使用す
る場合、セクタ番地等の情報もあらかじめ記録される場
合が多い。
具体的には第４図に示すように、光メモリのガイドト
ラック11bとフォーマット用ピッチ11aの深さが異なり、
かつ、ガイドトラック11bの間にフォーマット用ピット1
1aを設けた構造になっている。ここで、読出し時、光差
動方式によって光ビームをトラッキングする場合、使用
する光の波長をλ、基板の屈折率をｎとして、ガイドト
ラックの深さをλ/8n近辺、フォーマット用ピットの深
さをλ/4n近辺にすることが好ましいことが知られてい
る。
ラック11bとフォーマット用ピッチ11aの深さが異なり、
かつ、ガイドトラック11bの間にフォーマット用ピット1
1aを設けた構造になっている。ここで、読出し時、光差
動方式によって光ビームをトラッキングする場合、使用
する光の波長をλ、基板の屈折率をｎとして、ガイドト
ラックの深さをλ/8n近辺、フォーマット用ピットの深
さをλ/4n近辺にすることが好ましいことが知られてい
る。
このようなガイドトラックやフォーマット用ピットを
ガラス基板上に、密着露光法とドライエッチング法で形
成する製造方法の一つに、下に示す工程でなる技術が知
られている（例えば特開昭62-241149号公報参照）。以
下、第３図を用いてその技術の概要を説明する。
ガラス基板上に、密着露光法とドライエッチング法で形
成する製造方法の一つに、下に示す工程でなる技術が知
られている（例えば特開昭62-241149号公報参照）。以
下、第３図を用いてその技術の概要を説明する。
（ａ） 第一工程（第３図（ａ））：フォトマスク基板
１の上に、透過光量が膜厚に依存する、例えばCr（クロ
ム）,Ti（チタン）,Ta（タンタル）等の薄膜２を形成す
る。
１の上に、透過光量が膜厚に依存する、例えばCr（クロ
ム）,Ti（チタン）,Ta（タンタル）等の薄膜２を形成す
る。
（ｂ） 第二工程（第３図（ｂ））：薄膜２の上にポジ
型のフォトレジスト膜３を形成して、プリベークを行な
う。
型のフォトレジスト膜３を形成して、プリベークを行な
う。
（ｃ） 第三工程（第３図（ｃ））：アルゴンレーザ等
の２本のレーザ光をそれぞれ集光し、フォトマスク基板
１を回転させながらレーザ光を移動して、フォトレジス
ト膜３をスパイラル状に露光する。ここでレーザ光４は
フォーマット用ピット部の露光用であり、十分強い光を
断続照射する。一方、レーザ光５はガイドトラック部の
露光用であり、レーザ光４より弱い光を連続照射する。
の２本のレーザ光をそれぞれ集光し、フォトマスク基板
１を回転させながらレーザ光を移動して、フォトレジス
ト膜３をスパイラル状に露光する。ここでレーザ光４は
フォーマット用ピット部の露光用であり、十分強い光を
断続照射する。一方、レーザ光５はガイドトラック部の
露光用であり、レーザ光４より弱い光を連続照射する。
（ｄ） 第四工程（第３（ｄ））：露光後、現像しポス
トベークを行う。このとき、フォーマット用ピット部1a
に露光量が多く、フォトレジスト膜３は除去され、薄膜
２が露出する。一方、弱い光で露光されたガイドトラッ
ク部1bのフォトレジスト膜３の除去は、薄膜２が露出す
る迄には至らない。
トベークを行う。このとき、フォーマット用ピット部1a
に露光量が多く、フォトレジスト膜３は除去され、薄膜
２が露出する。一方、弱い光で露光されたガイドトラッ
ク部1bのフォトレジスト膜３の除去は、薄膜２が露出す
る迄には至らない。
（ｅ） 第五工程（第３図（ｅ））：ドライエッチング
法で薄膜２をエッチングする。ここで、フォトレジスト
３も同時にエッチングされる。薄膜２が現像後露出して
いた部分1aではエッチング開始時から薄膜２がエッチン
グされ始め、この部分の薄膜２がすべて除去され基板１
が露出した時点でエッチングを終了する。一方フォトレ
ジスト３が残っていた部分1bでは、まずフォトレジスト
３がエッチングされ、引き続いて、薄膜２がエッチング
される。したがって、エッチング終了時には、この部分
の薄膜２は所定の膜厚を有している。
法で薄膜２をエッチングする。ここで、フォトレジスト
３も同時にエッチングされる。薄膜２が現像後露出して
いた部分1aではエッチング開始時から薄膜２がエッチン
グされ始め、この部分の薄膜２がすべて除去され基板１
が露出した時点でエッチングを終了する。一方フォトレ
ジスト３が残っていた部分1bでは、まずフォトレジスト
３がエッチングされ、引き続いて、薄膜２がエッチング
される。したがって、エッチング終了時には、この部分
の薄膜２は所定の膜厚を有している。
（ｆ） 第六工程（第３図（ｆ））：最後に残ったフォ
