CN114102440A - 用于石英部件的表面处理方法 - Google Patents

用于石英部件的表面处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114102440A
CN114102440A CN202010883169.1A CN202010883169A CN114102440A CN 114102440 A CN114102440 A CN 114102440A CN 202010883169 A CN202010883169 A CN 202010883169A CN 114102440 A CN114102440 A CN 114102440A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quartz
roughness
quartz component
component
ultrasonic oscillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010883169.1A
Other languages
English (en)
Inventor
袁家周
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202010883169.1A priority Critical patent/CN114102440A/zh
Priority to PCT/CN2021/096923 priority patent/WO2022041897A1/zh
Priority to US17/445,084 priority patent/US20220064787A1/en
Publication of CN114102440A publication Critical patent/CN114102440A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/04—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/10—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/30—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring roughness or irregularity of surfaces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

该发明公开了一种用于石英部件的表面处理方法，包括：对所述石英部件进行喷砂；对喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理，以去除所述石英部件表面形成的尖角；对所述石英部件进行侵洗；对侵洗后的所述石英部件进行干燥。所述用于石英部件的表面处理方法能够增加石英部件表面粗糙度，增强石英部件的附着力，还能够去除石英部件喷砂后形成的尖角，以避免石英部件在制成过程中表面形成线状膜，提高晶圆的良率。

