JPH02238372A - 電流検出器 - Google Patents
電流検出器Info
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- JPH02238372A JPH02238372A JP1060034A JP6003489A JPH02238372A JP H02238372 A JPH02238372 A JP H02238372A JP 1060034 A JP1060034 A JP 1060034A JP 6003489 A JP6003489 A JP 6003489A JP H02238372 A JPH02238372 A JP H02238372A
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Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
被測定電流の流れる導体層を具えた基板に磁電変換素子
を搭載した電流検出器の構成に関し、大電流の検出を可
能にすると共に、プリント配線板等に実装可能に小型化
させることを目的とし、被測定電流の流れる導体層を有
する基板の上面に、該導体層に流す該被測定電流によっ
て該上面と平行方向に発生する被測定磁界を磁電変換す
る磁電変換素子を、該導体層と電気的絶縁状態で搭載し
、 該被測定磁界と直交方向のバイアス磁界を該磁電変換素
子に与えるバイアス磁界発生手段を配設し、 少なくとも該基板と磁電変換素子とバイアス磁界発生手
段とを、外部磁界遮断用シールドケースに収容してなる
ことを特徴とする構成とし、そして、前記導体層が金属
板であり、前記基板が該導体層金属板の上面に絶縁層を
設け、該絶縁層の上に少なくとも前記磁電変換素子を搭
載してなること、 または、前記導体層が前記被測定電流を流したとき前記
基板上面に対し平行方向の前記被測定磁界を発生せしめ
る一対のコイル部を具え、前記基板が絶縁板の上に一対
のコイル部を具えた該導体層を具え、 前記磁電変換素子が一対の該コイル部の対向間に搭載さ
れてなること、 さらに、前記磁電変換素子の形成基板に、該磁電変換素
子の出力を増幅する増幅器を少なくとも具えた回路素子
を形成してなることを特徴とし構成する。
を搭載した電流検出器の構成に関し、大電流の検出を可
能にすると共に、プリント配線板等に実装可能に小型化
させることを目的とし、被測定電流の流れる導体層を有
する基板の上面に、該導体層に流す該被測定電流によっ
て該上面と平行方向に発生する被測定磁界を磁電変換す
る磁電変換素子を、該導体層と電気的絶縁状態で搭載し
、 該被測定磁界と直交方向のバイアス磁界を該磁電変換素
子に与えるバイアス磁界発生手段を配設し、 少なくとも該基板と磁電変換素子とバイアス磁界発生手
段とを、外部磁界遮断用シールドケースに収容してなる
ことを特徴とする構成とし、そして、前記導体層が金属
板であり、前記基板が該導体層金属板の上面に絶縁層を
設け、該絶縁層の上に少なくとも前記磁電変換素子を搭
載してなること、 または、前記導体層が前記被測定電流を流したとき前記
基板上面に対し平行方向の前記被測定磁界を発生せしめ
る一対のコイル部を具え、前記基板が絶縁板の上に一対
のコイル部を具えた該導体層を具え、 前記磁電変換素子が一対の該コイル部の対向間に搭載さ
れてなること、 さらに、前記磁電変換素子の形成基板に、該磁電変換素
子の出力を増幅する増幅器を少なくとも具えた回路素子
を形成してなることを特徴とし構成する。
本発明は基板に被測定電流の流れる導体層を具え、該導
体層に被測定電流を流したとき基板上面と平行方向に発
生する磁界を検出する磁電変換素子を該基板に搭載し、
プリント配線板等に実装できる小型電流検出器の構成に
関する。
体層に被測定電流を流したとき基板上面と平行方向に発
生する磁界を検出する磁電変換素子を該基板に搭載し、
プリント配線板等に実装できる小型電流検出器の構成に
関する。
電流検出器は磁気ディスク装置やプリンタ等のモータ・
アクチュエータ制１卸用に用いられるが、近年のそれら
装置およびその周辺機器の小型化および構成回路部品の
表面実装化に伴って、プリント配線板等に表面実装可能
に小型化された電流検出器が、強く要望されるようにな
った。
アクチュエータ制１卸用に用いられるが、近年のそれら
装置およびその周辺機器の小型化および構成回路部品の
表面実装化に伴って、プリント配線板等に表面実装可能
に小型化された電流検出器が、強く要望されるようにな
った。
導体を流れる被測定電流が作り出す磁界を測定し、その
測定値から該電流の強さを知る電流検出器は公知である
。
測定値から該電流の強さを知る電流検出器は公知である
。
第９図は従来の電流検出器の基本構成を示す斜視図、第
ｌＯ図は他の従来技術による電流検出器の基本構成を示
す斜視図である。
ｌＯ図は他の従来技術による電流検出器の基本構成を示
す斜視図である。
第９図は、導線１に流れる電流ｉが作る磁界をカットコ
ア２で受け、磁電変換素子３により該磁界の強さを測定
し、その測定から導線１に流れる電流ｉの強さを知るこ
とができる。
ア２で受け、磁電変換素子３により該磁界の強さを測定
し、その測定から導線１に流れる電流ｉの強さを知るこ
とができる。
第１０図は、導体４に電流ｉを流したとき、コ字形に形
成した導体４の中間部４ａに生じる磁界を磁電変換素子
５が直接に受ける構成であり、該磁界の強さから導体４
に流れる電流ｉの強さを知る構成であり、コ字形中間部
４ａおよび磁電変換素子５は、外部磁界に影響されない
ように破線で示すシールドケース６に収容される。
成した導体４の中間部４ａに生じる磁界を磁電変換素子
５が直接に受ける構成であり、該磁界の強さから導体４
に流れる電流ｉの強さを知る構成であり、コ字形中間部
４ａおよび磁電変換素子５は、外部磁界に影響されない
ように破線で示すシールドケース６に収容される。
〔発明が解決しようとする課題］
前述の従来技術において、カットコア２を使用するもの
は、被測定電流ｉの流れる導線１がカットコア２をを貫
通する構成であるため、プリント配線板に表面実装でき
ないという問題点があり、中間部４ａをコ字形に形成し
た導綿４に被測定電流ｉが流れるようにしたものは、カ
ットコア２を使用したものより小形化できるが、表面実
装用としては他の実装回路部品より大形になるという問
題点があり、表面実装用の小型電流検出器にはかかる問
題点の解決が必要である。
は、被測定電流ｉの流れる導線１がカットコア２をを貫
通する構成であるため、プリント配線板に表面実装でき
ないという問題点があり、中間部４ａをコ字形に形成し
た導綿４に被測定電流ｉが流れるようにしたものは、カ
ットコア２を使用したものより小形化できるが、表面実
装用としては他の実装回路部品より大形になるという問
題点があり、表面実装用の小型電流検出器にはかかる問
題点の解決が必要である。
第１図は本発明による電流検出器の基本構成図である。
第１図において、電流検出器１１は被測定電流ｉが所定
方向に流れる導体層を有する基仮１２の上面の絶縁層１
３の上に、該導体層に流す被測定電流ｉによって該上面
と平行方向に発生する被測定磁界Ｈｋを磁電変換する磁
電変換素子１４を、該導体層と電気的絶縁状態で搭載し
、 被測定磁界Ｈｋと直交方向のバイアス磁界Ｈｂを磁電変
換素子１４に与えるバイアス磁界発生手段１５を配設し
、 少なくとも基仮ｌ２と磁電変換素子１４とバイアス磁界
発生手段１５とを、外部磁界遮断用シールドケース１６
に収容してなることを特徴とし、そして、前記導体層が
金属板であり、基板１２が該金属板の上面に絶縁層１３
を設け、絶縁層１３の上に少なくとも磁電変換素子１４
を搭載してなることを特徴とする、 または、前記導体層が被測定電流ｉを流したとき前記基
板上面に対し平行方向の被測定磁界Ｈｋを発生せしめる
一対のコイル部を具え、基板１２が絶縁板の上に一対の
該コイル部を具えた該導体層を具え、 磁電変換素子１４が一対の該コイル部の対向間に搭載さ
れてなることを特徴とする、 さらに、磁電変換素子１４の形成基板に、磁電変換素子
１４の出力を増幅する増幅器を少なくとも具えた回路素
子を形成してなることを特徴とし構成する。
方向に流れる導体層を有する基仮１２の上面の絶縁層１
３の上に、該導体層に流す被測定電流ｉによって該上面
と平行方向に発生する被測定磁界Ｈｋを磁電変換する磁
電変換素子１４を、該導体層と電気的絶縁状態で搭載し
、 被測定磁界Ｈｋと直交方向のバイアス磁界Ｈｂを磁電変
換素子１４に与えるバイアス磁界発生手段１５を配設し
、 少なくとも基仮ｌ２と磁電変換素子１４とバイアス磁界
発生手段１５とを、外部磁界遮断用シールドケース１６
に収容してなることを特徴とし、そして、前記導体層が
金属板であり、基板１２が該金属板の上面に絶縁層１３
を設け、絶縁層１３の上に少なくとも磁電変換素子１４
を搭載してなることを特徴とする、 または、前記導体層が被測定電流ｉを流したとき前記基
板上面に対し平行方向の被測定磁界Ｈｋを発生せしめる
一対のコイル部を具え、基板１２が絶縁板の上に一対の
該コイル部を具えた該導体層を具え、 磁電変換素子１４が一対の該コイル部の対向間に搭載さ
れてなることを特徴とする、 さらに、磁電変換素子１４の形成基板に、磁電変換素子
１４の出力を増幅する増幅器を少なくとも具えた回路素
子を形成してなることを特徴とし構成する。
上記手段によれば、基板に設けた導体層に被測定電流を
流し、該被測定電流によって該基板の上面と平行方向に
発生する被測定磁界を、該基板の上面に搭載した磁電変
換素子で検出する構成したことにより、各種回路素子と
同等にプリント配線板へ搭載可能な小型電流検出器を実
現し、各種回路に電流検出器の組み込みが可能になった
。
流し、該被測定電流によって該基板の上面と平行方向に
発生する被測定磁界を、該基板の上面に搭載した磁電変
換素子で検出する構成したことにより、各種回路素子と
同等にプリント配線板へ搭載可能な小型電流検出器を実
現し、各種回路に電流検出器の組み込みが可能になった
。
以下に、図面を用いて本発明による電流検出器を説明す
る． 第２図は本発明の第１の実施例による電流検出器の主要
構成を模式的に示す断面図（イ）と該電流検出器の基板
に搭載した搭載素子の配置を示す平面図（０）、第３図
は第２図に示す電流検出器の回路図、第４図は第２図に
示す電流検出器の主要製造工程を説明するための図であ
る。
る． 第２図は本発明の第１の実施例による電流検出器の主要
構成を模式的に示す断面図（イ）と該電流検出器の基板
に搭載した搭載素子の配置を示す平面図（０）、第３図
は第２図に示す電流検出器の回路図、第４図は第２図に
示す電流検出器の主要製造工程を説明するための図であ
る。
第１図と共通部分に同一符号を使用した第２図の電流検
出器２１において、基板１２は金属板（導体層）２２の
上面に絶縁層１３を形成し、絶縁層１３の上に導体パタ
ーン２３と外部接続用の端子２４と搭載ステージ２５と
を形成してなり、一対の搭載ステージ２５の上に磁電変
換素子１４，磁電変換素子１４の出力を増幅する回路素
子２７が搭載される。
出器２１において、基板１２は金属板（導体層）２２の
上面に絶縁層１３を形成し、絶縁層１３の上に導体パタ
ーン２３と外部接続用の端子２４と搭載ステージ２５と
を形成してなり、一対の搭載ステージ２５の上に磁電変
換素子１４，磁電変換素子１４の出力を増幅する回路素
子２７が搭載される。
要部が表呈するように絶縁ＪｌｌＷ２６の形成された導
体パターン２３と磁電変換素子１４．要部が表呈するよ
うに絶縁層２６の形成された端子２４と回路素子２７と
は、金属ワイヤ２８によってそれぞれ接続したのち、磁
電変換素子１４等を封止材２９にて封止し、次いで金属
板２２の下面に配設したバイアス磁界Ｈｂ印加用の永久
磁石（バイアス磁・界発生手段）１５と共にモールド部
材３０にて封止し、それらは磁性材料にてなるシールド
ケース３１に収容される。
体パターン２３と磁電変換素子１４．要部が表呈するよ
うに絶縁層２６の形成された端子２４と回路素子２７と
は、金属ワイヤ２８によってそれぞれ接続したのち、磁
電変換素子１４等を封止材２９にて封止し、次いで金属
板２２の下面に配設したバイアス磁界Ｈｂ印加用の永久
磁石（バイアス磁・界発生手段）１５と共にモールド部
材３０にて封止し、それらは磁性材料にてなるシールド
ケース３１に収容される。
このような電流検出器２１は、第２図（口）に示すよう
に被測定電流ｉを金属板２２の左端から右端に向けて流
すと、基板１２の上面には該上面と平行かつ基板１２の
幅方向の被測定磁界Ｈｋが発生し、磁界Ｈｋと同方向の
磁界を検出するように搭載し永久磁石１５によって磁界
Ｈｋと直交方向のバイアス磁界Ｈｂの与えられた磁電変
換素子１４が磁界Ｈｋを検出し、回路素子２７に増幅さ
れた磁電変換素子１４の出力は、出力端子２４より取り
出されるようになる。
に被測定電流ｉを金属板２２の左端から右端に向けて流
すと、基板１２の上面には該上面と平行かつ基板１２の
幅方向の被測定磁界Ｈｋが発生し、磁界Ｈｋと同方向の
磁界を検出するように搭載し永久磁石１５によって磁界
Ｈｋと直交方向のバイアス磁界Ｈｂの与えられた磁電変
換素子１４が磁界Ｈｋを検出し、回路素子２７に増幅さ
れた磁電変換素子１４の出力は、出力端子２４より取り
出されるようになる。
第３図において、フルブリッジに構成しバイアス磁界Ｈ
ｂの与えられた磁電変換素子１４の出力端子は、差動増
幅器３２等を具えた回路素子２７に接続し、磁電変換素
子ｌ４の一対の入力端子３３の間には、定電流源，電流
計が接続される。バイアス磁界Ｈｂと直角方向の被測定
磁界Ｈｖが与えられて発生する磁電変換素子１４の出力
は、回路素子２７を通って例えば１００倍に増幅され、
出力端子２４に接続されたデジタルマルチメータやＸ−
Ｙレコーダ等にて、測定および記録されるようになる。
ｂの与えられた磁電変換素子１４の出力端子は、差動増
幅器３２等を具えた回路素子２７に接続し、磁電変換素
子ｌ４の一対の入力端子３３の間には、定電流源，電流
計が接続される。バイアス磁界Ｈｂと直角方向の被測定
磁界Ｈｖが与えられて発生する磁電変換素子１４の出力
は、回路素子２７を通って例えば１００倍に増幅され、
出力端子２４に接続されたデジタルマルチメータやＸ−
Ｙレコーダ等にて、測定および記録されるようになる。
第４図（イ）〜（二）において、金属板２２の上面に絶
縁層１３と導体膜３４を被着したのち、導体膜３４の不
要部をエッチング除去して導体パターン２３と端子２４
とステージ２５とを形成し、導体パターン２３と端子２
４は金属ワイヤ２８の接続部を残し絶縁層２６にて被覆
する。次いで、一対のステージ２５に磁電変換素子１４
と回路素子２７とを搭載したのち、各導体パターン２３
の一端と磁電変換素子１７および、各導体パターン２３
の他端と回路素子２７ならびに、端子２４と回路素子２
７とを金属ワイヤ２８にて接続する。
縁層１３と導体膜３４を被着したのち、導体膜３４の不
要部をエッチング除去して導体パターン２３と端子２４
とステージ２５とを形成し、導体パターン２３と端子２
４は金属ワイヤ２８の接続部を残し絶縁層２６にて被覆
する。次いで、一対のステージ２５に磁電変換素子１４
と回路素子２７とを搭載したのち、各導体パターン２３
の一端と磁電変換素子１７および、各導体パターン２３
の他端と回路素子２７ならびに、端子２４と回路素子２
７とを金属ワイヤ２８にて接続する。
しかるのち、金属板２２の上面に封止材２９を形成し、
金属板２２の下面に永久磁石（または薄膜構成の磁石）
１５を接着したのち、それらは第２図に示すようにモー
ルド部材３０で覆われるようになる。
金属板２２の下面に永久磁石（または薄膜構成の磁石）
１５を接着したのち、それらは第２図に示すようにモー
ルド部材３０で覆われるようになる。
第５図は本発明の第２の実施例による電流検出器の主要
構成を模式的に示す断面図、第６図は第３の実施例に係
わる基板の平面図（イ）とその断面図（Ｉｆｆ）、第７
図は第４の実施例に係わる基板の平面図（イ）とその断
面図（口）である。
構成を模式的に示す断面図、第６図は第３の実施例に係
わる基板の平面図（イ）とその断面図（Ｉｆｆ）、第７
図は第４の実施例に係わる基板の平面図（イ）とその断
面図（口）である。
前出図と共通部分に同一符号を使用した第５図において
、電流検出器４１の基板１２は金属板２２の上面に絶縁
板４２を接着し、絶縁Ｊｌｉ４２の上に導体パターン２
３と外部接続用の端子２４と搭載ステージ２５とを形成
してなり、一対の搭載ステージ２５の上に磁電変換素子
１４，磁電変換素子１４の出力を増幅する回路素子２７
が搭載される。
、電流検出器４１の基板１２は金属板２２の上面に絶縁
板４２を接着し、絶縁Ｊｌｉ４２の上に導体パターン２
３と外部接続用の端子２４と搭載ステージ２５とを形成
してなり、一対の搭載ステージ２５の上に磁電変換素子
１４，磁電変換素子１４の出力を増幅する回路素子２７
が搭載される。
要部が表呈するように絶縁層２６の形成された導体パタ
ーン２３と磁電変換素子１４，要部が表呈するように絶
縁層２６の形成された端子２４と回路素子２７とは、金
属ワイヤ２８によってそれぞれ接続したのち、磁電変換
素子１４等を封止材２９にて封止し、次いで磁電変換素
子１４の上方にバイアス磁界ＨｂＯ印加用永久磁石（ま
たは薄膜磁石）１５を位置せしめてモールド部材３０を
形成し、それらは磁性材料にてなるシールドケース３１
に収容される。
ーン２３と磁電変換素子１４，要部が表呈するように絶
縁層２６の形成された端子２４と回路素子２７とは、金
属ワイヤ２８によってそれぞれ接続したのち、磁電変換
素子１４等を封止材２９にて封止し、次いで磁電変換素
子１４の上方にバイアス磁界ＨｂＯ印加用永久磁石（ま
たは薄膜磁石）１５を位置せしめてモールド部材３０を
形成し、それらは磁性材料にてなるシールドケース３１
に収容される。
第６図において、基仮１２は絶縁板４５の上面に導体層
４６を形成してなる。導体層４６は一対のコイル部４６
ａ，４６ｂと端子４６ｃ， ４６ｄを具えてなる。絶縁
層４７をその厚さ方向に挟むように形成されたコイル部
４６ａ．４６ｂは、絶縁層４７の下部に形成された導体
パターン４６ｅと、絶縁層４７の上部に形成された導体
パターン４６ｆおよび端子４６ｃ， ４６ｄとは、パイ
アホール４６’ｇにより接続されている。
４６を形成してなる。導体層４６は一対のコイル部４６
ａ，４６ｂと端子４６ｃ， ４６ｄを具えてなる。絶縁
層４７をその厚さ方向に挟むように形成されたコイル部
４６ａ．４６ｂは、絶縁層４７の下部に形成された導体
パターン４６ｅと、絶縁層４７の上部に形成された導体
パターン４６ｆおよび端子４６ｃ， ４６ｄとは、パイ
アホール４６’ｇにより接続されている。
このような導体層４６を具えた基仮１２は、導体層４６
に被測定電流ｉを流したとき、電流ｉにより発生する被
測定磁界Ｈｋは、コイル部４６ａ ， ４６ｂ間に一点
鎖線で示す磁電変換素子搭載領域４８において、基板１
２の上面と平行かつ基仮１２の幅方向に発生し、その磁
界｝｛ｋは前述の金属板２２のそれよりも大きくなる。
に被測定電流ｉを流したとき、電流ｉにより発生する被
測定磁界Ｈｋは、コイル部４６ａ ， ４６ｂ間に一点
鎖線で示す磁電変換素子搭載領域４８において、基板１
２の上面と平行かつ基仮１２の幅方向に発生し、その磁
界｝｛ｋは前述の金属板２２のそれよりも大きくなる。
第６図と共通部分に同一符号を使用した第７図において
、基板１２は絶縁板４５の上面に導体Ｎ５０を形成して
なる．導体層５０は、絶縁板４５の上面に形成した絶縁
層５１の上に形成した一対の端子５０ａ，５０ｂと渦巻
状コイル部５０ｃ． ５０ｄを具え、一対のコイル部５
０ｃ． ５０ｄの中心端は、絶Ｉｔ ｉｉ ５１の下部
に形成した導体パターン５０ｅによって接続される。
、基板１２は絶縁板４５の上面に導体Ｎ５０を形成して
なる．導体層５０は、絶縁板４５の上面に形成した絶縁
層５１の上に形成した一対の端子５０ａ，５０ｂと渦巻
状コイル部５０ｃ． ５０ｄを具え、一対のコイル部５
０ｃ． ５０ｄの中心端は、絶Ｉｔ ｉｉ ５１の下部
に形成した導体パターン５０ｅによって接続される。
このような導体Ｊｉ５０を具えた基仮１２は、導体層５
０に被測定電流ｉを流したとき、コイル部５０ｃと５０
ｄの中心部は極性（ＮとＳ）が逆になり、従ってコイル
部５０ｂと５０ｃの間に一点鎖線で示す磁電変換素子搭
載領域４８において、基板１２の上面と平行かつ基板１
２の幅方向に被測定磁界Ｈｋが発生し、その磁界Ｈｋは
前述の導体層４６のそれより大きくすることが可能であ
る。
０に被測定電流ｉを流したとき、コイル部５０ｃと５０
ｄの中心部は極性（ＮとＳ）が逆になり、従ってコイル
部５０ｂと５０ｃの間に一点鎖線で示す磁電変換素子搭
載領域４８において、基板１２の上面と平行かつ基板１
２の幅方向に被測定磁界Ｈｋが発生し、その磁界Ｈｋは
前述の導体層４６のそれより大きくすることが可能であ
る。
第８図は本発明の第５の実施例に係わり磁電変換素子と
回路素子を一体化した構成を模式的に示す平面図であり
、基板１２に搭載される素子６０は、シリコン等にてな
る素子基板６１の上に、第３図に示すフルブリッジ構成
の磁電変換素子（磁気抵抗素子）１４と、差動増幅器を
含む回路素子２７とを形成し、磁電変換素子１４と回路
素子２７が導体パターン６２で接続された構成である。
回路素子を一体化した構成を模式的に示す平面図であり
、基板１２に搭載される素子６０は、シリコン等にてな
る素子基板６１の上に、第３図に示すフルブリッジ構成
の磁電変換素子（磁気抵抗素子）１４と、差動増幅器を
含む回路素子２７とを形成し、磁電変換素子１４と回路
素子２７が導体パターン６２で接続された構成である。
このような素子６０は、磁電変換素子１４と回路素子２
７を別々に構成したものより小型であり、従って第２図
および第５図の磁電変換素子１４と回路素子２７に変え
て素子６０を搭載した電流検出器、第６図および第７図
の素子搭載領域４８に素子６０を搭載した電流検出器は
、磁電変換素子１４と回路素子２７を搭載したものより
小型となり、かつ、基ｖｉ１２に搭載させる手間が少な
くて済む利点を有する。
７を別々に構成したものより小型であり、従って第２図
および第５図の磁電変換素子１４と回路素子２７に変え
て素子６０を搭載した電流検出器、第６図および第７図
の素子搭載領域４８に素子６０を搭載した電流検出器は
、磁電変換素子１４と回路素子２７を搭載したものより
小型となり、かつ、基ｖｉ１２に搭載させる手間が少な
くて済む利点を有する。
以上説明したように本発明の電流検出器は、基板に設け
た導体層に被測定電流を流し、該被測定電流によって該
基板の上面と平行方向に発生する被測定磁界を、該基板
の上面に搭載した磁電変換素子で検出する構成したこと
により、プリント配線板に搭載可能な小型電流検出器を
実現し、各種回路への組み込みを可能にした効果を有す
る。
た導体層に被測定電流を流し、該被測定電流によって該
基板の上面と平行方向に発生する被測定磁界を、該基板
の上面に搭載した磁電変換素子で検出する構成したこと
により、プリント配線板に搭載可能な小型電流検出器を
実現し、各種回路への組み込みを可能にした効果を有す
る。
第１図は本発明の電流検出器の基本構成図、第２図は本
発明の第１の実施例による電流検出器、 第３図は第２図に示す電流検出器の回路図、第４図は第
２図に示す電流検出器の主要製造工程の説明図、 第５図は本発明の第２の実施例による電流検出器、 第６図は第３の実施例に係わる電流検出器の基板、 第７図は第４の実施例に係わる電流検出器の基板、 第８図は本発明の第５の実施例に係わる電流検出器の搭
載素子、 第９図は従来の電流検出器の基本構成図、第１０図は他
の従来技術による電流検出器の基本構成図、 である． 図中において、 １１は電流検出器、 ｌ２は基板、 １３は絶縁層、 １４は磁電変換素子、１５は磁
界発生手段（永久磁石）、 １６はシールドケース、 ２２．４６．５０は導体層（金属板）、２７は回路素子
、 ４５は絶縁板、４６ａ， ４６ｂ， ５０ｂ，
５０ｃはコイル部、６１は素子基板、 Ｈｂはバイアス磁界、 ＨＫは被測定磁界、 ｉは被測定電流、を示す。 ワ 不発ｅ月の電流検出器の蟇濠槙威図 ％ １ 図 多村２ ５コＣＳ 爪τ 彎シえ倹出器の５Ｄ玲図舅
３ 図 杢発明の第１ の炙杷１９リに二３電鷹検出器 メ ？ 図 ＄発明ノＩＦｌ２ ノ’ｌｔ例Ｉ（よ！ｅ流横１外第
５ 回 男３の寒杷例に係わ１劃ｔ検出器の蔓販纂 ６ 図 程の名免ａ８図 第 図 第 口 集 図
発明の第１の実施例による電流検出器、 第３図は第２図に示す電流検出器の回路図、第４図は第
２図に示す電流検出器の主要製造工程の説明図、 第５図は本発明の第２の実施例による電流検出器、 第６図は第３の実施例に係わる電流検出器の基板、 第７図は第４の実施例に係わる電流検出器の基板、 第８図は本発明の第５の実施例に係わる電流検出器の搭
載素子、 第９図は従来の電流検出器の基本構成図、第１０図は他
の従来技術による電流検出器の基本構成図、 である． 図中において、 １１は電流検出器、 ｌ２は基板、 １３は絶縁層、 １４は磁電変換素子、１５は磁
界発生手段（永久磁石）、 １６はシールドケース、 ２２．４６．５０は導体層（金属板）、２７は回路素子
、 ４５は絶縁板、４６ａ， ４６ｂ， ５０ｂ，
５０ｃはコイル部、６１は素子基板、 Ｈｂはバイアス磁界、 ＨＫは被測定磁界、 ｉは被測定電流、を示す。 ワ 不発ｅ月の電流検出器の蟇濠槙威図 ％ １ 図 多村２ ５コＣＳ 爪τ 彎シえ倹出器の５Ｄ玲図舅
３ 図 杢発明の第１ の炙杷１９リに二３電鷹検出器 メ ？ 図 ＄発明ノＩＦｌ２ ノ’ｌｔ例Ｉ（よ！ｅ流横１外第
５ 回 男３の寒杷例に係わ１劃ｔ検出器の蔓販纂 ６ 図 程の名免ａ８図 第 図 第 口 集 図
Claims (4)
- （１）被測定電流（ｉ）の流れる導体層（２２、４６、
５０）を有する基板（１２）の上面に、該導体層（２２
、４６、５０）に流す該被測定電流（ｉ）によって該上
面と平行方向に発生する被測定磁界（ＨＫ）を磁電変換
する磁電変換素子（１４）を、該導体層（２２、４６、
５０）と電気的絶縁状態で搭載し、 該被測定磁界（Ｈｋ）と直交方向のバイアス磁界（Ｈｂ
）を該磁電変換素子（１４）に与えるバイアス磁界発生
手段（１５）を配設し、 少なくとも該基板（１２）と磁電変換素子（１４）とバ
イアス磁界発生手段（１５）とを、外部磁界遮断用シー
ルドケース（１６）に収容してなることを特徴とする電
流検出器。 - （２）前記導体層（２２）が金属板であり、前記基板（
１２）が該金属板導体層（２２）の上面に絶縁層（１３
）を設け、該絶縁層（１３）の上に少なくとも前記磁電
変換素子（１４）を搭載してなることを特徴とする前記
請求項１に記載の電流検出器。 - （３）前記導体層（４６、５０）が前記被測定電流（ｉ
）を流したとき前記基板上面に対し平行方向の前記被測
定磁界を発生せしめる一対のコイル部（４６ａ、４６ｂ
、５０ｃ、５０ｄ）を具え、 前記基板（１２）が絶縁板（４５）の上に一対の該コイ
ル部（４６ａ、４６ｂ、５０ｃ、５０ｄ）を具えた該導
体層（４６、５０）を具え、 前記磁電変換素子（１４）が一対の該コイル部（４６ａ
、４６ｂ、５０ｃ、５０ｄ）の対向間に搭載されてなる
ことを特徴とする前記請求項１に記載の電流検出器。 - （４）前記磁電変換素子（１４）の形成基板（６１）に
、該磁電変換素子（１４）の出力を増幅する増幅器を少
なくとも具えた回路素子（２７）を形成してなることを
特徴とする前記請求項１または２または３に記載の電流
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060034A JPH02238372A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 電流検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060034A JPH02238372A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 電流検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238372A true JPH02238372A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13130385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060034A Pending JPH02238372A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 電流検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238372A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006112813A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Canon Electronics Inc | 電流センサ及びそれを用いた電流検知ユニット |
| JP2006514283A (ja) * | 2003-02-11 | 2006-04-27 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積センサ |
| JP2010256316A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Kohshin Electric Corp | 電流センサ |
| JP2016537629A (ja) * | 2013-11-15 | 2016-12-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 電流が貫流する一次導体における電流強度を測定するための装置、配置構造、および方法 |
| US9859489B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-01-02 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
| US11994541B2 (en) | 2022-04-15 | 2024-05-28 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor assemblies for low currents |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1060034A patent/JPH02238372A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006514283A (ja) * | 2003-02-11 | 2006-04-27 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積センサ |
| US7518354B2 (en) | 2003-02-11 | 2009-04-14 | Allegro Microsystems, Inc. | Multi-substrate integrated sensor |
| JP2006112813A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Canon Electronics Inc | 電流センサ及びそれを用いた電流検知ユニット |
| US9859489B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-01-02 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
| US10069063B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-09-04 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
| JP2010256316A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Kohshin Electric Corp | 電流センサ |
| JP2016537629A (ja) * | 2013-11-15 | 2016-12-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 電流が貫流する一次導体における電流強度を測定するための装置、配置構造、および方法 |
| US10018656B2 (en) | 2013-11-15 | 2018-07-10 | Epcos Ag | Device, arrangement, and method for measuring a current intensity in a primary conductor through which current flows |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
| US11994541B2 (en) | 2022-04-15 | 2024-05-28 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor assemblies for low currents |
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