JP2534191Y2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JP2534191Y2 JP2534191Y2 JP4501891U JP4501891U JP2534191Y2 JP 2534191 Y2 JP2534191 Y2 JP 2534191Y2 JP 4501891 U JP4501891 U JP 4501891U JP 4501891 U JP4501891 U JP 4501891U JP 2534191 Y2 JP2534191 Y2 JP 2534191Y2
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- JP
- Japan
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- magnetoresistive element
- conductor wire
- magnetic sensor
- magnetic field
- magnet
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、加えられている磁界の
変化を抵抗値の変化として検知し信号を出力する磁気抵
抗素子を備えた磁気センサに関する。
変化を抵抗値の変化として検知し信号を出力する磁気抵
抗素子を備えた磁気センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗素子は、一定の直流磁界（磁気
バイアス）が加えられている状態で使用され、磁界の変
化を自己の抵抗値の変化として検出する素子である。こ
のような磁気抵抗素子に対し所定距離にある位置に磁性
体から形成された物体が接近すると、この物体が検知さ
れ、磁気抵抗素子からは対応したレベルの出力信号が得
られる。
バイアス）が加えられている状態で使用され、磁界の変
化を自己の抵抗値の変化として検出する素子である。こ
のような磁気抵抗素子に対し所定距離にある位置に磁性
体から形成された物体が接近すると、この物体が検知さ
れ、磁気抵抗素子からは対応したレベルの出力信号が得
られる。
【０００３】図４には、一従来例に係る磁気センサの構
成が示されている。この図に示される磁気センサは検知
素子として上述の磁気抵抗素子１０を用いたセンサであ
る。磁気抵抗素子１０は、磁気バイアスをかける必要が
あるため、磁石１２の上に載置されており、磁気抵抗素
子１０及び磁石１２はケース１４内に収納されている。
また、磁気抵抗素子１０の上方を覆うよう、メタルカバ
ー１６がかぶせられている。
成が示されている。この図に示される磁気センサは検知
素子として上述の磁気抵抗素子１０を用いたセンサであ
る。磁気抵抗素子１０は、磁気バイアスをかける必要が
あるため、磁石１２の上に載置されており、磁気抵抗素
子１０及び磁石１２はケース１４内に収納されている。
また、磁気抵抗素子１０の上方を覆うよう、メタルカバ
ー１６がかぶせられている。
【０００４】なお、実際には、磁気抵抗素子１０は素子
サブストレートと感磁部から構成されているが、この図
では簡略化のため省略されている。
サブストレートと感磁部から構成されているが、この図
では簡略化のため省略されている。
【０００５】この図に示される従来例には、更に、導体
線１８が設けられている。導体線１８は、磁気抵抗素子
１０の上部に載置されている。この導体線１８には、イ
ニシャルチェック（初期診断）を行う際に、所定値の交
流電流（基準交流電流）が流される。この基準交流電流
は、導体線１８の周囲に所定値の磁界（基準交流磁界）
を発生させる。この基準交流磁界は、磁気抵抗素子１０
の抵抗値を変化させ、この結果、磁気抵抗素子１０から
は所定レベルの信号（模擬信号）が出力される。すなわ
ち、磁気抵抗素子１０が正常に機能していれば、基準交
流電流を導体線１８に流すことによって、所定レベルの
模擬信号が得られることになり、これにより磁気抵抗素
子１０の診断を行うことができる。いいかえれば、磁気
抵抗素子１０の素子感度が経時変化により変化していた
