JPS62241149A - 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は特に光メモリ素子用基板の製造の際に使用する
フォトマスクおよびその製“°漬方法に関する。

（発明の技術的背景とその問題点） 近年光メモリ素子は高密度大容量メモリ素子として年々
その必要性が高まっている。この光メモリ素子はその使
用形態により再生専用メモリ、追　　　　′加記録可能
メモリおよび書き換え可能メモリの３種に分けることが
できる。この中、追加記録可能メモリおよび書き換え可
能メモリとして使用する光メモリ素子は情報の記録、再
生、消去を行う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に
案内するために通常基板にガイドトラックとそのトラッ
クが何番目のトラックかを識別するためのトラック番地
とを予め備えている。また同一トラックの中を複数個の
セクターに分け、情報を管理したい場合はセクタ一番地
等も予め設けられることが多い。

このガイドトラックの製法の一つに特開昭６０−１９５
７５１号公報に示した技術がある。第４図を用いてその
技術の概要を説明する。第４図（ａ）に示すように、ガ
ラスディスク（１００）にスピンナー等でレジスト膜（
、Ｉ　０１　）を塗布し、第４図（ｂ）のごとく予めガ
イドトラックやトラック番地あるいはセクタ一番地等を
形成したフォトマスク（１０２）を用い、紫外線等レジ
スト膜を感光する光を照射してフォトマスクのガイドト
ラック番地、セクタ一番地等（第４図（ｂ）おいて（＋
０５）の部分はＣｒやＴａ等光を透過しない膜が形成さ
れており、膜を一部除去することで所望のパターンを作
製している。）をレジスト（＋ｏ＋）に転写する。次に
第４［］（Ｃ）のごとくレジスト（＋０１）を現像した
後、第４図（ｄ）に示すようにＣＦ４やＣＨＦ３等のガ
ス中でリアクティブイオンエツチングを行うか、あるい
はＩ（Ｆ等の溶液中でウェットエツチングを行うかして
ガラスディスクにガイドトラックやトラック番地、セク
タ一番地等を直接刻む。最後に第４図（ｅ）に示すよう
に工程中で残ったレジス）（１０１）を除去（０２プラ
ズマ中でアッシングしても良いし、アセトン等の溶剤で
洗浄しても良い。）する。

こうしてガイドトラックを形成する。

以上の製法において、第４図（ｂ）の工程において使用
するフォトマスク（＋０２）は第５図のような方法で作
製される。即ち円板状をしたフォトマスク用基板（＋０
６）上に光を透過しない膜（＋０７）とレジス）（＋０
８）を重ねて塗布し、この円板を中心軸のまわりに回転
させながら、対物レンズ（＋０９）で集光されたＡｒレ
ーザ等の光（＋１０）により、該レジス）（＋０８）上
に螺旋もしくは同一円状のガイドトラックを記録する。

トラック番地やセクタ一番地は該Ａｒレーザ光（ＩｉＯ
）を所定の周波数で断続させることで記録する。

このような第５図の方式で作製したマスクを用い、第４
図で示した方式でガイドトラックやトラック番地、セク
タ一番地等をガラス基板に形成した場合は、ガイドトラ
ック部分の深さと、セクタ一番地あるいはガイド番地の
深さとは同一になる。

ところが最近、第６図に示したようなガイドトラック部
（１目）と、セクタ一番地部あるいはガイド番地部（１
１２）の深さを変え、かつガイドトラック部（１１１）
の間に上記番地部（＋１２）を設けたディスク基板が提
案されている。これは回折光差動方式によって光ビーム
をトラッキングする場合、トラック部の深さは使用する
光の波長をλとして、λ／８ｎ近辺（ただしｎは基板の
屈折率）にすることが好都合であり、番地部の深さはλ
／４ｎ付近にすることが良いためである。しかし第４図
から第５図までに示した方式では第６図のようなディス
クが得られない。

（目　的） 本発明は、上記第４図（ｂ）のような工程を経て作成さ
れるディスク基板上に設けられるパターンの深さを部分
的に変えることができるフォトマスクとその製法を提供
することにある。即ち本発明は、上記要求を満足させる
ため、光メモリ素子用フォトマスクを用い露光によりト
ラックや番地を転写し、エツチングによりガラス基板に
直接該パターンを形成する方法において、ガイドトラッ
ク部と番地部の深さを変え得るフォトマスクを提供する
ことと、その製法を提供することを目的とする。

