JP2023145374A - 積層体、積層体の製造方法、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】仮固定材と半導体装置とを有する積層体であって、残渣を抑制しつつ仮固定材から半導体装置を容易に剥離できる積層体を提供する。また、該積層体の製造方法、及び、該積層体を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】仮固定材と半導体装置とを有する積層体であって、平板クロスステージ法を用いた剥離試験により２５℃で前記仮固定材と前記半導体装置とを剥離したとき、剥離力が０．１０Ｎ／ｉｎｃｈ以上、５Ｎ／ｉｎｃｈ以下であり、前記仮固定材の引張伸び率が７％以上である積層体。【選択図】なし

Description

本発明は、積層体、積層体の製造方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。

半導体ウエハ、半導体チップ等の半導体装置の加工時においては、半導体装置の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために、粘着剤組成物を介して半導体装置を支持板に固定したり、粘着テープを半導体装置に貼付したりして保護することが行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、粘着剤組成物を介して厚膜ウエハを支持板に接着することが行われる。

このように半導体装置に用いる粘着剤組成物や粘着テープには、加工工程中に半導体装置を強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後には半導体装置を損傷することなく剥離できることが求められる（以下、「高接着易剥離」ともいう。）。
高接着易剥離の実現手段として、例えば特許文献１には、ポリマーの側鎖又は主鎖に放射線重合性官能基を有する多官能性モノマー又はオリゴマーが結合された粘着剤を用いた粘着シートが開示されている。放射線重合性官能基を有することにより紫外線照射によりポリマーが硬化することを利用して、剥離時に紫外線を照射することにより粘着力が低下して、糊残りなく剥離することができる。

特開平５－３２９４６号公報

近年の半導体装置の高性能化に伴い、半導体装置に種々の加工を施す工程が行われるようになってきた。例えば、半導体装置の表面にスパッタリングにより金属薄膜を形成する工程では、３００～３５０℃程度の高温で加工を行うことにより、より導電性に優れた金属薄膜を形成することができる。
しかしながら、従来の粘着剤組成物や粘着テープを用いて保護した半導体装置に、３００℃以上の高温加工処理を行うと、接着亢進を起こして、剥離時に充分に粘着力が低下しなかったり、糊残りが発生したりすることがある。また、３００℃以上の高温加工処理を経て製造される半導体装置は薄化が進んでおり、通常のメカニカル剥離方法を採用した場合、粘着剤組成物や粘着テープの剥離時に半導体装置の破損が生じることがある。

本発明は、仮固定材と半導体装置とを有する積層体であって、残渣を抑制しつつ仮固定材から半導体装置を容易に剥離できる積層体を提供することを目的とする。また、本発明は、該積層体の製造方法、及び、該積層体を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本開示１は、仮固定材と半導体装置とを有する積層体であって、平板クロスステージ法を用いた剥離試験により２５℃で前記仮固定材と前記半導体装置とを剥離したとき、剥離力が０．１０Ｎ／ｉｎｃｈ以上、５Ｎ／ｉｎｃｈ以下であり、前記仮固定材の引張伸び率が７％以上である積層体である。
本開示２は、前記仮固定材は、接着剤を含有し、前記接着剤は、イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を含有する、本開示１の積層体である。
本開示３は、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、主鎖構造中に脂肪族基を含有し、前記脂肪族基の含有量が２０重量％以上、８０重量％以下である、本開示２の積層体である。
本開示４は、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、主鎖構造中に芳香族構造を有する基を含有し、前記芳香族構造を有する基の含有量が１０重量％以上、７０重量％以下である、本開示２又は３の積層体である。
本開示５は、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、エネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を含有せず、イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂であり、前記接着剤は、更に、分子内にエネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を含有する官能基を２以上有し、分子量が５０００以下である多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）を含有し、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）１００重量部に対する前記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）の含有量が１０重量部以上である、本開示２、３又は４の積層体である。
本開示６は、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）において、前記脂肪族基は、炭素数１～２０の直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族基である、本開示３の積層体である。
本開示７は、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）において、前記芳香族構造を有する基は、下記一般式（６）で表される構造、及び、下記一般式（７）で表される構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を有する基である、本開示４の積層体である。

一般式（６）中、Ｒ^２２はエステル基、カルボニル基、エーテル基、スルホニル基、炭素数１～３の脂肪族基、又は、芳香族基を表す。

一般式（７）中、Ｒ^２２はエステル基、カルボニル基、エーテル基、スルホニル基、炭素数１～３の脂肪族基、又は、芳香族基を表し、Ｒ^２３は芳香族基、炭素数４～１０の脂肪族エーテル基、炭素数４～１０の脂肪族エステル基、又は、炭素数４～１０の脂肪族カルボニル基を表し、ｎは１以上の整数を表す。
本開示８は、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、下記一般式（１ｄ）で表される構成単位、及び、下記一般式（１ｅ）で表される構成単位を有し（ただし、ｓ＞０、ｔ≧０）、両末端がそれぞれＸ^４及びＸ^５で表される樹脂である、本開示２の積層体である。

一般式（１ｄ）～（１ｅ）中、Ｐ^４及びＰ^５は、それぞれ独立して、芳香族基又は脂肪族基を表し、Ｑ^３は、置換又は非置換の直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族基を表し、Ｑ^４は、置換又は非置換の芳香族構造を有する基を表す。Ｘ^４及びＸ^５は、エネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を有さない官能基を表す。
本開示９は、前記仮固定材は、厚みが１０μｍ以上、５５０μｍ以下である、本開示１、２、３、４、５、６、７又は８の積層体である。
本開示１０は、前記半導体装置は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、感光性ポリイミド（ＰＳＰＩ）、銅、鉛合金、及び、銀からなる群より選択される少なくとも１種を含有する部位を表面に有する、本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の積層体である。
本開示１１は、前記接着剤は、更に、シリコーン化合物又はフッ素化合物を含む、本開示２、３、４、５、６、７又は８の積層体である。
本開示１２は、前記仮固定材は、前記接着剤を含有する接着剤層を有し、前記接着剤層のゲル分率が７０重量％以上、１００重量％以下である、本開示２、３、４、５、６、７又は８の積層体である。
本開示１３は、本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２の積層体を製造する方法であって、前記仮固定材の一方の面を支持体に貼り合わせ、前記仮固定材の他方の面を前記半導体装置に貼り合わせる仮固定工程（１’）と、前記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２）とを有する、積層体の製造方法である。
本開示１４は、前記仮固定工程（１’）の後かつ前記熱処理工程（２）の前に、更に、前記仮固定材を硬化する硬化工程（４）を有する、本開示１３の積層体の製造方法である。。
本開示１５は、本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２の積層体を製造する方法であって、前記仮固定材を前記半導体装置に仮固定する仮固定工程（１）と、真空下又は不活性ガス条件下で前記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２’）とを有する、積層体の製造方法である。
本開示１６は、前記仮固定工程（１）の後かつ前記熱処理工程（２’）の前に、更に、前記仮固定材を硬化する硬化工程（４）を有する、本開示１５の積層体の製造方法である。
本開示１７は、本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２の積層体を用いた半導体装置の製造方法であって、前記積層体における前記仮固定材と前記半導体装置とを剥離し、前記半導体装置を取り出す剥離工程（３）を有する、半導体装置の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。

３００℃以上の高温加工処理を行う場合にも適用できる工程材（仮固定材）として、従来の粘着剤組成物や粘着テープに替えて、より耐熱性に優れた接着剤を用いることが検討されている。しかしながら、このような耐熱性に優れた接着剤は、一般に硬く伸びにくい傾向にあることから、剥離時に剥離力が大きくなり、半導体装置の破損が生じたり、接着剤の一部がちぎれて残渣が残ったりすることがある。特に半導体装置の表面に形成されているバンプ（突起電極）が高いほど、半導体装置の破損が生じやすく、接着剤の残渣も生じやすい。
本発明者らは、仮固定材を半導体装置に仮固定した状態で半導体装置に熱処理を行った後、仮固定材から熱処理後の半導体装置を剥離する半導体装置の製造方法について検討を行った。なかでも特に、本発明者らは、剥離直前の、仮固定材と半導体装置とを有する積層体について検討を行った。本発明者らは、このような仮固定材と半導体装置とを有する積層体において、平板クロスステージ法を用いた剥離試験により２５℃で仮固定材と半導体装置とを剥離したときの剥離力と仮固定材の引張伸び率とを特定範囲に調整することにより、残渣を抑制しつつ仮固定材から半導体装置を容易に剥離できることを見出した。これにより、本発明を完成させるに至った。