場合や、磁気抵抗素子１０が故障している場合には、所
定レベルの模擬信号が得られず、これにより磁気抵抗素
子１０の診断を行うことができる。
線１８が設けられている。導体線１８は、磁気抵抗素子
１０の上部に載置されている。この導体線１８には、イ
ニシャルチェック（初期診断）を行う際に、所定値の交
流電流（基準交流電流）が流される。この基準交流電流
は、導体線１８の周囲に所定値の磁界（基準交流磁界）
を発生させる。この基準交流磁界は、磁気抵抗素子１０
の抵抗値を変化させ、この結果、磁気抵抗素子１０から
は所定レベルの信号（模擬信号）が出力される。すなわ
ち、磁気抵抗素子１０が正常に機能していれば、基準交
流電流を導体線１８に流すことによって、所定レベルの
模擬信号が得られることになり、これにより磁気抵抗素
子１０の診断を行うことができる。いいかえれば、磁気
抵抗素子１０の素子感度が経時変化により変化していた
場合や、磁気抵抗素子１０が故障している場合には、所
定レベルの模擬信号が得られず、これにより磁気抵抗素
子１０の診断を行うことができる。
【０００６】図５には第２従来例に係る磁気センサの構
成が示されている。特に、図５（ａ）には横断面が、図
５（ｂ）には縦断面が、それぞれ示されている。
成が示されている。特に、図５（ａ）には横断面が、図
５（ｂ）には縦断面が、それぞれ示されている。
【０００７】この図に示される従来例においては、前述
の第１従来例と異なり、導体線１８が磁気抵抗素子１０
上に配置されるのではなく、メタルカバー１６の下面に
接着されている。すなわち、図５（ｂ）に示されるよう
に、複数の磁石１２を仕切るリムを設け、このリムの上
部により導体線１８を押止しつつ、当該導体線１８をメ
タルカバー１６の下面に接着するようにしている。
の第１従来例と異なり、導体線１８が磁気抵抗素子１０
上に配置されるのではなく、メタルカバー１６の下面に
接着されている。すなわち、図５（ｂ）に示されるよう
に、複数の磁石１２を仕切るリムを設け、このリムの上
部により導体線１８を押止しつつ、当該導体線１８をメ
タルカバー１６の下面に接着するようにしている。
【０００８】このようにしても、図４に示される第１従
来例と同様に、自己診断機能を有する磁気センサを構成
することができる。
来例と同様に、自己診断機能を有する磁気センサを構成
することができる。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気抵抗素子を用いた磁気センサにおいては、導体線の
径によりギャップロスが生じるという問題があった。す
なわち、磁気抵抗素子を用いた磁気センサの検知出力信
号レベルは、当該磁気抵抗素子と検知物との間隔に応じ
て変動する。従って、メタルカバー下面と磁気抵抗素子
の感磁部との間隔は、できるだけ小さいのが好ましい。
しかし、図４、図５のいずれに示される構成において
も、ギャップはｇ＋ｄ（ｍｍ）となってしまい、導体線
１８の径ｄ（ｍｍ）がギャップロスとして作用し、磁気
センサの出力信号レベルの低下原因となってしまってい
た。
磁気抵抗素子を用いた磁気センサにおいては、導体線の
径によりギャップロスが生じるという問題があった。す
なわち、磁気抵抗素子を用いた磁気センサの検知出力信
号レベルは、当該磁気抵抗素子と検知物との間隔に応じ
て変動する。従って、メタルカバー下面と磁気抵抗素子
の感磁部との間隔は、できるだけ小さいのが好ましい。
しかし、図４、図５のいずれに示される構成において
も、ギャップはｇ＋ｄ（ｍｍ）となってしまい、導体線
１８の径ｄ（ｍｍ）がギャップロスとして作用し、磁気
センサの出力信号レベルの低下原因となってしまってい
た。
【００１０】更に、図５に示されるような構成において
は、ケース構造の複雑化という問題点も生ずる。これ
は、導体線１８をケース１４のリムによって押止してい
ることによる。これは、構造の複雑化とともに、導体線
の接着固定に係る工数の増大、装置価格の上昇原因とも
なる。
は、ケース構造の複雑化という問題点も生ずる。これ
は、導体線１８をケース１４のリムによって押止してい
ることによる。これは、構造の複雑化とともに、導体線