トレジスト３を除去することにより、フォーマット用ピ
ット部1aでは透過光量が多く、ガイドトラック部1bでは
透過光量の少ないフォトマスクが得られる。
トレジスト３を除去することにより、フォーマット用ピ
ット部1aでは透過光量が多く、ガイドトラック部1bでは
透過光量の少ないフォトマスクが得られる。
このようにして製造されたフォトマスクを用いて、密
着露光法により、ガラス基板上に塗布されたフォトレジ
ストにフォーマット用ピットとガイドトラックで深さの
異なるフォトレジストパターンを形成し、ドライエッチ
ングを行うことにより、ガラス基板上にフォーマット用
ピット部とガイドトラックで深さの異なる溝を形成する
ことができる。
着露光法により、ガラス基板上に塗布されたフォトレジ
ストにフォーマット用ピットとガイドトラックで深さの
異なるフォトレジストパターンを形成し、ドライエッチ
ングを行うことにより、ガラス基板上にフォーマット用
ピット部とガイドトラックで深さの異なる溝を形成する
ことができる。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 ここで、フォトマスクのガイドトラック部1bに残って
いる薄膜２の膜厚が均一になるようにコントロールする
ことが重要となる。なぜなら、薄膜として例えばTaを使
用した場合、Ta膜が残っていない場合の透過光量を1.00
とすると、Ta膜が50Å残っている場合の透過光量は0.6
5、75Å残っている場合の透過光量は0.52となる。つま
り、25ÅのTaの膜厚差で13％の透過光量変動が発生し、
密着露光法で形成されるフォトレジストパターンにも同
様な変動が転写されてしまうからである。
いる薄膜２の膜厚が均一になるようにコントロールする
ことが重要となる。なぜなら、薄膜として例えばTaを使
用した場合、Ta膜が残っていない場合の透過光量を1.00
とすると、Ta膜が50Å残っている場合の透過光量は0.6
5、75Å残っている場合の透過光量は0.52となる。つま
り、25ÅのTaの膜厚差で13％の透過光量変動が発生し、
密着露光法で形成されるフォトレジストパターンにも同
様な変動が転写されてしまうからである。
しかしながら、このような従来の製造方法でフォトマ
スクを製作すると、このガイドトラック部の薄膜２の膜
厚は、まず、露光時のレーザーパワー、ついで、現像工
程において、除去されなかったフォトレジスト３の膜厚
（これは現像条件等によって決まる）それに、エッチン
グ工程でのフォトレジスト３と薄膜２のエッチングの速
度差、の３要素で決定されるので、ガイドトラック部の
薄膜２の膜厚を均一にしかも再現性よく形成するのが難
しいという問題点があった。
スクを製作すると、このガイドトラック部の薄膜２の膜
厚は、まず、露光時のレーザーパワー、ついで、現像工
程において、除去されなかったフォトレジスト３の膜厚
（これは現像条件等によって決まる）それに、エッチン
グ工程でのフォトレジスト３と薄膜２のエッチングの速
度差、の３要素で決定されるので、ガイドトラック部の
薄膜２の膜厚を均一にしかも再現性よく形成するのが難
しいという問題点があった。
この発明はこのような事情を考慮してなされたもの
で、従来の製造方法に新たに１つのエッチング工程と１
つのフォトレジスト除去工程を導入することにより、ガ
イドトラック部の薄膜の膜厚が薄膜のエッチング工程だ
けで決定される、均一で再現性のよい、光メモリ素子用
のフォトマスクの製造方法を提供するものである。
で、従来の製造方法に新たに１つのエッチング工程と１
つのフォトレジスト除去工程を導入することにより、ガ
イドトラック部の薄膜の膜厚が薄膜のエッチング工程だ
けで決定される、均一で再現性のよい、光メモリ素子用
のフォトマスクの製造方法を提供するものである。
（ニ） 問題点を解決するための手段 この発明は、ガイドトラック部とフォーマット用ピッ
ト部とで透過光量が異なる２種類のパターンを有する、
光メモリ素子用フォトマスクの製造方法において、 （ａ） 透過光量が膜厚に依存する薄膜を透明基板上に
形成し、 （ｂ） この薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、 （ｃ） このフォトレジスト膜を、ガイドトラック部と
フォーマット用ピット部の位置に対応して強度の異なる
光で露光し、 （ｄ） これを現像することにより、強い光で露光され
た部分のフォトレジスト膜を前記薄膜が露出するまで除
去し、 （ｅ） 強い光で露光され露出した部分の前記薄膜をエ
ッチングし、 （ｆ） 弱い光で露光された部分の前記薄膜が露出する
