JP3490356B2 - 光記録媒体、並びに、光記録媒体用原盤およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ランドグルーブ記
録方式の光記録媒体と、この媒体における基板の作成に
用いられる光記録媒体用原盤およびその製造方法とに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、書き換え可能な光記録媒体とし
て、光磁気記録方式の光磁気ディスクが実用化されてい
る。光磁気ディスクでは、一般的に、グルーブ領域（案
内溝の領域）およびランド領域（案内溝間の領域）が、
ディスク基板上にらせん状または同心円状に形成されて
おり、グルーブ領域あるいはランド領域のいずれかに、
記録トラックが設けられている。そして、半導体レーザ
ーから出射される光ビームを集光照射することによって
記録トラックを局部的に温度上昇させ、情報の記録・消
去を行うようになっている。また、情報が消去されない
程度の強度で光ビームを集光照射し、その反射光の偏光
状態を判別することにより、情報の再生が行われる。

【０００３】また、このような光磁気ディスクにおける
アドレス情報の取得方法としては、ピット列を用いる方
法が一般的に採用されている。この方法では、光磁気デ
ィスクの記録トラックに連続してピット列を形成し、こ
のピット列からの反射光量の変化を再生することによ
り、アドレス情報を得るようになっている。

【０００４】一方で、多層磁性膜を用いた磁気的超解像
再生に対する活発な研究開発により、超解像光磁気記録
方式の光磁気ディスクにおける再生分解能が大幅に向上
している。これにより、グルーブ領域とランド領域との
両方に情報を記録する方式（ランドグルーブ記録方式）
に関する研究も盛んに行われようになっている。

【０００５】ところで、このランドグルーブ記録方式に
おいては、ランド領域とグルーブ領域とのそれぞれに記
録トラックが形成されるため、それぞれの領域に対応し
たアドレスピットが必要となる。

【０００６】図１４は、特開平７−１６１０７７号公報
に記載されている光磁気ディスク基板の構成を示す説明
図である。この図に示すように、この光磁気ディスク基
板には、らせん状に形成されたグルーブ領域Ｇおよびラ
ンド領域Ｌのそれぞれに、各領域Ｇ・Ｌにおける表面か
らの深さの等しいアドレスピットＰ１・Ｐ２が形成され
ている。これにより、グルーブ領域Ｇ・ランド領域Ｌの
それぞれにおけるアドレス情報を得ることが可能となっ
ている。

【０００７】また、図１５は、特開平６−２８７２９号
公報に記載されている光磁気ディスク基板の構成を示す
説明図である。この光磁気ディスク基板では、らせん状
に形成されたグルーブ領域Ｇに連続して、グルーブ領域
Ｇと同じ深さのアドレスピット列Ｐ１が形成されてい
る。そして、このアドレスピット列Ｐ１の形成部分とは
異なる部分のランド領域Ｌに、グルーブ領域Ｇと同じ深
さのアドレスピット列Ｐ２が形成されている。このよう
に、アドレスピット列Ｐ１・Ｐ２を互いに異なる位置に
形成することにより、隣接するアドレスピットからのク
ロストークを低減できるため、正確なアドレス情報を得
ることが可能となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−１６１０７７号公報の技術では、光磁気ディスク基
板にグルーブおよびアドレスピットを作成するために、
露光感度の異なる２，３種類のフォトレジストと中間層
とを用いて、複雑な露光現像プロセスを使用する必要が
ある。また、特開平６−２８７２９号公報の光磁気ディ
スク基板においては、アドレスピットとグルーブとが同
一の深さとなっているため、アドレスピットからの再生
信号が小さくなってしまい、アドレス情報を正確に再生
できないという問題がある。

【０００９】本発明は、上記のような従来の問題点を解
決するために成されたものである。そして、その目的
は、製造が容易で、アドレス情報の正確な再生を可能と
する光記録媒体と、この媒体に備えられる基板（光記録
媒体用基板）の作成、すなわち、上記記録媒体の作成に
用いられる光記録媒体用原盤およびその製造方法とを提
供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光記録媒体（本記録媒体）は、第１のア
ドレスピットを有するグルーブ、および、第２のアドレ
スピットを有するランドを備えており、上記グルーブお
よびランドはらせん状または同心円状に連続的に形成さ
れており、グルーブの深さｄ_G ，第１のアドレスピット
の深さｄ_P1および第２のアドレスピットの深さｄ_P2が、 ｄ_G ＜ｄ_P1≒ｄ_P2 … （ａ） を満たすように設定されていることを特徴としている。

【００１１】本記録媒体は、ＣＤ（Compact Disc）等の
光ディスクや光磁気ディスクなど、光ビームの照射によ
って情報の記録・再生を行うための光記録媒体である。
また、本記録媒体は、上記したように、グルーブとラン
ドとの双方にアドレスピットを備えている。このため、
グルーブおよびランドに記録トラックを有する、ランド
グルーブ記録方式の光記録媒体となっている。

【００１２】そして、特に、本記録媒体では、式（ａ）
に示すように、グルーブに設けられている第１のアドレ
スピットと、ランドに設けられている第２のアドレスピ
ットとが、グルーブよりも深くなっている。このため、
これらアドレスピットからの再生信号を強くできるの
で、アドレス情報を、正確に、かつ、安定して再生でき
るようになっている。

【００１３】また、本記録媒体では、式（ａ）に示すよ
うに、第１のアドレスピットと第２のアドレスピットと
の深さ（ランドの表面からの深さ）が、互いにほぼ等し
い値に設定されている。これにより、これら２種類のア
ドレスピットに対する製造工程を同一とできるので、本
記録媒体を、比較的簡単な工程から製造できるようにな
っている。

【００１４】また、本記録媒体では、第１のアドレスピ
ットと第２のアドレスピットとが、互いの隣接を回避す
るように形成されていることが好ましい。これにより、
第１および第２のアドレスピットの双方を同時に再生し
てしまうこと（クロストーク）を大幅に抑制でき、アド
レス情報をより正確に再生できる。

【００１５】また、本記録媒体は、上記したグルーブお
よびランドの設けられた基板（光記録媒体用基板）に、
所定の記録膜を積層することで容易に構成できる。ま
た、このように構成する場合、グルーブの深さｄ_G ，第
１のアドレスピットの深さｄ_P1および第２のアドレスピ
ットの深さｄ_P2は、基板材料の屈折率ｎ，記録再生光の
波長λ_d に応じて、 λ_d ／（１６．８ｎ）≦ｄ_G ≦λ_d ／（５．２５ｎ） … （ｂ） ｄ_P1≒ｄ_P2≦λ_d ／（３．１ｎ） … （ｃ） を満足するように設定されることが好ましい。ここで、
記録再生光とは、本記録媒体に対して記録あるいは再生
を行うための、光ビームのことである。

【００１６】すなわち、グルーブ深さｄ_G が式（ｂ）の
範囲にない場合、グルーブ深さｄ_G が浅過ぎる、あるい
は深過ぎるために、グルーブからの良好なトラッキング
信号を得られなくなってしまう。また、ピット深さｄ_P1
・ｄ_P2が式（ｃ）の範囲にない場合、ピット深さｄ_P1・
ｄ_P2が深過ぎるために、トラッキング信号が乱されて、
安定したトラッキングを行えなくなってしまう。従っ
て、良好なトラッキングを実現するためには、グルーブ
深さｄ_G およびピット深さｄ_P1・ｄ_P2を、上記した式
（ｂ）（ｃ）の範囲に設定することが好ましいといえ
る。

【００１７】さらに、上記のような光記録媒体用基板を
用いる場合、第１のアドレスピットの実効的深さｄ_P1E
（グルーブ底面からの深さ；ｄ_P1E ＝ｄ_P1−ｄ_G ）が、 ｄ_P1E ≧λ_d ／（１６．８ｎ） … （ｄ） を満足するように設定されていることが好ましい。

【００１８】すなわち、本記録媒体では、第１のアドレ
スピットが、グルーブの内部に形成されるようになって
いる。このため、第１のアドレスピットにおける実効的
深さｄ_P1E が式（ｄ）の範囲にない場合、このｄ_P1E が
浅過ぎて、第１のアドレスピットからの再生出力が低下
してしまい、グルーブのアドレス情報を安定して再生で
きなくなってしまう。従って、アドレス情報を、安定し
て、かつ正確に再生するためには、第１のアドレスピッ
トにおける実効的深さｄ_P1E を、上記した式（ｄ）の範
囲に設定することが好ましいといえる。

【００１９】また、上記の記録膜上には、この記録膜を
保護するための保護膜を備えることが好ましい。さら
に、この保護膜側から記録再生光を照射して本記録媒体
に対する記録・再生を行う場合には、記録再生光は、基
板ではなく保護膜を透過することになる。

【００２０】このため、良好なトラッキングを実現する
ためのグルーブの深さｄ_G ，ピット深さｄ_P1・ｄ_P2、お
よび、アドレス情報を良好に再生するための第１のアド
レスピットの実効的深さｄ_P1E の好ましい範囲は、保護
膜の屈折率ｎａ，記録再生光の波長λ_d を用いて、 λ_d ／（１６．８ｎａ）≦ｄ_G ≦λ_d ／（５．２５ｎａ） … （ｅ） ｄ_P1≒ｄ_P2≦λ_d ／（３．１ｎａ） … （ｆ） ｄ_P1E ≧λ_d ／（１６．８ｎａ） … （ｇ） によって設定される。

【００２１】また、上記した本発明の目的を達成するた
めに、本発明における光記録媒体用原盤（本原盤）は、
第１のアドレスピットを有するグルーブ、および、第２
のアドレスピットを有するランドを備えており、上記グ
ルーブおよびランドはらせん状または同心円状に連続的
に形成されており、グルーブの深さｄ _G ，第１のアドレ
スピットの深さｄ _P1 および第２のアドレスピットの深さ
ｄ _P2 が、 ｄ _G ＜ｄ _P1 ≒ｄ _P2 … （ａ） を満たすように設定されていることを特徴としている。

【００２２】また、上記した本発明の目的を達成するた
めに、本発明における光記録媒体用原盤の製造方法（本
製造方法）は、本発明における上記光記録媒体用原盤の
製造方法であって、原盤用の基板にレジストを塗布する
塗布工程と、グルーブ形成領域のレジストを、第１のア
ドレスピット形成領域を除く基板表面の露出を回避する
ように一部残留させる一方、第１および第２のアドレス
ピット形成領域におけるレジストの残存を回避するよう
に、上記基板に対する露光および現像を行う露光現像工
程と、第１および第２のアドレスピット形成領域に露出
した基板表面をエッチングする第１のドライエッチング
工程と、グルーブ形成領域に基板表面が露出するまで上
記原盤用の基板上のレジストの膜厚を減少させる第１の
アッシング工程と、グルーブ形成領域並びに第１および
第２のアドレスピット形成領域における基板表面をエッ
チングする第２のドライエッチング工程とを含んでいる
ことを特徴としている。

【００２３】本原盤および本製造方法は、光記録媒体に
用いられる基板、すなわち、上記光記録媒体を製造する
ための、光記録媒体用原盤（以下、単に原盤とする）お
よびその製造方法である。すなわち、上記したような光
記録媒体用基板は、原盤から得られるスタンパーを型と
して、樹脂等の基板材料を出射成形することにより製造
されるものである。従って、原盤は、光記録媒体用基板
と同一の構成（グルーブ，ランドおよびアドレスピット
等）を有している。

【００２４】また、本製造方法では、上記したように、
グルーブおよびランドの双方にアドレスピットを備えた
原盤を製造するように設定されている。従って、この原
盤によって製造される光記録媒体用基板は、ランドグル
ーブ記録方式の光記録媒体に適用されるものとなる。ま
た、上記したグルーブ形成領域とは、原盤用の基板（原
盤となる基板）におけるグルーブを形成すべき部位のこ
とであり、第１および第２のアドレスピット形成領域と
は、同じく第１および第２のアドレスピットを形成すべ
き部位のことである。

【００２５】そして、本製造方法では、上記した露光現
像工程が、グルーブ形成領域にレジストの一部を残存さ
せる一方、第１および第２のアドレスピット形成領域に
おけるレジストの残存を回避するように設定されてい
る。さらに、この工程の後に行われる第１のドライエッ
チング工程において、第１および第２のアドレスピット
形成領域に露出している基板表面をエッチングするよう
になっている。一方、グルーブ形成領域では、レジスト
が残存しているために、第１のドライエッチング工程に
よるエッチングは回避されるようになっている。このた
め、この第１のドライエッチング工程の終了時において
は、原盤用基板における第１および第２のアドレスピッ
ト形成領域は、エッチングされた分だけ、グルーブ形成
領域よりも深くなっている。

