JP2023534494A - 誘電体膜形成組成物 - Google Patents

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Abstract

本開示は、複数種の（メタ）アクリレート含有化合物、少なくとも１種の完全イミド化ポリイミドポリマー、及び少なくとも１種の溶媒を含む、誘電体膜形成組成物に関する。

Description

本発明は誘電体膜形成組成物に関する。
関連出願への相互参照
本願は、２０２０年７月１５日出願の米国仮出願番号６３／０５２，０６３からの優先権を主張する。該米国仮出願の内容は、その全体が、参照により本開示に取り込まれる。
半導体パッケージング用途のための誘電体材料の要求は継続的に進化している。新たな先進のデバイスは、ウェハレベルパッケージング及びパネルレベルパッケージング（ＷＬＰ及びＰＬＰ）並びに３次元ヘテロジニアスインテグレーションに大きく依存している。長年にわたり用いられてきた伝統的な誘電体材料が数多く存在しはするものの、ポリイミドは、その優れた電気的、機械的、及び熱的特性のために、半導体パッケージング用途のための第一選択の材料となってきた。従来のポリイミドの欠点としては、高い硬化温度（３５０℃超）、高い硬化後（熱）収縮、及び高レベルの水分吸収がある。パネル製造に用いられるプラスチックコアは約２５０℃を超える温度に耐えられないため、ポリイミド（ＰＩ）のために高い硬化温度が必要とされることは、パネルレベル製造のためのポリイミドの使用に制限を課している。従来からのポリイミドの高い収縮は、硬化膜が高い残留応力を有することにつながり、このことはシリコンウェハの湾曲及びプラスチックコアの反りにつながる。
電子パッケージングにおけるトレンドは、より小さなフィーチャサイズ、より速いプロセシング速度、増加した複雑性、より高い電力、及びより低いコストを指向するものであり続けている。先進のパッケージはマイクロプロセッサ及び無線通信の領域における多様で新たな用途を見出しているため、半導体パッケージ及びその構成材料の信頼性は、ＩＣ製造者にとってますます重要な要素となってきた。このことは、優れた信頼性を有する誘電体材料を選択することを、先進のパッケージを作製する上で極めて重要なものとしている。
ポリイミドの機械的性質、特に破断伸び（Ｅｂ）、は、マイクロ電子デバイスの長期信頼性を保証する上で特に重要である。次世代誘電体材料は、強靱かつ可撓性であるように設計されなければならない。このことは、マイクロ電子デバイスの導電フィーチャをクラック無しに効果的に絶縁するために必要とされる。
良好な化学的及び水分耐性を有する低温硬化型感光性樹脂組成物（例えば、２００℃未満）は、日本国特許出願番号２０２０－０５６９５７及び２０２０－０５６５９７並びにＰＣＴ出願番号ＷＯ２００７０９２４に記載されてきており、それらにおいては、架橋性モノマーが露光の際に、重合性部位を有するポリイミド前駆体ポリマーと反応させられる。重合性部位を有するポリイミド前駆体に架橋性モノマーが結合することは、生じる膜の破断伸び（％Ｅｂ）を低下させることで材料の強靱性を低下させる。加えて、重合性部位を有するポリイミド前駆体の環化の際のより高い熱収縮はまた、これら感光性誘電体膜ベースの膜の信頼性に強く影響する。
本開示は、（メタ）アクリレート含有化合物及び完全イミド化ポリイミドポリマーを含む誘電体膜形成組成物を記載する。これらの組成物は感光性とすることができ、例えば完全環化ポリイミドを含む相互貫入ネットワークを形成することによって、向上した機械的特性、熱収縮、及び信頼性を有する誘電体膜を形成することができる。
１つの態様では、本開示は、
ａ．以下を含む複数の（メタ）アクリレート含有化合物
ｉ）少なくとも１種の、式（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物

式中、Ｒ１は、水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲン置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基、又はハロゲン原子であり；Ｒ２は、Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基、Ｃ５～Ｃ２０シクロアルキレン基、又はＲ４Ｏ基であり、ここでＲ４は直鎖若しくは分岐のＣ２～Ｃ１０アルキレン基又はＣ５～Ｃ２０シクロアルキレン基であり；Ｒ３は、置換若しくは無置換の、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ１０アルキル基、飽和若しくは不飽和のＣ５～Ｃ２５（例えば、Ｃ７～Ｃ２５）脂環式基、Ｃ６～Ｃ１８アリール基、又はＣ７～Ｃ１８アルキルアリール基であり；ｎは０又は１である
ｉｉ）少なくとも１種の、ジ（メタ）アクリレート含有架橋剤；及び
ｉｉｉ）任意に（optionally）、少なくとも１種の、３つ以上の（メタ）アクリレート基を含む多（メタ）アクリレート含有架橋剤
ｂ．少なくとも１種の、完全イミド化ポリイミドポリマー、及び
ｃ．任意に（optionally）、少なくとも１種の溶媒
を含む誘電体膜形成組成物を１つの特色とする。
別の態様では、本開示は、（ａ）基板を本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングして、前記基板上に膜を有するコーティングされた基板を形成すること；及び、（ｂ）前記コーティングされた基板をベーキングして、乾燥膜を有するコーティングされた基板を形成すること、を含むプロセスを１つの特色とする。
別の態様では、本開示は、（ａ）キャリア基板を本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングして、コーティングされた組成物を形成すること；（ｂ）前記コーティングされた組成物を乾燥させて、感光性ポリイミド層を形成すること；及び、（ｃ）任意に（optionally）、前記感光性ポリイミド層に保護層を付与して、乾燥膜構造体を形成すること、を含むプロセスを１つの特色とする。
別の態様では、本開示は、本開示に記載の乾燥膜構造体を電子基板上に付与して積層体を形成すること、ここで前記積層体中の前記感光性ポリイミド層は前記電子基板と前記キャリア基板との間にある、
を含むプロセスを１つの特色とする。
別の態様では、本開示は、銅パターンを有する基板上に感光性ポリイミド膜を作製するプロセスを１つの特色とする。該プロセスは、銅パターンを有する基板上に、本開示の誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して感光性ポリイミド膜を形成することであって、前記感光性ポリイミド膜の表面上の最高点と最低点との差異は約２ミクロン以下である、前記形成することを含む。
別の態様では、本開示は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物によって製造された、パターン形成された誘電体膜を１つの特色とする。いくつかの実施形態では、前記パターン形成された誘電体膜は、ａ）本開示の誘電体膜形成組成物を基板上に付与（deposit）して誘電体膜を形成すること；及びｂ）前記誘電体膜をリソグラフィー法又はレーザーアブレーション法によってパターニングすること、によって製造される。
別の態様では、本開示は、少なくとも１つのパターン形成された誘電体膜（例えば、本開示に記載のプロセスによって形成された誘電体膜）及び少なくとも１つの基板を含む、三次元物体を１つの特色とする。いくつかの実施形態では、前記基板は有機膜、エポキシ成形コンパウンド（ＥＭＣ）、シリコン、ガラス、銅、ステンレス鋼、銅クラッドラミネート（ＣＣＬ）、アルミニウム、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はそれらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態では、前記基板は金属パターンを含む。いくつかの実施形態では、前記パターン形成された誘電体膜は、囲み（surrounding）銅パターンを含む。
別の態様では、本開示は、ａ）本開示に記載の誘電体膜形成組成物を基板上に付与（deposit）して誘電体膜を形成すること；ｂ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱若しくは放射線と熱との組み合わせに曝すこと；ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口を有するパターン形成された誘電体膜を形成すること；ｄ）任意に（optionally）、前記パターン形成された誘電体膜上にシード層を付与（deposit）すること；並びに、ｅ）前記パターン形成された誘電体膜中の少なくとも１つの開口に金属層を付与（deposit）して金属パターンを形成すること、を含む、三次元を調製するプロセスを１つの特色とする。
別の態様では、本開示は、ａ）基板上にラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する銅導電金属ワイヤ構造体を含む、前記基板を準備すること；ｂ）前記基板上に本開示に記載の誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜を形成すること；及び、ｃ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱若しくは放射線と熱との組み合わせに曝すこと、を含む、三次元物体を形成するプロセスを１つの特色とする。
別の態様では、本開示は、本開示に記載の三次元物体を含む半導体デバイスを１つの特色とする。
別の態様では、本開示は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物によって調製された乾燥膜を１つの特色とする。
さらに別の態様では、本開示は乾燥膜構造体を調製するプロセスを１つの特色とし、該プロセスは、（ａ）キャリア基板を本開示の誘電体膜形成組成物でコーティングして、コーティングされた組成物を形成すること；（ｂ）前記コーティングされた組成物を乾燥させて、感光性ポリイミド層を形成すること；並びに（ｃ）任意に（optionally）、保護層を前記感光性ポリイミド層に付与して、乾燥膜構造体を形成すること、を含む。そのような実施形態では、前記プロセスは、そうして得られた乾燥膜構造体を電子基板上に付与して、積層体を形成することであって、前記積層体中の前記感光性ポリイミド層は前記電子基板と前記キャリア基板との間にある、前記形成すること、をさらに含んでいてもよい。
信頼性試験実施例１について、２１０時間の高加速ストレス試験（ＨＡＳＴ）の後における１０ミクロン／１０ミクロンのライン／スペースの倍率２０倍での光学顕微鏡像である。 信頼性試験実施例１について、２１０時間の高加速ストレス試験（ＨＡＳＴ）の後における日立Ｓ４８００を２．０ｋＶで用いた倍率２２００倍での断面走査電子顕微鏡像である。 信頼性試験比較例１について、２１０時間の高加速ストレス試験（ＨＡＳＴ）の後における１０ミクロン／１０ミクロンのライン／スペースの倍率２０倍での光学顕微鏡像である。 信頼性試験比較例１について、２１０時間の高加速ストレス試験（ＨＡＳＴ）の後における日立Ｓ４８００を２．０ｋＶで用いた倍率２２００倍での断面走査電子顕微鏡像である。
本開示で用いる場合、用語「完全イミド化」とは、本開示のポリイミドポリマーが約９０％以上（例えば、約９５％以上、約９８％以上、約９９％以上、又は約１００％）イミド化されていることを意味する。本開示で用いる場合、用語「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートの両方を包含する。本開示で用いる場合、触媒（例えば開始剤）とは、熱及び／又は放射線源に曝された場合に重合反応又は架橋反応を引き起こすことができる化合物である。本開示で用いる場合、電子基板とは、最終的な電子デバイスの部分となる基板（例えば、シリコン又は銅の基板又はウェハ）。本開示で用いる場合、用語「膜」及び「層」は互換的に用いられる。
本開示のいくつかの実施形態は、
ａ．以下を含む複数の（メタ）アクリレート含有化合物
ｉ）少なくとも１種の、式（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物

式中、Ｒ１は、水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲン置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基、又はハロゲン原子であり；Ｒ２は、Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基、Ｃ５～Ｃ２０シクロアルキレン基、又はＲ４Ｏ基であり、ここでＲ４は直鎖若しくは分岐のＣ２～Ｃ１０アルキレン基又はＣ５～Ｃ２０シクロアルキレン基であり；Ｒ３は、置換若しくは無置換の、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ１０アルキル基、飽和若しくは不飽和のＣ５～Ｃ２５（例えば、Ｃ７～Ｃ２５）脂環式基、Ｃ６～Ｃ１８アリール基、又はＣ７～Ｃ１８アルキルアリール基であり；ｎは０又は１である
ｉｉ）少なくとも１種の、ジ（メタ）アクリレート含有架橋剤；及び
ｉｉｉ）任意に（optionally）、少なくとも１種の、３つ以上の（メタ）アクリレート基を含む多（メタ）アクリレート含有架橋剤
ｂ．少なくとも１種の、完全イミド化ポリイミドポリマー、並びに
ｃ．任意に（optionally）、少なくとも１種の溶媒
を含む誘電体膜形成組成物を記載する。
Ｒ１基の好適な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、クロロ、フルオロ、ブロモ、トリフルオロメチル、等々が挙げられるが、これらに限定されない。