までフォトレジストを除去し、 （ｇ） 強い光で露光され露出した部分の前記薄膜が除
去されて透明基板が露出するまでまでエッチングし、 （ｈ） 残ったフォトレジストを除去する、 工程でなる光メモリ素子用フォトマスクの製造方法であ
る。
ト部とで透過光量が異なる２種類のパターンを有する、
光メモリ素子用フォトマスクの製造方法において、 （ａ） 透過光量が膜厚に依存する薄膜を透明基板上に
形成し、 （ｂ） この薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、 （ｃ） このフォトレジスト膜を、ガイドトラック部と
フォーマット用ピット部の位置に対応して強度の異なる
光で露光し、 （ｄ） これを現像することにより、強い光で露光され
た部分のフォトレジスト膜を前記薄膜が露出するまで除
去し、 （ｅ） 強い光で露光され露出した部分の前記薄膜をエ
ッチングし、 （ｆ） 弱い光で露光された部分の前記薄膜が露出する
までフォトレジストを除去し、 （ｇ） 強い光で露光され露出した部分の前記薄膜が除
去されて透明基板が露出するまでまでエッチングし、 （ｈ） 残ったフォトレジストを除去する、 工程でなる光メモリ素子用フォトマスクの製造方法であ
る。
なお、透過光量が膜厚に依存する素材としてはCr（ク
ロム）,Ti（チタン）,Ta（タンタル）等が適している。
この薄膜の膜厚は300Å〜1000Åが適しており、また、
フォトレジストの膜厚は1000Å〜4000Åが適している。
上記工程（ｅ）における薄膜のエッチングは10Å〜200
Åの厚みになるまで行うのが望ましい。上記工程（ｅ）
および（ｇ）におけるエッチングにはドライエッチング
法を用いることが望ましい。また、レジストにはポジ型
のレジストを用いて、上記工程（ｆ）および（ｈ）にお
けるレジスト除去には灰化処理法を用いることが望まし
い。
ロム）,Ti（チタン）,Ta（タンタル）等が適している。
この薄膜の膜厚は300Å〜1000Åが適しており、また、
フォトレジストの膜厚は1000Å〜4000Åが適している。
上記工程（ｅ）における薄膜のエッチングは10Å〜200
Åの厚みになるまで行うのが望ましい。上記工程（ｅ）
および（ｇ）におけるエッチングにはドライエッチング
法を用いることが望ましい。また、レジストにはポジ型
のレジストを用いて、上記工程（ｆ）および（ｈ）にお
けるレジスト除去には灰化処理法を用いることが望まし
い。
（ホ） 作用 従来の製造方法の現像工程とエッチング工程との間に
新たに１つのエッチング工程と１つのフォトレジスト除
去工程を導入することにより、ガイドトラック部の前記
薄膜の膜厚が、薄膜のエッチング工程だけで決定される
ようになる。したがって、露光時のレーザパワーや現像
条件に影響されないので、均一で再現性よく、光メモリ
素子用のフォトマスクが製造できる。
新たに１つのエッチング工程と１つのフォトレジスト除
去工程を導入することにより、ガイドトラック部の前記
薄膜の膜厚が、薄膜のエッチング工程だけで決定される
ようになる。したがって、露光時のレーザパワーや現像
条件に影響されないので、均一で再現性よく、光メモリ
素子用のフォトマスクが製造できる。
（ヘ） 実施例 以下、図面に示す実施例に基づいて、この発明を詳述
する。これによってこの発明が限定されるものではな
い。
する。これによってこの発明が限定されるものではな
い。
第１図はこの発明によるフォトマスクの製造方法を示
し、第２図はフォトマスクの一部拡大斜視図である。
し、第２図はフォトマスクの一部拡大斜視図である。
（ａ） 第一工程（第１図（ａ））：フォトマスク基板
１の上に透過光量が膜厚に依存する、例えばCr（クロ
ム）,Ti（チタン）,Ta（タンタル）等の薄膜２を300Å
〜1000Åの膜厚で形成する。
１の上に透過光量が膜厚に依存する、例えばCr（クロ
ム）,Ti（チタン）,Ta（タンタル）等の薄膜２を300Å
〜1000Åの膜厚で形成する。
（ｂ） 第二工程（第１図（ｂ））：薄膜２の上にポジ
型のフォトレジスト膜３を1000Å〜4000Åの膜厚で形成
して約95℃にてプリベークを行う。
型のフォトレジスト膜３を1000Å〜4000Åの膜厚で形成
して約95℃にてプリベークを行う。
（ｃ） 第三工程（第１図（ｃ））:2本のアルゴンレー
ザのレーザ光線を集光し、基板１を回転させながらレー
ザ光を移動して、フォトレジスト膜３をスパイラル状に
露光する。ここで、一方のレーザ光４はフォーマット用
ピット部1aの露光用であり、十分強い光（例えば、光メ
モリ素子の記憶領域の内縁において1.2mW、外縁におい
て2.4mW）を断続照射する。もう一方のレーザ光５はガ