【００２６】その後、本製造方法では、第１のアッシン
グ工程によってグルーブ形成領域に残存しているレジス
トを除去した後、第２のドライエッチング工程によっ
て、グルーブ形成領域および第１および第２のアドレス
ピット形成領域に露出している原盤用基板を同様にエッ
チングすることにより、グルーブ並びに第１および第２
のアドレスピットを形成するようになっている。

【００２７】以上のように、本製造方法では、第１のド
ライエッチング工程において第１および第２のアドレス
ピット形成領域のみをエッチングする一方、第２のドラ
イエッチング工程においてグルーブ形成領域および第１
および第２のアドレスピット形成領域の双方をエッチン
グするように設定されている。すなわち、本製造方法に
おいては、グルーブ形成領域を１回だけエッチングする
一方、第１および第２のアドレスピット形成領域に対す
るエッチングを２回行うようになっている。これによ
り、第１および第２のアドレスピットをグルーブよりも
深く形成することが可能となっている。

【００２８】また、本製造方法では、グルーブ形成領域
および第１および第２のアドレスピット形成領域に露出
した原盤用基板をエッチングすることにより、グルーブ
並びに第１および第２のアドレスピットを形成するよう
になっている。これにより、グルーブ並びに第１および
第２のアドレスピットを平滑な矩形形状に形成できるの
で、微細な凹凸を有するレジスト面からこれらを形成す
る場合に比して、光記録媒体におけるグルーブノイズを
抑制できる原盤を製造することが可能となっている。

【００２９】また、本製造方法では、原盤用基板に塗布
するレジストは１層だけであり、後に除去するような中
間層も不要となっている。このため、低コストで効率よ
く原盤を製造できる。さらに、原盤におけるグルーブ並
びに第１および第２のアドレスピットの深さを、第１お
よび第２のドライエッチング工程におけるエッチング条
件のみから決定できるので、所望の形状を有する原盤
を、再現性よく製造することが可能となっている。

【００３０】なお、本製造方法には、第２のドライエッ
チング工程後に、原盤用基板上に残存したレジストを除
去するための、第２のアッシング工程を含ませることが
好ましい。ここで、アッシングとは、例えば、酸素ガス
プラズマを用いたドライエッチング等、原盤用基板の表
面におけるエッチングを進行させない一方、原盤用基板
上のレジストを灰化除去するようなプロセスである。

【００３１】また、本製造方法における露光現像工程
は、グルーブ形成領域を第１の光ビームによって露光す
る一方、第１および第２のピット形成領域を、第１の光
ビームよりも小さいスポット径を有する第２の光ビーム
によって露光するように設定されていることが好まし
い。

【００３２】このようにすれば、原盤における第１およ
び第２のアドレスピット形成領域の露光幅を、グルーブ
形成領域よりも小さくできるため、第１および第２のア
ドレスピットの幅をグルーブ幅よりも小さくできる。こ
のため、この原盤から製造される光記録媒体では、第１
および第２のアドレスピットから得られる反射光量変化
量に対し、グルーブから得られるトラッキング信号量を
大きくできるため、安定したトラッキングを実現するこ
とが可能となる。

【００３３】また、本製造方法では、以下のようなカッ
ティング装置を用いることが好ましい。すなわち、この
カッティング装置は、光源から照射される光ビームを分
割して第１および第２の光ビームを生成するビームスプ
リッターと、第１および第２の光ビームを集光する対物
レンズと、第１の光ビームにおける対物レンズに対する
開口数を減少させる開口数減少部とを備えている構成で
ある。

【００３４】上記露光現像工程に、このカッティング装
置を用いれば、１つの光源から第１・第２の光ビームを
生成できるとともに、開口数減少部によって、第１の光
ビームにおける対物レンズに対する開口数を減少させら
れる。光ビームのスポット径は、光ビームの波長をλ，
光ビームの開口数をＮＡとすると、λ／ＮＡとなるか
ら、開口数を減少させることで光ビームのスポット径を
大きくできる。従って、上記のカッティング装置を用い
れば、スポット径の異なる第１・第２の光ビームを容易
に生成できる。なお、開口数減少部としては、例えば、
第１の光ビームにおける直径を減少させる遮光板を用い
ることができる。

【００３５】また、本製造方法では、グルーブ形成領域
を露光する第１の光ビームのスポット径を、トラックピ
ッチよりも大きく設定することが好ましい。さらに、第
１のアッシング工程において、グルーブ形成領域に、ト
ラックピッチとほぼ等しい幅で、原盤用基板の表面を露
出させることが好ましい。

【００３６】通常、ランドグルーブ方式の光記録媒体で
は、グルーブとランドとの幅は互いにほぼ等しくなって
おり、この幅が、光記録媒体のトラックピッチとして設
定される。そして、上記の方法では、トラックピッチ、
すなわちグルーブの幅よりも大きいスポット径を有する
第１の光ビームによって、グルーブ形成領域を露光する
ようになっている。

【００３７】これは、以下のような理由による。すなわ
ち、光ビームは、通常、ガウシアン状の強度分布を有し
ている。このため、原盤用基板表面の露出を回避するた
めに、レジストを残すように露光・現像されるグルーブ
形成領域では、露光部位が、矩形ではなく、ガウシアン
分布に応じて湾曲した形状（すり鉢状に底面積の小さい
形状）を有している。従って、露光部位の底は、第１の
光ビームにおけるスポット径よりも小さくなる。また、
第１のアッシング工程は、このように湾曲した形状を有
するレジストにおける底部分の近傍に対して施される。

【００３８】一方、原盤におけるグルーブの幅は、第１
のアッシング工程により露出した原盤用基板表面の幅に
より決定される。このため、第１のアッシング工程で
は、基板用原盤表面の露出幅を、トラックピッチと同程
度の大きさとすることが好ましいといえる。従って、現
像露光工程では、グルーブ形成領域に残存させるレジス
トの底部位近傍を、トラックピッチ程度の幅程度に設定
することが好ましいことがわかる。以上より、この底部
分より大きい第１の光ビームのスポット径は、トラック
ピッチよりも大きい値に設定されることが好ましいとい
える。

【００３９】また、本製造方法では、第１および第２の
アドレスピット形成領域を露光する第２の光ビームのス
ポット径を、トラックピッチ以下とすることが好まし
い。レジストを残さないように露光・現像される第１お
よび第２のアドレスピット形成領域では、露光部位の形
状が、原盤用基板の表面を底部とする矩形形状となる。
また、この底部の幅は、第２の光ビームにおけるスポッ
ト径と同様となる。このため、第１および第２のアドレ
スピット形成領域では、第１・第２のドライエッチング
工程においてエッチングされる幅は、第２の光ビームに
おけるスポット径と同程度となる。従って、このスポッ
ト径をトラックピッチ以下とすることで、第１および第
２のアドレスピットの幅が、トラックピッチ、すなわち
グルーブよりも大きくなることを防止できる。

【００４０】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕 本発明の第１の実施形態について説明する。図２は、本
実施の形態にかかる光磁気ディスク基板（本ディスク基
板）１の構成を示す説明図である。本ディスク基板１
は、ポリカーボネートを材料として形成されている。そ
して、図２に示すように、本ディスク基板１は、情報を
記録するためのデータ領域Ｄと、アドレス情報を記憶す
るプリフォーマット領域Ｋとが、周方向に交互に形成さ
れた構成を有している。

【００４１】また、これら両領域Ｄ・Ｋには、らせん状
または同心円状に形成されたグルーブ領域およびランド
領域が形成されている。図１は、データ領域Ｄおよびプ
リフォーマット領域Ｋの構成を示す平面図である。ま
た、図３および図４は、それぞれ、図１におけるＡ−
Ａ’線断面図およびＢ−Ｂ’線断面図を示している。

【００４２】図１に示すように、本ディスク基板１にお
けるグルーブ領域Ｇ・ランド領域Ｌは、本ディスク基板
１の半径方向に連続的に設けられている。さらに、これ
らグルーブ領域Ｇ・ランド領域Ｌの幅は互いにほぼ等し
くなっており、この幅が、所定のトラックピッチに設定
されている。

【００４３】また、図３および図４に示すグルーブ領域
Ｇの溝深さ（グルーブ深さ）ｄ_G は、プッシュプル法に
よるトラッキングを良好に行えるように設定されてい
る。すなわち、本ディスク基板１の屈折率をｎ，本ディ
スク基板１を備えた光磁気ディスクに対して記録再生を
行うためのレーザー光の波長をλとした場合、グルーブ
深さｄ_G は、λ／（８ｎ）近傍の深さに設定されてい
る。

【００４４】また、本ディスク基板１は、プリフォーマ
ット領域Ｋにおけるグルーブ領域Ｇおよびランド領域Ｌ
に、それぞれアドレスピットＰ１・Ｐ２を備えている。
これらアドレスピットＰ１・Ｐ２は、図１に示すよう
に、周方向に区分された互いに異なる２つの領域であ
る、グルーブピット領域Ｋ１およびランドピット領域Ｋ
２にそれぞれ形成されている。すなわち、これらアドレ
スピットＰ１・Ｐ２は、本ディスク基板１の半径方向に
おいて、互いの隣接を回避するように設けられている。

【００４５】また、図３および図４に示すように、これ
らアドレスピットＰ１・Ｐ２における基板表面（ランド
領域Ｌの表面）からの深さ（ピット深さ）は、ほぼ等し
くなっている。すなわち、本ディスク基板１では、アド
レスピットＰ１のピット深さｄ_P1と、アドレスピットＰ
２のピット深さｄ_P2とが、互いにほぼ等しい値に設定さ
れている（ｄ_P1≒ｄ_P2）。そこで、以下では、これらア
ドレスピットＰ１・Ｐ２のピット深さｄ_P1・ｄ_P2を、ピ
ット深さｄ_P と称する。

【００４６】また、ピット深さｄ_P は、アドレス情報を
良好に再生できるように、反射光量変化を高めるような
深さに設定されている。すなわち、ピット深さｄ_P は、
λ／（４ｎ）近傍の深さに設定されている。

【００４７】以上のように、本ディスク基板１は、グル
ーブ領域Ｇの深さｄ_G をλ／（８ｎ）近傍の深さとする
とともに、アドレスピットＰ１・Ｐ２のピット深さｄ_P
を、グルーブ領域Ｇの深さｄ_G よりも深い、λ／（４
ｎ）近傍としている。このため、アドレスピットＰ１・
Ｐ２からの再生信号を強くできるので、アドレス情報
を、正確に、かつ、安定して再生できるようになってい
る。

【００４８】さらに、周方向に区分された互いに異なる
領域Ｋ１・Ｋ２にアドレスピットＰ１・Ｐ２を形成して
いるため、隣接アドレスピットからのクロストークの発
生を大幅に抑制することが可能となっている。

【００４９】また、本ディスク基板１では、グルーブ領
域Ｇとランド領域Ｌとの幅が、互いにほぼ等しくなって
いるとともに、所定のトラックピッチとなっている。こ
れにより、これら両領域Ｇ・Ｌに記録トラックを容易に
形成できるので、ランドグルーブ記録を良好に実現する
ことが可能となっている。

【００５０】なお、グルーブ深さｄ_G およびピット深さ
ｄ_P は、必ずしもλ／（８ｎ），λ／（４ｎ）の近傍に
設定する必要はない。これらグルーブ深さｄ_G およびピ
ット深さｄ_P の好ましい範囲については、後に詳細に説
明する。

【００５１】また、本実施の形態では、本ディスク基板
１がポリカーボネートからなるとしているが、本ディス
ク基板１の材料はこれに限らない。本ディスク基板１の
材料としては、透光性を有する物質であれば、どのよう
なものを用いてもよい。また、本ディスク基板１の好ま
しい材料としては、透光性を有する樹脂あるいはガラス
を挙げることができる。

【００５２】ところで、本ディスク基板１は、原盤を用
いた電鋳によって得られるスタンパーを型として、樹脂
を出射成形することにより製造されるものである。そし
て、本ディスク基板１では、アドレスピットＰ１・Ｐ２
のピット深さを、互いにほぼ等しい値（ピット深さ
ｄ_P ）としているため、アドレスピットＰ１・Ｐ２に対
する製造工程を同一に設定できるようになっている。従
って、後述する実施の形態２に示す露光プロセスやエッ
チングプロセスにより、良好な再現性をもって、本ディ
スク基板１の原盤を容易に製造できるようになってい
る。

【００５３】〔実施の形態２〕 本発明の第２の実施形態について説明する。なお、実施
の形態１に示した部材と同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その説明を省略する。