（実施例） 以下、本発明に係る光メモリ用フォトマスクの実施例を
肉面を用いて詳細に説明する。

第１図は、本発明に係るフォトマスクの一部拡大図であ
る。

マスク基板（１）（石英等のガラス、ＰＭＭＡ等のプラ
スチックで構成され、露光用の光を通すもの）上に紫外
線等の露光用光を通さない、例えばＣｒ。

Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｎｉ等の膜（２）を一様に設け、そ
の膜（２）の番地部分（３）をピット状に基板表面位置
まではく離し、ガイドトラック部（４）を膜（２）の途
中までエツチングし、膜厚を薄くする。このようにして
図中Ｂのピット状番地部分を通過（基板（１１のみ）す
る光と、Ａのガイドトラック部を通過（基板（１）＋膜
（２）の薄い個所）する光の光歌を変え得るフォトマス
クを形成する。そして第４図（ｂ）の露光工程において
、上記第１図のマスクを用いると、ガラスディスク基板
上のレジスト膜の番地部は充分露光され、トラック部は
途中まで露光される。これを現像すると、第２図に示し
たようなディスク基板（５）上にエツチングの深さの異
なるレジスト膜（６）カ形成される。即ちピット状の番
地部（７）はディスク基板が露光し、トラック部（８）
はレジスト膜（６）が薄く残った形である。第２図のよ
うなディスク基板（５）を第４図（ｄ）で示すようなド
ライエツチングをし、次いで第４図（ｅ）の工程を通す
と、出来上がった基板は第６図のようになる。即ち第２
図のようなレジスト膜（６）が残ったディスク基板（５
）にドライエツチングを行うと、ピット状の番地部（７
）はレジスト膜（６）がないためディスク基板（５）が
最初からエツチングされるが、トラック部（８）は最初
レジスト膜がエツチングされ、ディスク基板が現れてか
らガラスのエツチングが開始される。換言すればビット
状の番地部とトラック部のガラスがエツチングされ始め
る時とが異なるために両者の深さに差が生じるのである
。

第１図のようなマスクの作製は次のように行う。

即ち第３図のように２本のＡｒレーザ光（９）と（ｌＯ
）を第５図と同じ構成のマスク基板に照射し、一方の光
（例えば点線で示した（１０）の光）をガイドトラック
用として弱い光で連続に記録し、他方の光（実線の（９
）の光）を番地部代理人として（１０］よりも強い光で
断続照射してトランク部と番地部の露光量を変える。こ
れを現像してトラック部に薄くレジストを残してそれを
ドライエツチングすることで前述のディスク基板作製時
と同じ工程で第１図のマスクを得る。

上記実施例においてトラック部の幅や番地部の幅は任意
である。また第１図で示されたトラック部や番地部のエ
ツジ部（斜線部）は基板（１）に垂直であるが、適当な
傾きを有しても良い。またガイド部（４）の部分の厚み
はレジスト材質、露光量、エツチングの種類、エッチャ
ントにより決定されるものであるから、本発明の主旨の
範囲で任意である。通常はレジスト膜（２）の部分は６
００〜７００Ａあり、ガイド部（４）の部分は５０〜１
００Ａ程度である。

また番地部にも若干の膜を残しく例えば５０Ａ）ガイド
部（４）はレジスト部（２）と番地部（４）の部分の中
間の膜厚（例えば１００〜＋５０Ａ）としてもよい。

（発明の効果） 本発明によれば、光メモリに深さの異なるト°ラック部
と番地部を形成するためのフォトマスクが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るフォトマスクの一部拡大図である
。第２図は本発明の７オトマスクを用いてパターンを露
光し、現像した時のディスク基板の一部拡大図、第３図
は本発明のフォトマスクの製法を示す説明図、第４図は
従来のディスク基板製造工程を示す工程図、第５図はそ
の時のマスク作製方法を示す説明図、第６図は本発明に
より作製可能となったディスク基板の一部拡大図である
。 図中、ｌ・・・マスク基板　　　２・・・レジスト膜３
・・番地部　　　　　４・・・トラック部５・・・ディ
スク基板　　６・・・レジスト膜７・・・番地部　　　
　　８・・・番地部代理人　弁理士　杉　山　毅　至（
他Ｉ名）第１図 第２図 暑３囚

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板上に形成した露光用の光を選択的に通過せ
   しめる膜に、上記膜の略ないパターン部分と、上記膜の
   厚み方向に一部を削ったパターン部分とを混在せしめた
   ことを特徴とする光メモリ素子用フォトマスク。 ２、透明基板上に形成された露光を選択的に通過せしめ
   る膜の上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜にパター
   ンに応じて一方を強く他方を弱くした２本の露光用光ビ
   ームを照射して露光し、これを現像してマスク基板を製
   造することを特徴とする光メモリ素子用フォトマスクの
   製造方法。