Ｒ２の好適な例としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソプロピリデン、イソブチレン、ヘキシレン、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、ブチレンオキシ、イソプロピレンオキシ、シクロヘキシレンオキシ、ジエチレングリコールオキシ、トリエチレングリコールオキシ、等々が挙げられるが、これらに限定されない。
Ｒ３の好適な例としては、フェニル、シクロヘキシル、ボルニル、イソボルニル、ジシクロペンテニルオキシエチル、ジシクロペンテニル、ジシクロペンタニルオキシエチル、ジシクロペンタニル、３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イル、２－［（３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イル）オキシ］エチル、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デシル、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカンメチル、テトラシクロ［４，４，０，１２，５，１７，１０］ドデカニル、等々が挙げられるが、これらに限定されない。
構造（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物の例示的な例としては、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２－ブトキシエチルアクリレート、２－フェノキシエチルアクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、ノニルフェノキシエチルアクリレート、ボルニルアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル トリフルオロメチルアクリレート、ジシクロペンテニル トリフルオロメチルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、ジシクロペンタニルメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、エチレングリコール ジシクロペンテニル エーテル アクリレート、ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イルアクリレート、ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イルメタクリレート、２－［（ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イル）オキシ］エチルアクリレート、２－［（ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イル）オキシ］エチルメタクリレート、３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イルアクリレート、３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イルメタクリレート、２－［（３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イル）オキシ］エチルアクリレート、２－［（３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イル）オキシ］エチルメタクリレート、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デシルアクリレート、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デシルメタクリレート、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デシルメチルアクリレート、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカンメチルメタクリレート、テトラシクロ［４，４，０，１２，５，１７，１０］ドデカニルアクリレート、テトラシクロ［４，４，０，１２，５，１７，１０］ドデカニルメタクリレート、等々が挙げられるが、これらに限定されない。
構造（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物のより好ましい例としては、構造（Ｉ－Ａ）～（Ｉ－Ｄ）に示されるモノ（メタ）アクリレート含有化合物が挙げられる。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、各々標準大気圧で約１８０℃以上（例えば約２００℃以上若しくは約２５０℃以上）の沸点を有するモノ（メタ）アクリレート含有化合物を１種のみ含んでいても、混合物（例えば、２種若しくは３種）で含んでいてもよい。有利なことに、このことは、ベーキングステップを含む膜処理ステップ、例えば前記誘電体組成物から調製されたコーティングのＰＥＴフィルム上へのドライフィルムコーティング又はウェハ上へのスピンコーティング、の間に誘電体膜から前記モノ（メタ）アクリレートが蒸発してしまうことを防ぐことを助けうる。大気圧において２１０℃の沸点を有するシクロヘキシルメタクリレートは、２００℃より高い沸点を有するモノ（メタ）アクリレートの一例であり、大気圧で２６３℃の沸点を有するイソボルニルメタクリレートは、２５０℃より高い沸点を有するモノ（メタ）アクリレートの一例である。
いくつかの実施形態では、構造（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物の量は、前記複数の（メタ）アクリレート含有化合物の総重量の約１重量％以上（例えば、約３重量％以上、約５重量％以上、約７重量％以上、約９重量％以上、約１０重量％以上、約１１重量％以上、約１３重量％以上、約１５重量％以上、約１７重量％以上、若しくは約２０重量％以上）及び／又は約５０重量％以下（例えば、約４５重量％以下、約４０重量％以下、約３５重量％以下、約３０重量％以下、若しくは約２５重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、構造（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約０．１重量％以上（例えば、約０．２重量％以上、約０．３重量％以上、約０．４重量％以上、約０．５重量％以上、約０．６重量％以上、約０．７重量％以上、約０．８重量％以上、約０．９重量％以上、若しくは約１重量％以上）及び／又は約１０重量％以下（例えば、約９重量％以下、約７重量％以下、約５重量％以下、約３重量％以下、若しくは約２重量％以下）である。
理論に拘束されることを望むものではないが、構造（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物が少なくとも１種存在することは、本開示に記載の誘電体膜形成組成物によって調製される最終的な半導体デバイスの寿命を向上することができると考えられる。いくつかの実施形態では、有用なデバイス寿命を予測あるいは見積もるために信頼性試験を用いることができる。例えば、無作為（unbiased）高加速ストレス試験（ｕＨＡＳＴ）は、銅構造体の存在下において（例えば、印加電流なし、１３０℃、相対湿度（ＲＨ）８５％、典型的には９６～１６８時間での）温度及び湿度が感光性層間絶縁膜（photosensitive interlayer dielectric）（ＰＩＤ）に及ぼす影響を測定する方法である。良好な信頼性を有するＰＩＤは無作為ＨＡＳＴ条件において割れたり、銅構造体若しくは基板から浮き上がったりしない。理論に拘束されることを望むものではないが、構造（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物の少なくとも１種から調製された誘電体膜は、無作為ＨＡＳＴ条件において、割れ又は銅構造体若しくは基板からの浮き上がりを回避できると考えられる。
ジ（メタ）アクリレート含有架橋剤の例としては、１，３－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１２－ドデカンジオールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジウレタンジ（メタ）アクリレート、１，４－フェニレンジ（メタ）アクリレート、２，２－ビス［４－（２－ヒドロキシ－３－メタクリルオキシプロポキシ）フェニル］プロパン、ビス（２－ヒドロキシエチル）－イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、及びトリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートが挙げられるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１種のジ（メタ）アクリレート含有架橋剤の量は、前記複数の（メタ）アクリレート含有化合物の総重量の約２０重量％以上（例えば、約２５重量％以上、約３０重量％以上、約３５重量％以上、約４０重量％以上、若しくは約４５重量％以上）及び／又は約８５重量％以下（例えば、約８０重量％以下、約７５重量％以下、約７０重量％以下、約６５重量％以下、約６０重量％以下、若しくは約５５重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１種のジ（メタ）アクリレート含有架橋剤の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約３重量％以上（例えば、約５重量％以上、約７重量％以上、若しくは約１０重量％以上）及び／又は約３０重量％以下（例えば、約２５重量％以下、約２０重量％以下、若しくは約１５重量％以下）である。理論に拘束されることを望むものではないが、前記ジ（メタ）アクリレート含有架橋剤は、半導体製造プロセスにおいて、放射線及び熱源に曝露されると架橋することができ、これによってレリーフ画像を形成するようにパターン形成することが可能なネガ型ポリイミド膜を形成すると考えられる。言い換えると、本開示に記載の誘電体膜形成組成物に、前記ジ（メタ）アクリレート含有架橋剤を含ませることによって、前記組成物に感光性を与えることができる。
任意使用の（optional）、３つ以上の（メタ）アクリレート基を有する多（メタ）アクリレート含有架橋剤の例としては、プロポキシル化（３）グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール ペンタ－／ヘキサ－（メタ）アクリレート、イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、エトキシル化グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、エトキシル化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、１，２，４－ブタントリオールトリ（メタ）アクリレート、ジグリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシレートトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンポリエトキシレートトリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、及びトリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレートが挙げられるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、使用される場合には、３つ以上の（メタ）アクリレート基を有する前記少なくとも１種の多（メタ）アクリレート含有架橋剤の量は、前記複数の（メタ）アクリレート含有化合物の総重量の約５重量％以上（例えば、約７重量％以上、約１０重量％以上、約１５重量％以上、若しくは約２０重量％以上）及び／又は約４０重量％以下（例えば、約３５重量％以下、約３２重量％以下、約３０重量％以下、約２８重量％以下、若しくは約２５重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、使用される場合には、３つ以上の（メタ）アクリレート基を有する前記少なくとも１種の多（メタ）アクリレート含有架橋剤の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約３重量％以上、約４重量％以上、若しくは約５重量％以上）及び／又は約１０重量％以下（例えば、約９重量％以下、約８重量％以下、約７重量％以下、若しくは約６重量％以下）である。理論に拘束されることを望むものではないが、前記多（メタ）アクリレート含有架橋剤は、半導体製造プロセスにおいて、放射線及び熱源に曝露されると架橋することができ、これによってレリーフ画像を形成するようにパターン形成することが可能なネガ型ポリイミド膜の形成を助けると考えられる。言い換えると、本開示に記載の誘電体膜形成組成物に、前記多（メタ）アクリレート含有架橋剤を含ませることによって、前記組成物に感光性を与えることを促進することができる。と考えられる。