本発明の積層体は、仮固定材と半導体装置とを有する積層体である。
本発明の積層体は、平板クロスステージ法を用いた剥離試験により２５℃で上記仮固定材と上記半導体装置とを剥離したとき、剥離力の下限が０．１０Ｎ／ｉｎｃｈ、上限が５Ｎ／ｉｎｃｈである。
上記剥離力が０．１０Ｎ／ｉｎｃｈ以上であれば、上記仮固定材と上記半導体装置との意図しない剥離を抑制することができる。上記剥離力が５Ｎ／ｉｎｃｈ以下であれば、剥離時には上記仮固定材から上記半導体装置を容易に剥離することができる。上記剥離力の好ましい下限は０．３Ｎ／ｉｎｃｈ、好ましい上限は３Ｎ／ｉｎｃｈであり、より好ましい下限は０．５Ｎ／ｉｎｃｈ、より好ましい上限は２．５Ｎ／ｉｎｃｈである。

本発明の積層体は、平板クロスステージ法を用いた剥離試験により２５℃で上記仮固定材と上記半導体装置とを剥離したとき、上記仮固定材の引張伸び率の下限が７％である。
上記引張伸び率が７％以上であれば、上記仮固定材の一部がちぎれることにより上記半導体装置上に残ってしまうことを抑え、上記仮固定材の残渣を抑制することができる。上記引張伸び率の好ましい下限は８％、より好ましい下限は９％、更に好ましい下限は１０％である。
上記引張伸び率の上限は特に限定されないが、上記仮固定材が柔らくなりすぎることにより上記半導体装置上に残ってしまうことを抑える観点から、好ましい上限は９０％、より好ましい上限は７０％である。

なお、平板クロスステージ法を用いた剥離試験による上記剥離力及び上記引張伸び率の測定は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠した操作方法により、以下のように行うことができる。
仮固定材と半導体装置とを有する積層体を、平板クロスステージを有する剥離試験機（例えば、ＶＰＡ－２、協和界面科学社製等）に固定し、仮固定材と半導体装置との剥離角度が１２０°となるように平板クロスステージを設定する。剥離角度を１２０°に保ちながら、２５℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件にてピール試験を行い、剥離力（Ｎ／ｉｎｃｈ）を測定する。また、仮固定材の引張伸び率を下記式（２）により算出する。
引張伸び率＝（Ｌ１－Ｌ０）／Ｌ０ （２）
（Ｌ０：剥離試験前の仮固定材の長さ、Ｌ１：剥離試験後の仮固定材の長さ）

上記剥離力及び上記引張伸び率を上記範囲に調整する方法は特に限定されず、例えば、上記仮固定材の組成を後述するような組成に調整する方法、上記仮固定材がシート状、フィルム状等の仮固定材である場合に上記仮固定材における接着剤層のゲル分率を後述するような範囲に調整する方法等が挙げられる。また、本発明の積層体の製造方法、特に、上記仮固定材を上記半導体装置に仮固定する際の積層構造及び上記仮固定材を上記半導体装置に仮固定した状態で上記半導体装置に熱処理を行う際の条件を適切に調整する方法等も挙げられる。

上記仮固定材の形態は特に限定されず、液状、ペースト状等の仮固定材であってもよいし、シート状、フィルム状等の仮固定材であってもよい。また、上記仮固定材は、仮固定材前駆体から加熱により硬化することで上記仮固定材を形成する形態であってもよい。なお、このような場合、上記仮固定材前駆体を上記半導体装置に塗布した後、上記仮固定材前駆体を加熱により硬化することで、上記半導体装置上で上記仮固定材を形成することが好ましい。
上記仮固定材前駆体は特に限定されないが、シリコーン樹脂の流動体、又は、酸二無水物の未反応基及びジアミン化合物の未反応基を有するポリイミド樹脂の流動体であることが好ましい。
上記シリコーン樹脂の流動体としては、より具体的には例えば、ポリジメチルシロキサン化合物と溶剤とを混合したポリジメチルシロキサン溶液等が挙げられる。上記ポリイミド樹脂の流動体としては、より具体的には例えば、ピロメリット酸二無水物と９，１０－ジアミノフェナントレンのポリアミド酸化合物とを溶剤に混合したポリアミド酸溶液等が挙げられる。

上記仮固定材は、接着剤を含有することが好ましい。なお、上記仮固定材がシート状、フィルム状等の仮固定材である場合は、上記仮固定材が上記接着剤を含有する接着剤層を有することが好ましい。
上記仮固定材がシート状、フィルム状等の仮固定材である場合、上記仮固定材は、基材の一方又は両方の面に上記接着剤を含有する接着剤層を有していてもよく、基材を有さず上記接着剤を含有する接着剤層のみを有していてもよい。上記基材を有さない場合、光透過性と耐熱性とをともに有する基材を選定する必要がなく、上記仮固定材は、より安価かつ簡易な構成となる。

上記基材としては、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシートが挙げられる。また、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート、ガラス等も用いることができる。

上記基材の厚みは特に限定されないが、光透過性を高める観点、及び、柔軟性を高める観点から、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１５０μｍであり、より好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。

上記接着剤は特に限定されないが、イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を含有することが好ましい。
上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、イミド骨格を有することによって極めて耐熱性に優れ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても主鎖の分解が起こりにくい。このため、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を含むことにより、上記接着剤は、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。
上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は特に限定されず、例えば、イミド骨格に加えて更にエネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合（以下、単に「炭素－炭素二重結合」ともいう）を側鎖若しくは末端又はこれらの両方に含有していてもよいし、炭素－炭素二重結合を含有していなくてもよい。なかでも、炭素－炭素二重結合を含有せず、イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂であることが好ましい。

上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、炭素－炭素二重結合を含有する場合には、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上、３万以下であることが好ましい。上記重量平均分子量（Ｍｗ）が上記範囲内であれば、上記接着剤は、耐熱性が向上し、硬化物の柔軟性が向上して被着体に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。また、上記重量平均分子量（Ｍｗ）が上記範囲内であれば、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の溶媒への溶解度が低くなりすぎることを防ぐこともできる。上記重量平均分子量（Ｍｗ）は１５００以上、２万未満であることがより好ましく、５０００以上、１万未満であることが更に好ましい。
また、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、炭素－炭素二重結合を含有しない場合には、重量平均分子量（Ｍｗ）が２万以上であることが好ましい。上記重量平均分子量が２万以上であることにより、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。上記重量平均分子量は５万以上であることがより好ましい。上記重量平均分子量の上限は特に限定されないが、溶媒への溶解度の観点から、好ましい上限は６０万、より好ましい上限は３０万である。
なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）法によりポリスチレン換算分子量として測定される。より具体的には、ＡＰＣシステム（ウォーターズ社製、又はその同等品）を用いて、移動相ＴＨＦ、流量１．０ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃、サンプル濃度０．２重量％、ＲＩ・ＰＤＡ検出器の条件で測定することができる。カラムとしては、ＨＲ－ＭＢ－Ｍ ６．０×１５０ｍｍ（品名、ウォーターズ社製、又はその同等品）等を用いることができる。

上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、主鎖構造中に脂肪族基を含有することが好ましい。また、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、主鎖構造中に芳香族構造を有する基を含有することも好ましい。更に、これらの両方を満たしていてもよい。
上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）が主鎖構造中に上記脂肪族基を含有することにより、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して上記半導体装置に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。また、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）が主鎖構造中に上記芳香族構造を有する基を含有することにより、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。

上記脂肪族基は特に限定されないが、炭素数１～２０の直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族基が好ましい。これらの脂肪族基は更に置換されていてもよいし、置換されていなくてもよい。
上記炭素数１～２０の直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族基は特に限定されないが、下記一般式（５－１）で表される構造を有する脂肪族基、下記一般式（５－２）で表される構造を有する脂肪族基、及び、下記一般式（５－３）で表される構造を有する脂肪族基からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。なかでも、樹脂構造中に複数の炭素鎖を持つことで、上記接着剤が千切れにくく、伸び性が良くなることから、下記一般式（５－３）で表される構造を有する脂肪族基が好ましい。なお、＊は結合手を表し、位置は特に限定されない。

一般式（５－１）中、Ｒ^２１は炭素数０～８の脂肪族基、エーテル基、ケトン基、エステル基又はスルホニル基を表す。
Ｒ^２１が炭素数０～８の脂肪族基、エーテル基、ケトン基、エステル基又はスルホニル基である場合、このような基としては特に限定されず、例えば、ジシクロヘキシルメタン、１，８－ジシクロヘキシルオクタン、１，３－ジシクロヘキシル－２－メチルプロパン、ジシクロヘキシルエーテル、ジシクロヘキシルケトン、シクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシル、エチルイソプロピルスルホン等が挙げられる。

一般式（５－２）中、ｎ、ｎ’及びｎ”はそれぞれ１以上の整数を表す。

一般式（５－３）中、ｎ、ｎ’、ｎ”及びｎ’’’はそれぞれ独立して１以上の整数を表す。一般式（５－３）で表される構造としては、後述する一般式（４－２）で表される基を好適に用いることができる。