の接着固定に係る工数の増大、装置価格の上昇原因とも
なる。
【００１１】本考案は、このような問題点を解決するこ
とを課題としてなされたものであり、導体線の存在に起
因するギャップロスが生ずることがなく、その製造も容
易な磁気抵抗素子を用いた磁気センサを提供することを
目的とする。
とを課題としてなされたものであり、導体線の存在に起
因するギャップロスが生ずることがなく、その製造も容
易な磁気抵抗素子を用いた磁気センサを提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本考案は、図１（ａ）及び（ｂ）に示される
ような構成を有する。すなわち、加えられている磁界の
変化を抵抗値の変化として検知し、信号を出力する磁気
抵抗素子Ａと、磁気抵抗素子Ａが載置され、当該磁気抵
抗素子Ａに磁界を加える磁石Ｂと、磁気抵抗素子Ａの上
方を覆い、磁気抵抗素子Ａと検知対象物との最小間隔を
保持するカバーＣと、磁気抵抗素子Ａと平行配置され、
診断時に基準交流磁界を発生させる導体線Ｄと、を備
え、磁気抵抗素子Ａに特性変化、故障等の状況が生じて
いる際に基準交流磁界を発生させることにより、磁気抵
抗素子Ａから出力される信号のレベルが当該状況が生じ
ていることを表わすレベルとなる磁気センサにおいて、
導体線Ｄを磁気抵抗素子Ａと磁石Ｂとの間に配置したこ
とを特徴とする。
るために、本考案は、図１（ａ）及び（ｂ）に示される
ような構成を有する。すなわち、加えられている磁界の
変化を抵抗値の変化として検知し、信号を出力する磁気
抵抗素子Ａと、磁気抵抗素子Ａが載置され、当該磁気抵
抗素子Ａに磁界を加える磁石Ｂと、磁気抵抗素子Ａの上
方を覆い、磁気抵抗素子Ａと検知対象物との最小間隔を
保持するカバーＣと、磁気抵抗素子Ａと平行配置され、
診断時に基準交流磁界を発生させる導体線Ｄと、を備
え、磁気抵抗素子Ａに特性変化、故障等の状況が生じて
いる際に基準交流磁界を発生させることにより、磁気抵
抗素子Ａから出力される信号のレベルが当該状況が生じ
ていることを表わすレベルとなる磁気センサにおいて、
導体線Ｄを磁気抵抗素子Ａと磁石Ｂとの間に配置したこ
とを特徴とする。
【００１３】
【作用】本考案の磁気センサにおいては、導体線Ｄが磁
気抵抗素子Ａと磁石Ｂとの間に配置されており、この導
体線Ｄによりイニシャルチェックが行なわれる。従っ
て、導体線Ｄの径に起因するギャップロスが生じること
がなく、磁気抵抗素子ＡとカバーＣとの間隔を最小ギャ
ップに設定することができる。
気抵抗素子Ａと磁石Ｂとの間に配置されており、この導
体線Ｄによりイニシャルチェックが行なわれる。従っ
て、導体線Ｄの径に起因するギャップロスが生じること
がなく、磁気抵抗素子ＡとカバーＣとの間隔を最小ギャ
ップに設定することができる。
【００１４】また、本考案においては、磁気抵抗素子Ａ
と磁石Ｂとの間に導体線Ｄがサンドウィッチされる構造
となっているため、導体線Ｄの位置決め・固定をこれら
磁気抵抗素子Ａ及び磁石Ｂを用いて行うことができる。
従って、磁石Ｂ及び磁気抵抗素子Ａとを保持する構造が
簡素化され、製造工程の簡素化及び出力信号の安定化を
実現することができる。
と磁石Ｂとの間に導体線Ｄがサンドウィッチされる構造
となっているため、導体線Ｄの位置決め・固定をこれら
磁気抵抗素子Ａ及び磁石Ｂを用いて行うことができる。
従って、磁石Ｂ及び磁気抵抗素子Ａとを保持する構造が
簡素化され、製造工程の簡素化及び出力信号の安定化を
実現することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本考案の好適な実施例について図面に
基づき説明する。なお、図４及び図５に示される従来例
と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
基づき説明する。なお、図４及び図５に示される従来例
と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００１６】図２には、本考案の第１実施例に係る磁気