Description

用于石英部件的表面处理方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于石英部件的表面处理方法。
背景技术
现有半导体制备设备例如TF CVD机台TEL HP–Ti反应室，在制成中钛薄膜因制程会持续累积在反应室内，导致机台内放置晶圆的石英部件表面累计的膜会越来越厚，在晶圆制备过程中，累积在晶圆表面的膜容易掉落在晶圆表面，造成晶圆表面薄膜生长异常，目前针对石英部件表面附着力不好的问题，没办法提前预防，只能在测机以及后站晶圆电性异常时才能发现。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于石英部件的表面处理方法，能够增加石英部件表面粗糙度，增强石英部件的附着力，还能够去除石英部件喷砂后形成尖角，以避免石英部件在制成过程中表面形成线状膜，提高晶圆的良率。
根据本发明实施例的用于石英部件的表面处理方法，包括：对所述石英部件进行喷砂；对喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理，以去除所述石英部件表面形成的尖角；对所述石英部件进行侵洗；对侵洗后的所述石英部件进行干燥。
根据本发明的一些实施例，在对所述石英部件进行喷砂之前还包括以下步骤：对所述石英部件进行药剂清洗；对清洗后的所述石英部件进行水洗震荡；对所述水洗震荡后的石英部件进行干燥。
根据本发明的一些实施例，在对喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理，以去除所述石英部件表面形成的尖角的步骤中，超声波震荡处理后的所述石英部件的粗糙度Ra2与喷砂后所述石英部件的粗糙度Ra1满足：95％Ra1≤Ra2≤105％Ra1。
可选地，在对所述喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理步骤中，所述超声波震荡的频率为100KHZ～150KHZ。
可选地，在对所述喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理的步骤中，采用超声波震荡的时间为10min～20min。
根据本发明的一些实施例，在对侵洗后的所述石英部件进行干燥后还包括以下步骤：对所述石英部件的表面粗糙度进行检测，以判断所述石英部件的表面粗糙度是否满足预设粗糙度标准。
可选地，在对所述石英部件的表面粗糙度进行检测的步骤中，包括以下步骤：选取所述石英部件的多个检测点；对所述多个检测点进行测量以获取多个粗糙度；在判断所述石英部件的表面粗糙度是否满足预设粗糙度标准中，判断多个所述粗糙度是否满足所述预设粗糙度标准。
可选地，所述预设粗糙度标准为每个所述检测点的粗糙度为4.5um-7.5um，且多个所述检测点的粗糙度的最大差值小于2um。
可选地，在判断多个所述粗糙度是否满足所述预设粗糙度标准的步骤后，还包括以下步骤：在所述检测点的粗糙度不满足预设粗糙度标准时，对粗糙度高的检测点区域进行打磨，对粗糙度低的检测点区域进行喷砂，直至多个所述检测点的粗糙度满足预设粗糙度标准。
根据本发明的一些实施例，在对喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理；对所述石英部件进行侵洗步骤中，所述超声波震荡处理和对石英部件进行侵洗循环执行多次。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的用于石英部件的表面处理方法；
图2是根据本发明另一个实施例的用于石英部件的表面处理方法；
图3是喷砂后的石英部件薄膜附着后的结构示意图；
图4是喷砂后石英部件表面的图像采集图片；
图5是经过超声波震荡处理后石英部件的表面结构示意图；
图6是经过超声波震荡后石英部件表面的图像采集图片。
附图标记：
1：石英部件；2：喷砂后石英部件表面形成的喷砂层；3：尖角；4：线状膜。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的一种石英部件的表面处理方法作进一步详细说明。
下面参考附图描述根据本发明实施例的石英部件的表面处理方法。
根据本发明实施例的石英部件的表面处理方法包括以下步骤：对石英部件1进行喷砂；对喷砂后的石英部件1进行超声波震荡处理，以去除石英部件1表面形成的尖角3；对石英部件1进行侵洗；对侵洗后的石英部件1进行干燥。
具体地，在半导体制备设备中，石英部件1可位于沉积腔室内，如位于等离子体喷淋头周围，用于聚集等离子气体到腔室载台上方，在对晶圆进行沉积制备过程中，石英部件1表面不可避免附着形成一定厚度的薄膜，薄膜在石英部件1表面的附着力较低，容易掉落在晶圆表面造成晶圆异常，通过对石英部件1的表面进行喷砂以形成喷砂层2，能够增强石英部件1表面的粗糙度，使得薄膜在石英部件1表面的附着力会大大增加，以避免薄膜掉落在晶圆表面造成晶圆良率异常。