上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）における上記脂肪族基の含有量は特に限定されないが、好ましい下限は２０重量％、好ましい上限は８０重量％である。上記脂肪族基の含有量が２０重量％以上であれば、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して上記半導体装置に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。上記脂肪族基の含有量が８０重量％以下であれば、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。上記脂肪族基の含有量のより好ましい下限は２５重量％、より好ましい上限は７５重量％であり、更に好ましい下限は３０重量％、更に好ましい上限は７０重量％である。

上記芳香族構造を有する基は特に限定されないが、下記一般式（６）で表される構造、及び、下記一般式（７）で表される構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を有する基であることが好ましい。これらの芳香族構造を有する基は更に置換されていてもよいし、置換されていなくてもよい。なお、＊は結合手を表し、位置は特に限定されない。

一般式（６）中、Ｒ^２２はエステル基、カルボニル基、エーテル基、スルホニル基、炭素数１～３の脂肪族基、又は、芳香族基を表す。式中のベンゼン環はそれぞれ置換されていてもよく、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性官能基、極性官能基を有する脂肪族炭化水素基、又は、極性官能基を有する芳香族炭化水素基を有してもよい。
Ｒ^２２が炭素数１～３の脂肪族基である場合、該炭素数１～３の脂肪族基は特に限定されず、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。Ｒ^２２が芳香族基である場合、該芳香族基は特に限定されず、例えば、アリール基、フェノール基、メトキシフェニル基、フルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、クロロフェニル基、スチレン基、ビニルフェニル基、アミノフェニル等が挙げられる。

一般式（７）中、Ｒ^２２はエステル基、カルボニル基、エーテル基、スルホニル基、炭素数１～３の脂肪族基、又は、芳香族基を表し、Ｒ^２３は芳香族基、炭素数４～１０の脂肪族エーテル基、炭素数４～１０の脂肪族エステル基、又は、炭素数４～１０の脂肪族カルボニル基を表し、ｎは１以上の整数を表す。式中のベンゼン環はそれぞれ置換されていてもよく、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性官能基、極性官能基を有する脂肪族炭化水素基、又は、極性官能基を有する芳香族炭化水素基を有してもよい。
Ｒ^２２が炭素数１～３の脂肪族基である場合、該炭素数１～３の脂肪族基は特に限定されず、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。Ｒ^２２が芳香族基である場合、該芳香族基は特に限定されず、例えば、アリール基、フェノール基、メトキシフェニル基、フルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、クロロフェニル基、スチレン基、ビニルフェニル基、アミノフェニル等が挙げられる。
Ｒ^２３が芳香族基である場合、該芳香族基は特に限定されず、例えば、アリール基、フェノール基、メトキシフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、クロロフェニル基、スチレン基、ビニルフェニル基、アミノフェニル等が挙げられる。

上記芳香族構造を有する基として、より具体的には例えば、下記式（８－１）で表される構造を有する基、下記式（８－２）で表される構造を有する基、下記式（８－３）で表される構造を有する基等が挙げられる。これらの芳香族構造を有する基は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、結合している芳香環の運動性が高いことから、下記式（８－２）で表される構造を有する基が好ましい。なお、＊は結合手を表す。

なお、式（８－３）中、Ｒは脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性官能基、極性官能基を有する脂肪族炭化水素基、又は、極性官能基を有する芳香族炭化水素基を表し、好ましくは極性官能基であり、より好ましくは水酸基である。

上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）における上記芳香族構造を有する基の含有量は特に限定されないが、好ましい下限は１０重量％、好ましい上限は７０重量％である。上記芳香族構造を有する基の含有量が１０重量％以上であれば、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。上記芳香族構造を有する基の含有量が７０重量％以下であれば、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して上記半導体装置に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。上記芳香族構造を有する基の含有量のより好ましい下限は１５重量％、より好ましい上限は６５重量％であり、更に好ましい下限は２０重量％、更に好ましい上限は６０重量％である。
なお、イミド骨格部位と芳香族構造とが縮合環を形成している場合、これに共有されている炭素は、芳香族構造を構成する原子として重量を計算する。具体的には例えば、下記式で表される構造の場合、１～４の数字が付された炭素は芳香族構造を構成する原子として重量を計算する。なお、＊は結合手を表す。

上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）としては、具体的には例えば、下記一般式（１ｄ）で表される構成単位、及び、下記一般式（１ｅ）で表される構成単位を有し（ただし、ｓ＞０、ｔ≧０）、両末端がそれぞれＸ^４及びＸ^５で表される樹脂が挙げられる。

一般式（１ｄ）～（１ｅ）中、Ｐ^４及びＰ^５は、それぞれ独立して、芳香族基又は脂肪族基を表し、Ｑ^３は、置換又は非置換の直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族基を表し、Ｑ^４は、置換又は非置換の芳香族構造を有する基を表す。Ｘ^４及びＸ^５は、エネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を有さない官能基を表す。

上記一般式（１ｄ）～（１ｅ）中、Ｐ^４及びＰ^５は、炭素数５～５０の芳香族基、又は、炭素数１～５の脂肪族基であることが好ましい。Ｐ^４及びＰ^５が炭素数５～５０の芳香族基であることにより、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。Ｐ^４及びＰ^５が炭素数１～５の脂肪族基であることにより、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して被着体に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。

上記一般式（１ｄ）中、Ｑ^３は、置換又は非置換の直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数２～１００の脂肪族基であることが好ましい。Ｑ^３が置換又は非置換の直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数２～１００の脂肪族基であることにより、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して被着体に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。
また、Ｑ^３は、後述するようなジアミン化合物に由来する脂肪族基であることが好ましい。なかでも、柔軟性を高める観点、及び、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の溶媒や他の成分との相溶性が増す観点から、Ｑ^３は、ダイマージアミンに由来する脂肪族基であることが好ましい。

上記ダイマージアミンに由来する脂肪族基として、より具体的には例えば、下記一般式（４－１）で表される基、下記一般式（４－２）で表される基、下記一般式（４－３）で表される基、及び、下記一般式（４－４）で表される基からなる群より選択される少なくとも１つが好ましい。なかでも、下記一般式（４－２）で表される基がより好ましい。なお、これらの基において光学異性は特に限定されず、いずれの光学異性も含む。

一般式（４－１）～（４－４）中、Ｒ^１～Ｒ^８及びＲ^１３～Ｒ^２０はそれぞれ独立して、直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基を表す。なお、＊は結合手を表す。結合手＊は、上記一般式（１ｄ）～（１ｅ）中のＮと結合する。

上記一般式（４－１）～（４－４）中、Ｒ^１～Ｒ^８及びＲ^１３～Ｒ^２０で表される炭化水素基は特に限定されず、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
なかでも、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１５とＲ^１６、Ｒ^１７とＲ^１８、及び、Ｒ^１９とＲ^２０の炭素数の合計が７以上、５０以下であることが好ましい。上記炭素数の合計が上記範囲内であることで、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して被着体に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。また、上記炭素数の合計が上記範囲内であることで、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の溶媒や他の成分との相溶性も増す。上記炭素数の合計は、より好ましくは９以上、更に好ましくは１２以上、更により好ましくは１４以上である。上記炭素数の合計は、より好ましくは３５以下、更に好ましくは２５以下、更により好ましくは１８以下である。

上記一般式（１ｅ）中、Ｑ^４は、置換又は非置換の炭素数５～５０の芳香族構造を有する基であることが好ましい。Ｑ^４が置換又は非置換の炭素数５～５０の芳香族構造を有する基であることにより、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。

上記Ｘ^４及びＸ^５で表される炭素－炭素二重結合を有さない官能基としては、それぞれ独立して、例えば、脂肪族基、脂環式基、芳香族基、酸無水物、アミン化合物等が挙げられる。具体的には、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の原料となる酸二無水物、ジアミン化合物の片末端未反応物が挙げられる。

上記一般式（１ｄ）～（１ｅ）中、ｓ、及びｔは、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）中における上記一般式（１ｄ）で表される構成単位、及び、上記一般式（１ｅ）で表される構成単位それぞれの含有量（モル％）に対応するものである。
上記一般式（１ｄ）で表される構成単位の含有量（ｓ）は０モル％よりも大きく、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは５０モル％以上であり、好ましくは９０モル％以下、より好ましくは８０モル％以下である。上記一般式（１ｅ）で表される構成単位の含有量（ｔ）は０モル以上％、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、更に好ましくは２０モル％以上であり、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは３０モル％以下である。上記一般式（１ｄ）～（１ｅ）においてそれぞれの構成単位の含有量が上記範囲内であると、上記接着剤は、剥離時にはより容易に剥離することができる。
なお、上記一般式（１ｄ）で表される構成単位、及び、上記一般式（１ｅ）で表される構成単位は、それぞれの構成単位が連続して配列したブロック成分からなるブロック構造を有していてもよいし、それぞれの構成単位がランダムに配列したランダム構造を有していてもよい。