いくつかの実施形態では、前記複数の（メタ）アクリレート含有化合物の総量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上，約４重量％以上，約８重量％以上、約１２重量％以上、若しくは１６重量％以上）及び／又は約５０重量％以下（例えば、約４５重量％以下、約４０重量％以下、約３５重量％以下、約３０重量％以下、若しくは約２０重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物の前記少なくとも１種の完全イミド化ポリイミドポリマーは、少なくとも１種のジアミンと少なくとも１種のジカルボン酸二無水物との反応により調製される。
好適なジアミンの例としては、１－（４－アミノフェニル）－１，３，３－トリメチルインダン－５－アミン（別名としては、４，４’－［１，４－フェニレン－ビス（１－メチルエチリデン）］ビスアニリン、１－（４－アミノフェニル）－１，３，３－トリメチル－２Ｈ－インデン－５－アミン、１－（４－アミノフェニル）－１，３，３－トリメチル－インダン－５－アミン、及び［１－（４－アミノフェニル）－１，３，３－トリメチル－インダン－５－イル］アミンがある）、１－（４－アミノフェニル）－２，３－ジヒドロ－１，３，３－トリメチル－１Ｈ－インデン－５－アミン、５－アミノ－６－メチル－１－（３’－アミノ－４’－メチルフェニル）－１，３，３－トリメチルインダン、４－アミノ－６－メチル－１－（３’－アミノ－４’－メチルフェニル）－１，３，３－トリメチルインダン、５，７－ジアミノ－１，１－ジメチルインダン、４，７－ジアミノ－１，１－ジメチルインダン、５，７－ジアミノ－１，１，４－トリメチルインダン、５，７－ジアミノ－１，１，６－トリメチルインダン、５，７－ジアミノ－１，１－ジメチル－４－エチルインダン、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ｏ－フェニレンジアミン、３－メチル－１，２－ベンゼン－ジアミン、１，２－ジアミノエタン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、１，５－ジアミノペンタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，２－ジアミノシクロヘキサン、１，４－ジアミノシクロヘキサン、１，３－シクロヘキサンビス（メチルアミン）、５－アミノ－１，３，３－トリメチルシクロヘキサンメタンアミン、２，５－ジアミノベンゾトリフルオリド、３，５－ジアミノベンゾトリフルオリド、１，３－ジアミノ－２，４，５，６－テトラフルオロベンゼン、４，４’－オキシジアニリン、３，４’－オキシジアニリン、３，３’－オキシジアニリン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－イソプロピリデンジアニリン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、４，４’－ジアミノジフェニルプロパン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４－アミノフェニル－３－アミノベンゾエート、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、３，３’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－メチルフェニル）－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－アミノフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、１，３－ビス－（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス－（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス－（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス－（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１－（４－アミノフェノキシ）－３－（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’－ビス－（４－フェノキシアニリン）イソプロピリデン、ビス（ｐ－ベータ－アミノ－ｔ－ブチルフェニル）エーテル、ｐ－ビス－２－（２－メチル－４－アミノペンチル）ベンゼン、ｐ－ビス（１，１－ジメチル－５－アミノペンチル）ベンゼン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３’－ジクロロベンジジン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４’－［１，３－フェニレンビス（１－メチル－エチリデン）］ビスアニリン、４，４’－［１，４－フェニレンビス（１－メチル－エチリデン）］ビスアニリン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）ベンゼン］、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３’－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、及び９Ｈ－フルオレン－２，６－ジアミンが挙げられるが、これらに限定されない。得られるポリイミドポリマーが本開示の要件を満たす限り、これらのジアミンのうちの任意のものを、個別に又は任意の比での組み合わせで用いることができる。
テトラカルボン酸二無水物モノマーの例としては、１－（３’，４’－ジカルボキシフェニル）－１，３，３－トリメチルインダン－５，６－ジカルボン酸二無水物、１－（３’，４’－ジカルボキシフェニル）－１，３，３－トリメチルインダン－６，７－ジカルボン酸二無水物、１－（３’，４’－ジカルボキシフェニル）－３－メチルインダン－５，６－ジカルボン酸二無水物、１－（３’，４’－ジカルボキシフェニル）－３－メチルインダン－６，７－ジカルボン酸無水物、ピラジン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、チオフェン－２，３，４，５－テトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸二無水物、ノルボルナン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクタ－７－エン－３，４，８，９－テトラカルボン酸二無水物、テトラシクロ［４．４．１．０ ２，５．０ ７，１０］ウンデカン－１，２，３，４－テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，２－［ビス（３、４－ジカルボキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレングリコールビス（無水トリメリテート）、及び５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ）－３－メチル－３－シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸無水物が挙げられるが、これらに限定されない。より好ましいテトラカルボン酸二無水物モノマーとしては、２，２－［ビス（３、４－ジカルボキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、及び３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物が挙げられるが、これらに限定されない。得られるポリイミドポリマーが本開示の要件を満たす限り、これらのテトラカルボン酸二無水物のうちの任意のものを、個別に又は任意の比での組み合わせで用いることができる。
ポリイミドポリマー（例えば、完全イミド化ポリイミドポリマー）を合成する方法は当業者に周知である。そのような方法の例は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる、米国特許第２，７３１，４４７、米国特許第３，４３５，００２、米国特許第３，８５６，７５２、米国特許第３，９８３，０９２、米国特許第４，０２６，８７６、米国特許第４，０４０，８３１、米国特許第４，５７９，８０９、米国特許第４，６２９，７７７、米国特許第４，６５６，１１６、米国特許第４，９６０，８６０、米国特許第４，９８５，５２９、米国特許第５，００６，６１１、米国特許第５，１２２，４３６、米国特許第５，２５２，５３４、米国特許第５，４７８９，１５、米国特許第５，７７３，５５９、米国特許第５，７８３，６５６、米国特許第５，９６９，０５５、及び米国特許第９，６１７，３８６、並びに米国特許出願公開ＵＳ２００４０２６５７３１、ＵＳ２００４０２３５９９２、及びＵＳ２００７０８３０１６に開示されている。
いくつかの実施形態では、本開示に記載のポリイミドポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、約５，０００ダルトン以上（例えば、約１０，０００ダルトン以上、約２０，０００ダルトン以上、約２５，０００ダルトン以上、約３０，０００ダルトン以上、約３５，０００ダルトン以上、約４０，０００ダルトン以上、若しくは約４５，０００ダルトン以上）及び／又は約１００，０００ダルトン以下（例えば、約９０，０００ダルトン以下、約８０，０００ダルトン以下、約７０，０００ダルトン以下、約６５，０００ダルトン以下、約６０，０００ダルトン以下、約５５，０００ダルトン以下、若しくは約５０，０００ダルトン以下）である。いくつかの実施形態では、前記完全イミド化ポリイミドポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、約２０，０００ダルトン～約７０，０００ダルトン、又は約３０，０００ダルトン～約８０，０００ダルトンである。重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー法により得られ、ポリスチレン標準を用いて計算される。
好ましい完全イミド化ポリイミドポリマーは、ポリマーに重合性の部分が何ら結合していないポリイミドポリマーである。
いくつかの実施形態では、前記完全イミド化ポリイミドポリマーの量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約２重量％以上（例えば、約５重量％以上、約１０重量％以上、約１５重量％以上、若しくは約２０重量％以上）及び／又は約５５重量％以下（例えば、約５０重量％以下、約４５重量％以下、約４０重量％以下、約３５重量％以下、約３０重量％以下、若しくは約２５重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物は、少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）溶媒（例えば、有機溶媒）を含んでいてもよい。好適な有機溶媒の例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、及びグリセリンカーボネートなどのアルキレンカーボネート；ガンマ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、γ－カプロラクトン、及びδ－バレロラクトンなどのラクトン；シクロペンタノン及びシクロヘキサノンなどのシクロケトン；メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）などの直鎖ケトン；酢酸ｎ－ブチルなどのエステル；乳酸エチルなどのエステルアルコール；テトラヒドロフルフリルアルコールなどのエーテルアルコール；プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのグリコールエステル；プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ））などのグリコールエーテル；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの環状エーテル；並びにｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）などのピロリドンが挙げられるが、これらに限定されない。
好ましい実施形態では、前記誘電体膜形成組成物の溶媒は、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、グリセリンカーボネート、又はこれらの組み合わせなどのアルキレンカーボネートを含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、前記アルキレンカーボネートの量は、誘電体膜形成組成物の約２０重量％以上（例えば、約３０重量％以上、約４０重量％以上、約５０重量％以上、約６０重量％以上、約７０重量％以上、約８０重量％以上、若しくは約９０重量％以上）である。理論に拘束されることを望むものではないが、カーボネート溶媒（例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、又はグリセリンカーボネート）は、平坦化された表面（例えば、感光性ポリイミド膜又は誘電体膜の上面における最高点と最低点との差異が約２ミクロン未満である）を有する感光性ポリイミド膜又は誘電体膜の形成を容易化すると考えられる。
