JP2544089B2 - 液晶表示パネル - Google Patents

液晶表示パネル

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JP2544089B2
JP2544089B2 JP24834994A JP24834994A JP2544089B2 JP 2544089 B2 JP2544089 B2 JP 2544089B2 JP 24834994 A JP24834994 A JP 24834994A JP 24834994 A JP24834994 A JP 24834994A JP 2544089 B2 JP2544089 B2 JP 2544089B2
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light shielding
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俊夫 柳澤
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に薄膜トラ
ンジスタ(以下TFTと称する)スイッチを備えた画素
電極をマトリックス状に形成して成る表示電極アレイを
備えたアクティブマトリックス形の液晶表示パネルに関
する。
【0002】
【従来の技術】現在、液晶やEL等を用いた表示装置
は、テレビ表示やグラフイックディスプレイ等を指向し
た、大容量、高密度のアクティブマトリックス形表示装
置の開発・実用化がさかんである。この種の表示装置で
は、クロストークのない高コントラスト表示が行えるよ
う、各画素を駆動制御するための手段として、半導体ス
イッチが設けられている。半導体スイッチとしては、単
結晶Si基板上に作成されたMOS形FETや、最近で
は、透過形表示の可能な透明基板上に形成されたTFT
などがある。
【0003】図1はTFTアレイを用いた液晶表示パネ
ルの一般的構造を説明するための断面図で、スイッチ素
子としてのTFT1および透明画素電極2が形成された
絶縁基板の透明基板3と、透明対向電極4が形成された
透明基板5との間に液晶6が挟持されてパネルが構成さ
れる。TFT1はドレイン電極7,ソース電極8,半導
体膜9,ゲート絶縁膜10,ゲート電極11および保護
膜12で構成される。前記TFT1および透明画素電極
2は図2に示すようにマトリックス状に配列形成されて
おり、ゲート線13およびドレイン線14が設けられ
る。ゲート線13を順次走査すると共に、これに同期し
てドレイン線に並列信号を与えると、画素電極2と対向
電極4との間の液晶は、順次駆動されて、画像などの表
示が行われる。信号電圧は液晶2’と蓄積電気容量3’
に蓄積され、次の励起が行われるまで一定電位を保つ。
【0004】図3は、図2のTFTアレイ上の透明画素
電極2の配置を示す図で、ゲート線13とドレイン線1
4の交差部にTFT1が設けられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図4(a),(b)
は、先に出願した従来技術で光しゃへい電極15と画素
電極2の重なりにより蓄積電気容量16を作った例であ
る。光しゃへい電極15はハッチで、蓄積電気容量16
はクロスハッチで示してある。画素電極2と光しゃへい
電極15は異なるマスクで、フォトリソグラフィー,エ
ッチングされ、あるいは、マスクデポされるため、設計
位置と若干ずれた位置に相互のパターンが形成されるこ
とが多い。典型的には2μm程度とされる。図4(a)
では、右に光しゃへい電極がずれた場合17,左にずれ
た場合18,図4(b)では、上に光しゃへい電極15
がずれた場合19,下にずれた場合20についてそれぞ
れ一点鎖線17,19,破線18,20で示してある。
【0006】図4(a)17,図4(b)19のよう
に、それぞれ右あるいは上にパターンがずれると、蓄積
電気容量はこの場合30%増え、TFT1が励起されて
いる時間に、ドレイン線14を通じて供給される信号が
十分に蓄積電気容量に書き込まれない。また、透明画素
電極2が光しゃへい電極15にカバーされる面積が増
え、外部照明光の透過率が下がり、画面全体が暗くな
る。
【0007】図4(a)18,図4(b)20のよう
に、それぞれ左あるいは下にパターンがずれると、蓄積
電気容量がこの場合30%減り、蓄積電荷量も減るた
め、TFT1が励起されていない間の液晶層やTFT1
のリーク電流による画素電極2電位の電圧降下が大きく
なり、液晶層にかかる実効電圧が下がる。この結果、表
示コントラストか悪くなる。
【0008】以上述べてきたように、従来技術による液
晶表示パネルの構造では、製造工程上のマスク合わせの
ずれにより、所期の性能を達せられず、また、同一ロッ
ト内でも、ウエハ毎に性能が異なるという欠点があっ
た。
【0009】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みてなさ
れたもので、性能の安定した、製造歩留りの高い液晶表
示パネルを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載される発
明は、絶縁基板上に略直交して配置されるゲート線及び
ドレイン線,前記ゲート線及びドレイン線に薄膜トラン
ジスタを介して接続される画素電極,前記画素電極と絶
縁膜を介して平面的に重なる領域を有して蓄積容量を形
成する光しゃへい電極とを具備した表示電極アレイと、
透明基板上に透明対向電極が形成された透明対向基板
と、前記表示電極アレイと前記透明対向基板との間に挟
持される液晶とを備えた液晶表示パネルにおいて、前記
光しゃへい電極は、少くとも前記画素電極の前記ドレイ
ン線と略平行する一対の端辺のそれぞれに沿って延びる
少くとも一対の前記領域を形成して、前記画素電極との
相対位置ずれに対して前記蓄積容量を略一定とすること
を特徴としている。
【0011】請求項2に記載される発明は、請求項1記
載の光しゃへい電極は、少くとも前記画素電極の前記ゲ
ート線と略平行する一対の端辺のそれぞれに沿って延び
る少くとも一対の前記領域を形成することを特徴として
いる。
【0012】請求項3に記載される発明は、請求項1記
載の光しゃへい電極は、前記画素電極の少くとも一前記
端辺と前記一端辺と隣接する一前記ドレイン線との間に
延在することを特徴としている。
【0013】
【作用】この発明の液晶表示パネルは、光しゃへい電極
が画素電極のドレイン線と略平行する一対の端辺のそれ
ぞれに沿った部分で画素電極と絶縁膜を介して平面的に
重なる一対の領域を有して蓄積容量を形成し、画素電極
との相対位置ずれに対して蓄積容量を略一定とする形状
であるため、光しゃへい電極と画素電極とのマスクの合
わせずれに対して蓄積容量、さらには開口率の増減が低
減される。
【0014】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
【0015】図5は本発明の一実施例の液晶表示パネル
の表示電極アレイの平面図(a)および断面図(b)で
ある。13はTFT1を励起させるためのゲート線、1
4はドレイン線である。光しゃへい電極は、15−aと
15−bに分かれ、画素電極2との重なり部が蓄積電気
容量16−aと16−bとなる。光しゃへい電極15−
a,15−bと画素電極2のマスク合わせずれがあっ
て、容量16−aが減っても、容量16−bが増え、合
計の蓄積電気容量は変わらず、透明画素電極2が光しゃ
へい電極15−a,15−bに覆われる面積もかわら
ず、外部照明光の透過率(開口率)もかわらない。
【0016】図6は、本発明の他の実施例の平面図
(a)と断面図(b)である。光しゃへい電極15−a
〜15−dはつながっているが、蓄積電気容量は実質4
個の矩形に分かれ、16−a,16−b,16−cおよ
び16−dの合計となる。マスク合わせずれが、X,Y
あるいは両方に起こっても、4つのうち1つないし2つ
の蓄積電気容量が減り、対向する他の1つないし2つの
蓄積容量が増え、合計の蓄積電気容量は変わらず、開口
率も変わらない。
【0017】なお、TFTは、アモルファスシリコンの
他、ポリシリコン,CdSe,Teを用いたものでもよ
く、絶縁層はSiN,SiO2 ,Six Oy Nz やポリ
イミド等の有機絶縁膜でもよい。
【0018】また、光しゃへい電極としては、Al,M
o,Cr等で光を透過しないものであればよい。
【0019】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光し
ゃへい電極が、少くとも画素電極のドレイン線と略平行
する一対の端辺に沿ってそれぞれ絶縁層を介して画素電
極と平面的に重複する一対の領域により実質上複数に分
割された蓄積電気容量を形成し、分割されたそれぞれの
蓄積電気容量が、マスク合わせのずれを互いに補い合う
構造としているので、合計での蓄積電気容量が略一定
で、また画素電極が光しゃへい電極に覆われる面積も略
一定で、電気特性にむらがなく、製造歩留りの高い、高
い開口率を有する液晶表示パネルを得ることかできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は一般のアクティブマトリックス形表示装
置の一例を示す断面図である。
【図2】図2は、一般のTFTアレイの構成の一例を説
明するための回路図である。
【図3】図3は図2のTFTアレイ上の電極配置の一例
を示す構成図である。
【図4】図4は従来技術の問題点を説明するための電極
配置図である。
【図5】図5は本発明の一実施例の液晶表示パネルの表
示電極アレイを説明するための電極配置図である。
【図6】図6は本発明の他の実施例の液晶表示パネルの
表示電極アレイを説明するための電極配置図である。
【符号の説明】
1…TFT 2…透明画素電極 3…透明基板 4…透明対向電極 6…液晶 13…ゲート線 14…ドレイン線 15,15−a〜15−d…光しゃへい電極 16,16−a〜16−d…蓄積電気容量

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板上に略直交して配置されるゲー
    ト線及びドレイン線,前記ゲート線及びドレイン線に薄
    膜トランジスタを介して接続される画素電極,前記画素
    電極と絶縁膜を介して平面的に重なる領域を有して蓄積
    容量を形成する光しゃへい電極とを具備した表示電極ア
    レイと、 透明基板上に透明対向電極が形成された透明対向基板
    と、 前記表示電極アレイと前記透明対向基板との間に挟持さ
    れる液晶とを備えた液晶表示パネルにおいて、 前記光しゃへい電極は、少くとも前記画素電極の前記ド
    レイン線と略平行する一対の端辺のそれぞれに沿って延
    びる少くとも一対の前記領域を形成して、前記画素電極
    との相対位置ずれに対して前記蓄積容量を略一定とする
    ことを特徴とした液晶表示パネル。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の光しゃへい電極は、少く
    とも前記画素電極の前記ゲート線と略平行する一対の端
    辺のそれぞれに沿って延びる少くとも一対の前記領域を
    形成することを特徴とした液晶表示パネル。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の光しゃへい電極は、前記
    画素電極の少くとも一前記端辺と前記一端辺と隣接する
    一前記ドレイン線との間に延在することを特徴とした液
    晶表示パネル。
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JPH07168205A JPH07168205A (ja) 1995-07-04
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