喷砂过程是利用高速砂流的冲击作用清理和粗化基体表面的过程。采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料(铜矿砂、石英砂、金刚砂、铁砂、海南砂)高速喷射到需要处理的工件表面，使工件表面的外表面的外表或形状发生变化，由于磨料对工件表面的冲击和切削作用，使工件的表面获得一定的清洁度和不同的粗糙度，使工件表面的机械性能得到改善，因此提高了工件的抗疲劳性，增加了它和涂层之间的附着力，延长了涂膜的耐久性。
在对石英部件1进行喷砂时，可使用石英砂进行喷砂，从而能够增加石英部件1表面的粗糙度，增强薄膜的附着力，使得薄膜不易脱落。喷砂时可对石英部件1容纳晶圆的内壁面和部分外壁面进行喷砂，可采用遮护部件遮住部分石英部件1，暴露需要石英部件1需要喷砂的部分，减少喷砂材料的浪费。在其他实施例中，也可采用石英砂进行喷砂。
在一些具体示例中，在喷砂过程中，可采用180目的小颗粒石英砂进行固定角度喷砂，以提高喷砂后石英部件的表面粗糙度的均匀性，本实施例中，可以采用与石英表面成70-90度的角度进行喷砂，具体的为70度、75度、80度、85度或90度；喷砂压力为3-5公斤压力，具体的可以为3公斤、3.5公斤、4公斤、4.5公斤或5公斤；喷砂机的喷头距离待喷砂的石英部件1的表面距离为8cm-10cm，具体可以为8cm、9cm或10nm，从而能够使得喷砂更加均匀，且达到符合要求的石英部件的粗糙度。
对石英部件1表面喷砂后，石英部件1的表面会形成一些尖角3，在后续晶圆长膜工艺中，石英部件1的尖角3处长的膜会呈线状垂下以形成线状膜4，线状膜4容易脱落掉晶圆上。为了降低线状膜4掉落在晶圆表面造成的良率异常，可对喷砂后的石英部件1进行超声波震荡处理，以去除石英部件1表面形成的尖角3，由此使得石英部件1表面粗糙度更加均匀，避免后续工艺中在尖角3处长出线状膜4，以进一步地提高晶圆良率。
其中，超声波震荡处理后的所述石英部件1的粗糙度Ra2与喷砂后所述石英部件1的粗糙度Ra1满足：95％Ra1≤Ra2≤105％Ra1，这样通过超声波震荡处理后的石英部件1的粗糙度与喷砂后的石英部件1的粗糙度的误差为±5％，由此，能够保证石英部件1表面对薄膜的附着性，同时在此范围内也能够避免喷砂后形成的尖角3对产品造成缺陷。需要说明的是，当超声波震荡处理和清洗分为多次循环进行时，此处超声波震荡处理后的石英部件1的粗糙度Ra2指的是多次超声波震荡处理后的石英部件1的粗糙度。
图3为喷砂后石英部件1薄膜附着后的结构示意图，图4是喷砂后石英部件1表面的图像采集图片，如图3和图4所示，喷砂后的石英部件1表面锐角明显且突出点比较锋利，线状膜4附着在喷砂后形成的尖角3上；图5是经过超声波震荡处理后石英部件1的表面结构示意图，图6是经过超声波震荡后石英部件1表面的图像采集图片，如图6所示，石英部件1表面锐角较为平缓，无特别突出的点，如图5所示，超声波震荡处理后的石英部件1表面无尖角3，线状膜4无法附着。
超声波震荡处理后石英部件1表面具有震荡掉落的颗粒，通过对石英部件1进行侵洗，可将石英部件1表面掉落的颗粒冲洗掉。其中，超声波震荡处理和石英部件1的侵洗可循环多次进行，也就是说，可对石英部件1进行多次超声波震荡处理和多次清洗，具体地，对石英部件1进行一次超声波震荡处理后，对石英部件1进行一次侵洗，以冲掉石英部件1表面的颗粒，然后再次对石英部件1进行超声波震荡处理，并再次进行侵洗，由此循环进行多次，以去掉石英部件1表面的尖角3。在多次进行超声波震荡处理和侵洗后，可对石英部件1进行干燥。
在对石英部件1进行超声波震荡处理过程中，超声波震荡的频率可以为100KHZ～150KHZ，进一步可以为120KHZ～140KHZ，超声波震荡的功率为130HZ～170HZ，进一步可以为145HZ～160HZ，采用超声波震荡处理的时间可以为10min～20min，进一步可以为13min～18min，在对石英部件1进行侵洗时可采用超纯水进行侵洗，侵洗的时间可以为15min～25min。在一些具体示例中，可对石英部件1进行超声波震荡处理的频率可以为130KHZ，功率为155HZ，震荡处理时间持续为15min，去除尖角3后用超纯水冲洗20min，超纯水可以为常温。在此条件下进行超声波震荡处理，可以去除喷砂后石英部件表面形成的尖角，且超声波震荡处理后石英部件表面的粗糙度可以维持和喷砂后石英部件表面粗糙度在±5％的范围内，从而在去除尖角的情况下，保持石英部件表面粗糙度，从而提高薄膜在石英部件表面的附着力，避免薄膜掉落在晶圆表面造成晶圆良率异常。