【００５４】本実施の形態では、実施の形態１に示した
本ディスク基板１における原盤（本原盤）の製造方法
（本製造方法）について説明する。なお、本原盤は、図
１〜４に示した本ディスク基板１と同様の構成を有して
いる。そこで、以下では、説明の簡略化のために、図１
〜４を、本原盤の構成を示す図面として用いるととも
に、本原盤におけるデータ領域Ｄ，プリフォーマット領
域Ｋ，グルーブ領域Ｇ，ランド領域Ｌおよびアドレスピ
ットＰ１・Ｐ２に相当する部位を、本ディスク基板１と
同様、データ領域Ｄ，プリフォーマット領域Ｋグルーブ
領域Ｇ，ランド領域ＬおよびアドレスピットＰ１・Ｐ２
と称することにする。

【００５５】本製造方法では、フォトレジストの塗布さ
れた原盤用ガラス基板に、露光，現像，エッチングの各
プロセスを施すことにより、本原盤を得るように設定さ
れている。まず、本製造方法における露光プロセスにつ
いて説明する。

【００５６】図５（ａ）〜（ｃ）は、本製造方法におけ
る露光プロセスを示す説明図である。これらの図に示す
ように、この露光プロセスは、ガラス基板（原盤用ガラ
ス基板）３に塗布されたフォトレジスト２を、光ビーム
（露光用光ビーム）ＬＢ１・ＬＢ２によって露光する工
程であり、光ビーム光源および回転テーブルを備えたカ
ッティング装置（露光装置）を用いて行うことができ
る。

【００５７】すなわち、この露光プロセスでは、まず、
スピンコート法等によって、ガラス基板３の表面にフォ
トレジスト２を塗布する。その後、露光装置の回転テー
ブルに載置したガラス基板３を回転させながら、光ビー
ムＬＢ１・ＬＢ２を集光照射してフォトレジスト２の所
定部位を露光するように設定されている。

【００５８】なお、この露光プロセスでは、光ビームＬ
Ｂ１・ＬＢ２の照射位置を、半径方向に連続的に移動さ
せるようになっている。これにより、ガラス基板３上の
フォトレジスト２に、露光部位Ｆをらせん状に形成でき
る。

【００５９】また、図５（ｂ）（ｃ）に示すように、光
ビームＬＢ１・ＬＢ２は、互いに異なるスポット径を有
しており、これらにより、グルーブ領域Ｇおよびアドレ
スピットＰ１・Ｐ２（図２・３参照）を形成する部位を
それぞれ露光するようになっている。

【００６０】すなわち、図５（ａ）に示すように、アド
レスピットＰ１・Ｐ２を設けないデータ領域Ｄ（図１参
照）では、より大きなスポット径を有する光ビームＬＢ
１だけを、グルーブ領域Ｇを形成すべき部位（グルーブ
形成領域Ｇａ）に集光照射するように設定されている。
この光ビームＬＢ１の光強度は、グルーブ形成領域Ｇａ
のフォトレジスト２を、完全には露光しない強度に調整
されている。すなわち、グルーブ形成領域Ｇａでは、フ
ォトレジスト２の底部まで（ガラス基板３の表面まで）
は露光部位Ｆが形成されないようになっている。

【００６１】また、図５（ｂ）に示すように、グルーブ
ピット領域Ｋ１（図１参照）に対しては、光ビームＬＢ
１をグルーブ形成領域Ｇａに照射するとともに、この光
ビームＬＢ１よりスポット径の小さな光ビームＬＢ２
を、グルーブ形成領域ＧａにおけるアドレスピットＰ１
を形成すべき部位（第１ピット形成領域Ｐ１ａ）に集光
照射する。この光ビームＬＢ２の光強度は、照射部位の
フォトレジスト２が完全に露光されるような強度に調整
されている。このため、光ビームＬＢ２の照射により、
グルーブ形成領域Ｇａ内では、第１ピット形成領域Ｐ１
ａのみにおいて、フォトレジスト２の底部まで露光部位
Ｆが形成された状態となる。

【００６２】また、図５（ｃ）に示すように、ランドピ
ット領域Ｋ２（図１参照）に対しては、光ビームＬＢ１
をグルーブ形成領域Ｇａに照射するとともに、ランド領
域Ｌとなる部位の中心に光ビームＬＢ２を移動し、この
光ビームＬＢ２によってアドレスピットＰ２を形成すべ
き部位（第２ピット形成領域Ｐ２ａ）を集光照射する。
これにより、第２ピット形成領域Ｐ２ａのフォトレジス
ト２も、第１ピット形成領域Ｐ１ａと同様に完全に露光
された状態となり、フォトレジスト２の底部まで露光部
位Ｆが形成される。

【００６３】なお、光ビームＬＢ２における照射位置の
移動は、カッティング装置におけるビームＬＢ２の光路
中に光偏向器を挿入し、集光対物レンズへの入射角度を
変えることにより実現できる。

【００６４】次に、現像プロセスについて説明する。こ
のプロセスは、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように露光さ
れたフォトレジスト２を有するガラス基板３を現像し、
フォトレジスト２の露光部位Ｆを除去する工程である。

【００６５】図６（ａ）は、現像プロセス後のガラス基
板３を示す説明図であり、左端部，中央部および右端部
に、それぞれデータ領域Ｄ，グルーブピット領域Ｋ１，
ランドピット領域Ｋ２（全て図１参照）における現像状
態を示している。この図に示すように、現像プロセスに
より、光ビームＬＢ２によって完全に露光されたピット
形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２ａでは、フォトレジスト２が完全
に除去され、ガラス基板３の平滑な表面が露出してい
る。一方、光ビームＬＢ１によって不完全に露光された
グルーブ形成領域Ｇａでは、露光されていない部位（底
部の近傍部位）のフォトレジスト２が第１残存レジスト
膜４として現像されずに残り、ガラス基板３表面の露出
を回避するようになっている。

【００６６】次に、本製造方法におけるエッチングプロ
セスについて、図６（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。
なお、図６（ｂ）〜（ｅ）においても、図６（ａ）と同
様に、左端部，中央部および右端部に、それぞれガラス
基板３におけるデータ領域Ｄ，グルーブピット領域Ｋ
１，ランドピット領域Ｋ２の状態を示している。

【００６７】本製造方法におけるエッチングプロセスで
は、まず、図６（ａ）に示した状態のガラス基板３に対
し、一般的なドライエッチング装置によって第１のドラ
イエッチング（反応性エッチング）を施し、図６（ｂ）
に示すようなガラス基板３を得る。

【００６８】この図に示すように、この第１のドライエ
ッチングによって、ピット形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２ａで
は、表面を露出しているガラス基板３がエッチングパワ
ーおよびエッチング時間に応じた深さにエッチングさ
れ、その厚みが減少する。また、グルーブ形成領域Ｇａ
では、ガラス基板３はエッチングされず、物理的エッチ
ングにより第１残存レジスト膜４の膜厚が減少し、より
薄い第２残存レジスト膜５が形成された状態となる。

【００６９】次に、図６（ｂ）に示すガラス基板３に対
して、第１のアッシングを施し、図６（ｃ）に示すよう
なガラス基板３を得る。ここで、アッシングとは、酸素
ガスプラズマを用いたドライエッチングのことである。
すなわち、第１のアッシングでは、ドライエッチング装
置内に酸素ガスを導入して、ガラス基板３に対して酸素
ガスプラズマによるドライエッチングを施すように設定
されている。

【００７０】この第１のアッシングでは、ガラス基板３
のエッチングは進行せず、フォトレジスト２のみが灰化
除去され、その膜厚が均一に減少する。そして、第１の
アッシングは、グルーブ形成領域Ｇａの第２残存レジス
ト膜５を完全に取り除くまで行われるようになってい
る。このため、第１のアッシング後では、グルーブ形成
領域Ｇａは、平滑なガラス表面６（ガラス基板３の表
面）を露出させるようになる。

【００７１】次に、図６（ｃ）に示すガラス基板３に対
して第２のドライエッチングを施し、図６（ｄ）に示す
ようなガラス基板３を得る。この第２のドライエッチン
グでは、グルーブ形成領域Ｇａとピット形成領域Ｐ１ａ
・Ｐ２ａとにおいて、ガラス基板３の表面が、エッチン
グパワーおよびエッチング時間に対応して、同時に所定
深さにエッチングされる。そして、グルーブ形成領域Ｇ
ａでは、平滑なガラス表面６がエッチングされることに
より、エッチング後に形成されるガラス面７も平滑とな
る。

【００７２】最後に、図６（ｄ）に示すガラス基板３に
対して第２のアッシングを施すことにより、ガラス基板
３に残存するフォトレジスト２を除去する。これによ
り、図６（ｅ）に示すように、グルーブ領域Ｇおよびア
ドレスピットＰ１・Ｐ２を有するガラス基板３からなる
本原盤が完成する。

【００７３】以上のように、本製造方法では、露光プロ
セスおよび現像プロセスにおいて、グルーブ形成領域Ｇ
ａに第１残存レジスト膜４を残留させるようになってい
る。そして、第１のアッシングによって、グルーブ形成
領域Ｇａに残留したレジストを除去するように設定され
ている。

【００７４】これにより、第１のドライエッチングにお
いてピット形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２ａのみをエッチングす
る一方、第２のドライエッチングにおいて、グルーブ形
成領域Ｇａおよびピット形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２ａの双方
をエッチングするように設定されている。

【００７５】すなわち、本製造方法では、グルーブ形成
領域Ｇａを１回だけエッチングする一方、ピット形成領
域Ｐ１ａ・Ｐ２ａに対するエッチングを２回行うように
なっている。これにより、アドレスピットＰ１・Ｐ２を
グルーブ領域Ｇよりも深く形成することが可能となって
いる。

【００７６】また、本製造方法では、グルーブ形成領域
Ｇａおよびピット形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２ａに露出したガ
ラス基板３をエッチングすることにより、グルーブ領域
ＧおよびアドレスピットＰ１・Ｐ２を形成するようにな
っている。これにより、グルーブ領域Ｇおよびアドレス
ピットＰ１・Ｐ２を、所望の大きさを有する平滑な矩形
形状に容易に形成できる。

【００７７】また、本製造方法では、ピット形成領域Ｐ
１ａ・Ｐ２ａに対し、同様の処理を施すようになってい
る。これにより、アドレスピットＰ１・Ｐ２の深さを、
互いにほぼ等しい値とすることが可能となっている。

【００７８】また、本製造方法では、ガラス基板３に塗
布するレジストをフォトレジスト２の１層だけとしてお
り、後に除去するような中間層も不要となっている。こ
のため、低コストで効率よく本盤を製造できるようにな
っている。さらに、グルーブ深さｄ_G およびピット深さ
ｄ_P を、第１および第２のドライエッチングにおけるエ
ッチング条件のみから決定できるので、所望の形状を有
する原盤を、再現性よく製造することが可能となってい
る。

【００７９】なお、本製造方法のエッチングプロセスに
おける第１・第２のドライエッチングとしては、ＣＦ ₄
やＣＨＦ ₃ 等のガスを用いた反応性ドライエッチングを
使用できる。また、第１のアッシングは、フォトレジス
ト２を均一に精度良く除去するための工程であり、アッ
シング以外の方法を用いることは困難である。しかしな
がら、第２のアッシングは、残存しているフォトレジス
ト２の除去を目的としている。このため、第２のアッシ
ングを行わず、アセトン等の溶剤を用いてフォトレジス
ト２を除去してもよい。

【００８０】また、上記したように、第１のドライエッ
チングでは、ガラス基板３の反応性エッチングと同時
に、フォトレジスト２の物理的エッチングが進行する。
従って、第１残存レジスト膜４の膜厚を、第１のドライ
エッチング後のグルーブ形成領域Ｇａ内に第２残存レジ
スト膜５が残るように、設定することが好ましい。この
第１残存レジスト膜４の膜厚は、露光プロセスにおける
光ビームＬＢ１の強度を調整することで制御できる。

【００８１】また、図６（ａ）に示すように、現像プロ
セス後のガラス基板３は、本ディスク基板１の構造と同
様のレジストパターンを有している。従って、この状態
のガラス基板３を原盤として使用することもできる。

【００８２】しかしながら、図６（ａ）に示すような、
フォトレジスト２を有するガラス基板３を原盤として本
ディスク基板１を製造すると、以下に示すような問題が
ある。すなわち、このように製造された本ディスク基板
１を備えた光磁気ディスクでは、グルーブに対する記録
再生の際のノイズ（グルーブノイズ）が増大して記録再
生特性が悪化してしまい、高密度記録を行えなくなって
しまうという問題がある。

【００８３】ここで、このグルーブノイズの増大につい
て説明する。すなわち、図５（ａ）〜（ｃ）において
は、説明の便宜上、グルーブ形成領域Ｇａの露光部位Ｆ
をほぼ矩形で示している。しかしながら、集光照射され
る光ビームＬＢ１は、ガウシアン状の強度分布を有して
いるため、実際には、グルーブ形成領域Ｇａの露光部位
Ｆは矩形ではなく、ガウシアン分布に応じて湾曲した形
状を有している。