上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を製造する方法は特に限定されず、例えば、ジアミン化合物と酸二無水物とを反応させることにより得ることができる。

上記ジアミン化合物としては、脂肪族ジアミン化合物又は芳香族ジアミン化合物のいずれも用いることができる。
上記ジアミン化合物として脂肪族ジアミン化合物を用いることにより、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して被着体に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。上記ジアミン化合物として芳香族ジアミン化合物を用いることにより、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができ、３００℃以上の高温加工処理に晒された場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。これらの脂肪族ジアミン化合物及び芳香族ジアミン化合物は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

上記脂肪族ジアミン化合物は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の主鎖構造中に含まれ得る上述したような脂肪族基を形成する化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば、プリアミン１０７５（クローダ社製）等が挙げられる。
上記脂肪族ジアミン化合物としては、例えば、１，１０－ジアミノデカン、１，１２－ジアミノドデカン、ダイマージアミン、１，２－ジアミノ－２－メチルプロパン、１，２－ジアミノシクロヘキサン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、１，５－ジアミノペンタン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノメンタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１２－ジアミノドデカン、３，３’－ジアミノ－Ｎ－メチルジプロピルアミン、ジアミノマレオニトリル、１，３－ジアミノペンタン、ビス（４－アミノ－３－メチルシクロヘキシル）メタン、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、３（４），８（９）－ビス（アミノメチル）トリシクロ（５．２．１．０２，６）デカン、ノルボルナンジアミン、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１－［４－（アミノメチル）シクロヘキシル］メタンアミン、４－［（４－アミノシクロヘキシル）メチル］シクロヘキサン－１－アミン、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ＣＵＡ－４（クミアイ化学工業社製）、エラスマー６５０Ｐ（クミアイ化学工業社製）、ポレア ＳＬ－１００Ａ（クミアイ化学工業社製）等も挙げられる。

上記芳香族ジアミン化合物は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の主鎖構造中に含まれ得る上述したような芳香族構造を有する基を形成する化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば、ＣＵＡ－４（クミアイ化学工業社製）、エラスマー６５０Ｐ（クミアイ化学工業社製）、ポレア ＳＬ－１００Ａ（クミアイ化学工業社製）等が挙げられる。
上記芳香族ジアミン化合物としては、例えば、９，１０－ジアミノフェナントレン、４，４’－ジアミノオクタフルオロビフェニル、３，７－ジアミノ－２－メトキシフルオレン、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４－ジアミノベンゾフェノン、３，４－ジアミノトルエン、２，６－ジアミノアントラキノン、２，６－ジアミノトルエン、２，３－ジアミノトルエン、１，８－ジアミノナフタレン、２，４－ジアミノトルエン、２，５－ジアミノトルエン、１，４－ジアミノアントラキノン、１，５－ジアミノアントラキノン、１，５－ジアミノナフタレン、１，２－ジアミノアントラキノン、２，４－クメンジアミン、１，３－ビスアミノメチルベンゼン、１，３－ビスアミノメチルシクロヘキサン、２－クロロ－１，４－ジアミノベンゼン、１，４－ジアミノ－２，５－ジクロロベンゼン、１，４－ジアミノ－２，５－ジメチルベンゼン、４，４’－ジアミノ－２，２’－ビストリフルオロメチルビフェニル、ビス（アミノ－３－クロロフェニ）エタン、ビス（４－アミノ－３，５－ジメチルフェニル）メタン、ビス（４－アミノ－３，５－ジエチルフェニル）メタン、ビス（４－アミノ－３－エチルジアミノフルオレン、２，３－ジアミノナフタレン、２，３－ジアミノフェノール、－５－メチルフェニル）メタン、ビス（４－アミノ－３－メチルフェニル）メタン、ビス（４－アミノ－３－エチルフェニル）メタン、４，４’－ジアミノフェニルスルホン、３，３’－ジアミノフェニルスルホン、２，２－ビス（４，（４アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、２，２－ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、４，４’－オキシジアニリン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－オキシジアニリン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジメチルビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジメトキシビフェニル、Ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ Ｍ、Ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ Ｐ、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、ｏ‐トリジンスルホン、メチレンビス（アントラニル酸）、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）－２，２－ジメチルプロパン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）プロパン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ブタン、１，５－ビス（４－アミノフェノキシ）ブタン、２，３，５，６－テトラメチル－１，４－フェニレンジアミン、３，３’，５，５’－テトラメチルベンジジン、４，４’－ジアミノベンザニリド、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ポリオキシアルキレンジアミン類（たとえば、ＨｕｎｔｓｍａｎのＪｅｆｆａｍｉｎｅ Ｄ－２３０、Ｄ４００、Ｄ－２０００及びＤ－４０００）、１，３－シクロヘキサンビス（メチルアミン）、ｍ－キシリレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、３，５－ジアミノフェノール、４，４’－ジヒドロキシ―３，３’―ジアミノフェニルプロパン、４，４’－ジヒドロキシ―３，３’―ジアミノフェニルスルホン等も挙げられる。

上記脂肪族ジアミン化合物のなかでも、柔軟性を高める観点、及び、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の溶媒や他の成分との相溶性が増す観点から、ダイマージアミンが好ましい。
上記ダイマージアミンとは、不飽和脂肪酸の２量体として得られる環式及び非環式ダイマー酸を、還元しアミノ化して得られるジアミン化合物であり、例えば、直鎖型、単環型、多環型等のダイマージアミンが挙げられる。上記ダイマージアミンは、炭素－炭素不飽和二重結合を含んでもよく、水素が付加した水素添加物であってもよい。上記ダイマージアミンとして、より具体的には例えば、上述した一般式（４－１）で表される基、一般式（４－２）で表される基、一般式（４－３）で表される基、及び、一般式（４－４）で表される基を構成することのできるダイマージアミン等が挙げられる。

上記酸二無水物として、例えば、脂肪族酸二無水物、芳香族酸二無水物等が挙げられる。
上記芳香族酸二無水物は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）に含まれ得る上述したような芳香族構造を有する基を形成する化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば、ＢＰ－ＴＭＥ（本州化学工業社製）、ＢＩＳＤＡ（ＳＡＢＩＣジャパン合同会社製）等が挙げられる。
上記芳香族酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，４，５－ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ビフェニルエーテルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸、４，４’－スルホニルジフタル酸、１－トリフルオロメチル－２，３，５，６－ベンゼンテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル、ベンゼン－１，２，３，４－テトラカルボン酸、２，３，２’，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、フェナンスレン－１，８，９，１０－テトラカルボン酸、ピラジン－２，３，５，６－テトラカルボン酸、チオフエン－２，３，４，５－テトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、３，４，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，２’，３’－ビフェニルテトラカルボン酸、４，４’－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド、４，４’－（４，４’－イソプロピリデンジフェノキシ）－ビス（フタル酸）、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸等も挙げられる。

上記脂肪族酸二無水物は特に限定されないが、ＣｐＯＤＡ（ＥＮＥＯＳ社製）、ジシクロヘキシル－３，４，３’，４’－テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。

上記接着剤が上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を含む場合、該樹脂（１）の含有量は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と後述する多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）との合計１００重量部に占める好ましい下限が２０重量部である。上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の含有量が２０重量部以上であれば、上記接着剤は、３００℃以上の高温加工処理に晒されて場合であっても、剥離時には容易に剥離することができる。剥離性を更に高める観点から、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の含有量のより好ましい下限は３０重量部である。
上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の含有量の上限は特に限定されない。剥離性を更に高める観点から、該樹脂（１）の含有量は、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と後述する多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）との合計１００重量部に占める好ましい上限が９０重量部、より好ましい上限が８０重量部である。

上記接着剤は、更に、分子内にエネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を含有する官能基を２以上有する多官能モノマー又は多官能オリゴマーを含むことが好ましい。なかでも、分子内に炭素－炭素二重結合を含有する官能基を２以上有し、分子量が５０００以下である多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）（以下、単に「多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）」ともいう。）を含むことがより好ましい。
上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）を含むことで、上記接着剤は、加熱したりエネルギー線を照射したりすることで硬化が進行し、粘着力が大きく低下するため、剥離時にはより容易に剥離することができる。

上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）における炭素－炭素二重結合を含有する官能基は特に限定されず、例えば、マレイミド基、シトラコンイミド基、ビニルエーテル基、アリル基、（メタ）アクリル基、及び、これらを含有する基等が挙げられる。これらの炭素－炭素二重結合を含有する官能基は、置換されていてもよい。なかでも、より高い耐熱性が得られることから、マレイミド基、置換されたマレイミド基、アリル基、及び、置換されたアリル基が好適である。
上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）における炭素－炭素二重結合を含有する官能基の官能基当量は特に限定されないが、好ましい下限が１００、好ましい上限が２０００である。上記官能基当量が上記範囲内であれば、上記接着剤は、加熱したりエネルギー線を照射したりすることで硬化がより充分に進行し、剥離時にはより容易に剥離することができる。上記官能基当量のより好ましい下限は２００、より好ましい上限は１５００であり、更に好ましい下限は３００、更に好ましい上限は１０００である。