いくつかの実施形態では、前記溶媒の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約４０重量％以上（例えば、約４５重量％以上、約５０重量％以上、約５５重量％以上、約６０重量％以上、若しくは約６５重量％以上）及び／又は約９８重量％以下（例えば、約９５重量％以下、約９０重量％以下、約８５重量％以下、約８０重量％以下、若しくは約７５重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）触媒（例えば、開始剤）を含んでいてもよい。前記触媒は、熱（例えば、触媒が熱開始剤である場合）及び／又は放射線源（例えば、触媒が光開始剤である場合）に曝された場合に、架橋反応又は重合反応を誘導することができる。
光開始剤の具体例としては、１，８－オクタンジオン、１，８－ビス［９－（２－エチルヘキシル）－６－ニトロ－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－１，８－ビス（Ｏ－アセチルオキシム）、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－ヒドロキシシクロヘキシル フェニル ケトン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュア１８４）、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンとベンゾフェノンとのブレンド（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュア５００）、２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュア１８００、１８５０、及び１７００）、２，２－ジメトキシル－２－アセトフェノン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュア６５１）、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュア８１９）、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルホリノプロパン－１－オン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュア９０７）、（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ジフェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦから入手可能なルセリン（Ｌｕｃｅｒｉｎ）ＴＰＯ）、２－（ベンゾイルオキシイミノ）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１－オクタノン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタノン １－（Ｏ－アセチルオキシム）（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－２）、エトキシ（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦから入手可能なルセリンＴＰＯ－Ｌ）、ホスフィンオキシドと、ヒドロキシケトンと、ベンゾフェノン誘導体とのブレンド（Ａｒｋｅｍａから入手可能なＥＳＡＣＵＲＥ ＫＴＯ４６）、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン（Ｍｅｒｃｋから入手可能なＤａｒｏｃｕｒ １１７３）、ＮＣＩ－８３１（ＡＤＥＫＡ Ｃｏｒｐ．）、ＮＣＩ－９３０（ＡＤＥＫＡ Ｃｏｒｐ．）、Ｎ－１９１９（ＡＤＥＫＡ Ｃｏｒｐ．）、ベンゾフェノン、２－クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、ベンゾジメチルケタール、１，１，１－トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、ｍ－クロロアセトフェノン、プロピオフェノン、アントラキノン、ジベンゾスベロン、等々が挙げられるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物中で光増感剤を用いてもよく、ここで前記光増感剤は１９３ｎｍ～４０５ｎｍの波長範囲内の光を吸収可能である。光増感剤の例としては、９－メチルアントラセン、アントラセンメタノール、アセナフチレン、チオキサントン、メチル－２－ナフチルケトン、４－アセチルビフェニル、及び１，２－ベンゾフルオレンが挙げられるが、これらに限定されない。
熱開始剤の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化シクロヘキサノン、ラウロイルペルオキシド、ペルオキシ安息香酸ｔｅｒｔ－アミル、ｔｅｒｔ－ブチル ヒドロペルオキシド、ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペルオキシド、ジクミルペルオキシド、クメン ヒドロペルオキシド、コハク酸ペルオキシド、ジ（ｎ－プロピル）ペルオキシジカーボネート、２，２－アゾビス（イソブチロニトリル）、２，２－アゾビス（２，４－ジメチルバレロにトリル）、ジメチル－２，２－アゾビスイソブチレート、４，４－アゾビス（４－シアノペンタン酸）、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、２，２－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）、等々が挙げられるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、前記触媒の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約０．２重量％以上（例えば、約０．５重量％以上、約０．８重量％以上、約１．０重量％以上、若しくは約１．５重量％以上）及び／又は約３．０重量％以下（例えば、約２．８重量％以下、約２．６重量％以下、約２．３重量％以下、若しくは約２．０重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）無機フィラーを含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、前記無機フィラーは、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化ハフニウム、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｕＯ、酸化亜鉛、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、酸化カルシウムチタン、チタン酸ナトリウム、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、及びニオブ酸カリウムからなる群から選択される。好ましくは、前記無機フィラーは平均粒径が約０．１～２．０ミクロンの粒状である。いくつかの実施形態では、前記フィラーは強磁性材料を含む無機粒子である。好適な強磁性材料としては、元素状金属（例えば、鉄、ニッケル、及びコバルト）又はそれらの酸化物、硫化物、及びオキシ水酸化物、並びにアワルワ鉱（Ｎｉ３Ｆｅ）、ワイラウ鉱（ＣｏＦｅ）、Ｃｏ１７Ｓｍ２、及びＮｄ２Ｆｅ１４Ｂなどの金属間化合物が挙げられる。
いくつかの実施形態では、前記無機フィラー（例えば、シリカフィラー）の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約５重量％以上、約８重量％以上、若しくは約１０重量％以上）及び／又は約３０重量％以下（例えば、約２５重量％以下、約２０重量％以下、若しくは約１５重量％以下）の量である。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）接着促進剤をさらに含む。好適な接着促進剤は、Edwin P. Plueddemann、「シランカップリング剤」（"Silane Coupling Agent"）（１９８２、Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ、ニューヨーク）に記載されている。
本開示の組成物において用いることができる好適な接着促進剤の例は、構造（ＸＩＶ）によって表されてもよい。

式中、各Ｒ８１及びＲ８２は独立に、置換若しくは無置換のＣ１～Ｃ１０の直鎖若しくは分岐のアルキル基又は置換若しくは無置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキル基であり、ｐは１～３の整数であり、ｎ６は１～６の整数であり、Ｒ８３は以下の部分構造のうちの１つであり、

ここで、Ｒ８４、Ｒ８５、Ｒ８６、及びＲ８７の各々は、独立に、Ｃ１～Ｃ４アルキル基又はＣ５～Ｃ７シクロアルキル基である。好ましい接着促進剤は、（メタクリレート／アクリレートを含め）Ｒ８３が以下から選択されるものである。
いくつかの実施形態では、前記任意使用の（optional）接着促進剤の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約０．５重量％以上（例えば、約０．８重量％以上、約１重量％以上、若しくは約１．５重量％以上）及び／又は約４重量％以下（例えば、約３．５重量％以下、約３重量％以下、約２．５重量％以下、若しくは約２重量％以下）である。
本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）界面活性剤も含んでもよい。好適な界面活性剤の
例としては、特開昭６２－３６６６３、特開昭６１－２２６７４６、特開昭６１－２２６７４５、特開昭６２－１７０９５０、特開昭６３－３４５４０、特開平７－２３０１６５、特開平８－６２８３４、特開平９－５４４３２、及び特開平９－５９８８に記載の界面活性剤が挙げられるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、前記界面活性剤の量は、誘電体膜形成組成物の総重量の約０．００５重量％以上（例えば、約０．０１重量％以上若しくは約０．１重量％以上）及び／又は約１重量％以下（例えば、約０．５重量％以下若しくは約０．２重量％以下）である。
本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）可塑剤を含んでいてもよい。
本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）防錆剤を含んでいてもよい。防錆剤の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、及びテトラゾール化合物が挙げられる。トリアゾール化合物としては、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、置換トリアゾール、及び置換ベンゾトリアゾールを挙げることができる。トリアゾール化合物の例としては、１，２，４－トリアゾール、１，２，３－トリアゾール、又は、Ｃ１～Ｃ８アルキル基（例えば、５－メチルトリアゾール）、アミノ基、チオール基、メルカプト基、イミノ基、カルボキシ基、及びニトロ基などの置換基で置換されたトリアゾールが挙げられるが、これらに限定されない。具体例としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１，２，４－トリアゾール、５－フェニル－ベンゾトリアゾール、５－ニトロ－ベンゾトリアゾール、３－アミノ－５－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２－（５－アミノ－ペンチル）－ベンゾトリアゾール、１－アミノ－１，２，３－トリアゾール、１－アミノ－５－メチル－１，２，３－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、３－イソプロピル－１，２，４－トリアゾール、５－フェニルチオール－ベンゾトリアゾール、ハロ－ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、若しくはＩ）、ナフトトリアゾール、等々が挙げられる。イミダゾールの例としては、２－アルキル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－アルキルイミダゾール、２－メチル－４（５）－ニトロイミダゾール、５－メチル－４－ニトロイミダゾール、４－イミダゾールメタノール塩酸塩、及び２－メルカプト－１－メチルイミダゾールが挙げられるが、これらに限定されない。テトラゾールの例としては、１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－フェニル－５－メルカプト－１Ｈ－テトラゾール、５，５’－ビス－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－５－エチルテトラゾール、１－メチル－５－メルカプトテトラゾール、１－カルボキシメチル－５－メルカプトテトラゾール、等々が挙げられる。前記任意使用の（optional）防錆剤の量は、使用される場合には、本開示の誘電体膜形成組成物の全重量の約０．１重量％以上（例えば、約０．２重量％以上若しくは約０．５重量％以上）及び／又は約３．０重量％以下（例えば、約２．０重量％以下若しくは約１．０重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種若しくは複数種の（例えば、２種の、３種の、若しくは４種の）色素及び／又は１種若しくは複数種の着色剤を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、感光性ポリイミド膜は、
ａ）基板を本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングして感光性誘電体膜を有するコーティングされた基板を形成するステップ；及び