イドトラック部1bの露光用であり、レーザ光４より弱い
光（例えば、光メモリの記憶領域の内縁において0.9m
W、外縁において1.8mW）を連続照射する。
ザのレーザ光線を集光し、基板１を回転させながらレー
ザ光を移動して、フォトレジスト膜３をスパイラル状に
露光する。ここで、一方のレーザ光４はフォーマット用
ピット部1aの露光用であり、十分強い光（例えば、光メ
モリ素子の記憶領域の内縁において1.2mW、外縁におい
て2.4mW）を断続照射する。もう一方のレーザ光５はガ
イドトラック部1bの露光用であり、レーザ光４より弱い
光（例えば、光メモリの記憶領域の内縁において0.9m
W、外縁において1.8mW）を連続照射する。
（ｄ） 第四工程（第１図（ｄ））：露光後、現像を行
い、ポストベークを行う。この時、フォーマット用ピッ
ト部1aは露光量が多く、フォトレジスト膜３は除去さ
れ、薄膜２が露出する。一方、弱い光で露光されたガイ
ドトラック部1bのフォトレジスト膜３の除去は、薄膜２
が露出するまでには至らない。
い、ポストベークを行う。この時、フォーマット用ピッ
ト部1aは露光量が多く、フォトレジスト膜３は除去さ
れ、薄膜２が露出する。一方、弱い光で露光されたガイ
ドトラック部1bのフォトレジスト膜３の除去は、薄膜２
が露出するまでには至らない。
（ｅ） 第五工程（第１図（ｅ））：フォーマット用ピ
ット部1aの薄膜２が10Å〜200Åエッチングされるよう
に、ドライエッチング法でエッチングする。
ット部1aの薄膜２が10Å〜200Åエッチングされるよう
に、ドライエッチング法でエッチングする。
（ｆ） 第六工程（第１図（ｆ））：ガイドトラック部
1bの薄膜２が露出するまで、フォトレジスト膜３の除去
を灰化処理法で行う。
1bの薄膜２が露出するまで、フォトレジスト膜３の除去
を灰化処理法で行う。
（ｇ） 第七工程（第１図（ｇ））：フォーマット用ピ
ット部1aの薄膜２がなくなりフォトマスク基板１が露出
するまで、ドライエッチング法でエッチングを行う。
ット部1aの薄膜２がなくなりフォトマスク基板１が露出
するまで、ドライエッチング法でエッチングを行う。
（ｈ） 第八工程（第１図（ｈ））最後に、残ったフォ
トレジストを灰化処理法で除去する。
トレジストを灰化処理法で除去する。
この方法によれば、完成したフォトマスクのガイドト
ラック部1bの薄膜２の膜厚は、上記第五工程及び第七工
程の薄膜２のエッチングのみで決定される。
ラック部1bの薄膜２の膜厚は、上記第五工程及び第七工
程の薄膜２のエッチングのみで決定される。
（ト） 発明の効果 この発明によれば、従来の製造方法に新たに１つのエ
ッチング工程と１つのフォトレジスト除去工程を導入す
ることにより、ガイドトラック部の薄膜の膜厚が、薄膜
のエッチング工程だけで決定できるので、製造誤差要因
が減少し、均一で再現性のよい光メモリ素子用のフォト
マスクの製造が可能となる。
ッチング工程と１つのフォトレジスト除去工程を導入す
ることにより、ガイドトラック部の薄膜の膜厚が、薄膜
のエッチング工程だけで決定できるので、製造誤差要因
が減少し、均一で再現性のよい光メモリ素子用のフォト
マスクの製造が可能となる。
第１図はこの発明によるフォトマスクの製造工程説明
図、第２図はフォトマスクの一部拡大斜視図、第３図は
従来のフォトマスクの製造工程説明図、第４図は光メモ
リ素子基板の部分拡大斜視図である。 １……フォトマスク基板、２……透過光量が膜厚に依存
する薄膜、３……フォトレジスト膜、4,5……アルゴン
レーザ等のレーザ光。
図、第２図はフォトマスクの一部拡大斜視図、第３図は
従来のフォトマスクの製造工程説明図、第４図は光メモ
リ素子基板の部分拡大斜視図である。 １……フォトマスク基板、２……透過光量が膜厚に依存
する薄膜、３……フォトレジスト膜、4,5……アルゴン
レーザ等のレーザ光。
Claims (1)
- 【請求項１】ガイドトラック部とフォーマット用ピット
部とで透過光量が異なる２種類のパターンを有する、光
メモリ素子用フォトマスクの製造方法において、 （ａ） 透過光量が膜厚に依存する薄膜を透明基板上に
形成し、 （ｂ） この薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、 （ｃ） このフォトレジスト膜を、ガイドトラック部と
フォーマット用ピット部の位置に対応して強度の異なる
光で露光し、 （ｄ） これを現像することにより、強い光で露光され
た部分のフォトレジスト膜を前記薄膜が露出するまで除
去し、 （ｅ） 強い光で露光され露出した部分の前記薄膜をエ