上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）は、ジアミン化合物に由来する脂肪族基を有することが好ましい。上記ジアミン化合物としては、脂肪族ジアミン化合物又は芳香族ジアミン化合物のいずれも用いることができるが、脂肪族ジアミン化合物が好ましい。上記ジアミン化合物として脂肪族ジアミン化合物を用いることにより、上記接着剤は、硬化物の柔軟性が向上して被着体に対して高い追従性を発揮でき、剥離時にはより容易に剥離することができる。

上記脂肪族ジアミン化合物のなかでも、柔軟性を高める観点、及び、上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）の溶媒や他の成分との相溶性が増す観点から、上述したようなダイマージアミンが好ましい。つまり、本発明の積層体においては、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）、及び、上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）からなる群より選択される少なくとも１種がダイマージアミンに由来する脂肪族基を有することが好ましい。

上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）の含有量は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）１００重量部に対する好ましい下限は５重量部、好ましい上限は６０重量部である。上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）の含有量が上記範囲内であれば、上記接着剤は、剥離時にはより容易に剥離することができる。剥離性を更に高める観点から、上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は５０重量部である。

上記接着剤は、更に、シリコーン化合物又はフッ素化合物を含むことが好ましい。
上記シリコーン化合物又はフッ素化合物は、耐熱性に優れることから、３００℃以上の高温加工処理を経ても上記接着剤の焦げ付きを防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離をより容易にする。
上記シリコーン化合物は特に限定されず、例えば、シリコーンオイル、シリコーンジアクリレート、シリコーン系グラフト共重合体等が挙げられる。上記フッ素化合物は特に限定されず、例えば、フッ素原子を有する炭化水素化合物等が挙げられる。

上記シリコーン化合物又はフッ素化合物は、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と架橋可能な官能基を有することが好ましい。
上記シリコーン化合物又はフッ素化合物が上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と架橋可能な官能基を有することにより、加熱したりエネルギー線を照射したりすることにより上記シリコーン化合物又はフッ素化合物が上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と化学反応する。そして、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）中に取り込まれる。このため、被着体に上記シリコーン化合物又はフッ素化合物が付着して汚染することを抑制することができる。

上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と架橋可能な官能基は特に限定されず、例えば、炭素－炭素二重結合を含有する官能基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミド基、イソシアネート基、エポキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素－炭素二重結合を含有する官能基が好ましい。即ち、上記シリコーン化合物又はフッ素化合物は、炭素－炭素二重結合を含有する官能基を有することが好ましい。上記炭素－炭素二重結合を含有する官能基は、炭素－炭素二重結合（ラジカル重合性の不飽和結合）を含有していれば特に限定されず、例えば、マレイミド基、シトラコンイミド基、ビニルエーテル基、アリル基、（メタ）アクリル基、ナジイミド基、及び、これらを含有する基等が挙げられる。これらの炭素－炭素二重結合を含有する官能基は、置換されていてもよい。

なかでも、環境にやさしく、廃棄が容易であるという観点から、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物が好適である。上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物としては、主鎖にシロキサン骨格を有し、側鎖又は末端に炭素－炭素二重結合を含有する官能基を有するシリコーン化合物が好ましい。
上記主鎖にシロキサン骨格を有し、側鎖又は末端に炭素－炭素二重結合を含有する官能基を有するシリコーン化合物は特に限定されないが、下記一般式（Ｉ）で表されるシリコーン化合物、下記一般式（ＩＩ）で表されるシリコーン化合物、及び、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるシリコーン化合物からなる群より選択される少なくとも１つを含有することが好ましい。これらのシリコーン化合物は、耐熱性が特に高く、極性が高いために上記接着剤からのブリードアウトが容易である。

上記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、０～１２００の整数を表し、Ｒは炭素－炭素二重結合を含有する官能基を表す。

上記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）中、Ｒで表される炭素－炭素二重結合を含有する官能基としては、例えば、マレイミド基、シトラコンイミド基、ビニルエーテル基、アリル基、（メタ）アクリル基、ナジイミド基、及び、これらを含有する基等が挙げられる。これらの炭素－炭素二重結合を含有する官能基は、置換されていてもよい。なかでも、より高い耐熱性が得られることから、マレイミド基、置換されたマレイミド基、アリル基、及び、置換されたアリル基が好適である。なお、上記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ）において、Ｒが複数存在する場合、複数のＲは同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）で表されるシリコーン化合物のうち市販されているものは、例えば、ＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０（いずれもダイセル・サイテック社製）等が挙げられる。更に、ＢＹＫ－ＵＶ３５００（ビックケミー社製）、ＴＥＧＯ ＲＡＤ２２５０（エボニック社製）（いずれもＲがアクリル基）、メガファックＲＳ－５６（ＤＩＣ社製、シリコーン及びフッ素原子含有化合物）等が挙げられる。

上記シリコーン化合物又はフッ素化合物の含有量は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）との合計１００重量部に対する好ましい下限は０．１重量部、好ましい上限は２０重量部である。上記シリコーン化合物又はフッ素化合物の含有量がこの範囲内であると、上記接着剤が被着体を汚染することなく優れた剥離性を発揮することができる。汚染を抑制しつつも剥離性を更に高める観点から、上記シリコーン化合物又はフッ素化合物の含有量のより好ましい下限は０．３重量部、より好ましい上限は１０重量部である。
なお、上記接着剤は耐熱性に優れることから、上記シリコーン化合物又はフッ素化合物の含有量を比較的少なくしても充分な効果を発揮することができる。そのため、上記シリコーン化合物又はフッ素化合物による汚染の可能性をより一層少なくすることができる。

上記接着剤は、更に、重合開始剤を含むことが好ましい。
上記重合開始剤は特に限定されないが、光重合開始剤及び熱重合開始剤からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、光重合開始剤がより好ましい。

上記光重合開始剤としては、例えば、２５０～８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。なかでも、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の吸収波長と重なりにくく、上記接着剤にエネルギー線を照射した際に充分に活性化されることから、上記光重合開始剤は、４０５ｎｍにおけるモル吸光係数が１以上である光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤は、４０５ｎｍにおけるモル吸光係数が２００以上である光重合開始剤を含有することがより好ましく、４０５ｎｍにおけるモル吸光係数が３５０以上である光重合開始剤を含有することが更に好ましい。上記４０５ｎｍにおけるモル吸光係数が１以上である光重合開始剤の４０５ｎｍにおけるモル吸光係数の上限は特に限定されないが、例えば２０００、１５００等が上限である。
上記光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物、フォスフィンオキシド誘導体化合物等が挙げられる。更に、ビス（η５－シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記重合開始剤の含有量は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）との合計１００重量部に対する好ましい下限は０．１重量部、好ましい上限は１０重量部である。上記重合開始剤の含有量がこの範囲内であると、加熱したりエネルギー線を照射したりすることにより上記接着剤の全体が均一にかつ速やかに重合架橋し、弾性率が上昇することにより粘着力が大きく低下して、接着亢進を起こしたり、剥離時に糊残りが発生したりするのを防止することができる。上記重合開始剤の含有量のより好ましい下限は０．３重量部、より好ましい上限は３重量部である。

上記接着剤は、更に、気体発生剤を含有することが好ましい。
上記気体発生剤は、ＴＧ－ＤＴＡ（熱重量－示差熱分析）測定にて窒素雰囲気下で３０℃から３００℃まで１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱したときの３００℃における重量減少率が５％以下であることが好ましい。上記重量減少率が５％以下であれば、３００℃以上の高温加工処理を行った場合であっても上記気体発生剤の分解が起こりにくく、上記接着剤は、より高い耐熱性を発揮することができる。
なお、ＴＧ－ＤＴＡ（熱重量－示差熱分析）測定は、例えば、ＴＧ－ＤＴＡ装置（ＳＴＡ７２００ＲＶ、日立ハイテクサイエンス社製、又はその同等品）を用いて行うことができる。

上記気体発生剤としては、例えば、加熱することにより気体を発生する気体発生剤、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤等が挙げられる。これらの気体発生剤は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なかでも、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤が好ましく、紫外線を照射することにより気体を発生する気体発生剤がより好ましい。
上記光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有することにより、上記接着剤は、光を照射することにより発生した気体が被着体との界面に放出される。これにより、上記接着剤は、より容易に剥離することができる。また、被着体が薄い場合であっても、被着体の破損を防止することができる。

上記光を照射することにより気体を発生する気体発生剤としては、例えば、テトラゾール化合物又はその塩、トリアゾール化合物又はその塩、アゾ化合物、アジド化合物、キサントン酢酸、炭酸塩等が挙げられる。これらの気体発生剤は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なかでも、特に耐熱性に優れることから、テトラゾール化合物又はその塩が好適である。