ｂ）任意に（optionally）、前記コーティングされた基板を（例えば、約５０℃～約１５０℃の温度で約２０秒～約６００秒）ベーキングして乾燥膜を形成するステップ
を含むプロセスにより本開示の誘電体膜形成組成物から調製される。
一般に、前記コーティングは、流体コーティング法（fluid coating method）によって行われる。流体コーティングは、流体を基板に塗布することを指す一般（general）用語である。流体コーティング操作において、前記流体は室温でもよく、加熱されてもよい。流体コーティングは、１）液体コーティング、２）ホットメルトコーティング、及び３）押し出しコーティングなどのいくつかの技術を用いて達成することができる。液体コーティングでは、溶液が室温で流動するが、一方、押し出しコーティングでは流体はエクストルーダーからコーティングヘッドに直接供給される。ホットメルトコーティングでは、精密計量ポンプによって組成物が接着剤メルターからコーティングヘッドに供給される。押し出しコーティング及びホットメルトコーティングは、固形膜コーティングを形成するために冷却を用い、一方、液体コーティングは基板上の液体を固化させるために熱源を必要とする。
感光性ポリイミド膜の調製のためのコーティング法としては、（１）スピンコーティング、（２）スプレーコーティング、（３）ロールコーティング、（４）ロッドコーティング、（５）回転（rotation）コーティング、（６）スリットコーティング、（７）圧縮（compression）コーティング、（８）カーテンコーティング、（９）スリットダイコーティング、（１０）ワイヤーバーコーティング、（１１）ナイフコーティング、及び（１２）乾燥膜のラミネーションが挙げられるが、これらに限定されない。スロットダイコーティングプロセスは、１）液体コーティング、２）ホットメルトコーティング、及び３）押し出しコーティングに用いることができる。スロットダイコーティングプロセスは、スロットダイリップ面のジェオメトリー並びにダイとコーティング基板との間のギャップを調製することによって、これらのタイプのコーティングに用いることができる。当業者は、液体コーティング、ホットメルトコーティング、又は押し出しコーティングなどのコーティングタイプに基づいて適切なコーティング法を選択するであろう。
本開示に記載の組成物によってコーティングすることができる基板は、様々な寸法のウェハ又はパネルなど、円形、正方形、又は矩形（rectangular）の形状を有していてもよい。好適な基板の例としては、エポキシ成形コンパウンド（ＥＭＣ）、シリコン、ガラス、銅、ステンレススチール、銅クラッドラミネート（ＣＣＬ）、アルミニウム、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はそれらの組み合わせが挙げられる。基板は、ポリイミド、ＰＥＥＫ、ポリカーボネート、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリスチレン、又はポリエステルフィルムなどの可撓性の材料（例えば、有機フィルム）からなるものであってもよく、有機繊維又はシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化ハフニウム、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｕＯ、酸化亜鉛、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、等々などの無機フィラーを含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、基板は、表面実装又は内蔵（embedded）のチップ、色素、又はパッケージを有していてもよい。いくつかの実施形態では、基板は、シード層及びパッシベーション層の組み合わせでスパッタリング又はプレコーティングされてもよい。
本開示の誘電体膜（例えば、感光性ポリイミド膜）の膜厚は特に限定されない。いくつかの実施形態では、前記誘電体膜（例えば、感光性ポリイミド膜）は約１ミクロン以上（例えば、約２ミクロン以上、約３ミクロン以上、約４ミクロン以上、約５ミクロン以上、約６ミクロン以上、約８ミクロン以上、約１０ミクロン以上、約１５ミクロン以上、約２０ミクロン以上、若しくは約２５ミクロン以上）及び／又は約１００ミクロン以下（例えば、約９０ミクロン以下、約８０ミクロン以下、約７０ミクロン以下、約６０ミクロン以下、約５０ミクロン以下、約４０ミクロン以下、若しくは約３０ミクロン以下）の膜厚を有する。いくつかの実施形態では、前記感光性ポリイミド膜の膜厚は、約５ミクロン未満（例えば、約４．５ミクロン未満、約４．０ミクロン未満、約３．５ミクロン未満、約３．０ミクロン未満、約２．５ミクロン未満、又は約２．０ミクロン未満）である。
未硬化誘電体膜（例えば、感光性ポリイミド膜）の粘弾性は、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）によって測定することができる。いくつかの実施形態では、本開示に記載の組成物を用いることによって調製された未硬化誘電体膜は、約５５℃～約９０℃（例えば、約６０℃～約８５℃、若しくは約６５℃～約８０℃）の範囲内の（ＤＭＡによって求めた）ｔａｎδ Ｔｇを有する。理論に拘束されることを望むものではないが、膜を周囲環境による汚染（environmental contaminations）から保護するために被覆層を用いる場合に乾燥膜を基板にラミネーションする最中にはより高い温度が必要とされるため、より高いｔａｎδ Ｔｇはロール形態での膜一体性のためにはよりよいものであると考えられる。
いくつかの実施形態では、パターン形成された誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）を調製するプロセスは、感光性誘電体膜（例えば、コーティングされた基板上の乾燥済み感光性ポリイミド膜）をリソグラフィープロセスによってパターン形成されたポリイミド膜へと変換することを含む。そのような場合には、前記変換は、膜の露光された部分が架橋されてそれにより乾燥した、パターン状に露光された膜を形成するように、パターン形成されたマスクを用いて誘電体膜（例えば、感光性ポリイミド膜）を（上記した放射線などの）高エネルギー放射線で露光することを含んでもよい。誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）を高エネルギー放射線で露光した後で、前記プロセスは、露光された誘電体膜を現像して未露光部を除去してパターン形成された誘電体膜を形成することをさらに含んでいてもよい。
露光後に、前記誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）は、第２のベーキングステップで、約５０℃以上（例えば、約５５℃以上、約６０℃以上、若しくは約６５℃以上）～約１５０℃以下（例えば、約１３５℃以下、若しくは約１２０℃以下、約１０５℃以下、約９０℃以下、約８０℃以下、若しくは約７０℃以下）に、約６０秒以上（例えば、約６５秒以上、若しくは約７０秒以上）～約２４０秒以下（例えば、約１８０秒以下、約１２０秒以下、若しくは約９０秒以下）熱処理されてもよい。前記熱処理は、通常はホットプレート又はオーブンの使用により達成される。
前記露光及び熱処理の後に、前記誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）は現像液を用いることによって未露光部を除去するように現像されて、基板上にレリーフ画像を形成してもよい。現像は、例えば、浸漬法又はスプレー法によって行うことができる。現像後に基板上のポリイミド膜にマイクロホール及び微細ラインを作製することができる。
いくつかの実施形態では、前記ポリイミド膜は、有機現像液を用いることによって現像されてもよい。そのような現像液の例としては、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、２－ヘプタノン、シクロペンタノン（ＣＰ）、シクロヘキサノン、酢酸ｎ－ブチル（ｎＢＡ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル（ＥＬ）、乳酸プロピル、３－メチル－３－メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、マロン酸ジエチル、エチレングリコール、１，４：３，６－ジアンヒドロソルビトール、イソソルビドジメチルエーテル、１，４：３，６－ジアンヒドロソルビトール２，５－ジエチルエーテル（２，５－ジエチルイソソルビド）、及びこれらの混合物を挙げることができるが、これらに限定されない。好ましい現像液は、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、シクロペンタノン（ＣＰ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸ｎ－ブチル（ｎＢＡ）、及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）である。より好ましい現像液は、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、シクロペンタノン（ＣＰ）、及びシクロヘキサノンである。これらの現像液は個別に、又は２種以上の組み合わせで、具体的な組成物及びリソグラフィープロセスについて画質を最適化するために用いることができる。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）は、水性現像液を用いることによって現像することができる。現像液が水溶液である場合、該水溶液は好ましくは１種又は複数種の水性塩基（aqueous base）を含む。好適な塩基の例としては、無機アルカリ（例えば、水酸化カリウム若しくは水酸化ナトリウム）、一級アミン（例えば、エチルアミン若しくはｎ－プロピルアミン）、二級アミン（例えば、ジエチルアミン若しくはジ－ｎ－プロピルアミン）、三級アミン（例えば、トリエチルアミン）、アルコールアミン（例えばトリエタノールアミン）、四級アンモニウム水酸化物（例えば、テトラメチルアンモニウム水酸化物若しくはテトラエチルアンモニウム水酸化物）、及びこれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。用いられる塩基の濃度は、例えば、用いられるポリマーの塩基溶解度に応じて変動しうる。最も好ましい水性現像液は、テトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）を含む現像液である。ＴＭＡＨの好適な濃度は、水性現像液の約１％～約５％である。
いくつかの実施形態では、有機現像液による現像の後に、上記で形成されたレリーフ画像に対する任意実行の（optional）リンス処理を有機リンス溶媒を用いて行ってもよい。当業者は、所与の用途に対してどのリンス方法が適切であるかを知っている。有機リンス溶媒の好適な例としては、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、アミルアルコールなどのアルコール、酢酸ｎ－ブチル（ｎＢＡ）、乳酸エチル（ＥＬ）、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などのエステル、メチルエチルケトンなどのケトン、並びにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。リンス溶媒は、残渣を除去するためのリンス処理を行うために用いられてもよい。
いくつかの実施形態では、前記現像ステップ又は前記任意実行の（optional）リンス処理ステップの後に、約１２０℃以上（例えば、約１３０℃以上、約１４０℃以上、約１５０℃以上、約１６０℃以上、約１７０℃以上、又は約１８０℃以上）～約２５０℃以下（例えば、約２４０℃以下、約２３０℃以下、約２２０℃以下、約２１０℃以下、約２００℃以下、又は約１９０℃以下）の範囲の温度で任意実行の（optional）第３のベーキングステップ（例えば、現像後ベーキング）を行ってもよい。ベーキング時間は約５分以上（例えば、約１０分以上、約２０分以上、約３０分以上、約４０分以上、約５０分以上、若しくは約６０分以上）及び／又は約５時間以下（例えば、約４時間以下、約３時間以下、約２時間以下、若しくは約１．５時間以下）である。このベーキングステップは、残ったポリイミド膜から残留溶媒を除去することができ、そして残ったポリイミド膜をさらに架橋することができる。現像後ベーキングは、空気中で行う、又は好ましくは窒素のブランケットの下で行うことができ、任意の適切な加熱手段によって行うことができる。
いくつかの実施形態では、パターン形成された絶縁膜は、約１０ミクロン以下（例えば、約９ミクロン以下、約８ミクロン以下、約７ミクロン以下、約６ミクロン以下、約５ミクロン以下、約４ミクロン以下、約３ミクロン以下、約２ミクロン以下、又は約１ミクロン以下）のフィーチャサイズ（例えば、高さ、長さ、又は幅）を有する少なくとも１つの要素を含む。
いくつかの実施形態では、上記のリソグラフィープロセスの完了後のパターン形成された誘電体膜の最小フィーチャのアスペクト比（つまり、幅に対する高さの比）は、約１／１以上（例えば、約１．５／１以上、約２／１以上、約２．５／１以上、又は約３／１以上）である。