需要说明的是，这里的超声波震荡处理的时间指的是在本发明实施例的用于石英部件1表面处理方法中的超声波震荡处理的总时间，例如在进行超声波震荡处理和侵洗的过程只进行一次时，则石英部件1经过一次超声波震荡处理时间为10min～20min，进一步可以为13min～18min，然后进行侵洗的时间为15min～25min。再例如，超声波震荡处理和侵洗可分为多次循环进行，则石英部件1多次超声波震荡处理的总时间为10min～20min，进一步可以为13min～18min，多次侵洗的时间为15min～25min，其中超声波震荡处理和侵洗可循环进行3-4次，每次超声波震荡处理时间可以为3min-5min，每次侵洗的时间为4min-7min。
如图2所示，在对石英部件1进行喷砂之前，还包括以下步骤：对石英部件1表面进行药剂清洗，对清洗后的石英部件1进行水洗震荡，并对水洗震荡后的石英部件1进行干燥，这样，在对石英部件1进行喷砂前，能够有效去除石英部件1的表面形成的薄膜，也能够使得石英部件1表面粗糙度更加均匀，从而有利于对石英部件1进行均匀喷砂，使得喷砂后的石英部件1表面粗糙度更加均匀一致，减小尖角3和尖角3处线状膜4的产生。
在一些示例中，石英部件1表面沉积形成的薄膜为钛，对石英部件1进行药剂清洗时，采用的药剂可为双氧水和氢氧化钾的混合溶液，其中双氧水的浓度可以为40％，氢氧化钾的浓度可以为20％，由此，可有效去除石英表面形成的薄膜。需要说明的是，药剂清洗时的药剂溶液的成分不限于此，可根据不同材料的薄膜选择不同的药剂清洗。
在对侵洗后的石英部件1进行干燥后，还包括以下步骤：对所述石英部件1的表面粗糙度进行检测，以判断所述石英部件1的表面粗糙度是否满足预设粗糙度标准。若石英部件1表面粗糙度不均匀，在后续工艺中长膜时造成石英部件1表面形成的薄膜厚度和阻值分布会发生偏移，在后续工艺薄膜沉积过程中，由于石英部件表面粗糙度不均匀，导致其表面沉积薄膜的厚度不一致，从而影响腔室中各区域的等离子气体浓度不一致，最终导致晶圆薄膜沉积出现厚度不一致的情况，通过对石英部件1表面粗糙度的检测，能够判断石英部件1表面粗糙度的均匀性。当石英部件1表面粗糙度不符合预设粗糙度标准时，可对石英部件1进行进一步处理，以使得石英部件1表面粗糙度更加均匀，符合预设粗糙度标准。
具体地，在对石英部件1表面粗糙度进行检测的步骤中，可以包括以下步骤：选取所述石英部件1的多个检测点，具体地，可选取石英部件1内侧壁的多个检测点和石英部件1外侧壁的多个检测点进行检测；对所述多个检测点进行测量以获取多个粗糙度；在判断所述石英部件1的表面粗糙度是否满足预设粗糙度标准中，判断多个所述粗糙度是否满足所述预设粗糙度标准。在检测点的粗糙度不满足预设粗糙度标准时，对粗糙度高的检测点区域进行打磨，对粗糙度低的检测点区域进行喷砂，直至多个检测点的粗糙度满足预设粗糙度标准。
例如，对于粗糙度值高的区域可采用百洁布对其进行打磨以降低粗糙度，对粗糙度值低的区域可进行再次喷砂，以增加粗糙度，从而使得处理后的石英部件1表面粗糙度更加均匀，有利于薄膜的附着，减少线状膜4的产生。
其中，预设粗糙度标准为每个检测点的粗糙度为4.5um-7.5um，且多个检测点的粗糙度的最大差值小于2um，由此可将石英部件1表面多个检测点的粗糙度控制4.5um-7.5um之间，且检测点中最大粗糙度值和最小粗糙度需控制在2um以内，以使得处理后的石英部件1表面粗糙度更加均匀。
在本发明的一个具体示例中，可选取石英部件1内侧壁的8个检测点和石英部件1外侧壁的8个检测点进行检测，其中，内侧壁为石英部件1最近接近等离子气体喷淋头最接近的部分，下面表格为石英部件1喷砂前、喷砂后以及经过超声波震荡处理的16个检测点的粗糙度值。且喷砂过程采用了180目的小颗粒石英砂进行90固定角度喷砂，超声波震荡频率为130KHZ，功率为155HZ，震荡时间为15min。
表1为石英部件1-8号检测点喷砂前、喷砂后以及经过超声波震荡处理后分别进行测量的粗糙度值
检测点 1 2 3 4 5 6 7 8
喷砂前 0.95 1.07 0.99 1.00 1.03 0.96 1.01 0.97
喷砂后 5.33 5.74 5.36 4.79 5.47 5.55 4.96 5.36
超声波震荡处理后 5.33 5.75 5.25 4.79 5.47 5.51 4.97 5.38
表2为石英部件9-16号检测点喷砂前、喷砂后以及经过超声波震荡处理后分别进行测量的粗糙度值
检测点 9 10 11 12 13 14 15 16
喷砂前 1.05 1.22 1.16 1.26 1.21 1.29 1.33 1.29
喷砂后 4.16 5.49 4.72 5.75 5.77 4.69 5.76 5.25
超声波震荡处理后 4.16 5.55 4.75 5.79 5.72 4.75 5.76 5.25
通过表格对比可看出，喷砂后大大增强了石英部件1的粗糙度，通过对喷砂后的石英部件1进行超声波震荡后，能够减小石英部件1表面形成的尖角3，且超声波震荡处理后石英部件表面的粗糙度可以维持和喷砂后石英部件表面粗糙度在±5％的范围内，从而在去除尖角的情况下，保持石英部件表面粗糙度，从而提高薄膜在石英部件表面的附着力，同时避免线状膜4的产生，进一步降低石英部件1表面薄膜掉落至晶圆表面的风险。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，包括：