上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）と上記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）との合計１００重量部に対する好ましい下限は５重量部、好ましい上限は５０重量部である。上記気体発生剤の含有量が上記範囲内であれば、上記接着剤が特に優れた剥離性を発揮することができる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は８重量部、より好ましい上限は３０重量部である。

上記接着剤は、例えば、無機充填剤、光増感剤、熱安定剤、酸化防止剤、帯電防止剤、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス等の公知の添加剤を含んでもよい。

上記仮固定材が上記接着剤を含有する接着剤層を有するシート状、フィルム状等の仮固定材である場合、上記接着剤層の厚みは特に限定されず、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は５５０μｍである。上記厚みが５μｍ以上であれば、上記接着剤層が初期に充分な粘着力を有することができる。上記厚みが５５０μｍ以下であれば、上記接着剤層は、高い柔軟性を発揮することができ、被着体に対して高い追従性を発揮できるとともに、剥離時により容易に剥離することができる。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、更に好ましい下限は２０μｍ、更により好ましい下限は３０μｍである。上記厚みのより好ましい上限は４００μｍ、更に好ましい上限は３００μｍ、更により好ましい上限は２００μｍ、一層好ましい上限は１５０μｍである。

上記仮固定材が上記接着剤を含有する接着剤層を有するシート状、フィルム状等の仮固定材である場合、上記接着剤層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限は７０重量％、好ましい上限は１００重量％である。上記ゲル分率が上記範囲内であることで、上記接着剤層は、剥離時により容易に剥離することができる。上記ゲル分率のより好ましい下限は７５重量％、更に好ましい下限は８０重量％である。
なお、上記ゲル分率は、以下の方法により測定される。
接着剤層を５０ｍｍ×１００ｍｍの平面長方形状に裁断して試験片を作製する。試験片をトルエン中に２３℃にて２４時間浸漬した後、トルエンから取り出して、１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の試験片の重量を測定し、下記式（１）を用いてゲル分率を算出する。なお、試験片には、接着剤層を保護するための離型フィルムは積層されていないものとする。
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ_２－Ｗ_０）／（Ｗ_１－Ｗ_０） （１）
（Ｗ_０：基材の重量、Ｗ_１：浸漬前の試験片の重量、Ｗ_２：浸漬、乾燥後の試験片の重量）

上記仮固定材の厚み（基材を有さない場合は接着剤層の厚み、基材を有する場合は接着剤層の厚みと基材の厚みとを合わせた厚み）は特に限定されないが、剥離性及び耐熱性の観点から、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は５５０μｍであり、より好ましい下限は２０μｍ、より好ましい上限は４００μｍであり、更に好ましい下限は３０μｍ、更に好ましい上限は３００μｍである。なお、ここでいう仮固定材の厚みとは、仮固定材全体の厚みを意味する。

上記仮固定材を製造する方法は特に限定されず、例えば、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）等の配合成分をビーズミル、超音波分散、ホモジナイザー、高出力ディスパー、ロールミル等を用いて混合し、液状、ペースト状等の仮固定材を製造する方法が挙げられる。また、上記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）等の配合成分を溶剤とともにビーズミル、超音波分散、ホモジナイザー、高出力ディスパー、ロールミル等を用いて混合し、得られた接着剤溶液を離型フィルムの離型処理面上に塗工し、乾燥させて接着剤層を有する仮固定材を製造する方法も挙げられる。

上記半導体装置は特に限定されず、半導体ウエハ、半導体チップ、プリント基板、透明基板等の一般的な半導体装置であればよいが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、感光性ポリイミド（ＰＳＰＩ）、銅、鉛合金、及び、銀からなる群より選択される少なくとも１種を含有する部位を表面に有することが好ましい。
上記半導体装置は、上記酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、感光性ポリイミド（ＰＳＰＩ）、銅、鉛合金、及び、銀からなる群より選択される少なくとも１種を含有する部位を表面に有する場合、このような部位をする表面が上記仮固定材と接するようにして上記仮固定材に仮固定されることが好ましい。

上記半導体装置の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は４０μｍ、好ましい上限は５０００μｍであり、より好ましい下限は５０μｍ、より好ましい上限は３００μｍである。
上記半導体装置が表面にバンプ（突起電極）を有する場合、該バンプ（突起電極）が高いほど通常は上記半導体装置の破損が生じやすく、上記仮固定材の残渣も生じやすいが、本発明の積層体においては、上記半導体装置が比較的高いバンプを有する場合であっても、残渣を抑制しつつ上記仮固定材から上記半導体装置を容易に剥離することができる。上記バンプの高さは特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限は３００μｍであり、より好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。

本発明の積層体を製造する方法は特に限定されず、例えば、少なくとも、上記仮固定材を上記半導体装置に仮固定する仮固定工程（１）と、上記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２）とを有する方法が挙げられる。

上記仮固定材を上記半導体装置に仮固定する方法は特に限定されず、上記仮固定材の形態に応じて適宜選択すればよい。即ち、上記仮固定材が液状、ペースト状等の仮固定材である場合は、例えば、上記仮固定材を上記半導体装置に塗布する方法が挙げられ、上記仮固定材がシート状、フィルム状等の仮固定材である場合は、例えば、上記仮固定材を上記半導体装置に貼り合わせる方法が挙げられる。また、上記仮固定材前駆体を上記半導体装置に塗布した後、上記仮固定材前駆体を加熱により硬化することで、上記半導体装置上で上記仮固定材を形成する方法も挙げられる。
上記仮固定材、又は、上記仮固定材前駆体を上記半導体装置に塗布する方法は特に限定されず、例えば、スプレーコート、スピンコート等が挙げられる。上記仮固定材を上記半導体装置に貼り合わせる方法は特に限定されず、例えば、熱ラミネーターを用いて５０～１００℃程度で加熱ラミネートする方法、真空ラミネーターを用いて０～１００Ｐａの気圧中で４０～７０℃程度でラミネートする方法等が挙げられる。

上記熱処理の種類は特に限定されず、例えば、上記半導体装置に対する、モールディング、スパッタリング、熱圧着ボンディング等の熱処理が挙げられる。上記熱処理は、３００℃以上の高温加工処理であってもよい。

なお、上記接着剤が加熱したりエネルギー線を照射したりすることで硬化が進行する硬化型接着剤である場合は、上記仮固定工程（１）の後かつ上記熱処理工程（２）の前に、更に、上記仮固定材を硬化する硬化工程（４）を行ってもよい。
上記仮固定材を硬化する方法は特に限定されず、例えば、上記仮固定材を加熱する方法、上記仮固定材にエネルギー線を照射する方法等が挙げられる。より具体的には例えば、上記仮固定材を１７０℃のオーブン中で１０分間加熱する方法、上記仮固定材に４０５ｎｍの照射強度が７０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２照射する方法等が挙げられる。

なかでも特に、上記剥離力及び上記引張伸び率を上記範囲に調整するためには、上記仮固定工程（１）において上記仮固定材を上記半導体装置に仮固定する際の積層構造及び上記熱処理工程（２）において上記仮固定材を上記半導体装置に仮固定した状態で上記半導体装置に熱処理を行う際の条件を適切に調整することが好ましい。
より具体的には、上記仮固定工程（１）において、上記仮固定材の上記半導体装置とは反対側の面に支持体を貼り合わせて保護することが好ましい。これにより、続いて行われる上記熱処理工程（２）において３００℃以上の高温加工処理を行った場合であっても、上記仮固定材の接着亢進を抑えることができ、上記剥離力及び上記引張伸び率を上記範囲に調整しやすくなる。
また、上記熱処理工程（２）において、真空下又は不活性ガス条件下で上記半導体装置に熱処理を行うことも好ましい。真空下又は不活性ガス条件下であれば、上記熱処理工程（２）において３００℃以上の高温加工処理を行った場合であっても、上記仮固定材の接着亢進を抑えることができ、上記剥離力及び上記引張伸び率を上記範囲に調整しやすくなる。

本発明の積層体を製造する方法であって、上記仮固定材の一方の面を支持体に貼り合わせ、上記仮固定材の他方の面を上記半導体装置に貼り合わせる仮固定工程（１’）と、上記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２）とを有する積層体の製造方法もまた、本発明の１つである。
なお、上記仮固定工程（１’）の後かつ上記熱処理工程（２）の前に、更に、上記仮固定材を硬化する硬化工程（４）を行ってもよい。
上記支持体は特に限定されず、例えば、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等が挙げられる。上記支持体の厚みは特に限定されないが、上記仮固定材を充分に保護する観点から、好ましい下限は５００μｍ、好ましい上限は２０００μｍである。上記仮固定材の一方の面を上記支持体に貼り合わせ、上記仮固定材の他方の面を上記半導体装置に貼り合わせる方法は特に限定されず、上記支持体及び上記半導体装置のいずれを先に上記仮固定材と貼り合わせてもよい。

本発明の積層体を製造する方法であって、上記仮固定材を上記半導体装置に仮固定する仮固定工程（１）と、真空下又は不活性ガス条件下で上記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２’）とを有する積層体の製造方法もまた、本発明の１つである。
なお、上記仮固定工程（１）の後かつ上記熱処理工程（２’）の前に、更に、上記仮固定材を硬化する硬化工程（４）を行ってもよい。
上記不活性ガス条件下としては、例えば、窒素ガス雰囲気下、アルゴンガス雰囲気下等が挙げられる。

以上のような工程を行うことにより、残渣を抑制しつつ仮固定材から半導体装置を容易に剥離できる積層体を得ることができる。
本発明の積層体を用いた半導体装置の製造方法であって、本発明の積層体における上記仮固定材と上記半導体装置とを剥離し、上記半導体装置を取り出す剥離工程（３）を有する半導体装置の製造方法もまた、本発明の１つである。
上記仮固定材と上記半導体装置とを剥離する方法は特に限定されず、例えば、通常のメカニカル剥離方法等を用いることができる。

本発明によれば、仮固定材と半導体装置とを有する積層体であって、残渣を抑制しつつ仮固定材から半導体装置を容易に剥離できる積層体を提供することができる。また、本発明によれば、該積層体の製造方法、及び、該積層体を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。

（実施例１）
（１）イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）の調製
テフロン（登録商標）スターラーを入れた５００ｍＬの丸底フラスコに２５０ｍＬのトルエンを投入した。次いで、トリエチルアミン３５ｇ（０．３５モル）と無水メタンスルホン酸３５ｇ（０．３６モル）を加えて攪拌し、塩を形成した。１０分間撹拌後、エラスマー６５０Ｐ（クミアイ化学工業社製）３１．４ｇ（０．１モル）と、ＢＩＳＤＡ（ＳＡＢＩＣジャパン合同会社製）５２．０ｇ（０．１モル）をこの順に加えた。ディーンスターク管とコンデンサーをフラスコに取り付け、混合物を２時間還流し、室温に冷却し、トルエン３００ｍＬをフラスコに加え、静置により不純物を沈殿させ除去した。得られた溶液を、シリカゲルを充填したガラスフリット漏斗を通してろ過した後、溶剤を真空除去し、褐色固体状のイミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を得た。
得られた樹脂（１）における主鎖構造中の脂肪族基の含有量、及び、主鎖構造中の芳香族構造を有する基の含有量を表１に示した。

（２）仮固定材の製造
アニソール１００重量部に、上記で得られた樹脂（１）を１００重量部加え、シリコーン化合物を１重量部加え、接着剤溶液を調製した。得られた接着剤溶液を、片面離型処理の施された５０μｍのＰＥＴフィルムの離型処理面上に、乾燥皮膜の厚さが４０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１３０℃、１０分間加熱して乾燥させた。これにより接着剤層を有する仮固定材（ノンサポートタイプ）を得た。

（３）積層体の製造
仮固定材を１インチの幅にカットした後、半導体装置としてのＴＥＧウエハ（表面にポリイミドを含有する部位を有する、ウォルツ社製、ＷＡＬＴＳ－ＴＥＧ ＦＢＷ１００－０００１ＪＹ（ＰＩ）、ウエハ厚み７２５±２５μｍ、ＣｕピラーとＡｇ含有Ｓｎからなるバンプの高さ４５μｍ）に１００℃のラミネーター（ラミーコーポレーション社製、Ｌｅｏｎ１３ＤＸ、速度メモリ５）にて加熱ラミネートした［仮固定工程（１）］。
ラミネート後、窒素雰囲気下で仮固定材と半導体装置とを有する積層体をホットプレートにより３００℃で１０分間加熱した［熱処理工程（２’）］。

（４）剥離力及び引張伸び率の測定
ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠した操作方法により、以下のようにして、平板クロスステージ法を用いた剥離試験による剥離力及び引張伸び率の測定を行った。
仮固定材と半導体装置とを有する積層体を、平板クロスステージを有する剥離試験機（ＶＰＡ－２、協和界面科学社製）に固定し、仮固定材と半導体装置との剥離角度が１２０°となるように平板クロスステージを設定した。剥離角度を１２０°に保ちながら、２５℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件にてピール試験を行い、剥離力（Ｎ／ｉｎｃｈ）を測定した。
また、仮固定材の引張伸び率は、剥離開始点と剥離終点との距離を剥離前と剥離後とで測定し、下記式（２）により算出した。
引張伸び率＝（Ｌ１－Ｌ０）／Ｌ０ （２）
（Ｌ０：剥離試験前の仮固定材の長さ、Ｌ１：剥離試験後の仮固定材の長さ）

（５）積層体の剥離
その後、通常のメカニカル剥離方法により仮固定材と半導体装置とを剥離し、半導体装置を取り出した［剥離工程（３）］。

（実施例２～１５、比較例１～３）
表１～２に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を調製し、仮固定材を得た。また、積層体の製造及び剥離を行った。なお、下記に示す材料を用いた。

・多官能モノマー（ＢＭＩ－６８９、官能基当量３４０、ＤＥＳＩＧＮＥＲ ＭＯＬＥＣＵＬＥＳ社製）
・多官能オリゴマー（ＢＭＩ－３０００、官能基当量１５００、ＤＥＳＩＧＮＥＲ ＭＯＬＥＣＵＬＥＳ社製）
・多官能アクリレート（ライトアクリレートＤＣＰ－Ａ、官能基当量１５２、共栄社化学社製）

・シリコーン化合物（ＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ダイセル・サイテック社製）
・光重合開始剤（Ｏｍｎｉｒａｄ ＴＰＯ Ｈ、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）
・架橋剤（イソシアネート系架橋剤）
・アクリル粘着剤（ＳＫ－１、新中村化学社製）

（実施例１６）
（１）仮固定材前駆体（シリコーン樹脂Ａ）の製造
４つ口フラスコにトルエン１０００重量部を入れ、分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン９０重量部と、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位０．７５モルとＳｉＯ_４／２単位１モルの割合からなり、かつ、固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン１０重量部とを溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１重量部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００重量部に、トルエン９００重量部を加えて溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０重量部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００重量部にヘキサン９００重量部を加えて溶解させた後、これを２０００重量部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量９０万のジメチルポリシロキサン重合体を得た。この重合体２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液を得た。

（２）積層体の製造
仮固定材前駆体（シリコーン樹脂Ａ）を半導体装置としてのＴＥＧウエハ（表面にポリイミドを含有する部位を有する、ウォルツ社製、ＷＡＬＴＳ－ＴＥＧ ＦＢＷ１００－０００１ＪＹ（ＰＩ）、ウエハ厚み７２５±２５μｍ、ＣｕピラーとＡｇ含有Ｓｎからなるバンプの高さ４５μｍ）に塗布し、１５０℃で５分加熱して硬化することで、厚み１００μｍの仮固定材からなる膜を形成した［仮固定工程（１）］。
膜形成後、窒素雰囲気下で仮固定材と半導体装置とを有する積層体をホットプレートにより３００℃で１０分間加熱した［熱処理工程（２’）］。

（３）剥離力及び引張伸び率の測定
ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠した操作方法により、以下のようにして、平板クロスステージ法を用いた剥離試験による剥離力及び引張伸び率の測定を行った。
仮固定材と半導体装置とを有する積層体を、平板クロスステージを有する剥離試験機（ＶＰＡ－２、協和界面科学社製）に固定し、仮固定材と半導体装置との剥離角度が１２０°となるように平板クロスステージを設定した。剥離角度を１２０°に保ちながら、２５℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件にてピール試験を行い、剥離力（Ｎ／ｉｎｃｈ）を測定した。また、仮固定材の引張伸び率は、剥離開始点と剥離終点との距離を剥離前と剥離後とで測定し、下記式（２）により算出した。
引張伸び率＝（Ｌ１－Ｌ０）／Ｌ０ （２）
（Ｌ０：剥離試験前の仮固定材の長さ、Ｌ１：剥離試験後の仮固定材の長さ）

（４）積層体の剥離
その後、通常のメカニカル剥離方法により仮固定材と半導体装置とを剥離し、半導体装置を取り出した［剥離工程（３）］。

（実施例１７）
（１）仮固定材前駆体（シリコーン樹脂Ｂ）の製造
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に９，９’－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）フルオレン４３．１ｇ、オルガノハイドロジェンシロキサン２９．５ｇ、トルエン１３５ｇ、塩化白金酸０．０４ｇを仕込み、８０℃に昇温した。その後、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン１７．５ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、８５℃まで上昇した。滴下終了後、更に８０℃で２時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを８０ｇ添加して、樹脂固形分濃度５０質量％のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液の樹脂分の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量４５０００であった。更に、この樹脂溶液５０ｇに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるＥＯＣＮ－１０２０（日本化薬社製）を７．５ｇ、硬化触媒としてＢＳＤＭ（ビス（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン）（和光純薬工業社製）を０．２ｇ、酸化防止剤としてアデカスタブＡＯ－６０（アデカ社製）を０．１ｇ添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、シリコーン樹脂Ｂの溶液を得た。