いくつかの実施形態では、パターン形成された誘電体膜を調製するプロセスは、レーザーアブレーション技術によって誘電体膜（例えば、感光性ポリイミド膜）をパターン形成された誘電体膜へと変換することを含んでいてもよい。エキシマレーザービームを用いる直接レーザーアブレーションプロセスは、一般に、誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）に開口（又はパターン）を形成するドライなワンステップ材料除去である。いくつかの実施形態では、レーザーの波長は３５１ｎｍ又はそれ未満（例えば、３５１ｎｍ、３０８ｎｍ、２４８ｎｍ、又は１９３ｎｍ）である。好適なレーザーアブレーションプロセスの例としては、内容が本開示に参照により取り込まれる米国特許第７，５９８，１６７、米国特許第６，６６７，５５１、及び米国特許第６，１１４，２４０に記載されたプロセスが挙げられるが、これらに限定されない。本開示の１つの重要な特色は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物から調製される誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）が、レーザーアブレーションプロセスによって約３ミクロン以下（例えば、約２ミクロン以下又は約１ミクロン以下）のフィーチャサイズを有するパターン形成された膜を製造することが可能であることである。
いくつかの実施形態では、パターン形成された誘電体膜（例えば、ポリイミド膜）は、２０ＧＨｚで測定して約２．８以上（例えば、約２．９以上、約３以上、又は約３．１以上）～約３．５以下（例えば、約３．４以下、約３．３以下、又は約３．２以下）の誘電率を有する。
いくつかの実施形態では、本開示は、（ａ）開口を有するパターン形成された誘電体膜を形成するステップ；及びｄ）前記パターン形成された誘電体膜中の少なくとも１つの開口に金属層（例えば、導電金属層）を付与（deposit）するステップ、を含む、（例えば、内蔵（embedded）銅トレース構造体を作製するために）金属層を付与（deposit）するプロセスを１つの特色とする。例えば、前記プロセスは、（ａ）本開示の誘電体膜形成組成物を基板（例えば、半導体基板）上に付与（deposit）して誘電体膜を形成するステップ；（ｂ）前記誘電体膜を放射線源若しくは熱源若しくは放射線と熱との組み合わせの源（source）に（例えばマスクを介して）曝すステップ；（ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口を有するパターン形成された誘電体膜を形成するステップ；ｄ）任意に（optionally）、前記パターン形成された誘電体膜上にシード層を付与（deposit）するステップ；並びに、（ｅ）前記パターン形成された誘電体膜中の少なくとも１つの開口に金属層（例えば、導電性金属層）を付与（deposit）して金属パターンを形成するステップ、を含んでもよい。いくつかの実施形態では、ステップ（ａ）～（ｅ）は、１回又は複数回（例えば、２回、３回、又は４回）繰り返してもよい。
いくつかの実施形態では、本開示は、半導体基板上に金属層（例えば、埋め込み銅トレース構造体を作製するための導電性銅層）を付与（deposit）するプロセスを１つの特色とする。いくつかの実施形態では、これを達成するために、最初に、パターン形成された誘電体膜に沿った形の（conformal to）シード層をパターン形成された誘電体膜上に（例えば、膜中の開口の外側（outside）に）付与（deposit）する。シード層は、バリア層及び金属シーディング（metal seeding）層（例えば、銅シーディング層）を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、前記バリア層は、導電性金属（例えば銅）が前記誘電体層を通って拡散することを防止することが可能な材料を用いて調製される。前記バリア層用に用いることができる好適な材料としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、窒化タンタル（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、及びＴａ／ＴａＮが挙げられるがこれらに限定されない。前記バリア層を形成する好適な方法としてはスパッタリング（例えば、ＰＶＤ又は物理蒸着）がある。スパッタリング堆積は、金属堆積技術としていくつかの利点を有している。なぜならスパッタリング蒸着は多くの導電材料を高い堆積速度で、また良好な均一性及び低い所有コストで、堆積するのに用いることができるためである。従来のスパッタリングフィルは、より深く、より狭い（高アスペクト比の）フィーチャについては相対的に良くない結果を生み出す。スパッタリング堆積によるフィルファクターは、スパッタリングされたフラックスをコリメートすることにより向上された。典型的には、これはターゲットと基板との間に六角形セルのアレイを有するコリメーター板を挿入することにより達成される。
前記プロセスにおける次のステップは、金属シーディング付与（deposit）である。後続するステップにおいて形成される金属層（例えば、銅層）の付与を向上させるために、薄い金属（例えば、銅などの導電性金属）シーディング層を前記バリア層の上面に形成することができる。
前記プロセスにおける次のステップは、パターン形成された誘電体膜の開口内における金属シーディング層の上面に導電性金属層（例えば、銅層）を付与（deposit）することであり、ここで、前記金属層は前記パターン形成された誘電体膜中の開口をフィルするのに十分に厚い。パターン形成された誘電体膜中の開口をフィルするための金属層は、めっき（例えば無電解めっき又は電解めっき）、スパッタリング、プラズマ蒸着（ＰＶＤ）、及び化学蒸着（ＣＶＤ）により付与することができる。電気化学的付与（electrochemical deposition）は他の付与方法よりもより経済的で、インターコネクトフィーチャへと銅を欠陥無くフィルすることができるため、電気化学的付与は一般に、銅を付与するための好ましい方法である。銅付与方法は、一般に、半導体産業の厳しい要求を満たすことが求められる。例えば、銅付与物は均一であること、及びデバイスの小さなインターコネクトフィーチャ、例えば１００ｎｍ以下の開口を有するインターコネクトフィーチャ、を欠陥無くフィルすることができること、が求められる。この技術は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第５，８９１，８０４（Havemann et al.）、米国特許第６，３９９，４８６（Tsai et al.）、及び米国特許第７，３０３，９９２（Paneccasio et al.）に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、導電性金属層を付与するプロセスは、導電性金属の過剰付与部（overburden）を除去すること又はシード層（例えば、バリア層及び金属シーディング層）を除去することをさらに含む。いくつかの実施形態では、導電性金属層（例えば銅層）の過剰付与部は、約３ミクロン以下（例えば、約２．８ミクロン以下、約２．６ミクロン以下、約２．４ミクロン以下、約２．２ミクロン以下、約２．０ミクロン以下、又は約１．８ミクロン以下）であって、約０．４ミクロン以上（例えば、約０．６ミクロン以上、約０．８ミクロン以上、約１．０ミクロン以上、約１．２ミクロン以上、約１．４ミクロン以上、又は約１．６ミクロン以上）である。銅過剰付与部を除去するための銅エッチャントの例としては、塩化銅（ＩＩ）及び塩酸を含む水溶液、又は硝酸鉄（ＩＩＩ）及び塩酸の水性混合物が挙げられる。その他の好適な銅エッチャントの例としては、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第４，７８４，７８５、米国特許第３，３６１，６７４、米国特許第３，８１６，３０６、米国特許第５，５２４，７８０、米国特許第５，６５０，２４９、米国特許第５，４３１，７７６、及び米国特許第５，２４８，３９８並びに米国特許出願公開第２０１７／１７５２７４に記載された銅エッチャントが挙げられるがこれらに限定されない。
いくつかの実施形態は、ラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する導電性金属（例えば銅）ワイヤ構造体を含む、金属構造体を有する（metal structured）基板を、本開示の誘電体膜で囲む（surround）プロセスを記載する。該プロセスは、
ａ）基板上にラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する導電性金属ワイヤ構造体を含む、前記基板を与えるステップ；
ｂ）前記基板上に、本開示の誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜（例えば、前記導電性金属ライン及びインターコネクトを囲む誘電体膜）を形成するステップ；並びに
ｃ）前記誘電体膜を、（マスク有りで又はマスク無しで）放射線源、熱源、又は放射線と熱との組み合わせの源（source）に曝して、囲み（surrounding）金属パターン（つまり、誘電体膜によって囲まれた金属パターン）を形成するステップ
を含んでもよい。
上記ステップ（複数形）は、複数回（例えば、２回、３回、又は４回）繰り返されて、それによって複雑な多層三次元物体を形成してもよい。
一般に、上記のプロセスは、半導体デバイスにおいて用いられる物品を形成するために用いることができる。そのような物品の例としては、半導体基板、エレクトロニクスのための可撓性フィルム、ワイヤー分離（wire isolation）、ワイヤーコーティング、ワイヤーエナメル、又はインク付け基板（inked substrate）が挙げられる。そのような物品から作られる半導体デバイスの例としては、集積回路、発光ダイオード、太陽電池、及びトランジスタが挙げられる。
いくつかの実施形態では、本開示は、本開示に記載のプロセスによって形成された少なくとも１つのパターン形成された膜を含む三次元物体を１つの特色とする。いくつかの実施形態では、前記三次元物体は、パターン形成された膜を２つ以上重ねて（stacks）（例えば、３つ以上重ねて）含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本開示は乾燥膜構造体を調製する方法を１つの特色とする。前記方法は、（Ａ）キャリア基板（例えば、少なくとも１つのプラスチック膜を含む基板）を本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングして、コーティングされた組成物を形成すること；（Ｂ）前記コーティングされた組成物を乾燥させて、感光性ポリイミド膜を形成すること；並びに（Ｃ）任意に（optionally）、保護層を前記感光性ポリイミド膜に付与して、乾燥膜構造体を形成すること、を含む。いくつかの実施形態では、前記方法は、そうして得られた乾燥膜構造体を電子基板上に付与して、積層体を形成することであって、前記積層体中の前記感光性ポリイミド層は前記電子基板と前記キャリア基板との間にある、前記形成すること、をさらに含んでいてもよい。
いくつかの実施形態では、前記キャリア基板は、単層プラスチックフィルム又は多層プラスチックフィルムであり、１種又は複数種のポリマー（例えば、ポリエチレンテレフタレート）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記キャリア基板は良好な光学透明性を有し、前記ポリマー層中にレリーフパターンを形成するのに用いられる活性照射（actinic irradiation）に対して実質的に透明である。前記キャリア基板の厚さは好ましくは約１０ミクロン以上（例えば、約１５ミクロン以上、約２０ミクロン以上、約３０ミクロン以上、約４０ミクロン以上、約５０ミクロン以上、又は約６０ミクロン以上）～約１５０ミクロン以下（例えば、約１４０ミクロン以下、約１２０ミクロン以下、約１００ミクロン以下、約９０ミクロン以下、約８０ミクロン以下、又は約７０ミクロン以下）の範囲である。
いくつかの実施形態では、前記保護層基板は単層膜又は多層膜であり、１種又は複数種のポリマー（例えば、ポリエチレン又はポリプロピレン）を含んでもよい。キャリア基板及び保護層の例は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許出願公開第２０１６／０３１３６４２に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、前記乾燥膜の感光性ポリイミド膜は、自立型（self-standing）感光性ポリイミド膜として、キャリア層から剥離されてもよい。自立型感光性ポリイミド膜とは、キャリア層などの支持層を用いること無しに自らの物理的一体性を維持できる膜である。いくつかの実施形態では、自立型感光性ポリイミド膜は、ａ）本開示に記載の、複数種の（メタ）アクリレート含有化合物、及びｂ）少なくとも１種の完全イミド化ポリイミドポリマーを含んでもよく、実質的にいかなる溶媒も含まない。
いくつかの実施形態では、前記乾燥膜構造体の感光性ポリイミド膜を平面圧縮法（plane compression method）又はホットロール圧縮法を用いてプレラミネートした後に、前記乾燥膜構造体の感光性ポリイミド膜は、約５０℃～約１４０℃で真空ラミネーターを用いて基板（例えば、半導体又は電子基板）にラミネートすることができる。ホットロール圧縮法が用いられる場合、前記乾燥膜構造体をホットロールラミネーター中へと置くことができ、前記任意使用（optional）の保護層を感光性ポリイミド膜／キャリア基板から剥離することができ、そして、熱及び圧力と共にローラを用いて感光性ポリイミド膜を基板に接触及びラミネートさせることができ、それによって前記基板、前記感光性ポリイミド膜、及び前記キャリア基板を含む物品を形成する。前記ポリイミド膜は、それから、（例えば、前記キャリア基板を介して）放射線源又は熱源に曝すことができ、それによって架橋された感光性ポリイミド膜を形成する。いくつかの実施形態では、感光性ポリイミド膜を放射線源又は熱源に曝す前に、前記キャリア基板を除去してもよい。