对所述石英部件进行喷砂；
对喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理，以去除所述石英部件表面形成的尖角；
对所述石英部件进行侵洗；
对侵洗后的所述石英部件进行干燥。
2.根据权利要求1所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在对所述石英部件进行喷砂之前还包括以下步骤：
对所述石英部件进行药剂清洗；
对清洗后的所述石英部件进行水洗震荡；
对所述水洗震荡后的石英部件进行干燥。
3.根据权利要求1所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在对喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理，以去除所述石英部件表面形成的尖角的步骤中，超声波震荡处理后的所述石英部件的粗糙度Ra2与喷砂后所述石英部件的粗糙度Ra1满足：95％Ra1≤Ra2≤105％Ra1。
4.根据权利要求3所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在对所述喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理步骤中，所述超声波震荡的频率为100KHZ～150KHZ。
5.根据权利要求3所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在对所述喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理的步骤中，采用超声波震荡的时间为10min～20min。
6.根据权利要求1所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在对侵洗后的所述石英部件进行干燥后还包括以下步骤：
对所述石英部件的表面粗糙度进行检测，以判断所述石英部件的表面粗糙度是否满足预设粗糙度标准。
7.根据权利要求6所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在对所述石英部件的表面粗糙度进行检测的步骤中，包括以下步骤：
选取所述石英部件的多个检测点；
对所述多个检测点进行测量以获取多个粗糙度；
在判断所述石英部件的表面粗糙度是否满足预设粗糙度标准中，判断多个所述粗糙度是否满足所述预设粗糙度标准。
8.根据权利要求7所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，所述预设粗糙度标准为每个所述检测点的粗糙度为4.5um-7.5um，且多个所述检测点的粗糙度的最大差值小于2um。
9.根据权利要求7所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在判断多个所述粗糙度是否满足所述预设粗糙度标准的步骤后，还包括以下步骤：在所述检测点的粗糙度不满足预设粗糙度标准时，对粗糙度高的检测点区域进行打磨，对粗糙度低的检测点区域进行喷砂，直至多个所述检测点的粗糙度满足预设粗糙度标准。
10.根据权利要求1所述的用于石英部件的表面处理方法，其特征在于，在对喷砂后的石英部件进行超声波震荡处理；对所述石英部件进行侵洗步骤中，所述超声波震荡处理和对石英部件进行侵洗循环执行多次。
CN202010883169.1A 2020-08-28 2020-08-28 用于石英部件的表面处理方法 Pending CN114102440A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010883169.1A CN114102440A (zh) 2020-08-28 2020-08-28 用于石英部件的表面处理方法
PCT/CN2021/096923 WO2022041897A1 (zh) 2020-08-28 2021-05-28 用于石英部件的表面处理方法
US17/445,084 US20220064787A1 (en) 2020-08-28 2021-08-14 Method for surface treatment of quartz component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010883169.1A CN114102440A (zh) 2020-08-28 2020-08-28 用于石英部件的表面处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114102440A true CN114102440A (zh) 2022-03-01