【００８４】さらに、グルーブ形成領域Ｇａに対する露
光は不完全に行われるので、現像後のグルーブ形成領域
Ｇａには、ガラス基板３の平滑な表面が露出されず、表
面に微細な凹凸を有する第１残存レジスト膜４が形成さ
れる。従って、図６（ａ）に示すガラス基板３を原盤と
して用いると、平滑でない第１残存レジスト膜４によっ
てグルーブ領域Ｇを作成することになるため、大きなグ
ルーブノイズを発生させてしまうのである。

【００８５】これに対し、本願発明者らは、光記録媒体
用原盤の製造に関する研究の結果、本製造方法に上記し
たエッチングプロセスを含めることにより、グルーブ形
成領域Ｇａにおける第１残存レジスト膜４の湾曲、およ
び、グルーブノイズの上昇という問題を解決できること
を新たに発見したのである。

【００８６】以下に、光ビームＬＢ１における実際の強
度分布を考慮して、図７（ａ）〜（ｄ）を用いて本製造
方法を再度説明する。なお、以下では、ガラス基板３に
おけるグルーブ形成領域Ｇａおよび第２ピット形成領域
Ｐ２ａに対する露光，現像，エッチングプロセスについ
て説明する。

【００８７】図７（ａ）は、光ビームＬＢ１・ＬＢ２の
集光照射によりフォトレジスト２を露光する、本製造方
法の露光プロセスを示す説明図である。上記したよう
に、光ビームＬＢ１はガウシアン分布状の強度分布を有
しており、その光強度は、フォトレジスト２を完全に露
光しない程度に弱く設定されている。このため、図７
（ａ）に示すように、グルーブ形成領域Ｇａの露光部位
Ｆは、湾曲した形状を有しているとともに、ガラス基板
３まで到達しないようになっている。

【００８８】一方、光ビームＬＢ２の光強度は、フォト
レジスト２を完全に露光する程度に強く設定されている
ため、第２ピット形成領域Ｐ２ａの露光部位Ｆは、ガラ
ス基板３まで到達している。すなわち、フォトレジスト
２は、露光プロセスによって、グルーブ形成領域Ｇａと
第２ピット形成領域Ｐ２ａとにおいて部分的に異なった
露光状態となる。

【００８９】そして、図７（ｂ）に示すように、現像プ
ロセスにおいて、このようなフォトレジスト２を現像す
ることにより、露光部位Ｆのフォトレジスト２が取り除
かれる。そして、この図に示すように、この現像プロセ
スによって、第２ピット形成領域Ｐ２ａでは、フォトレ
ジスト２が完全に除去され、ガラス基板３の平滑な表面
が露出した状態となる。

【００９０】一方、グルーブ形成領域Ｇａには、湾曲し
た露光部位Ｆに応じた形状を有し、表面に微細な凹凸を
有する第１残存レジスト膜４が形成される。このため、
現像プロセス直後のグルーブ形成領域Ｇａは、良好なラ
ンドグルーブ記録を行うために好ましい形状、すなわ
ち、平滑な矩形形状とはなっていない。そこで、本製造
方法では、このガラス基板３に対し、図６（ａ）〜
（ｅ）を用いて示したエッチングプロセスを施すように
なっている。これにより、図７（ｂ）〜（ｄ）に示すよ
うに、平滑な矩形形状を有するグルーブ形成領域Ｇａを
得ることが可能となっている。

【００９１】すなわち、まず、現像直後のガラス基板３
に対して第１のドライエッチングを施すことにより、第
２ピット形成領域Ｐ２ａに露出しているガラス表面をエ
ッチングし、図７（ｂ）に示すようなガラス基板３を得
る。また、この図に示すように、第１のドライエッチン
グによって、グルーブ形成領域Ｇａには、第１残存レジ
スト膜４と同様に湾曲したパターンを有する第２残存レ
ジスト膜５が形成されている。

【００９２】次に、図７（ｂ）に示すガラス基板３に対
して第１のアッシングを行い、フォトレジスト２の全体
を、均一の厚さ分だけ除去する。これにより、図７
（ｃ）に示すように、第２残存レジスト膜５が完全に除
去され、グルーブ形成領域Ｇａに平滑なガラス表面６が
露出する。

【００９３】次に、図７（ｃ）に示すガラス基板３に対
して、第２のドライエッチングを施し、図７（ｄ）に示
すガラス基板３を得る。この図に示すように、グルーブ
形成領域Ｇａおよび第２ピット形成領域Ｐ２ａのガラス
表面をエッチングすることにより、平滑なガラス面７を
有するグルーブ形成領域Ｇａと、グルーブ形成領域Ｇａ
より深くエッチングされた第２ピット形成領域Ｐ２ａと
を形成できる。最後に、第２のアッシングによって、ガ
ラス基板３上に残ったフォトレジスト２が完全に除去さ
れ、本原盤（エッチング原盤）が完成する。

【００９４】このようにして作成された本原盤を電鋳す
ることにより得られるスタンパー、および、このスタン
パーを用いて射出成形により作成される樹脂製の本ディ
スク基板１は、本原盤と同様に、平滑な矩形形状（矩形
パターン）を有するグルーブ領域Ｇと、グルーブ領域Ｇ
より深く、かつ、ランド領域Ｌの表面からの深さのほぼ
等しいアドレスピットＰ１・Ｐ２を有している。従っ
て、本ディスク基板１を用いれば、グルーブノイズの小
さい良好な記録再生特性を有するとともに、良好なアド
レス情報を得ることが可能な光磁気ディスクを作成でき
る。

【００９５】なお、第１のアッシングは、グルーブ形成
領域Ｇａに露出するガラス表面６の幅が、所定のトラッ
クピッチと等しくなるまで行うことが好ましい。これに
より、グルーブ形成領域Ｇａの位置を適切に設定するこ
とで、グルーブ領域Ｇとランド領域Ｌとの幅を、互いに
ほぼ等しくすることが容易となる。

【００９６】次に、本製造方法の露光プロセスにおける
光ビームＬＢ１のスポット径について説明する。本製造
方法では、露光プロセスにおいてピット形成領域Ｐ１ａ
・Ｐ２ａを完全に露光するため、アドレスピットＰ１・
Ｐ２の幅（直径）は、光ビームＬＢ２におけるスポット
径とほぼ同じ値となる。一方、グルーブ領域Ｇの幅は、
図７（ｃ）（ｄ）に示したように、第１のアッシングに
より露出したガラス表面６の幅により決定される。

【００９７】また、図７（ｃ）に示したように、残存レ
ジスト膜４・５は湾曲しているため、第１のアッシング
後に露出するガラス表面６の幅は、光ビームＬＢ１のス
ポット径より狭くなる。従って、本製造方法によって特
定幅のグルーブ領域Ｇを得るためには、光ビームＬＢ１
のスポット径を、グルーブ領域Ｇの幅、すなわちトラッ
クピッチよりも大きくすることが好ましいといえる。

【００９８】従って、トラックピッチをＷ_p ，光ビーム
ＬＢ１の波長をλ_LB1 ，光ビームＬＢ１を絞り込む対物
レンズの開口数をＮＡ_LB1 とすると、光ビームＬＢ１の
スポット径ｄ_LB1 は（λ_LB1 ／ＮＡ_LB1 ）となるから、
これらＷ_p ，λ_LB1 ，ＮＡ_LB1 ，ｄ_LB1 は、 Ｗ_p ＜ｄ_LB1 ＝（λ_LB1 ／ＮＡ_LB1 ） … （１） を満たすように設定されることが好ましい。

【００９９】次に、本ディスク基板１におけるアドレス
ピットＰ１・Ｐ２の位置および大きさについて説明す
る。図８および図９は、本ディスク基板１のアドレスピ
ットＰ１・Ｐ２に、記録再生に使用される光ビームスポ
ットＳが、互いに異なる４つの位置（Ｒ１〜Ｒ４）に集
光照射された状態を示す説明図である。

【０１００】記録再生時、光ビームスポットＳは、本デ
ィスク基板１の回転に伴い、グルーブ領域Ｇ上またはラ
ンド領域Ｌ上を走査するようにトラッキングされる。そ
して、図８において、光ビームスポットＳがグルーブ領
域ＧのＲ１に位置する場合、アドレスピットＰ１による
反射光量変化が検出され、グルーブ領域Ｇのアドレス情
報が読み出される。また、グルーブ領域ＧのＲ２に位置
する場合、隣接するランド領域ＬのアドレスピットＰ２
による反射光量変化が検出されるが、この変化は微小で
あるため無視される。

【０１０１】同様に、光ビームスポットＳがランド領域
ＬにおけるＲ４に位置する場合、アドレスピットＰ２に
よる反射光量変化が検出され、ランド領域Ｌのアドレス
情報が読み出される。また、Ｒ３に位置する場合には、
隣接するグルーブ領域ＧのアドレスピットＰ１による反
射光量変化が検出されるが、この変化は微小であるため
無視される。

【０１０２】このように、本ディスク基板１では、グル
ーブ領域ＧにアドレスピットＰ１を形成するグルーブピ
ット領域Ｋ１と、ランド領域ＬにアドレスピットＰ２を
形成するランドピット領域Ｋ２とが互いに異なる領域と
なっている。これにより、グルーブ領域Ｇとランド領域
Ｌとのアドレス情報を安定して再生することが可能とな
る。なお、アドレスピットＰ１・Ｐ２を同じ領域に形成
すると、これらアドレスピットＰ１・Ｐ２による反射光
量変化がクロストークにより混ざり合い、個々のアドレ
ス情報を再生できなくなる。

【０１０３】図９は、アドレスピットＰ１・Ｐ２の直径
を、図８に示すピットよりも大きく、ほぼグルーブ領域
Ｇおよびランド領域Ｌの幅、すなわち、トラックピッチ
とほぼ等しくした場合について示す説明図である。

【０１０４】このように、アドレスピットＰ１・Ｐ２を
大きく設定することにより、その反射光量変化をより大
きくできる。従って、アドレス情報の再生をより安定化
させることが可能となる。また、図８と同様、このよう
にアドレスピットＰ１・Ｐ２を大きくしても、これらを
異なる領域Ｋ１・Ｋ２にそれぞれ形成することにより、
各々の反射光量変化のクロストークを防止でき、個々の
アドレス情報を確実に再生できるように設定できる。

【０１０５】なお、本ディスク基板１では、アドレスピ
ットＰ１・Ｐ２が深いため、その面積を拡大し過ぎてし
まうと、プッシュプル信号（トラッキング信号）の乱れ
が大きくなり、正確なトラッキングを行えなくなってし
まう。

【０１０６】すなわち、アドレスピットＰ１・Ｐ２の反
射光量変化は、トラッキングのためのプッシュプル信号
を乱す原因となるが、本ディスク基板１は、約λ／（８
ｎ）の深さを有する矩形で平滑なグルーブ領域Ｇが連続
的に形成されているため、優れたトラッキング特性を有
している。従って、図９に示すように、アドレスピット
Ｐ１・Ｐ２の直径がトラックピッチと等しい程度であれ
ば、アドレスピットＰ１・Ｐ２の設けられていない領域
から得られるプッシュプル信号を検出することにより、
安定したトラッキングを行える。

【０１０７】ところが、アドレスピットＰ１・Ｐ２の直
径をトラックピッチよりも大きくすると、アドレスピッ
トＰ１・Ｐ２の反射光量変化が大きくなり過ぎて、プッ
シュプル信号が大きく乱され、安定したトラッキングを
実現できなくなってしまう。従って、本ディスク基板１
におけるアドレスピットＰ１・Ｐ２の直径は、トラック
ピッチ以下、すなわち、グルーブ領域Ｇ・ランド領域Ｌ
の幅以下であることが好ましいといえる。

【０１０８】以上のことを考慮して本製造方法を再検討
すると、以下のことが明らかとなる。すなわち、アドレ
スピットＰ１・Ｐ２を形成するための光ビームＬＢ２の
波長をλ_LB2 、光ビームＬＢ２を集光する対物レンズの
開口数をＮＡ_LB2 とすると、光ビームＬＢ２のスポット
径ｄ_LB2 を（λ_LB2 ／ＮＡ_LB2 ）で表すことができる。
そして、このスポット径ｄ_LB2 は、アドレスピットＰ１
・Ｐ２の直径とほぼ一致することから、本製造方法にお
ける露光プロセスでは、本ディスク基板１のトラックピ
ッチをＷ_p とすると、これらλ_LB2 ，ＮＡ_LB2 ，
ｄ_LB2 ，Ｗ_p を、 （λ_LB2 ／ＮＡ_LB2 ）＝ｄ_LB2 ≦Ｗ_p … （２） を満たすように設定することが好ましいといえる。