（２）積層体の製造
仮固定材前駆体（シリコーン樹脂Ｂ）をガラス基板（ミトリカ社製、厚み６００μｍ）に塗布し、更に、半導体装置としてのＴＥＧウエハ（表面にポリイミドを含有する部位を有する、ウォルツ社製、ＷＡＬＴＳ－ＴＥＧ ＦＢＷ１００－０００１ＪＹ（ＰＩ）、ウエハ厚み７２５±２５μｍ、ＣｕピラーとＡｇ含有Ｓｎからなるバンプの高さ４５μｍ）を重ねた。これを１５０℃で５分加熱して硬化することで、ガラス基板と半導体装置との間に厚み１００μｍの仮固定材からなる膜を形成した［仮固定工程（１’）］。
膜形成後、酸素雰囲気下で仮固定材と半導体装置とを有する積層体をホットプレートにより３００℃で１０分間加熱した［熱処理工程（２）］。

（３）剥離力及び引張伸び率の測定
ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠した操作方法により、以下のようにして、平板クロスステージ法を用いた剥離試験による剥離力及び引張伸び率の測定を行った。
仮固定材と半導体装置とを有する積層体を、平板クロスステージを有する剥離試験機（ＶＰＡ－２、協和界面科学社製）に固定し、仮固定材と半導体装置との剥離角度が１２０°となるように平板クロスステージを設定した。剥離角度を１２０°に保ちながら、２５℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件にてピール試験を行い、剥離力（Ｎ／ｉｎｃｈ）を測定した。また、仮固定材の引張伸び率は、剥離開始点と剥離終点との距離を剥離前と剥離後とで測定し、下記式（２）により算出した。
引張伸び率＝（Ｌ１－Ｌ０）／Ｌ０ （２）
（Ｌ０：剥離試験前の仮固定材の長さ、Ｌ１：剥離試験後の仮固定材の長さ）

（４）積層体の剥離
その後、通常のメカニカル剥離方法により仮固定材と半導体装置とを剥離し、半導体装置を取り出した［剥離工程（３）］。

＜評価＞
実施例及び比較例で行った積層体の製造及び剥離について、以下の方法により評価を行った。結果を表２に示した。

（１）貼り合わせ評価（仮固定工程）
仮固定材を半導体装置に加熱ラミネートした後、目視にて貼り合わせ状態を評価した。
◎：半導体装置の全面積で浮きが見られなかった
〇：半導体装置の１０％未満の面積で浮きが見られた
△：半導体装置の１０％以上、５０％未満の面積で浮きが見られた
×：半導体装置の５０％以上の面積で浮きが見られた

（２）半導体装置の破損の評価（剥離工程）
仮固定材と半導体装置とを剥離して半導体装置を取り出す操作を２０個の積層体について行い、半導体装置のバンプ変形及び／又はクラックが発生した積層体の割合（破損率）を求めた。
◎：破損率５％未満
〇：破損率５％以上、２５％未満
△：破損率２５％以上、５０％未満
×：破損率５０％以上

（３）残渣の評価（剥離工程）
仮固定材と半導体装置とを剥離して半導体装置を取り出した後、半導体装置表面の面積に占める、残渣が付着していた面積の割合（残渣付着率）を求めた。
◎：半導体装置表面の残渣付着率５％未満
〇：半導体装置表面の残渣付着率５％以上、２５％未満
△：半導体装置表面の残渣付着率２５％以上５０％未満
×：半導体装置表面の残渣付着率５０％以上

本発明によれば、仮固定材と半導体装置とを有する積層体であって、残渣を抑制しつつ仮固定材から半導体装置を容易に剥離できる積層体を提供することができる。また、本発明によれば、該積層体の製造方法、及び、該積層体を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

Claims (17)

1. 仮固定材と半導体装置とを有する積層体であって、
   平板クロスステージ法を用いた剥離試験により２５℃で前記仮固定材と前記半導体装置とを剥離したとき、剥離力が０．１０Ｎ／ｉｎｃｈ以上、５Ｎ／ｉｎｃｈ以下であり、前記仮固定材の引張伸び率が７％以上である
   ことを特徴とする積層体。
2. 前記仮固定材は、接着剤を含有し、前記接着剤は、イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）を含有することを特徴とする請求項１記載の積層体。
3. 前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、主鎖構造中に脂肪族基を含有し、前記脂肪族基の含有量が２０重量％以上、８０重量％以下であることを特徴とする請求項２記載の積層体。
4. 前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、主鎖構造中に芳香族構造を有する基を含有し、前記芳香族構造を有する基の含有量が１０重量％以上、７０重量％以下であることを特徴とする請求項２記載の積層体。
5. 前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、エネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を含有せず、イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂であり、
   前記接着剤は、更に、分子内にエネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を含有する官能基を２以上有し、分子量が５０００以下である多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）を含有し、前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）１００重量部に対する前記多官能モノマー又は多官能オリゴマー（２）の含有量が１０重量部以上である
   ことを特徴とする請求項２記載の積層体。
6. 前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）において、前記脂肪族基は、炭素数１～２０の直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族基であることを特徴とする請求項３記載の積層体。
7. 前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）において、前記芳香族構造を有する基は、下記一般式（６）で表される構造、及び、下記一般式（７）で表される構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を有する基であることを特徴とする請求項４記載の積層体。
   

   

   一般式（６）中、Ｒ^２２はエステル基、カルボニル基、エーテル基、スルホニル基、炭素数１～３の脂肪族基、又は、芳香族基を表す。
   

   

   一般式（７）中、Ｒ^２２はエステル基、カルボニル基、エーテル基、スルホニル基、炭素数１～３の脂肪族基、又は、芳香族基を表し、Ｒ^２３は芳香族基、炭素数４～１０の脂肪族エーテル基、炭素数４～１０の脂肪族エステル基、又は、炭素数４～１０の脂肪族カルボニル基を表し、ｎは１以上の整数を表す。
8. 前記イミド骨格を主鎖の繰り返し単位に有する樹脂（１）は、下記一般式（１ｄ）で表される構成単位、及び、下記一般式（１ｅ）で表される構成単位を有し（ただし、ｓ＞０、ｔ≧０）、両末端がそれぞれＸ^４及びＸ^５で表される樹脂であることを特徴とする請求項２記載の積層体。
   

   

   一般式（１ｄ）～（１ｅ）中、Ｐ^４及びＰ^５は、それぞれ独立して、芳香族基又は脂肪族基を表し、Ｑ^３は、置換又は非置換の直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族基を表し、Ｑ^４は、置換又は非置換の芳香族構造を有する基を表す。Ｘ^４及びＸ^５は、エネルギー線反応性を有する炭素－炭素二重結合を有さない官能基を表す。
9. 前記仮固定材は、厚みが１０μｍ以上、５５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の積層体。
10. 前記半導体装置は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、感光性ポリイミド（ＰＳＰＩ）、銅、鉛合金、及び、銀からなる群より選択される少なくとも１種を含有する部位を表面に有することを特徴とする請求項１記載の積層体。
11. 前記接着剤は、更に、シリコーン化合物又はフッ素化合物を含むことを特徴とする請求項２記載の積層体。
12. 前記仮固定材は、前記接着剤を含有する接着剤層を有し、前記接着剤層のゲル分率が７０重量％以上、１００重量％以下であることを特徴とする請求項２記載の積層体。
13. 請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２記載の積層体を製造する方法であって、
    前記仮固定材の一方の面を支持体に貼り合わせ、前記仮固定材の他方の面を前記半導体装置に貼り合わせる仮固定工程（１’）と、
    前記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２）とを有する
    ことを特徴とする積層体の製造方法。
14. 前記仮固定工程（１’）の後かつ前記熱処理工程（２）の前に、更に、前記仮固定材を硬化する硬化工程（４）を有することを特徴とする請求項１３記載の積層体の製造方法。
15. 請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２記載の積層体を製造する方法であって、
    前記仮固定材を前記半導体装置に仮固定する仮固定工程（１）と、
    真空下又は不活性ガス条件下で前記半導体装置に熱処理を行う熱処理工程（２’）とを有する
    ことを特徴とする積層体の製造方法。
16. 前記仮固定工程（１）の後かつ前記熱処理工程（２’）の前に、更に、前記仮固定材を硬化する硬化工程（４）を有することを特徴とする請求項１５記載の積層体の製造方法。
17. 請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２記載の積層体を用いた半導体装置の製造方法であって、前記積層体における前記仮固定材と前記半導体装置とを剥離し、前記半導体装置を取り出す剥離工程（３）を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。