本開示のいくつかの実施形態は、銅パターンを有する基板上に感光性ポリイミド膜（例えば、平坦化感光性ポリイミド膜）を作製するプロセスを記載する。いくつかの実施形態では、前記プロセスは、銅パターンを有する基板の上に本開示に記載の誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して誘電体膜を形成することを含む。いくつかの実施形態では、前記プロセスは、
ａ．本開示の誘電体膜形成組成物を準備するステップ、及び
ｂ．銅パターンを有する基板上に前記誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して誘電体膜を形成するステップ、ここで、前記誘電体膜の表面（例えば上面）における最高点と最低点との間の差異は約２ミクロン以下（例えば、約１．５ミクロン以下、約１ミクロン以下、又は約０．５ミクロン以下）である。
本開示は、以下の実施例を参照してより詳細に説明されるが、以下の実施例は例示目的のものであって、本開示の範囲を制限すると解釈すべきでない。
●組成物実施例１
以下に示す構造を有し、重量平均分子量５４，０００を有するポリイミドポリマー（Ｐ－１）のシクロペンタノン中３２．４６％溶液を１００部、シクロペンタノンを３０．１部、ＧＢＬを８．９部、ＰｏｌｙＦｏｘ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓから入手可能）のＧＢＬ中０．５重量％溶液を１．９部、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランを１．６部、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）を１．０部、ｔ－ブチルカテコールを０．０３部、テトラエチレングリコールジアクリレートを１０．５部、ペンタエリスリトールトリアクリレートを４．１部、エチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレートを１．６部、及び５－メチルベンゾトリアゾールを０．２部用いて、誘電体膜形成組成物ＦＥ－１を調製した。機械的に２４時間撹拌した後に、溶液を０．２ミクロンフィルター（Ｍｅｉｓｓｎｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なＵｌｔｒａｄｙｎｅ、ｃａｔ ｎｏ．ＣＬＴＭ０．２－５５２）を用いてろ過した。
●信頼性試験実施例１
実施例１の誘電体膜形成組成物を、８／８ミクロン～１５／１５ミクロンの範囲の銅めっきライン／スペースパターンを有するシリコン酸化物ウェハ上に６ミクロンの厚さで１２００ｒｐｍでスピンコーティングし、ホットプレートを用いて９５℃で５分間ベーキングして、約１３ミクロンの厚さを有するコーティングを形成した。誘電体膜形成組成物をそれからＬＥＤ ｉ線露光器を用いることによって５００ｍＪ／ｃｍ２でブランケット露光した。この組成物をＹＥＳオーブンで１７０℃で２時間硬化させた。硬化後に、ウェハを個別のチップへと割った。
３つのチップを、ＥＳＰＥＣ信頼性テストチャンバー内で１３０℃、相対湿度８５％で、９６時間、１６８時間、及び２１０時間の無作為（unbiased）高加速ストレス試験（ｕＨＡＳＴ）のために加熱した。９６時間、１６８時間、及び２１０時間において光学顕微鏡で（図１Ａ）、あるいは９６時間、１６８時間、及び２１０時間においてサンプルを割ってイオンミリングした後に断面走査型電子顕微鏡（cross-sectional SEM）で（図１Ｂ）、クラック発生あるいは剥離は見られなかった。
●比較組成物例１
上に示した構造を有し、重量平均分子量５４，０００を有するポリイミドポリマー（Ｐ－１）のシクロペンタノン中３２．４６％溶液を１００部、シクロペンタノンを３０．１部、ＧＢＬを８．９部、ＰｏｌｙＦｏｘ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓから入手可能）のＧＢＬ中０．５重量％溶液を１．９部、ガンマ－グリシドキシプロピルトリメトキシシランを１．６部、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）を０．９８部、ｔ－ブチルカテコールを０．０３部、テトラエチレングリコールジアクリレートを１２．１部、ペンタエリスリトールトリアクリレートを４．０部、及び５－メチルベンゾトリアゾールを０．１６部用いて、比較誘電体膜形成組成物ＣＦＥ－１を調製した。つまり、組成物ＣＦＥ－１は、ＣＦＥ－１がモノアクリレート含有化合物を含まなかった点で組成物ＦＥ－１とは異なっていた。機械的に２４時間撹拌した後に、溶液を０．２ミクロンフィルター（Ｍｅｉｓｓｎｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なＵｌｔｒａｄｙｎｅ、ｃａｔ ｎｏ．ＣＬＴＭ０．２－５５２）を用いてろ過した。
●信頼性試験比較例１
比較例１の誘電体膜形成組成物を、８／８ミクロン～１５／１５ミクロンの範囲の銅めっきライン／スペースパターンを有するシリコン酸化物ウェハ上に６ミクロンの厚さで１２００ｒｐｍでスピンコーティングし、ホットプレートを用いて９５℃で５分間ベーキングして、約１３ミクロンの厚さを有するコーティングを形成した。誘電体組成物をそれからＬＥＤ ｉ線露光器を用いることによって５００ｍＪ／ｃｍ２でブランケット露光した。この組成物をＹＥＳオーブンで１７０℃で２時間硬化させた。硬化後に、ウェハを個別のチップへと割った。
３つのチップを、ＥＳＰＥＣ信頼性テストチャンバー内で１３０℃、相対湿度８５％で、９６時間、１６８時間、及び２１０時間の無作為（unbiased）高加速ストレス試験（ｕＨＡＳＴ）のために加熱した。９６時間では、光学顕微鏡でクラック発生あるいは剥離は見られなかった。いくらかのクラック発生が１６８時間では見られ、そしてより多くのクラック発生及びいくらかの剥離が２１０時間では見られた（図２Ａ）。２１０時間においてサンプルを割ってイオンミリングした後に断面走査型電子顕微鏡（cross-sectional SEM）でクラック発生を観察した（図２Ｂ）。
●乾燥膜実施例１
組成物実施例１に示す構造を有し、重量平均分子量５８，２００を有するポリイミドポリマー（Ｐ－１）のシクロペンタノン中３１．６９％溶液を１３４５．２４ｇ、プロピレンカーボネートを１０２１．９１ｇ、ＰｏｌｙＦｏｘ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓから入手可能）のプロピレンカーボネート中０．５重量％溶液を１０２．３１ｇ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランを２１．３１ｇ、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）を１２．７９ｇ、モノメチルエーテルハイドロキノンを０．４３ｇ、テトラエチレングリコールジアクリレートを１３８．５５ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレートを５３．３９ｇ、エチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレートを２１．３２ｇ、ジクミルペルオキシドを４．２６ｇ、及び５－メチルベンゾトリアゾールを０．４２６ｇ用いて、誘電体膜形成組成物ＦＥ－２を調製した。機械的に２４時間撹拌した後に、溶液を０．２ミクロンフィルターを用いてろ過した。誘電体膜形成組成物ＦＥ－２のｔａｎδ Ｔｇは（動的粘弾性測定（ＤＭＡ）によって測定した場合）７３℃であった。
誘電体膜形成組成物ＦＥ－２を、富士フイルムＵＳＡ（サウスカロライナ州グリーンウッド）から入手したスロットダイコーターを用いて２フィート／分（毎分６１ｃｍ）のライン速度及び６０ミクロンのクリアランスで、キャリア基板として用いられる幅１６．２インチ及び厚さ３６ミクロンのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ＴＣＨ２１、デュポン帝人フィルムズＵＳＡにより製造）上に付与し、華氏１９４度で乾燥して、おおよそ３０．３ミクロンの厚さを有する感光性ポリマー層（ＤＦ－１）を得た。このポリマー層上に、ロール圧縮（roll compression）により、幅１６インチ及び厚さ３０ミクロンを有する二軸延伸ポリプロピレンフィルム（ＢＯＰＰ、テキサス州ヒューストンのＩｍｐｅｘ Ｇｌｏｂａｌが製造）を重ね、保護層として働くようにした。
●乾燥膜実施例２
組成物実施例１に示す構造を有し、重量平均分子量６１，０００を有するポリイミドポリマー（Ｐ－１）のシクロペンタノン中３０．０２％溶液を２６８５．６３ｇ、シクロペンタノンを１３．５１ｇ、プロピレンカーボネートを１７７７．６５ｇ、ＰｏｌｙＦｏｘ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓから入手可能）のプロピレンカーボネート中０．５重量％溶液を１９３．４９ｇ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランを４０．３１ｇ、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）を２４．１９ｇ、モノメチルエーテルハイドロキノンを１．６１ｇ、テトラエチレングリコールジアクリレートを２６２．０２ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレートを１００．７８ｇ、エチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレートを４０．３１ｇ、ジクミルペルオキシドを８．０６ｇ、及び５－メチルベンゾトリアゾールを１．６１ｇ用いて、誘電体膜形成組成物ＦＥ－３を調製した。機械的に２４時間撹拌した後に、溶液を０．２ミクロンフィルターを用いてろ過した。
誘電体膜形成組成物ＦＥ－３を、富士フイルムＵＳＡ（サウスカロライナ州グリーンウッド）から入手したスロットダイコーターを用いて２フィート／分（毎分６１ｃｍ）のライン速度及び６０ミクロンのクリアランスで、キャリア基板として用いられる幅１６．２インチ及び厚さ３６ミクロンのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ＴＣＨ２１、デュポン帝人フィルムズＵＳＡにより製造）上に付与し、華氏１９４度で乾燥して、おおよそ６．５ミクロンの厚さを有する感光性ポリマー層（ＤＦ－２）を得た。このポリマー層上に、ロール圧縮（roll compression）により、幅１６インチ及び厚さ３０ミクロンを有する二軸延伸ポリプロピレンフィルム（ＢＯＰＰ、テキサス州ヒューストンのＩｍｐｅｘ Ｇｌｏｂａｌが製造）を重ね、保護層として働くようにした。
●平坦化表面を有するポリイミド誘電体膜の形成の実施例
本実施例は、平坦化表面上の感光性誘電体膜をリソグラフィーによりパターニングすることを実証する。
重量平均分子量５８，２００を有するポリイミドポリマー（Ｐ－１）のシクロペンタノン中３０．０２％溶液を８９．１９ｇ、プロピレンカーボネートを３８．０８ｇ、ＰｏｌｙＦｏｘ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓから入手可能）のプロピレンカーボネート中０．５重量％溶液を１．６１ｇ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランを１．３４ｇ、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）を０．８０ｇ、モノメチルエーテルハイドロキノンを０．０５４ｇ、テトラエチレングリコールジアクリレートを８．７０ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレートを３．３５ｇ、エチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレートを１．３４ｇ、ジクミルペルオキシドを０．２６８ｇ、及び５－メチルベンゾトリアゾールを０．１３４ｇ用いて、誘電体膜形成組成物ＦＥ－４を調製した。機械的に２４時間撹拌した後に、溶液を０．２ミクロンフィルターを用いてろ過した。
試験基板は、互いの間に１００ミクロンの間隔を有する銅のピーク群を有する４インチのシリコンウェハを用いて調製された。銅ピーク群の厚さは３．５ミクロンであった。誘電体膜形成組成物は前記試験基板上にスピンコーティングにより付与（deposit）され、感光性ポリイミド膜を形成した。この感光性ポリイミド膜は、９０℃で３分間ソフトベーキングされ、ｉ線ステッパー（Ｃａｎｎｏｎ ｉ４）を用いてマスクを通して露光され、シクロペンタノン中で現像され（２×７０秒）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でリンスされ、そして窒素雰囲気を用いてオーブンで１７０℃２時間硬化された。
ポリイミド系誘電体膜の上面の最高点と最低点との間の差異を、以下のように３つのステージで測定した。
●平坦化表面を有するポリイミド誘電体膜の形成の比較例