【０１０９】また、この式（２）、および上記した式
（１）より、λ_LB1 ，ｄ_LB1 ，ＮＡ_LB1 ，λ_LB2 ，ＮＡ
_LB2 ，ｄ_LB2 は、 ｄ_LB1 ＝（λ_LB1 ／ＮＡ_LB1 ）＞ｄ_LB2 ＝（λ_LB2 ／ＮＡ_LB2 ）… （３） を満たすように設定されることが好ましいといえる。

【０１１０】なお、実施の形態１・２において参照した
図１および図８・９では、アドレスピットＰ１・Ｐ２を
円形のピットとして示している。しかしながら、図１０
に示すように、グルーブ領域Ｇより深く、かつ、基板表
面からの深さのほぼ等しいアドレスピットＰ１・Ｐ２
に、周方向に長く延びた長円形のピットを含めてもよ
い。この場合、長円形のピットの幅をトラックピッチよ
りも狭くすることにより、安定したトラッキングと安定
したアドレス情報の再生とを実現できる。

【０１１１】次に、本製造方法による本ディスク基板１
の具体的な製造例を、実施例として示す。

【０１１２】〔実施例〕 本実施例では、図１１に示すカッティング装置３１を用
いた本ディスク基板１を製造例と、本ディスク基板１に
おける適切なグルーブ深さｄ_G およびピット深さｄ_P と
を確認するための測定について説明する。

【０１１３】図１１は、カッティング装置３１の構成を
示す説明図である。この図に示すように、カッティング
装置３１は、光源８，第１の光学変調素子９，全反射ミ
ラー１０，第１のビームスプリッター１１，全反射ミラ
ー１２，第２の光学変調素子１３，第１のビームエキス
パンダー１４，遮光板１５，第２のビームスプリッター
１６，全反射ミラー１７、対物レンズ１８，第３の光学
変調素子１９，光学偏向素子２０，第２のビームエキス
パンダー２１，全反射ミラー２２，回転テーブル３０を
備えている。

【０１１４】光源８は、Ｋｒガスレーザーを有するレー
ザー光源である。光学変調素子９は、光源８から出射さ
れる光ビームのパワーを制御するものである。第１のビ
ームスプリッター１１は、光源８の光ビームを、グルー
ブ形成領域Ｇａを露光するための光ビームＬＢ１と、ピ
ット形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２ａを露光するための光ビーム
ＬＢ２とに分割するものである。

【０１１５】光学変調素子１３・１９は、光ビームＬＢ
１・ＬＢ２のパワーをそれぞれ制御するものである。第
１のビームエキスパンダー１４は、光ビームＬＢ１のビ
ーム径を、所定の大きさに拡大するものである。遮光板
（開口数減少部）１５は、光ビームＬＢ１の中心部だけ
を透過させることにより、光ビームＬＢ１のビーム径を
所望の大きさに制限し、その開口数を減少させるもので
ある。なお、この遮光板１５の詳細な構成については後
述する。

【０１１６】また、光学偏向素子２０は、第２の光ビー
ムＬＢ２の集光位置を、第１ピット形成領域Ｐ１ａ（グ
ルーブ形成領域Ｇａの中心）と第２ピット形成領域Ｐ２
ａとの間で移動させるものである。第２のビームエキス
パンダー２１は、光ビームＬＢ２のビーム径を、所定の
大きさに拡大するものである。さらに、第２のビームス
プリッター１６は、光ビームＬＢ１と光ビームＬＢ２と
を合成するものである。回転テーブル３０は、本原盤の
材料であるガラス基板３を設置するための回転台であ
る。

【０１１７】すなわち、このカッティング装置３１で
は、光源８のレーザー光は、第１の光学変調素子９によ
りパワー制御されて全反射ミラー１０により光路を変更
された後、第１のビームスプリッター１１により、光ビ
ームＬＢ１・ＬＢ２に分割される。

【０１１８】第１のビームスプリッター１１を透過した
光ビームＬＢ１は、全反射ミラー１２により反射された
後、第２の光学変調素子１３により再度パワー制御さ
れ、第１のビームエキスパンダー１４を通過して所定の
ビーム径に拡大される。その後、遮光板１５により光ビ
ーム径を制限された後、第２のビームスプリッター１６
を通過し、全反射ミラー１７・対物レンズ１８を介し
て、回転テーブル３０上のガラス基板３に集光照射され
るようになっている。

【０１１９】一方、第１のビームスプリッター１１に反
射された光ビームＬＢ２は、第３の光学変調素子１９に
よりパワー制御され、光学偏向素子２０・第２のビーム
エキスパンダー２１を透過して、所定の光ビーム径に拡
大される。その後、全反射ミラー２２・第２のビームス
プリッター１６に反射されて第１の光ビームＬＢ１と合
成された後、全反射ミラー１７・対物レンズ１８を介し
てガラス基板３に集光照射されるようになっている。

【０１２０】ここで、遮光板１５の構成について説明す
る。図１２（ａ）（ｂ）は、遮光板１５の平面図および
断面図である。図１２（ｂ）に示すように、この遮光板
１５は、入射光ビーム２５における端部分を反射（ある
いは吸収）する一方、中心部分を透過させて透過光ビー
ム２６を出射するものである。そして、透光性を有する
ガラス基板２３上に、光の透過を防止する金属膜２４を
備えた構成を有している。

【０１２１】このように、遮光板１５から出射される透
過光ビーム２６の直径は、入射光ビーム２５より小さく
なる。従って、遮光板１５を透過する光ビームＬＢ１に
対する対物レンズ１８の実効的な開口数をＮＡ_LB1 と
し、遮光板１５を透過しない光ビームＬＢ２に対する対
物レンズ１８の実効的な開口数をＮＡ_LB2 とすると、Ｎ
Ａ_LB1 ＜ＮＡ_LB2 となる。

【０１２２】ここで、光ビームの波長をλとすると、光
ビームＬＢ１・ＬＢ２のスポット径ｄ_LB1 ・ｄ_LB2 は、
それぞれ、ｄ_LB1 ＝λ／ＮＡ_LB1 ，ｄ_LB2 ＝λ／ＮＡ
_LB2 となる。このため、カッティング装置３１のよう
に、光ビームＬＢ１の光路中に遮光板１５を設けること
により、上記（３）式に示したｄ_LB1 ＞ｄ_LB2 なる条件
を満足する２つの光ビームＬＢ１・ＬＢ２を形成できる
ことがわかる。

【０１２３】また、ここで、光ビームＬＢ１・ＬＢ２の
開口数ＮＡ_LB1 ・ＮＡ_LB2 について説明する。図１３
（ａ）（ｂ）に示すように、開口数ＮＡ_LB1 ・ＮＡ_LB2
は、対物レンズ１８からガラス基板３への光ビームＬＢ
１・ＬＢ２の絞り込み角度θ₁ ・θ₂ の正弦（signθ₁
・signθ₂ ）である。従って、遮光板１５によって光ビ
ームＬＢ１の光路を狭めることによりθ₁ ＜θ₂ とでき
るので、ＮＡ_LB1 ＜ＮＡ_LB2 の関係を実現することが可
能となる。

【０１２４】次に、カッティング装置３１を用いた本原
盤の作成について説明する。まず、本実施例では、高精
度に研磨した石英ガラスからなるガラス基板３上に、膜
厚３００ｎｍのフォトレジスト２（シプレー社のマイク
ロポジットＳ１４００）をスピンコート法により塗布し
た。その後、このガラス基板３を、９５℃で３０分間プ
リベークした。

【０１２５】次に、このガラス基板３を回転テーブル３
０に配置し、光ビームＬＢ１・ＬＢ２のスポット径がそ
れぞれ０．６μｍ，０．３７μｍとなるように、カッテ
ィング装置３１の各部材を設定した。そして、トラック
ピッチが０．５μｍとなる条件で、フォトレジスト２の
露光を行った。

【０１２６】その結果、現像後、グルーブ形成領域Ｇａ
において、表面の溝幅０．６２μｍ，最も深い部分での
溝深さ２００ｎｍの湾曲したフォトレジストパターンで
ある、第１残存レジスト膜４（図７（ａ）参照）が形成
された。一方、ピット形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２ａには、ガ
ラス基板３の表面を直径０．３μｍだけ露出するような
フォトレジストパターンが形成された。なお、このと
き、第１ピット形成領域Ｐ１ａに対する露光量を、第２
ピット形成領域Ｐ２ａに対する露光量より小さく設定し
た。

【０１２７】次に、現像後のガラス基板３を、９５℃で
３０分間ポストベークし、平行平板型のドライエッチン
グ装置内（図示せず）に配置した。そして、このドライ
エッチング装置を真空排気した後、ＣＦ４ガスを導入
し、ガス圧５ｍＴｏｒｒの条件で、４００Ｗの高周波電
力を投入して第１のドライエッチングを行った。この第
１のドライエッチングによって、ピット形成領域Ｐ１ａ
・Ｐ２ａにおけるガラス表面が、それぞれ、５２．５ｎ
ｍの深さにエッチングされた。また、グルーブ形成領域
Ｇａには、膜厚５０ｎｍの第２残存レジスト膜５（図７
（ｂ）参照）が残った。

【０１２８】次に、このドライエッチング装置を再度真
空排気した後、酸素ガスを導入し、ガス圧７０ｍＴｏｒ
ｒの条件で、２００Ｗの高周波電力を投入して第１のア
ッシングを行った。この第１のアッシングにおいては、
ガラス基板３は全くエッチングされず、フォトレジスト
２のみが均一に除去された。また、この第１のアッシン
グは、グルーブ形成領域Ｇａに、トラックピッチと同様
の０．５μｍの幅を有するガラス表面６（図７（ｃ）参
照）を露出させるまで行った。

【０１２９】次に、ドライエッチング装置を再度真空排
気した後、ＣＦ４ガスを導入し、ガス圧５ｍＴｏｒｒの
条件で、４００Ｗの高周波電力を投入して第２のドライ
エッチングを行った。この第２のドライエッチングによ
って、グルーブ形成領域Ｇａに新たに露出したガラス面
７（図７（ｄ）参照）と、ピット形成領域Ｐ１ａ・Ｐ２
ａにおけるガラス面とが、それぞれ５２．５ｎｍだけエ
ッチングされた。

【０１３０】次に、再度、ドライエッチング装置を真空
排気し、酸素ガスを導入し、ガス圧７０ｍＴｏｒｒの条
件で、２００Ｗの高周波電力を投入して第２のアッシン
グを行い、ガラス基板３上に残ったフォトレジストを除
去することにより、石英ガラスからなる本原盤を完成さ
せた。

【０１３１】このように作成された本原盤は、グルーブ
領域Ｇおよびランド領域Ｌの幅が０．５μｍ、グルーブ
領域Ｇの溝深さが５２．５ｎｍであった。また、アドレ
スピットＰ１・Ｐ２は、直径０．３μｍ、ランド領域Ｌ
の表面からの深さ１０５ｎｍに形成された。

【０１３２】なお、以上のようにして形成された本原盤
（石英エッチング原盤）を用いて本ディスク基板１を作
成するためには、以下のような工程を経る。すなわち、
本原盤上にＮｉからなる電鋳膜を形成し、このＮｉ電鋳
膜を本原盤から剥離することにより、本原盤に形成され
ている凹凸パターンをＮｉ電鋳膜の表面に転写する。そ
の後、このＮｉ電鋳膜をスタンパーとして用い、ポリカ
ーボネート等の樹脂を射出成形することにより、樹脂製
の本ディスク基板１を製造できる。また、この本ディス
ク基板１の凹凸のある側（グルーブ領域Ｇおよびランド
領域Ｌの形成されている側）に記録膜を形成することに
より、光磁気ディスク等の光記録媒体を得ることができ
る。

【０１３３】次に、本ディスク基板１を備えた光磁気デ
ィスクに対し、アドレス情報の再生特性、および、トラ
ッキングの安定性を測定した結果について説明する。本
実施例では、本ディスク基板１に、特開平９−３２０１
３４号公報に記載されている超解像光磁気記録方式の記
録膜を積層し、表１に示すような、光磁気ディスクのサ
ンプル♯１〜♯１３を作成した。そして、これらサンプ
ル♯１〜♯１３を光磁気ドライブによって再生し、特性
の評価を行った。なお、この再生は、各サンプルに対
し、記録再生用の光ビームを本ディスク基板１側から照
射することにより行った。

【０１３４】なお、この表１に示すように、各サンプル
♯１〜♯１３は、グルーブ深さｄ_G 、および、ピット深
さｄ_P が、互いに異なる光磁気ディスクである。

【０１３５】

【表１】

【０１３６】また、この表には、各サンプル♯１〜♯１
３におけるアドレスピットＰ１・Ｐ２からの再生出力
（Ｐ１再生出力・Ｐ２再生出力）およびトラッキングの
可否を記載している。なお、トラッキング欄における
「不可」とは、全くトラッキングを行えなかったことを
意味している。また、「ＮＧ」とは、トラッキングは行
えるものの、アドレスピットＰ１・Ｐ２部分においてト
ラッキングが不安定となり、予期せぬトラックジャンプ
の発生が確認されたことを意味している。