ッチングし、 （ｆ） 弱い光で露光された部分の前記薄膜が露出する
までフォトレジストを除去し、 （ｇ） 強い光で露光され露出した部分の前記薄膜が除
去されて透明基板が露出するまでまでエッチングし、 （ｈ） 残ったフォトレジストを除去する、 工程でなる光メモリ素子用フォトマスクの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33975890A JP2585861B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光メモリ素子用フォトマスクの製造方法 |
| US07/798,616 US5286583A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-26 | Method of manufacturing a photomask for an optical memory |
| CA002056308A CA2056308C (en) | 1990-11-30 | 1991-11-27 | Method for manufacturing a photomask for an optical memory |
| KR1019910021626A KR940007790B1 (ko) | 1990-11-30 | 1991-11-28 | 광전기억기의 포토마스크 제조방법 |
| EP91311148A EP0490547B1 (en) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Method of manufacturing a photomask for an optical memory |
| DE69126851T DE69126851T2 (de) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Verfahren zur Herstellung einer Photomaske für optische Speicherung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33975890A JP2585861B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光メモリ素子用フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204944A JPH04204944A (ja) | 1992-07-27 |
| JP2585861B2 true JP2585861B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=18330529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33975890A Expired - Fee Related JP2585861B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光メモリ素子用フォトマスクの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5286583A (ja) |
| EP (1) | EP0490547B1 (ja) |
| JP (1) | JP2585861B2 (ja) |
| KR (1) | KR940007790B1 (ja) |
| CA (1) | CA2056308C (ja) |
| DE (1) | DE69126851T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188270A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタの製造方法及びパターン転写マスク |
| NL9400225A (nl) * | 1994-02-14 | 1995-09-01 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het zonder tussenkomst van een master vervaardigen van een stamper voor het voortbrengen van optische schijven. |
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