センサの構成が示されている。この実施例においては、
素子サブストレート２０及び感磁部２２から構成される
磁気抵抗素子１０が、絶縁性基板２４を介して磁石１２
上に載置されている。磁気抵抗素子１０の上方は、メタ
ルカバー１６で覆われており、初期診断時に基準交流電
流が流される導体線１８は、絶縁性基板２４中に埋設さ
れている。なお、磁気抵抗素子１０における感磁部２２
は２条設けられており、これらの間隔は、例えば７５０
μｍ、素子サブストレート２０の厚みは２８０μｍ程度
である。
センサの構成が示されている。この実施例においては、
素子サブストレート２０及び感磁部２２から構成される
磁気抵抗素子１０が、絶縁性基板２４を介して磁石１２
上に載置されている。磁気抵抗素子１０の上方は、メタ
ルカバー１６で覆われており、初期診断時に基準交流電
流が流される導体線１８は、絶縁性基板２４中に埋設さ
れている。なお、磁気抵抗素子１０における感磁部２２
は２条設けられており、これらの間隔は、例えば７５０
μｍ、素子サブストレート２０の厚みは２８０μｍ程度
である。
【００１７】従って、本実施例においては、導体線１８
が磁気抵抗素子１０とメタルカバー１６との間に存在し
ておらず、導体線１８の径に起因するギャップロスが生
じない。この結果、磁気抵抗素子１０とメタルカバー１
６との間隔を最小ギャップに設定することができ、検知
対象物を検知した結果得られる出力信号のレベルをより
高いものとすることができる。
が磁気抵抗素子１０とメタルカバー１６との間に存在し
ておらず、導体線１８の径に起因するギャップロスが生
じない。この結果、磁気抵抗素子１０とメタルカバー１
６との間隔を最小ギャップに設定することができ、検知
対象物を検知した結果得られる出力信号のレベルをより
高いものとすることができる。
【００１８】図３には、本考案の第２実施例に係る磁気
センサの構成が示されている。この実施例においては、
第１実施例における絶縁性基板２４に代え、ケース１４
から仕切り２６が延長されている。仕切り２６の上部に
は溝が設けられており、この溝に導体線１８が収納され
ている。磁気抵抗素子１０は、導体線１８が収納された
溝の上に載置されており、磁石１２は仕切り２６の下方
に配置されている。
センサの構成が示されている。この実施例においては、
第１実施例における絶縁性基板２４に代え、ケース１４
から仕切り２６が延長されている。仕切り２６の上部に
は溝が設けられており、この溝に導体線１８が収納され
ている。磁気抵抗素子１０は、導体線１８が収納された
溝の上に載置されており、磁石１２は仕切り２６の下方
に配置されている。
【００１９】従って、この実施例によっても、図２に示
される第１実施例と同様の作用、効果を得ることができ
る。
される第１実施例と同様の作用、効果を得ることができ
る。
【００２０】なお、本考案の磁気センサの構成は、以上
述べた２個の実施例の構成に限定されるものではない。
例えば、図２に示される第１実施例における絶縁性基板
２４に代え、いわゆるフレキシブル基板、印刷回路基板
等を用いてもよい。また、図３に示される第２実施例に
おいて、溝を設けるのではなく、ケース１４の仕切り２
６の上面に無電解メッキ等によるパターン配線付け等を
行って、導体線１８に相当する部材を形成してもよい。
これらいずれの構成によっても、ギャップロスによる出
力信号レベルの低下を防止することができ、かつ、製造
工程の簡素化、信号レベルの安定化等の効果を実現する
ことができる。
述べた２個の実施例の構成に限定されるものではない。
例えば、図２に示される第１実施例における絶縁性基板
２４に代え、いわゆるフレキシブル基板、印刷回路基板
等を用いてもよい。また、図３に示される第２実施例に
おいて、溝を設けるのではなく、ケース１４の仕切り２
６の上面に無電解メッキ等によるパターン配線付け等を
行って、導体線１８に相当する部材を形成してもよい。
これらいずれの構成によっても、ギャップロスによる出
力信号レベルの低下を防止することができ、かつ、製造
工程の簡素化、信号レベルの安定化等の効果を実現する
ことができる。
【００２１】
【考案の効果】以上説明したように、本考案によれば、