【０１３７】さらに、Ｐ１・Ｐ２再生出力の値は、サン
プル♯８（ｄ_G ；５２．５ｎｍ、ｄ_P ；１０５ｎｍ）の
Ｐ２再生出力を１００％として、規格化したものであ
る。

【０１３８】また、使用した光磁気ドライブは、波長６
３０ｎｍの半導体レーザー光源と、０．６０のＮＡを有
する対物レンズとを備えた光ピックアップを搭載したも
のである。また、本ディスク基板１の材料としては、屈
折率１．５のポリカーボネートを用いた。

【０１３９】表１に示すように、グルーブ深さｄ_G が１
８ｎｍ，１００ｎｍのサンプル♯１・♯１３では、良好
なＰ１・Ｐ２再生出力を得られないとともに、トラッキ
ングを行えなかった。これは、グルーブ深さｄ_G が浅過
ぎる、あるいは深過ぎるために、良好なプッシュプル信
号を得られなくなってしまうことに原因がある。

【０１４０】また、サンプル♯６・♯１２（ｄ_G ；２５
ｎｍ，８０ｎｍ、ｄ_P ；１５０ｎｍ）では、良好なＰ１
・Ｐ２再生出力を得られないとともに、トラッキングが
不安定となってしまった。これは、ピット深さｄ_P が深
過ぎるため、グルーブ領域Ｇからのプッシュプル信号が
乱されたためである。

【０１４１】一方、２５〜８０ｎｍのグルーブ深さ
ｄ_G 、および、１３５ｎｍ以下のピット深さｄ_P を有す
るサンプル♯２〜♯５・♯７〜♯１１では、良好なトラ
ッキングを実現できた。従って、トラッキングを良好に
行うためには、グルーブ深さｄ_G およびピット深さｄ_P
を、 ２５ｎｍ≦ｄ_G ≦８０ｎｍ … （４） ｄ_P ≦１３５ｎｍ … （５） を満たすように設定することが好ましいといえる。

【０１４２】また、サンプル♯２（ｄ_G ；２５ｎｍ、ｄ
_P ；４０ｎｍ）およびサンプル♯９（ｄ_G ；８０ｎｍ、
ｄ_P ；９５ｎｍ）では、それぞれ６０％，６５％のＰ２
再生出力を得られ、アドレスピットＰ２におけるアドレ
ス情報を正確に再生できた。しかしながら、Ｐ１再生出
力が１５％，２０％と極めて小さくなり、アドレスピッ
トＰ１のアドレス情報を再生できなかった。

【０１４３】これは、アドレスピットＰ１がグルーブ領
域Ｇの内部に形成されているため、Ｐ１再生出力が減少
したことが原因である。すなわち、サンプル♯２・♯９
におけるアドレスピットＰ１の実効的な深さｄ_P1E （グ
ルーブ領域Ｇの底面からの深さ；ｄ_P1E ＝ｄ_P1−ｄ_G ）
は、１５ｎｍとなっており、この浅すぎるｄ_P1E のため
にＰ１再生出力が小さくなり、アドレス情報を安定して
再生できないのである。

【０１４４】一方、アドレスピットＰ１の実効的な深さ
ｄ_P1E が２５ｎｍ以上のサンプル♯３〜♯５（ｄ_G ；２
５ｎｍ、ｄ_P ；５０ｎｍ，１０５ｎｍ，１３５ｎｍ）に
おいては、Ｐ２再生出力よりもＰ１再生出力が小さくな
る傾向のあるものの、いずれの場合も５０％以上のＰ１
・Ｐ２再生出力を得られ、アドレス情報を正確に再生で
きた。また、サンプル♯７（ｄ_G ；４０ｎｍ、ｄ_P ；１
０５ｎｍ）、および、サンプル♯１０・♯１１（ｄ_G ；
８０ｎｍ、ｄ_P ；１０５ｎｍ，１３５ｎｍ）において
も、サンプル♯３〜♯５と同様に、アドレス情報の正確
な再生を実現できた。

【０１４５】従って、安定したトラッキングに加えて、
アドレス情報の正確な再生を実現するためには、上記し
た式（４）（５）に示した設定に加えて、アドレスピッ
トＰ１の実効的な深さｄ_P1E を、 ２５ｎｍ≦ｄ_P1E … （６） を満たすように設定することが好ましいといえる。

【０１４６】なお、表１および式（４）〜（６）に示し
た結果は、波長６３０ｎｍの光源を持つ光磁気ドライブ
と、屈折率１．５のポリカーボネート基板からなる本デ
ィスク基板１を用いて得られた結果である。従って、光
源波長の異なる光磁気ドライブを用いる場合や、他の材
料を用いて本ディスク基板１を作成する場合、これら波
長および材料に対応して、グルーブ深さｄ_G およびピッ
ト深さｄ_P を適切に設定することが好ましい。

【０１４７】すなわち、グルーブ深さｄ_G は、光源の波
長λ_d ，基板材料の屈折率ｎおよび任意の正数ｋによっ
て、ｄ_G ＝λ_d ／（ｋ・ｎ）と表現できる。また、同様
に、ピット深さｄ_P は、上記した波長λ_d ，屈折率ｎお
よび任意の正数ｋによって、ｄ_P ＝λ_d ／（ｋ・ｎ）と
表現できる。

【０１４８】従って、式（４）（５）より、安定したト
ラッキングを実現するためには、 λ_d ／（１６．８ｎ）≦ｄ_G ≦λ_d ／（５．２５ｎ） … （７） ｄ_P ≦λ_d ／（３．１ｎ） … （８） を満足するように、グルーブ深さｄ_G およびピット深さ
ｄ_P を設定することが好ましいといえる。

【０１４９】また、安定したトラッキングに加えて、ア
ドレス情報の正確な再生を実現するためには、上記した
式（７）（８）の設定に加えて、式（６）より、アドレ
スピットＰ１の実効的深さｄ_P1E を、 λ_d ／（１６．８ｎ）≦ｄ_P1E … （９） を満たすように設定することが好ましい。なお、式
（７）〜（９）におけるλ_d ，ｎに６３０ｎｍ，１．５
をそれぞれ代入すれば、式（４）〜（６）を求めること
ができる。

【０１５０】また、本実施例では、記録再生を行うため
の光ビームを、本ディスク基板１側から照射する場合に
ついて説明している。しかしながら、これに限らず、光
ビームが記録膜側から照射される場合においても、本デ
ィスク基板１を用いることが可能である。

【０１５１】例えば、本ディスク基板１上に、記録膜お
よび紫外線硬化樹脂保護層（保護膜）を形成し、この保
護膜側から光ビームを照射して記録再生を行うこともで
きる。なお、この場合、記録再生光は、本ディスク基板
１ではなく、保護膜を透過することになる。

【０１５２】このため、良好なトラッキングを実現する
ためのグルーブの深さｄ_G ，ピット深さｄ_P1・ｄ_P2、お
よび、アドレス情報を良好に再生するための第アドレス
ピットＰ１の実効的な深さｄ_P1E の好ましい範囲は、保
護膜の屈折率をｎとして、上記した（７）〜（９）式に
よって設定される。

【０１５３】また、本ディスク基板１上に記録膜のみを
形成し、記録膜側から光ビームを照射して記録再生を行
うこともできる。なお、このように構成する場合、グル
ーブの深さｄ_G ，ピット深さｄ_P1・ｄ_P2、および、第１
のアドレスピットの実効的深さｄ_P1E の好ましい範囲
は、空気の屈折率をｎとして、上記した（７）〜（９）
式によって設定される。

【０１５４】また、本実施の形態では、第１および第２
のアッシングとして、酸素ガスプラズマを用いたドライ
エッチングを挙げている。しかしながら、本製造方法に
おけるアッシングは、これに限らず、ガラス基板３の表
面におけるエッチングを進行させない一方、フォトレジ
スト２を灰化除去するような工程であれば、どのような
プロセスであってもかまわない。

【０１５５】また、本実施の形態では、本製造方法にお
ける露光プロセスにおいて、ガラス基板３上のフォトレ
ジスト２に、露光部位Ｆをらせん状に形成するとしてい
るが、これに限らず、露光部位Ｆを同心円状に形成して
もよい。このようにすれば、同心円状のグルーブ領域Ｇ
およびランド領域Ｌを有する光記録媒体用原盤を製造で
きる。

【０１５６】また、本実施の形態に示したように、本デ
ィスク基板１における凹凸のある側、すなわち、グルー
ブ領域Ｇおよびランド領域Ｌに記録膜を設けることによ
り、光記録媒体を形成することができる。また、一方、
本ディスク基板１における凹凸のない側に記録膜を形成
することによっても、光記録媒体を得ることは可能であ
る。

【０１５７】また、実施の形態１・２では、本発明の光
記録媒体用基板として、本ディスク基板１を示してい
る。しかしながら、本発明の光記録媒体用基板は、光磁
気ディスクに限らず、他の光ディスクや光カード等の基
板に対しても、容易に応用できるものである。

【０１５８】また、実施の形態２に示した本製造方法の
エッチングプロセスによれば、原理的には、アドレスピ
ットＰ１・Ｐ２の深さｄ_P1・ｄ_P2を完全に同一の深さに
設定できる。しかしながら、これらの深さｄ_P1・ｄ
_P2は、エッチング分布による若干の深さ分布のために、
僅かに異なる可能性がある。このため、実施の形態２で
は、アドレスピットＰ１・Ｐ２の深さｄ_P1，ｄ_P2が互い
にほぼ等しい深さとなる、と表現している。

【０１５９】また、実施の形態１・２では、本発明の光
記録媒体が、図１に示したグルーブ領域Ｇ，ランド領域
ＬおよびアドレスピットＰ１・Ｐ２の設けられた本ディ
スク基板１備えており、このために、アドレス情報を、
正確に、かつ、安定して再生できるようになっていると
している。

【０１６０】しかしながら、これに限らず、ほぼ面一の
基板上に、樹脂等によってグルーブ領域Ｇ，ランド領域
ＬおよびアドレスピットＰ１・Ｐ２を形成するようにし
てもよい。このように構成しても、本ディスク基板１を
用いる場合と同様の効果を得ることができる。

【０１６１】また、光ビームＬＢ１の光強度を、グルー
ブ形成領域Ｇａのフォトレジストの露光が不十分な状態
となるような強度としてもよい。この場合、図７（ａ）
に示したように、湾曲した形状を有する第１残存レジス
ト膜４の形成されたグルーブ形成領域Ｇａでは、露光現
像が不十分であるため、平滑な表面を得ることができな
い。すなわち、このようなレジストパターン（第１残存
レジスト膜４）では、ランドグルーブ記録に必要な、矩
形でありかつ平滑なグルーブ領域Ｇを得ることができな
い。

【０１６２】また、図１１に示すカッティング装置３１
における光学偏向素子２０は、第２の光ビームＬＢ２の
集光位置を、グルーブ形成領域Ｇａの中心とランド領域
Ｌが形成されるべき部位の中心との間で移動させる機能
を有するものである、と表現できる。

【０１６３】また、図９に示すように、アドレスピット
Ｐ１・Ｐ２の直径がグルーブ領域Ｇまたはランド領域Ｌ
の幅とほぼ等しい場合、アドレスピットＰ１・Ｐ２の存
在しない領域において得られるプッシュプル信号を検出
することにより、アドレスピットＰ１・Ｐ２によりプッ
シュプル信号の乱れが観測されるものの安定したトラッ
キングが可能であったが、アドレスピットＰ１・Ｐ２の
直径がさらに大きくなり、グルーブ領域Ｇまたはランド
領域Ｌの幅よりも広くなると、該プッシュプル信号が大
きく乱され、トラッキングができなくなってしまう。以
上のことより、本ディスク基板１において、アドレスピ
ットＰ１・Ｐ２の直径は、トラックピッチ以下、すなわ
ち、グルーブ領域Ｇまたはランド領域Ｌの幅以下である
ことが好ましいといえる。

【０１６４】また、光ディスク基板上に記録膜、およ
び、紫外線硬化樹脂保護層を形成し、この保護層側から
光ビームを照射し記録再生を行う場合においては、実施
例に記載の基板材料の屈折率ｎを紫外線硬化樹脂保護層
の屈折率とすればよい。また、光ディスク基板上に記録
膜のみを形成し、記録膜側から光ビームを照射して記録
再生を行う場合においては、実施例に記載の基板材料の
屈折率ｎを、空気の屈折率とすればよい。