Family

ID=80352559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010883169.1A Pending CN114102440A (zh) 2020-08-28 2020-08-28 用于石英部件的表面处理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220064787A1 (zh)
CN (1) CN114102440A (zh)
WO (1) WO2022041897A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114752886A (zh) * 2022-04-15 2022-07-15 合肥升滕半导体技术有限公司 一种适用于物理气相沉积工艺的石英锅等离子熔射方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5401319A (en) * 1992-08-27 1995-03-28 Applied Materials, Inc. Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor
JP2004143583A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Tosoh Corp 石英ガラス部品及びその製造方法並びにそれを用いた装置
CN101217103A (zh) * 2007-01-04 2008-07-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子刻蚀设备的维护方法
CN101367618A (zh) * 2008-09-23 2009-02-18 沈阳汉科半导体材料有限公司 石英表面化学粗糙处理方法
TW201605755A (zh) * 2014-08-04 2016-02-16 圓益ＱｎＣ股份有限公司 化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法、石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英夾具

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1059744A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd マット面をもつ半導体工業用シリカガラス物品およびその製造方法
US6777045B2 (en) * 2001-06-27 2004-08-17 Applied Materials Inc. Chamber components having textured surfaces and method of manufacture
US7081290B2 (en) * 2002-04-04 2006-07-25 Tosoh Corporation Quartz glass thermal sprayed parts and method for producing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5401319A (en) * 1992-08-27 1995-03-28 Applied Materials, Inc. Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor
JP2004143583A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Tosoh Corp 石英ガラス部品及びその製造方法並びにそれを用いた装置
CN101217103A (zh) * 2007-01-04 2008-07-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子刻蚀设备的维护方法
CN101367618A (zh) * 2008-09-23 2009-02-18 沈阳汉科半导体材料有限公司 石英表面化学粗糙处理方法
TW201605755A (zh) * 2014-08-04 2016-02-16 圓益ＱｎＣ股份有限公司 化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法、石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英夾具

Also Published As

Publication number Publication date
US20220064787A1 (en) 2022-03-03
WO2022041897A1 (zh) 2022-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5660640A (en) Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment
JP3369418B2 (ja) 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
JP2568371B2 (ja) 真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理
CN111659640B (zh) 半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺
TWI416997B (zh) 多元件電極之再處理程序
KR102658739B1 (ko) 컨디셔닝 챔버 컴포넌트
CN114102440A (zh) 用于石英部件的表面处理方法
CN109961999B (zh) 一种气体喷淋头及防止聚合物积聚的方法
WO2007010619A1 (ja) Ｓｉｍｏｘウェーハの製造方法及びその方法で製造されたｓｉｍｏｘウェーハ
JP3341727B2 (ja) ウエット装置
US20020062839A1 (en) Method and apparatus for frontside and backside wet processing of a wafer
TWI580486B (zh) Treatment of contaminants in workpieces with yttrium oxide coating
WO2017171989A1 (en) Cleaning process that precipitates yttrium oxy-flouride
US6796315B2 (en) Method to remove particulate contamination from a solution bath
KR20110077705A (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
CN111826632A (zh) 一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备
US20040089326A1 (en) Method for post chemical-mechanical planarization cleaning of semiconductor wafers
JP2000124137A (ja) プラズマ処理装置
CN113578858B (zh) 清洗装置和清洗方法
US6973934B2 (en) Method for removing particles on semiconductor wafers
KR101065349B1 (ko) 세정 노즐 및 이를 포함하는 세정 장치
KR20060057571A (ko) Ｐｖｄ 부재 및 코일의 리퍼비싱 방법
JP3871748B2 (ja) プラズマ処理装置の電極板洗浄方法
JP5405137B2 (ja) 半導体基板の枚葉式スピン洗浄方法
US20030221712A1 (en) Shower tubing for PRS wet bench

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20220301

RJ01 Rejection of invention patent application after publication