磁気抵抗素子Ａと磁石Ｂとの間に導体線Ｄを配置する構
成としたため、磁気抵抗素子ＡとカバーＣとの間隔を最
小ギャップに設定することができ、出力信号レベルを確
保することができる。また、導体線Ｄの接着固定に係る
構成が簡素化され、また、基準交流電流が導体線Ｄに流
された際の磁気抵抗素子Ａの出力である模擬信号レベル
高め、基準交流電流値を低下させることができる。
磁気抵抗素子Ａと磁石Ｂとの間に導体線Ｄを配置する構
成としたため、磁気抵抗素子ＡとカバーＣとの間隔を最
小ギャップに設定することができ、出力信号レベルを確
保することができる。また、導体線Ｄの接着固定に係る
構成が簡素化され、また、基準交流電流が導体線Ｄに流
された際の磁気抵抗素子Ａの出力である模擬信号レベル
高め、基準交流電流値を低下させることができる。
【図１】本考案の基本的な構成を示す図であり、図１
（ａ）はカバーを外した状態の斜視図、図１（ｂ）は断
面図である。
（ａ）はカバーを外した状態の斜視図、図１（ｂ）は断
面図である。
【図２】本考案の第１実施例に係る磁気センサの構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本考案の第２実施例に係る磁気センサの構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】第１従来例に係る磁気センサの構成を示す断面
図である。
図である。
【図５】第２従来例に係る磁気センサの構成を示す図で
あり、図５（ａ）は横断面図、図５（ｂ）は縦断面図で
ある。
あり、図５（ａ）は横断面図、図５（ｂ）は縦断面図で
ある。
Ａ 磁気抵抗素子 Ｂ 磁石 Ｃ カバー Ｄ 導体線 １０ 磁気抵抗素子 １２ 磁石 １４ ケース １６ メタルカバー １８ 導体線 ２４ 絶縁性基板 ２６ 仕切り
Claims (1)
- 【請求項１】 加えられている磁界の変化を抵抗値の変
化として検知し信号を出力する磁気抵抗素子と、磁気抵
抗素子が載置され当該磁気抵抗素子に磁界を加える磁石
と、磁気抵抗素子の上方を覆い磁気抵抗素子と検知対象
物との最小間隔を保持するカバーと、磁気抵抗素子と平
行配置され診断時に基準交流磁界を発生させる導体線
と、を備え、磁気抵抗素子に特性変化、故障等の状況が
生じている際に基準交流磁界を発生させることにより、
磁気抵抗素子から出力される信号のレベルが当該状況が
生じていることを表すレベルとなる磁気センサにおい
て、導体線を磁気抵抗素子と磁石との間に配置したこと
を特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4501891U JP2534191Y2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4501891U JP2534191Y2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04138284U JPH04138284U (ja) | 1992-12-24 |
| JP2534191Y2 true JP2534191Y2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=31925002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4501891U Expired - Lifetime JP2534191Y2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534191Y2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP4501891U patent/JP2534191Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04138284U (ja) | 1992-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |