JP2521944B2 - 集積回路パッケ−ジ - Google Patents

集積回路パッケ−ジ

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JP2521944B2 JP62044295A JP4429587A JP2521944B2 JP 2521944 B2 JP2521944 B2 JP 2521944B2 JP 62044295 A JP62044295 A JP 62044295A JP 4429587 A JP4429587 A JP 4429587A JP 2521944 B2 JP2521944 B2 JP 2521944B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路素子を搭載したパッケージケース裏
面にはんだ付け用の電極が引出されていて、プリント基
板の導体面に直接はんだ付けで実装されるリードレスチ
ップキャリア型の集積回路パッケージに関する。
〔従来の技術〕
第4図(a)は従来のこの種のパッケージに集積回路
素子(以下ICチップという)を搭載したキャップなしの
状態を示す平面図、同図(b)は同図(a)のA−A断
面図、同図(c)は同図(a)のB−B断面図である。
第2図(a)において、パッケージケース11の中央凹所
にICチップ10が固着され、チップ10のパッド部とケース
11の内部リード2との間はボンディング線3で接続され
ている。ケース11の周辺には側壁4があり、この側壁4
の上面のキャップとの封止面6は、第4図(b)に見ら
れるように、山なりに曲げられているボンディング線3
の最高到達点より高い位置にあり、キャップをかぶせて
封止する場合、キャップの下面が、ボンディング線3に
接触しないようになっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
近年、ICは高速動作で多機能化が要求される様になっ
ている為、チップも大きくなりつつある。それに対しパ
ッケージは高密度実装が要求される為、できるだけ小さ
くしなければならないという問題が生じてきている。し
かしながら、上述した従来のパッケージは、ボンディン
グ時の制約等からパッケージにとう載することができる
チップサイズはかなり制限を受ける。すなわち、第5図
はパッケージにICチップをとう載した後、アルミニウム
線を超音波ボンディングしている時の断面図を示したも
のであり、第5図において、パッケージケース11の側壁
4の高さhに対し、キャップをかぶせてふたをし封止し
た時に、ボンディング装置のボンディングヘッド12によ
りボンディングされるボンディング線3に接触しない様
にボンディング線3の最高到達点の高さHに対して、 h>H の関係がある。一方とう載できるチップサイズに大きな
影響をあたえるパッケージケース11の内部リード2のリ
ード長Aは、ボンディング装置のボンディングヘッド12
によりボンディングされるボンディング線3が側壁4に
引かからないためには下記に示す以上の長さが必要とな
る。
例えば、θ=30゜、h=300μmの場合、Aは520μm
以上必要である。しかし実際には、ボンディング時の位
置的バラツキ、リード部に使用されているAuパターンの
ズレ等を考慮してさらに余分の長さを必要とする。もち
論、この内部リード長Aが短かければ、一定の大きさの
パッケージに対し、より大きなICチップを搭載できるわ
けであるから、成り可く短くできることが望まれる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の集積回路パッケージは、集積回路素子をとう
載するリードレスチップキャリア型の集積回路パッケー
ジであって、パッケージケースの封止用キャップとの4
辺の縁辺にある封止面のうち、対向する一辺の2辺の縁
辺にある封止面が、ケースに搭載するICチップのパッド
部とケース周辺の内部リードとの間を接続するボンディ
ング線の高さ方向の最高到達点より低くし、他の一対の
対向する2辺の縁辺の封止面を高くしている。
〔実施例〕
つぎに本発明を実施例により説明する。
第1図(a)は本発明の一実施例のキャップなしの平
面図、同図(b)は同図(a)のA−A断面図、同図
(c)は同図(a)のB−B断面図である。これらの図
において、パッケージケース1の中央凹所に集積回路チ
ップ10が固着され、チップ10の周辺のパッド部とこのパ
ッドに対応して設けられたケース1の周辺の台上に設け
られている内部リード2との間は山なりに曲げられたボ
ンディング線3により接続されている。長方形のケース
1の相対向する短辺の縁部には、ボンディング線3の最
高到達点の高さより高い側壁4が設けられている。一
方、ケース1の対向する長辺の縁部にはチップ10のパッ
ド面と同じ高さの内部リード形成台部そのままである。
したがって、内部リード形成台部の幅のうち、キャップ
との封止面6の幅を除いたチップ1の長辺側の内部リー
ド長Aは、リード長を長くする側壁がないので、ボンデ
ィングに必要な最短の長さで事足りるため、短くなって
いる。よってその分だけ、従来のパッケージの横幅より
小さくできる。換言すれば、同じ大きさのパッケージな
ら、横幅の大きい集積回路チップが搭載できることにな
る。
第2図は第1図の実施例に適合するキャップ8の斜視
図である。キャップ8は、従来の平板形のキャップと異
なり、長辺側の縁部には、ケース1の側壁のない台部の
封止面と接触封止するために、短辺縁部の側壁4と同じ
高さの突出ふち8aが形成されている。
第3図は本発明の第2の実施例のパッケージケースに
ICチップを搭載したのち、アルミのボンディング線3を
超音波ボンディングしている状態を示す部分断面図であ
る。図において、これを第1図の実施例と比べた場合、
ケース7の長辺側の縁部にはボンディング線3の最高到
達点の高さより充分低い側壁5を有することが異なって
いる。
本例では、側壁5があっても、その高さが低いので、
ボンディング装置のボンディングヘッド12と側壁5とは
十分近付けるので、内部リード長Aは従来のものに比べ
て短くでき、その分パッケージの横幅を小さくできる。
なお上例は、長方形のパッケージの四つ縁辺のうちの
対向する2つの長辺側の側壁を低くしているが、長辺側
は従来通り高くして、短辺側を低くすることもできるの
はいうまでもない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ボンディング時の制約を受けないた
め、内部リード長を短かくすることができる。従がっ
て、従来パッケージに比べて大きなチップサイズまでと
う載できる効果がある。また、ボンディング線の最高到
達点より低い封止面が2方向の為、ICチップのとう載か
ら封止までの間に不慮の事故(裏返し等)があってもボ
ンディング線への影響は、従来品と同等である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の一実施例にICチップを搭載した
キャップなしの平面図、同図(b)は同図(a)のA−
A断面図、同図(c)は同図(a)のB−B断面図、第
2図は第1図の実施例に付属するキャップの斜視図、第
3図は本発明の他の実施例にICチップを搭載後のボンデ
ィング線のボンディングを示す部分断面図、第4図
(a),(b),(c)は第1図の実施例に対応する従
来例の平面図、およびそのA−AならびにB−B断面
図、第5図は従来のボンディング線ボンディング時の内
部リード長と側壁の高さの関係を説明するための断面図
である。 1,7,11……パッケージケース、2……内部リード、3…
…ボンディング線、4……高い側壁、5……低い側壁、
6……封止面、8……キャップ、8a……突出ふち、10…
…ICチップ、12……ボンディングヘッド。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】集積回路素子を搭載するケースと、このケ
    ースにふたをし封止するキャップとを有するリードレス
    チップキャリア型の集積回路パッケージにおいて、前記
    ケースは前記搭載した集積回路素子のパッド部の高さと
    ほぼ同じ高さである前記ケースの4辺上に設けられた周
    縁部と、前記周縁部上に設けられた複数の内部リード
    と、前記ケースの4辺のうちの1対の対向する2辺にあ
    る前記周縁部上に設けられた前記キャップとの封止面が
    前記搭載した集積回路素子のパッド部と前記内部リード
    部とを接続するボンディング線の最高到達点の高さより
    も高い側壁部とを有し、他の1対の対向する2辺にある
    前記周縁部上には側壁部が設けられないか又は前記キャ
    ップとの封止面が前記ボンディング線の最高到達点の高
    さよりも低い側壁部が設けられることを特徴とする集積
    回路パッケージ。
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