JP3207638B2 - 半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
半導体製造装置のクリーニング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体デバイ
スの微細パターンを形成する半導体製造装置に係わり、
特に、この半導体製造装置をドライクリーニングするク
リーニング方法に関する。
スの微細パターンを形成する半導体製造装置に係わり、
特に、この半導体製造装置をドライクリーニングするク
リーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの微細加工技術として
は、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッ
チング等が知られている。前記反応性イオンエッチング
においては、平行平板電極を使用した方法、ＥＣＲ（サ
イクロトロン共鳴）を使用した方法等がある。
は、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッ
チング等が知られている。前記反応性イオンエッチング
においては、平行平板電極を使用した方法、ＥＣＲ（サ
イクロトロン共鳴）を使用した方法等がある。
【０００３】図２は、平行平板電極を使用した従来の反
応性イオンエッチング装置を示すものである。反応処理
室１０は例えばアルミニウムやアルミニウム合金によっ
て構成されている。反応処理室１０はその一部分をアル
ミニウムやアルミニウム合金によって構成してもよい。
反応処理室１０の上部には、アルミニウム合金によって
構成された平行平板電極を構成する上部電極１１が設け
られ、反応処理室１０の内部には下部電極１２が設けら
れている。反応処理室１０の内壁２１はアルミニウム母
材からの汚染を防ぐため、通常アルミアルマイト処理が
施されるか、Ａｌ2 Ｏ3からなるセラミックによって被
覆されている。また、前記上部電極１１は接地され、内
部は中空状とされている。上部電極１１の上面には反応
ガスを導入する導入パイプ１３が設けられ、下面には反
応ガスを反応処理室１０内に導入する複数の透孔１４が
設けられている。また、前記下部電極１２の上には、例
えばシリコンウェーハ等の被処理体１５が載置される。
この下部電極１２はブロッキングコンデンサ１６を介し
て高周波電源１７に接続されている。前記反応処理室１
０内で、前記下部電極１２の周囲にはバッフル板１８が
設けられ、このバッフル板１８には複数の透孔１９が設
けられている。さらに、反応処理室１０の側面には排気
パイプ２０が設けられている。
応性イオンエッチング装置を示すものである。反応処理
室１０は例えばアルミニウムやアルミニウム合金によっ
て構成されている。反応処理室１０はその一部分をアル
ミニウムやアルミニウム合金によって構成してもよい。
反応処理室１０の上部には、アルミニウム合金によって
構成された平行平板電極を構成する上部電極１１が設け
られ、反応処理室１０の内部には下部電極１２が設けら
れている。反応処理室１０の内壁２１はアルミニウム母
材からの汚染を防ぐため、通常アルミアルマイト処理が
施されるか、Ａｌ2 Ｏ3からなるセラミックによって被
覆されている。また、前記上部電極１１は接地され、内
部は中空状とされている。上部電極１１の上面には反応
ガスを導入する導入パイプ１３が設けられ、下面には反
応ガスを反応処理室１０内に導入する複数の透孔１４が
設けられている。また、前記下部電極１２の上には、例
えばシリコンウェーハ等の被処理体１５が載置される。
この下部電極１２はブロッキングコンデンサ１６を介し
て高周波電源１７に接続されている。前記反応処理室１
０内で、前記下部電極１２の周囲にはバッフル板１８が
設けられ、このバッフル板１８には複数の透孔１９が設
けられている。さらに、反応処理室１０の側面には排気
パイプ２０が設けられている。
【０００４】上記構成において、被処理体１５のエッチ
ングを行う場合、上部電極１１の複数の透孔１４から反
応処理室１９の内部に反応ガスを導入するとともに、排
気パイプ２０からこれを排気し、反応処理室１０内の圧
力を制御する。これとともに、高周波電源１７より下部
電極１２に高周波電力を供給し、上部電極１１および下
部電極１２の相互間にプラズマを生成することにより、
被処理体１５の被エッチング膜がエッチングされる。こ
のとき、プラズマにさらされている反応処理室１０の内
壁２１のアルミニウムやアルマイト等も同時にエッチン
グされる。
ングを行う場合、上部電極１１の複数の透孔１４から反
応処理室１９の内部に反応ガスを導入するとともに、排
気パイプ２０からこれを排気し、反応処理室１０内の圧
力を制御する。これとともに、高周波電源１７より下部
電極１２に高周波電力を供給し、上部電極１１および下
部電極１２の相互間にプラズマを生成することにより、
被処理体１５の被エッチング膜がエッチングされる。こ
のとき、プラズマにさらされている反応処理室１０の内
壁２１のアルミニウムやアルマイト等も同時にエッチン
グされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体処理装置においては、上部電極１１と下部電極１
２の相互間で、フッ素系ガス例えばＣＨＦ3 、ＣＦ4 、
ＳＦ6 等をプラズマ化し、被処理体１５をプラズマ処理
する。このため、被処理体１５のみならず反応処理室１
０の内壁材までもエッチングしてしまう。このときに発
生するＡｌＦ3 なる反応生成物は非常に蒸気圧が低いた
め排気されにくく、反応処理室１０の内壁に堆積２１す
る現象が発生する。これら反応生成物は処理毎に経時的
に厚くなり、パーティクルの発生源となる。
半導体処理装置においては、上部電極１１と下部電極１
２の相互間で、フッ素系ガス例えばＣＨＦ3 、ＣＦ4 、
ＳＦ6 等をプラズマ化し、被処理体１５をプラズマ処理
する。このため、被処理体１５のみならず反応処理室１
０の内壁材までもエッチングしてしまう。このときに発
生するＡｌＦ3 なる反応生成物は非常に蒸気圧が低いた
め排気されにくく、反応処理室１０の内壁に堆積２１す
る現象が発生する。これら反応生成物は処理毎に経時的
に厚くなり、パーティクルの発生源となる。
【０００６】従来、上記反応生成物を除去するために
は、反応処理室１０を大気開放し、物理的に拭き取る方
法がとられている。しかし、反応生成物の膜質は非常に
強固であるため、完全に除去することが困難なものであ
った。
は、反応処理室１０を大気開放し、物理的に拭き取る方
法がとられている。しかし、反応生成物の膜質は非常に
強固であるため、完全に除去することが困難なものであ
った。
【０００７】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、反応処理
室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積
した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起
因した発塵を防止することが可能な半導体製造装置のク
リーニング方法を提供しようとするものである。
されたものであり、その目的とするところは、反応処理
室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積
した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起
因した発塵を防止することが可能な半導体製造装置のク
リーニング方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、少なくとも一部がアルミニウムまたはア
ルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少
なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガス
をプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置で
あって、前記反応処理室内に少なくとも一種類の塩素系
または臭素系のガスを導入するとともにこのガスをプラ
ズマ化し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に発
生した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換し
て排気させている。
解決するため、少なくとも一部がアルミニウムまたはア
ルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少
なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガス
をプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置で
あって、前記反応処理室内に少なくとも一種類の塩素系
または臭素系のガスを導入するとともにこのガスをプラ
ズマ化し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に発
生した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換し
て排気させている。
【０００９】
【作用】すなわち、この発明は、アルミニウムを母材と
した反応処理室内に塩素系または臭素系のガスを導入す
るとともにこのガスをプラズマ化し、被処理体を処理す
る際に発生した発塵源となる低蒸気圧の反応生成物を高
蒸気圧の物質に置換して排気させている。このため、反
応処理室を大気開放することなく、反応処理室の内壁に
堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物
に起因した発塵を防止できる。
した反応処理室内に塩素系または臭素系のガスを導入す
るとともにこのガスをプラズマ化し、被処理体を処理す
る際に発生した発塵源となる低蒸気圧の反応生成物を高
蒸気圧の物質に置換して排気させている。このため、反
応処理室を大気開放することなく、反応処理室の内壁に
堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物
に起因した発塵を防止できる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例について、図面を
参照して説明する。図１において図２と同一部分には同
一符号を付す。図１において、前記被処理体がシリコン
ウェハ上に形成された絶縁膜である場合、ＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 、Ｃ2 Ｆ6 等のフッ素系ガス単体、もしくはその他
添加ガスとの混合ガスでプラズマエッチング処理が行わ
れる。これら反応ガスは導入パイプ１３により反応処理
室１０内に導入される。この導入されたガスは高周波電
力によってプラズマ化され、このプラズマによってシリ
コンウェハ上の絶縁膜がエッチングされる。このとき、
反応処理室１０の内壁２１のアルミニウムもしくはアル
マイトも被処理体１５とともにエッチングされ、同図に
２２で示すＡｌＦ3 等の低蒸気圧の反応生成物が生成さ
れる。この反応生成物は反応処理室１０の内壁に堆積さ
れる。経時的に堆積したこれらの膜は膜自身のストレ
ス、もしくはプラズマにさらされることにより、反応処
理室１０の内壁２１から剥がれ落ち、パーティクルの原
因となる。
参照して説明する。図１において図２と同一部分には同
一符号を付す。図１において、前記被処理体がシリコン
ウェハ上に形成された絶縁膜である場合、ＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 、Ｃ2 Ｆ6 等のフッ素系ガス単体、もしくはその他
添加ガスとの混合ガスでプラズマエッチング処理が行わ
れる。これら反応ガスは導入パイプ１３により反応処理
室１０内に導入される。この導入されたガスは高周波電
力によってプラズマ化され、このプラズマによってシリ
コンウェハ上の絶縁膜がエッチングされる。このとき、
反応処理室１０の内壁２１のアルミニウムもしくはアル
マイトも被処理体１５とともにエッチングされ、同図に
２２で示すＡｌＦ3 等の低蒸気圧の反応生成物が生成さ
れる。この反応生成物は反応処理室１０の内壁に堆積さ
れる。経時的に堆積したこれらの膜は膜自身のストレ
ス、もしくはプラズマにさらされることにより、反応処
理室１０の内壁２１から剥がれ落ち、パーティクルの原
因となる。
【００１１】この実施例では、反応生成物が反応処理室
１０の内壁から剥がれ落ちる前に、反応処理室１０に対
して本来のプラズマ処理とは異なるクリーニングのため
のプラズマ処理（以下、クリーニング処理と称す）を行
う。このクリーニング処理の間隔は、例えば本来のプラ
ズマ処理１０時間に対して２時間の頻度で行われる。ク
リーニング処理においては、クリーニング用のガス２３
を導入パイプ１３から反応処理室１０に導入する。この
クリーニング用のガス２３は塩素系（Ｃｌ系）ガス、例
えばＣｌ2 ガスが使用される。
１０の内壁から剥がれ落ちる前に、反応処理室１０に対
して本来のプラズマ処理とは異なるクリーニングのため
のプラズマ処理（以下、クリーニング処理と称す）を行
う。このクリーニング処理の間隔は、例えば本来のプラ
ズマ処理１０時間に対して２時間の頻度で行われる。ク
リーニング処理においては、クリーニング用のガス２３
を導入パイプ１３から反応処理室１０に導入する。この
クリーニング用のガス２３は塩素系（Ｃｌ系）ガス、例
えばＣｌ2 ガスが使用される。
【００１２】導入パイプ１３より反応処理室１０に導入
したクリーニング用のＣｌ2 ガスは、下部電極１２に供
給される高周波電力によってプラズマ化される。このた
め、本来のプラズマ処理において反応処理室１０の内壁
に堆積したＡｌＦ3 からなる反応生成物はＣｌ2 ガスに
よるプラズマ処理によりＡｌＣｌ3 なる物質に変化す
る。このＡｌＣｌ3 は周知のように高蒸気圧のガスであ
り、気化、排気され易い物質である。したがって、排気
パイプ２０から容易に排気することができる。
したクリーニング用のＣｌ2 ガスは、下部電極１２に供
給される高周波電力によってプラズマ化される。このた
め、本来のプラズマ処理において反応処理室１０の内壁
に堆積したＡｌＦ3 からなる反応生成物はＣｌ2 ガスに
よるプラズマ処理によりＡｌＣｌ3 なる物質に変化す
る。このＡｌＣｌ3 は周知のように高蒸気圧のガスであ
り、気化、排気され易い物質である。したがって、排気
パイプ２０から容易に排気することができる。
【００１３】上記実施例によれば、本来のプラズマ処理
に対して所定の間隔によりＣｌ系ガスによって反応処理
室１０内をプラズマ処理することにより、低蒸気圧の反
応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排出している。し
たがって、反応処理室１０内の雰囲気を常に清浄に保持
することができ発塵を防止できる。
に対して所定の間隔によりＣｌ系ガスによって反応処理
室１０内をプラズマ処理することにより、低蒸気圧の反
応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排出している。し
たがって、反応処理室１０内の雰囲気を常に清浄に保持
することができ発塵を防止できる。
【００１４】また、この実施例の方法によれば、反応処
理室のクリーニングに際して反応処理室を大気開放する
必要がなく、しかも、使用するガス以外は本来のプラズ
マ処理と殆ど変らない工程によって反応処理室をクリー
ニングできる。したがって、従来に比べてクリーニング
作業が容易なものである。
理室のクリーニングに際して反応処理室を大気開放する
必要がなく、しかも、使用するガス以外は本来のプラズ
マ処理と殆ど変らない工程によって反応処理室をクリー
ニングできる。したがって、従来に比べてクリーニング
作業が容易なものである。
【００１５】図３は、被処理体の処理枚数と本来のプラ
ズマ処理を行う前後での反応処理室１０内における発塵
性を評価したものであり、ウェハを２５枚処理する毎に
ウェハ１枚当りの発塵量を測定したものである。Ｃｌ系
ガスによるクリーニング処理を行わず、連続して本来の
プラズマ処理を行った場合、発塵性が非常に不安定な推
移を示す。これに対して、本来のプラズマ処理を例えば
１０時間、すなわちウェハを１００枚処理する毎にクリ
ーニング処理を２時間行った場合、発塵量が非常に低い
レベルで安定していることが分かる。
ズマ処理を行う前後での反応処理室１０内における発塵
性を評価したものであり、ウェハを２５枚処理する毎に
ウェハ１枚当りの発塵量を測定したものである。Ｃｌ系
ガスによるクリーニング処理を行わず、連続して本来の
プラズマ処理を行った場合、発塵性が非常に不安定な推
移を示す。これに対して、本来のプラズマ処理を例えば
１０時間、すなわちウェハを１００枚処理する毎にクリ
ーニング処理を２時間行った場合、発塵量が非常に低い
レベルで安定していることが分かる。
【００１６】上記実施例においては、平衡平板のドライ
エッチング装置にこの発明を適用した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、ＥＣＲ、ダウ
ンフロータイプ等に代表されるガスの解離による反応処
理を行う装置全般に有効であることは言うまでもない。
エッチング装置にこの発明を適用した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、ＥＣＲ、ダウ
ンフロータイプ等に代表されるガスの解離による反応処
理を行う装置全般に有効であることは言うまでもない。
【００１７】また、クリーニングのためのプラズマ処理
に使用するガスはＣｌ2 ガスに限定されるものではな
く、ＢＣｌ3 等に代表されるＣｌとの化合物ガスでもよ
い。さらに、Ｃｌ素系以外のハロゲンガス、例えば臭素
系（Ｂｒ系）ガスによってもＡｌＦ3 は蒸気圧の高いＡ
ｌＢｒ3 なる物質に変化するため、上記実施例と同様の
効果を得ることができる。その他、この発明の要旨を変
えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論で
ある。
に使用するガスはＣｌ2 ガスに限定されるものではな
く、ＢＣｌ3 等に代表されるＣｌとの化合物ガスでもよ
い。さらに、Ｃｌ素系以外のハロゲンガス、例えば臭素
系（Ｂｒ系）ガスによってもＡｌＦ3 は蒸気圧の高いＡ
ｌＢｒ3 なる物質に変化するため、上記実施例と同様の
効果を得ることができる。その他、この発明の要旨を変
えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論で
ある。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室
の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反
応生成物に起因した発塵を防止することが可能な半導体
製造装置のクリーニング方法を提供できる。
ば、反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室
の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反
応生成物に起因した発塵を防止することが可能な半導体
製造装置のクリーニング方法を提供できる。
【図１】この発明の方法の一実施例を示す構成図。
【図２】従来の反応性イオンエッチング装置を示す構成
図。
図。
【図３】反応処理室内のクリーニングの有無による発塵
量の変化を示す図。
量の変化を示す図。
１０…反応処理室、１１…上部電極、１２…下部電極、
１３…導入パイプ、１５…被処理体、１７…高周波電
源、２０…排気パイプ、２３…クリーニング用のガス。
１３…導入パイプ、１５…被処理体、１７…高周波電
源、２０…排気パイプ、２３…クリーニング用のガス。
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも一部がアルミニウムまたはア
ルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少
なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガス
をプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置で
あって、 前記反応処理室内に少なくとも一種類の塩素系または臭
素系のガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化
し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に堆積した
低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気
させることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング
方法。 - 【請求項２】 前記アルミニウムまたはアルミニウム合
金はアルミアルマイト処理されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体製造装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】 少なくとも一部がアルミニウムまたはア
ルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少
なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガス
をプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置で
あって、 前記反応処理室内に少なくとも一種類の塩素系または臭
素系のガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化
し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に発生した
低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気
させ 、 前記塩素系または臭素系のガスによる反応処理室のクリ
ーニングは、フッ素系ガスによる本来の処理１０時間毎
に２時間行うことを特徴とする半導体製造装置のクリー
ニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27185093A JP3207638B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27185093A JP3207638B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130706A JPH07130706A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3207638B2 true JP3207638B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=17505754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27185093A Expired - Fee Related JP3207638B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3207638B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5110987B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2012-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2008078678A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-04-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP5179896B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
| JP5740447B2 (ja) | 2013-10-10 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US10269538B2 (en) * | 2015-03-27 | 2019-04-23 | Sakai Display Products Corporation | Film deposition apparatus and method for cleaning film deposition apparatus |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27185093A patent/JP3207638B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130706A (ja) | 1995-05-19 |
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