【０１６５】また、本発明の光記録媒体用原盤を、第１
のアドレスピットを有するグルーブ、および、第２のア
ドレスピットを有するランドの設けられた基板を備えて
おり、この基板におけるグルーブの深さｄ_G ，第１のア
ドレスピットの深さｄ_P1および第２のアドレスピットの
深さｄ_P2が、ｄ_G ＜ｄ_P1≒ｄ_P2を満たすように設定され
ている構成である、と表現することもできる。

【０１６６】また、本発明の本記録媒体用基板を、第１
のアドレスピットを有するグルーブ、および、第２のア
ドレスピットを有するランドを備えており、グルーブの
深さｄ_G ，第１のアドレスピットの深さｄ_P1および第２
のアドレスピットの深さｄ_P2が、ｄ_G ＜ｄ_P1≒ｄ_P2を満
たすように設定されている構成である、と表現すること
もできる。

【０１６７】また、本発明の光記録媒体を、記録膜と、
第１のアドレスピットを有するグルーブ、および、第２
のアドレスピットを有するランドを備えた基板とを有し
ており、この基板におけるグルーブの深さｄ_G ，第１の
アドレスピットの深さｄ_P1および第２のアドレスピット
の深さｄ_P2が、ｄ_G ＜ｄ_P1≒ｄ_P2を満たすように設定さ
れているものである、と表現することもできる。

【０１６８】また、本発明は、高密度な情報記録を可能
とする光記録再生装置に適用される光記録媒体およびそ
の製造方法等に関するものであり、以下に示す第１〜４
の光記録媒体，第１〜４の光記録媒体用原盤の製造方
法，第１のカッティング装置，第１の光記録媒体用原
盤，第１の光記録媒体用スタンパーおよび第１の光記録
媒体用樹脂基板として表現することもできる。

【０１６９】すなわち、第１の光記録媒体は、らせん状
または同心円状のグルーブとグルーブ間のランドとを有
し、グルーブおよびランドのそれぞれにおいて記録再生
が行われる光記録媒体において、グルーブに第１のアド
レスピットが設けられ、ランドに第２のアドレスピット
が設けられており、グルーブの深さをｄ_G 、第１のアド
レスピットの深さをｄ_P1、第２のアドレスピットの深さ
をｄ_P2としたとき、ｄ_G ＜ｄ_P1≒ｄ_P2である構成であ
る。

【０１７０】従って、グルーブ深さより深いアドレスピ
ットを有することにより、正確にアドレス情報を再生す
ることが可能となる。また、第１のアドレスピットの深
さと第２のアドレスピットの深さとをほぼ等しくするこ
とにより、後述する第１の光記録媒体用原盤の製造方法
を用いて、本発明のグルーブおよびアドレスピットを再
現性良く形成することが可能となる。

【０１７１】第２の光記録媒体は、第１の光記録媒体に
おいて、グルーブに設けられた第１のアドレスピット
と、ランドに設けられた第２のアドレスピットとが、互
いに半径方向に隣接しないように形成されている構成で
ある。従って、グルーブに設けられた第１のアドレスピ
ットと、ランドに設けられた第２のアドレスピットとの
間のクロストークがなくなり、アドレス情報を正確に再
生することが可能となる。

【０１７２】第３の光記録媒体は、第１の光記録媒体に
おいて、該光記録媒体に対して記録再生を行う光の波長
をλ_d とし、該光記録媒体の基板屈折率をｎとして、グ
ルーブの深さｄ_G ，グルーブ底面からの第１のアドレス
ピットの実効的深さｄ_P1E ，第１のアドレスピットの深
さｄ_P1および第２のアドレスピットの深さｄ_P2が、（λ
_d ／１６．８ｎ）≦ｄ_G ≦（λ_d ／５．２５ｎ）、ｄ
_P1E ≧（λ_d ／１６．８ｎ）、ｄ_P1≒ｄ_P2≦（λ_d ／
３．１ｎ）である構成である。

【０１７３】従って、グルーブの深さと、グルーブ底面
からの第１のアドレスピットの実効的深さと、第１のア
ドレスピットの深さと、第２のアドレスピットの深さと
が最適化される。これにより、安定したトラッキングと
正確なアドレス情報の再生とが可能となる。

【０１７４】第１の光記録媒体用原盤の製造方法は、第
１〜３の光記録媒体の基板を作成するための原盤が、原
盤用基板上にフォトレジストを塗布され、グルーブ露光
用の第１の光ビームとアドレスピット露光用の第２の光
ビームとがフォトレジストに照射され、第１の光ビーム
と第２の光ビームとの強度を調整することにより、グル
ーブ領域においてフォトレジストが残り原盤基板表面が
露出せず、アドレスピット領域においてフォトレジスト
が完全に除去され原盤表面が露出するように、フォトレ
ジストの現像が行われ、第１のドライエッチングによ
り、アドレスピット領域のみの原盤表面がエッチングさ
れ、第１のアッシングにより、グルーブ領域の原盤表面
が露出させられ、第２のドライエッチングにより、グル
ーブ領域とアドレスピット領域との原盤表面がエッチン
グされ、最後に、残ったフォトレジストが除去されるこ
とにより作成される方法である。

【０１７５】従って、アドレスピットの深さよりも浅
い、平滑で矩形のグルーブを形成することが可能とな
る。また、グルーブの深さとアドレスピットの深さと
を、第１のエッチングプロセスと第２のエッチングプロ
セスとにおけるエッチング条件のみにより決定すること
ができ、再現性良く、所望の深さのグルーブとアドレス
ピットとを形成することが可能となる。

【０１７６】第２の光記録媒体用原盤の製造方法は、第
１の光記録媒体用原盤の製造方法において、グルーブ露
光用の第１の光ビームのビームスポットの直径をｄ_LB1
とし、アドレスピット露光用の第２の光ビームのビーム
スポットの直径をｄ_LB2 とした場合、ｄ_LB1 ＞ｄ_LB2 で
ある方法である。従って、トラックピッチよりも直径ま
たは幅の小さなアドレスピットを形成することが可能と
なり、安定したトラッキングと安定したアドレス情報の
再生とを行うことが可能となる。

【０１７７】第３の光記録媒体用原盤の製造方法は、第
１の光記録媒体用原盤の製造方法において、グルーブ露
光用の第１の光ビームのビームスポットの直径を
ｄ_LB1 ，トラックピッチをＷ_p ，グルーブ領域の幅をＷ
_G ，ランド領域の幅をＷ_L とした場合、Ｗ_p とＷ_G とＷ
_L とがそれぞれほぼ等しく、さらに、ｄ_LB1 ＞Ｗ_p であ
る方法である。

【０１７８】従って、本発明のエッチングプロセスにお
いて、グルーブ領域の幅とランド領域の幅とをほぼ等し
く形成することが可能となり、グルーブ領域における記
録再生特性とランド領域における記録再生特性とがほぼ
等しい、ランドグルーブ記録用の光記録媒体を得ること
が可能となる。

【０１７９】第４の光記録媒体用原盤の製造方法は、第
１の光記録媒体用原盤の製造方法において、アドレスピ
ット露光用の第２の光ビームのビームスポットの直径を
ｄ_LB2 ，トラックピッチをＷ_p ，グルーブ領域の幅をＷ
_G ，ランド領域の幅をＷ_L とした場合、Ｗ_p とＷ_G とＷ
_L とがそれぞれほぼ等しく、さらに、ｄ_LB2 ≦Ｗ_p であ
る方法である。

【０１８０】従って、トラックピッチよりも直径または
幅の小さなアドレスピットを形成することが可能とな
り、安定したトラッキングと安定したアドレス情報の再
生とを行うことが可能となる。

【０１８１】また、第１のカッティング装置は、第１の
光記録媒体用原盤の製造方法において、原盤基板上に塗
布されたフォトレジストの露光を行うカッティング装置
が、グルーブ露光用の第１の光ビームとアドレスピット
露光用の第２の光ビームとを有しており、第１の光ビー
ムの光路中に、光ビームをフォトレジスト面に集光照射
するための対物レンズに対する開口数（ＮＡ）を小さく
することが可能な遮光板が挿入されている構成である。

【０１８２】従って、グルーブ露光用の第１の光ビーム
に対する開口数をアドレスピット露光用の第２の光ビー
ムに対する開口数よりも小さくすることが可能となり、
グルーブ露光用の第１の光ビームのビームスポット直径
をアドレスピット露光用の第２の光ビームのビームスポ
ットの直径より大きくできる。

【０１８３】また、第１の光記録媒体用原盤は、第１の
光記録媒体用原盤の製造方法により製造された構成であ
る。さらに、第１の光記録媒体用スタンパーは、第１の
光記録媒体用原盤から電鋳により製造された構成であ
る。また、第１の光記録媒体用樹脂基板は、第１の光記
録媒体用スタンパーを用いて製造された構成である。さ
らに、第４の光記録媒体は、第１の光記録媒体用樹脂基
板を用いて製造された構成である。

【０１８４】

【発明の効果】以上のように、本発明の光記録媒体（本
記録媒体）は、第１のアドレスピットを有するグルー
ブ、および、第２のアドレスピットを有するランドを備
えており、上記グルーブおよびランドはらせん状または
同心円状に連続的に形成されており、グルーブの深さｄ
_G ，第１のアドレスピットの深さｄ_P1および第２のアド
レスピットの深さｄ_P2が、 ｄ_G ＜ｄ_P1≒ｄ_P2 … （ａ） を満たすように設定されている構成である。

【０１８５】本記録媒体では、式（ａ）に示すように、
第１および第２のアドレスピットが、グルーブよりも深
くなっている。このため、これらアドレスピットからの
再生信号を強くできるので、アドレス情報を、正確に、
かつ、安定して再生できるようになっている。

【０１８６】また、本記録媒体では、式（ａ）に示すよ
うに、第１および第２のアドレスピットとの深さが、互
いにほぼ等しくなっている。これにより、これら２種類
のアドレスピットに対する製造工程を同一とできるの
で、本記録媒体を、比較的簡単な工程から製造できるよ
うになっている。

【０１８７】また、本記録媒体では、第１のアドレスピ
ットと第２のアドレスピットとが、互いの隣接を回避す
るように形成されていることが好ましい。これにより、
クロストークの発生を大幅に抑制できるため、アドレス
情報のより正確な再生が可能となる。

【０１８８】また、本記録媒体は、上記したグルーブお
よびランドの設けられた基板（光記録媒体用基板）に、
所定の記録膜を積層することで容易に構成できる。ま
た、このように構成する場合、グルーブの深さｄ_G ，第
１のアドレスピットの深さｄ_P1および第２のアドレスピ
ットの深さｄ_P2は、基板材料の屈折率ｎ，記録再生光の
波長λ_d に応じて、 λ_d ／（１６．８ｎ）≦ｄ_G ≦λ_d ／（５．２５ｎ） … （ｂ） ｄ_P1≒ｄ_P2≦λ_d ／（３．１ｎ） … （ｃ） を満足するように設定されていることが好ましい。グル
ーブ深さｄ_G およびピット深さｄ_P1・ｄ_P2を式（ｂ）
（ｃ）の範囲に設定することで、良好なトラッキングを
実現することが可能となる。

【０１８９】さらに、上記のような光記録媒体用基板を
用いる場合、第１のアドレスピットの実効的深さｄ_P1E
は、 ｄ_P1E ≧λ_d ／（１６．８ｎ） … （ｄ） を満足するように設定されていることが好ましい。第１
のアドレスピットの実効的深さｄ_P1E を式（ｄ）の範囲
に設定することで、アドレス情報を、安定して、かつ正
確に再生することが可能となる。

【０１９０】また、上記の記録膜上には、この記録膜を
保護するための保護膜を備えることが好ましい。さら
に、この保護膜側から記録再生光を照射して本記録媒体
に対する記録・再生を行う場合には、記録再生光は、基
板ではなく保護膜を透過することになる。

【０１９１】このため、良好なトラッキングを実現する
ためのグルーブの深さｄ_G ，ピット深さｄ_P1・ｄ_P2、お
よび、アドレス情報を良好に再生するための第１のアド
レスピットの実効的深さｄ_P1E の好ましい範囲は、保護
膜の屈折率ｎａ，記録再生光の波長λ_d を用いて、 λ_d ／（１６．８ｎａ）≦ｄ_G ≦λ_d ／（５．２５ｎａ） … （ｅ） ｄ_P1≒ｄ_P2≦λ_d ／（３．１ｎａ） … （ｆ） ｄ_P1E ≧λ_d ／（１６．８ｎａ） … （ｇ） によって設定される。

【０１９２】また、本発明における光記録媒体用原盤
（本原盤）は、第１のアドレスピットを有するグルー
ブ、および、第２のアドレスピットを有するランドを備
えており、上記グルーブおよびランドはらせん状または
同心円状に連続的に形成されており、グルーブの深さｄ
_G ，第１のアドレスピットの深さｄ _P1 および第２のアド
レスピットの深さｄ _P2 が、 ｄ _G ＜ｄ _P1 ≒ｄ _P2 … （ａ） を満たすように設定されている構成である。