重量平均分子量５８，２００を有するポリイミドポリマー（Ｐ－１）のシクロペンタノン中３０．０２％溶液を８９．１９ｇ、シクロペンタノンを２７．３８ｇ、ＧＢＬを１０．７０ｇ、ＰｏｌｙＦｏｘ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓから入手可能）のシクロペンタノン中０．５重量％溶液を１．６１ｇ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランを１．３４ｇ、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）を０．８０ｇ、モノメチルエーテルハイドロキノンを０．０５４ｇ、テトラエチレングリコールジアクリレートを８．７０ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレートを３．３５ｇ、エチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレートを１．３４ｇ、ジクミルペルオキシドを０．２６８ｇ、及び５－メチルベンゾトリアゾールを０．１３４ｇ用いて、誘電体膜形成組成物ＣＦＥ－２を調製する。つまり、ＣＦＥ－２は、ＦＥ－４が溶媒としてプロピレンカーボネートを含むのに対してＣＦＥ－２が溶媒としてシクロペンタノン及びＧＢＬを含むこと以外は、組成物ＦＥ－４と同様である。
試験基板は、互いの間に１００ミクロンの間隔を有する銅のピーク群を有する４インチのシリコンウェハを用いて調製される。銅ピーク群の厚さは３．５ミクロンであった。誘電体膜形成組成物は前記試験基板上にスピンコーティングにより付与（deposit）され、感光性ポリイミド膜を形成する。この感光性ポリイミド膜は、９０℃で３分間ソフトベーキングされ、ｉ線ステッパー（Ｃａｎｎｏｎ ｉ４）を用いてマスクを通して露光され、シクロペンタノン中で現像され（２×７０秒）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でリンスされ、そして窒素雰囲気を用いてオーブンで１７０℃２時間硬化されて、ポリイミド系誘電体膜を形成する。
ポリイミド系誘電体膜の上面の最高点と最低点との間の差異をソフトベーキング後、現像後、及び硬化後に測定する。
●３次元物体の形成の実施例
実施例ＦＥ－２の誘電体膜形成組成物を、８／８／６ミクロン～１５／１５／６ミクロンの範囲のライン／スペース／高さの銅めっきパターンを有するシリコン酸化物ウェハ上に１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。コーティングされた膜を、ホットプレートを用いて９５℃で５分間ベーキングして、約１３ミクロンの厚さを有する膜を形成する。それから、前記感光性組成物を、３５５ｎｍ ＵＶレーザーを用いることによって５００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、下に位置する金属パッドの上面にコンタクトホールの形状のパターンを形成する。前記感光性組成物をＹＥＳオーブンで１７０℃２時間硬化させる。それから銅金属を電着（electrodeposition）プロセスによって前記コンタクトホール内へと付与（deposit）する。
銅の電着は、銅イオン（３０ｇ／Ｌ）、硫酸（５０ｇ／Ｌ）、塩化物イオン（４０ｐｐｍ）、ポリ（プロピレングリコール）（５００ｐｐｍ）、３，３－ジチオビス（１－プロパンスルホネート）二ナトリウム（２００ｐｐｍ）、及びビス（ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド（１００ｐｐｍ）を含む電解質組成物を用いて達成される。電気めっきは、以下の条件を用いて、撹拌をしながらビーカー内で行われる：
アノード：銅；めっき温度：２５℃；電流密度：１０ｍＡ／ｃｍ２；及び時間：２分間。
電気めっきの後、前記微細トレンチを切断し、前記銅フィリング状況を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡を用いて調べ、前記銅がボイド無しに完全にフィルされていることを確認する。また、付与（deposit）時間は、過剰付与部の形成を避けるように調整する。このようにして、個々の銅構造体が誘電体膜によって囲まれた三次元物体が調製される。
●銅付与（deposit）の実施例
実施例ＦＥ－２の誘電体膜形成組成物をＰＶＤ銅ウェハ上に１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。この膜を、ホットプレートを用いて、９５℃で６分間ベーキングして、８ミクロンの厚さを有する感光性組成物膜を形成する。前記感光性組成物膜を、キャノンｉ線ステッパー（ＮＡ０．４５、シグマ０．７）を用いて、トレンチテストパターンレチクルを通して５００ｍＪ／ｃｍ２の固定露光量及び－１ミクロンの固定フォーカスで露光する。それから、露光された感光性層をシクロペンタノンのダイナミック現像を用いて４０秒間現像して、光学顕微鏡で観察し（そして、断面走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により確認し）た場合に５０ミクロンの寸法を有し、その下に超微細４ミクロントレンチパターンを含むトレンチを解像する。前記感光性組成物をＹＥＳオーブンで１７０℃２時間硬化させる。このウェハを、上記の「３次元物体の形成の実施例」に記載のやり方で電気めっきし、ＳＥＭで観察した場合に全てのトレンチに３．０ミクロン高の銅ラインが生成する。

Claims (22)

  1. ・以下を含む複数の（メタ）アクリレート含有化合物
    少なくとも１種の、式（Ｉ）のモノ（メタ）アクリレート含有化合物

    式中、Ｒ１は、水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲン置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基、又はハロゲン原子であり；Ｒ２は、Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基、Ｃ５～Ｃ２０シクロアルキレン基、又はＲ４Ｏ基であり、ここでＲ４は直鎖若しくは分岐のＣ２～Ｃ１０アルキレン基又はＣ５～Ｃ２０シクロアルキレン基であり；Ｒ３は、置換若しくは無置換の、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ１０アルキル基、飽和若しくは不飽和のＣ５～Ｃ２５脂環式基、Ｃ６～Ｃ１８アリール基、又はＣ７～Ｃ１８アルキルアリール基であり；ｎは０又は１である
    少なくとも１種の、ジ（メタ）アクリレート含有架橋剤；及び
    任意に（optionally）、少なくとも１種の、３つ以上の（メタ）アクリレート基を含む多（メタ）アクリレート含有架橋剤
    ・少なくとも１種の、完全イミド化ポリイミドポリマー、及び
    ・任意に（optionally）、少なくとも１種の溶媒
    を含む誘電体膜形成組成物。
  2. 前記少なくとも１種のモノ（メタ）アクリレート含有化合物は、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イルアクリレート、ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イルメタクリレート、２－［（ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イル）オキシ］エチルアクリレート、２－［（ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イル）オキシ］エチルメタクリレート、３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イルアクリレート、３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イルメタクリレート、２－［（３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イル）オキシ］エチルアクリレート、２－［（３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イル）オキシ］エチルメタクリレート、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デシルアクリレート、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デシルメタクリレート、テトラシクロ［４，４，０，１２，５，１７，１０］ドデカニルアクリレート、及びテトラシクロ［４，４，０，１２，５，１７，１０］ドデカニルメタクリレートからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
  3. 前記少なくとも１種のモノ（メタ）アクリレート含有化合物は、

    である、請求項１に記載の組成物。
  4. 前記少なくとも１種のモノ（メタ）アクリレート含有化合物は、前記複数の（メタ）アクリレート含有化合物の約１重量％～約５０重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
  5. 前記少なくとも１種のジ（メタ）アクリレート含有架橋剤は、前記複数の（メタ）アクリレート含有化合物の約２０重量％～約８５重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
  6. 前記少なくとも１種の多（メタ）アクリレート含有架橋剤は、前記複数の（メタ）アクリレート含有化合物の約０重量％～約４０重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
  7. 前記組成物中の少なくとも１種のモノ（メタ）アクリレート含有化合物の量は、前記誘電体膜形成組成物の総量の約０．１重量％～約１０重量％である、請求項１に記載の組成物。
  8. さらに少なくとも１種の光開始剤を含む、請求項１に記載の組成物。
  9. 請求項１に記載の組成物によって製造された、パターン形成された誘電体膜。
  10. 前記パターン形成された誘電体膜は、
    ａ）請求項１に記載の誘電体膜形成組成物を基板上に付与（deposit）して誘電体膜を形成すること；及び
    ｂ）前記誘電体膜をリソグラフィー法又はレーザーアブレーション法によってパターニングすること
    によって製造されたものである、請求項９に記載のパターン形成された誘電体膜。
  11. 少なくとも１つの請求項９に記載のパターン形成された誘電体膜、及び少なくとも１つの基板を含む、三次元物体。
  12. 前記基板は有機膜、エポキシ成形コンパウンド（ＥＭＣ）、シリコン、ガラス、銅、ステンレス鋼、銅クラッドラミネート（ＣＣＬ）、アルミニウム、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１１に記載の三次元物体。
  13. 前記基板は金属パターンを含む、請求項１１に記載の三次元物体。
  14. ａ）前記誘電体膜形成組成物を基板上に付与（deposit）して誘電体膜を形成すること；
    ｂ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱若しくは放射線と熱との組み合わせに曝すこと； ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口を有するパターン形成された誘電体膜を形成すること；
    ｄ）任意に（optionally）、前記パターン形成された誘電体膜上にシード層を付与（deposit）すること；並びに、
    ｅ）前記パターン形成された誘電体膜中の少なくとも１つの開口に金属層を付与（deposit）して金属パターンを形成すること、
    を含む、請求項１３に記載の三次元物体を調製するプロセス。
  15. 前記パターン形成された誘電体膜は、囲み（surrounding）銅パターンを含む、請求項１１に記載の三次元物体。
  16. ａ）基板上にラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する銅導電金属ワイヤ構造体を含む、前記基板を準備すること；
    ｂ）前記基板上に前記誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜を形成すること；及び、
    ｃ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱若しくは放射線と熱との組み合わせに曝すこと、
    を含む、請求項１５に記載の三次元物体を形成するプロセス。
  17. 請求項１１に記載の三次元物体を含む、半導体デバイス。
  18. 前記半導体デバイスは、集積回路、発光ダイオード、太陽電池、又はトランジスタである、請求項１７に記載の半導体デバイス。
  19. 請求項１に記載の組成物によって調製された乾燥膜構造体。
  20. （ａ）キャリア基板を請求項１に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングして、コーティングされた組成物を形成すること；
    （ｂ）前記コーティングされた組成物を乾燥させて、感光性ポリイミド層を形成すること；並びに
    （ｃ）任意に（optionally）、保護層を前記感光性ポリイミド層に付与して、乾燥膜構造体を形成すること、
    を含む、乾燥膜構造体を調製するプロセス。
  21. 請求項２０に記載のプロセスによって調製された乾燥膜構造体を電子基板上に付与して、積層体を形成すること、ここで、前記積層体中の前記感光性ポリイミド層は前記電子基板と前記キャリア基板との間にある、
    を含む、プロセス。
  22. 銅パターンを有する基板の上に請求項１に記載の誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して誘電体膜を形成すること、ここで、前記誘電体膜の表面における最高点と最低点との間の差異は約２ミクロン以下である、
    を含む、銅パターンを有する基板上に誘電体膜を作製するプロセス。
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