【０１９３】本原盤は、光記録媒体に用いられる光記録
媒体用基板と同一の構成（グルーブ，ランドおよびアド
レスピット等）を有している。本原盤によって製造され
る光記録媒体用基板は、ランドグルーブ記録方式の上記
光記録媒体に適用されるものとなる。本原盤を用いれ
ば、式（ａ）に示すように、第１および第２のアドレス
ピットが、グルーブよりも深く、これらアドレスピット
からの再生信号を強くでき、アドレス情報を、正確に、
かつ、安定して再生できる上記光記録媒体に用いられる
基板、すなわち、上記構成を有する本発明にかかる上記
光記録媒体を製造することができる。

【０１９４】また、本発明における光記録媒体用原盤の
製造方法（本製造方法）は、本発明における上記光記録
媒体用原盤の製造方法であって、原盤用の基板にレジス
トを塗布する塗布工程と、グルーブ形成領域のレジスト
を、第１のアドレスピット形成領域を除く基板表面の露
出を回避するように一部残留させる一方、第１および第
２のアドレスピット形成領域におけるレジストの残存を
回避するように、上記基板に対する露光および現像を行
う露光現像工程と、第１および第２のアドレスピット形
成領域に露出した基板表面をエッチングする第１のドラ
イエッチング工程と、グルーブ形成領域に基板表面が露
出するまで上記原盤用の基板上のレジストの膜厚を減少
させる第１のアッシング工程と、グルーブ形成領域並び
に第１および第２のアドレスピット形成領域における基
板表面をエッチングする第２のドライエッチング工程と
を含んでいる方法である。

【０１９５】本製造方法では、第１のドライエッチング
工程において第１および第２のアドレスピット形成領域
のみをエッチングする一方、第２のドライエッチング工
程においてグルーブ形成領域および第１および第２のア
ドレスピット形成領域の双方をエッチングするように設
定されている。すなわち、本製造方法では、グルーブ形
成領域を１回だけエッチングする一方、第１および第２
のアドレスピット形成領域に対するエッチングを２回行
うようになっている。これにより、第１および第２のア
ドレスピットをグルーブよりも深く形成することが可能
となっている。

【０１９６】また、本製造方法では、グルーブ形成領域
および第１および第２のアドレスピット形成領域に露出
した原盤用基板をエッチングすることにより、グルーブ
並びに第１および第２のアドレスピットを形成するよう
になっている。これにより、グルーブ並びに第１および
第２のアドレスピットを平滑な矩形形状に形成できるの
で、微細な凹凸を有するレジスト面からこれらを形成す
る場合に比して、光記録媒体におけるグルーブノイズを
抑制できる原盤を製造することが可能となっている。

【０１９７】また、本製造方法では、原盤用基板に塗布
するレジストは１層だけであり、後に除去するような中
間層も不要となっている。このため、低コストで効率よ
く原盤を製造できる。さらに、原盤におけるグルーブ並
びに第１および第２のアドレスピットの深さを、第１お
よび第２のドライエッチング工程におけるエッチング条
件のみから決定できるので、所望の形状を有する原盤
を、再現性よく製造することが可能となっている。

【０１９８】なお、本製造方法には、第２のドライエッ
チング工程後において、原盤用基板上に残存したレジス
トを除去するための、第２のアッシング工程を含ませる
ことが好ましい。

【０１９９】また、本製造方法における露光現像工程
は、グルーブ形成領域を第１の光ビームによって露光す
る一方、第１および第２のアドレスピット形成領域を、
第１の光ビームよりも小さいスポット径を有する第２の
光ビームによって露光するように設定されていることが
好ましい。このようにすれば、第１および第２のアドレ
スピットの幅をグルーブ幅よりも小さくできる。このた
め、この原盤から製造される光記録媒体では、第１およ
び第２のアドレスピットから得られる反射光量変化量に
対し、グルーブから得られるトラッキング信号量を大き
くできるため、安定したトラッキングを実現することが
可能となる。

【０２００】また、本製造方法では、上記露光現像工程
において以下に示すようなカッティング装置を用いるこ
とが好ましい。すなわち、このカッティング装置は、光
源から照射される光ビームを分割して第１および第２の
光ビームを生成するビームスプリッターと、第１および
第２の光ビームを集光する対物レンズと、第１の光ビー
ムにおける対物レンズに対する開口数を減少させる開口
数減少部とを備えている構成である。

【０２０１】このカッティング装置を用いれば、１つの
光源から第１・第２の光ビームを生成できるとともに、
開口数減少部によって、第１の光ビームにおける対物レ
ンズに対する開口数を減少させられる。従って、スポッ
ト径の異なる第１・第２の光ビームを容易に生成でき
る。

【０２０２】また、本製造方法では、グルーブ形成領域
を露光する第１の光ビームのスポット径を、トラックピ
ッチよりも大きく設定することが好ましい。さらに、第
１のアッシング工程において、グルーブ形成領域に、ト
ラックピッチとほぼ等しい幅で、原盤用基板の表面を露
出させることが好ましい。これにより、原盤におけるグ
ルーブの幅を適切に設定できる。

【０２０３】また、本製造方法では、第１および第２の
アドレスピット形成領域を露光する第２の光ビームのス
ポット径を、トラックピッチ以下とすることが好まし
い。これにより、第１および第２のアドレスピットの幅
が、トラックピッチ、すなわちグルーブの幅よりも大き
くなることを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかる光磁気ディス
ク基板における、プリフォーマット領域およびデータ領
域の構成を示す説明図である。

【図２】上記光ディスク基板の構成を示す説明図であ
る。

【図３】図１に示したディスク基板におけるＡ−Ａ’線
断面図である。

【図４】図１に示したディスク基板におけるＢ−Ｂ’線
断面図である。

【図５】図１に示したディスク基板の原盤を製造するた
めの製造方法における露光プロセスを示す説明図であ
る。

【図６】図６（ａ）〜（ｅ）は、上記製造方法における
エッチングプロセスを示す説明図である。

【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、光ビームにおける実際
の強度分布を考慮して、上記エッチングプロセスを示す
ための説明図である。

【図８】図１に示した光磁気ディスク基板を備えた光磁
気ディスクに、光ビームスポットを集光照射した状態を
示す説明図である。

【図９】グルーブ領域と同様の幅を有するアドレスピッ
トを備えた光磁気ディスクに、光ビームスポットを集光
照射した状態を示す説明図である。

【図１０】図１に示したディスク基板に形成可能な、長
円形のアドレスピットを示す説明図である。

【図１１】図５に示した露光プロセスを実行可能なカッ
ティング装置の構成を示す説明図である。

【図１２】図１２（ａ）は、図１１に示したカッティン
グ装置に備えられた遮光板の構成を示す平面図であり、
図１２（ｂ）は同じく断面図である。

【図１３】図１３（ａ）（ｂ）は、図１１に示したカッ
ティング装置において生成される２つの光ビームの開口
数を示す説明図である。

【図１４】従来の光磁気ディスクの構成を示す説明図で
ある。

【図１５】従来の光磁気ディスクにおける他の構成を示
す説明図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク基板（光記録媒体用基板） ２ フォトレジスト（レジスト） ３ ガラス基板（原盤用の基板） ４ 第１残存レジスト膜 ５ 第２残存レジスト膜 ８ 光源 １１ 第１のビームスプリッター（ビームスプ
リッター） １５ 遮光板（開口数減少部） １８ 対物レンズ ３１ カッティング装置 Ｇ グルーブ領域（グルーブ） Ｌ ランド領域（ランド） Ｐ１・Ｐ２ アドレスピット Ｇａ グルーブ形成領域 Ｐ１ａ 第１ピット形成領域 Ｐ２ａ 第２ピット形成領域 Ｆ 露光部位 ｄ_G グルーブ深さ ｄ_P1，ｄ_P2 アドレスピットの深さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６Ｄ

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１のアドレスピットを有するグルーブ、
   および、第２のアドレスピットを有 するランド
   を備えており、上記グルーブおよびランドはらせん状または同心円状に
   連続的に形成されており、 グルーブの深さｄ_G ，第１のアドレスピットの深さｄ_P1
   および第２のアドレスピットの深さｄ_P2が、 ｄ_G ＜ｄ_P1≒ｄ_P2 を満たすように設定されていることを特徴とする光記録
   媒体。
2. 【請求項２】上記の第１のアドレスピットと第２のアド
   レスピットとが、互いの隣接を回避するように形成され
   ていることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】上記グルーブおよびランドの設けられた基
   板と記録膜とからなり、 グルーブの深さｄ_G ，第１のアドレスピットの深さｄ_P1
   および第２のアドレスピットの深さｄ_P2が、 上記基板の材料における屈折率ｎ，記録再生光の波長λ
   _d に応じて、 λ_d ／（１６．８ｎ）≦ｄ_G ≦λ_d ／（５．２５ｎ） ｄ_P1≒ｄ_P2≦λ_d ／（３．１ｎ） を満足するように設定されていることを特徴とする請求
   項１に記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】上記第１のアドレスピットにおけるグルー
   ブ底面からの深さｄ_P1E が、 ｄ_P1E ≧λ_d ／（１６．８ｎ） を満足するように設定されていることを特徴とする請求
   項３に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】上記グルーブおよびランドの設けられた基
   板と、記録膜と、保護膜との積層構造を有しているとと
   もに、保護膜側から記録再生光が照射されるようになっ
   ており、 さらに、グルーブの深さｄ_G ，第１のアドレスピットの
   深さｄ_P1および第２のアドレスピットの深さｄ_P2が、 上記保護膜の屈折率ｎａ，記録再生光の波長λ_d に応じ
   て、 λ_d ／（１６．８ｎａ）≦ｄ_G ≦λ_d ／（５．２５ｎａ） ｄ_P1≒ｄ_P2≦λ_d ／（３．１ｎａ） を満足するように設定されていることを特徴とする請求
   項１に記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】第１のアドレスピットを有するグルーブ、
   および、第２のアドレスピットを有するランドを備えて
   おり、 上記グルーブおよびランドはらせん状または同心円状に
   連続的に形成されており、 グルーブの深さｄ _G ，第１のアドレスピットの深さｄ _P1
   および第２のアドレスピットの深さｄ _P2 が、 ｄ _G ＜ｄ _P1 ≒ｄ _P2 を満たすように設定されていることを特徴とする光記録
   媒体用原盤。
7. 【請求項７】請求項６に記載の光記録媒体用原盤の製造
   方法であって、 原盤用の基板にレジストを塗布する塗布工程と、 グルーブ形成領域のレジストを、第１のアドレスピット
   形成領域を除く基板表面の露出を回避するように一部残
   留させる一方、第１および第２のアドレスピット形成領
   域におけるレジストの残存を回避するように、上記基板
   に対する露光および現像を行う露光現像工程と、 第１お
   よび第２のアドレスピット形成領域に露出した基板表面
   をエッチングする第１のドライエッチング工程と、 グルーブ形成領域に基板表面が露出するまで上記原盤用
   の基板上のレジストの膜厚を減少させる第１のアッシン
   グ工程と、 グルーブ形成領域並びに第１および第２のアドレスピッ
   ト形成領域における基板表面をエッチングする第２のド
   ライエッチング工程とを含んでいることを特徴とする光
   記録媒体用原盤の製造方法。
8. 【請求項８】上記露光現像工程は、 グルーブ形成領域を第１の光ビームによって露光する一
   方、 第１および第２のアドレスピット形成領域を、第１の光
   ビームよりも小さいスポット径を有する第２の光ビーム
   によって露光するように設定されていることを特徴とす
   る請求項７に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。
9. 【請求項９】光源から照射される光ビームを分割して第
   １および第２の光ビームを生成するビームスプリッター
   と、第１および第２の光ビームを集光する対物レンズ
   と、第１の光ビームにおける対物レンズに対する開口数
   を減少させる開口数減少部とを備えたカッティング装置
   を用いて上記露光現像工程を行うことを特徴とする請求
   項８に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。
10. 【請求項１０】上記露光現像工程は、 トラックピッチよりも大きいスポット径を有する第１の
    光ビームによってグルーブ形成領域を露光するように設
    定されており、 上記第１のアッシング工程は、グルーブ形成領域に、ト
    ラックピッチとほぼ等しい幅で基板表面を露出させるよ
    うに設定されていることを特徴とする請求項７に記載の
    光記録媒体用原盤の製造方法。
11. 【請求項１１】上記露光現像工程は、 トラックピッチ以下のスポット径を有する第２の光ビー
    ムによって第１および第２のアドレスピット形成領域を
    露光するように設定されていることを特徴とする請求項
    １０に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。