JP2023130123A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】はんだの侵入による不都合を抑制し、小型化を図るのに適して半導体発光装置を提供する。【解決手段】厚さ方向一方側ｚ１を向く第１主面１１を有する基板１と、基板１に設けられた第１電極２と、半導体発光素子４と、半導体発光素子４を覆う透光樹脂６と、を備え、第１電極２は、第１ボンディング部２４、第１部２１、第２部２２および第３部を含み、第１ボンディング部２４は、第１主面１１に形成され、且つ半導体発光素子４と導通接合されており、第１部２１および第２部２２は、第１主面１１に形成され、且つ第１方向一方側ｘ１に配置されており、第１部２１は、第１ボンディング部２４につながり、第２部２２は、第１ボンディング部２４から離隔し、且つ第２方向において第１部２１と離隔しており、前記第３部は、第１主面１１とは異なる部位に形成され、第１部２１と第２部２２とは、前記第３部を介して互いに導通している。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体発光装置に関する。

半導体発光装置は、電子機器等の光源デバイスとして広く用いられている。特許文献１には、従来の半導体発光装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体発光装置は、基板、半導体発光素子および封止樹脂を備える。基板は、主面と、第１側面および第２側面と、底面および上面と、を有する。主面は、基板の厚さ方向の一方側を向く。第１側面および第２側面は、基板の厚さ方向に直交する第１方向において互いに反対側を向く。底面および上面は、厚さ方向と第１方向の双方に直交する第２方向において互いに反対側を向く。基板の主面には、第１主面電極および第２主面電極が設けられている。第１主面電極は、基板において第１方向の一方側に配置され、第２主面電極は、第１方向の他方側に配置される。半導体発光素子は、主面上（第１主面電極）に搭載されている。封止樹脂は、半導体発光素子を覆っており、半導体発光素子からの光を透過する。

上記第１主面電極および第２主面電極はそれぞれ、主面上において、上面側の辺および底面側の辺の双方に接するように第２方向に一連に形成された部位を含む。特許文献１に記載された半導体発光装置は、第１絶縁膜および第２絶縁膜をさらに備える。第１絶縁膜は、第１主面電極および主面に跨って形成され、且つ封止樹脂に覆われている。第２絶縁膜は、第２主面電極および主面に跨って形成され、且つ封止樹脂に覆われている。半導体発光装置を回路基板に実装する際には、半導体発光装置を回路基板に実装するためのはんだが、第１主面電極（第２主面電極）と封止樹脂との間から内部に侵入し、第１主面電極（第２主面電極）を伝って進む場合がある。このはんだの侵入によって、不当な電気的導通などの不都合を招くおそれがある。これに対し、上記した第１絶縁膜および第２絶縁膜を備えた構成によれば、実装用のはんだが第１主面電極（第２主面電極）と封止樹脂との間から内部に侵入しても、第１絶縁膜（第２絶縁膜）によってはんだの侵入が堰き止められる。これにより、はんだは第１主面電極（第２主面電極）と第１絶縁膜（第２絶縁膜）との間に侵入し難く、不当な電気的導通などの不都合を抑制することができる。しかしながら、第１主面電極（第２主面電極）上および主面上に第１絶縁膜（第２絶縁膜）が形成された構成によれば、基板の厚さ方向に見て、第１主面電極（第２主面電極）および第１絶縁膜（第２絶縁膜）の形成領域がそれぞれ必要となる。このことは、半導体発光装置の小型化を図るうえで好ましくない。

特開２０２０－１６１６９７号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、はんだの侵入による不都合を抑制し、小型化を図るのに適して半導体発光装置を提供することを主たる課題とする。

本開示によって提供される半導体発光装置は、厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第２主面を有する基板と、前記基板に設けられた第１電極と、前記第１主面に搭載された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆う透光樹脂と、を備え、前記第１電極は、第１ボンディング部、第１部、第２部および第３部を含み、前記第１ボンディング部は、前記第１主面に形成され、且つ前記半導体発光素子と導通接合されており、前記第１部および前記第２部の各々は、前記第１主面に形成され、且つ前記基板において前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側に配置されており、前記第１部は、前記第１主面上において前記第１ボンディング部につながり、前記第２部は、前記第１主面上において前記第１ボンディング部から離隔し、且つ前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向において前記第１部と離隔しており、前記第３部は、前記第１主面とは異なる部位に形成され、前記第１部と前記第２部とは、前記第３部を介して互いに導通している。

本開示の半導体発光装置によれば、はんだの侵入による不都合を抑制するとともに、小型化を図ることができる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。 図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図１のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す左側面図である。 図１２は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 図１３は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。 図１４は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。 図１５は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す左側面図である。 図１６は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 図１７は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。 図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１９は、本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。 図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 図２２は、図１９のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 図２３は、図１９のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。また「ある物Ａがある物Ｂに支持されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接支持されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに支持されていること」を含む。

＜第１実施形態＞
図１～図１０は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、基板１、第１電極２、第２電極３、半導体発光素子４、ワイヤ５、透光樹脂６および絶縁膜７を備えている。

図１は、半導体発光装置Ａ１を示す平面図である。図２は、半導体発光装置Ａ１の正面図である。図３は、半導体発光装置Ａ１の左側面図である。図４は、半導体発光装置Ａ１の底面図である。図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図１のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。なお、図１は、理解の便宜上、透光樹脂６を透過している。

半導体発光装置Ａ１の説明において、半導体発光装置Ａ１の厚さ方向（平面視方向）は、本開示の「厚さ方向」の一例であり、「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向は、本開示の「第１方向」の一例であり、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向は、本開示の「第２方向」の一例であり、「第２方向ｙ」と呼ぶ。また、図１において図中左側は本開示の「第１方向の一方側」の一例であり、「第１方向一方側ｘ１」と呼び、図中右側は本開示の「第１方向の他方側」の一例であり、「第１方向他方側ｘ２」と呼ぶ。図１において図中上側は本開示の「第２方向の一方側」の一例であり、「第２方向一方側ｙ１」と呼び、図中下側は本開示の「第２方向の他方側」の一例であり、「第２方向他方側ｙ２」と呼ぶ。図２において図中上側は本開示の「厚さ方向の一方側」の一例であり、「厚さ方向一方側ｚ１」と呼び、図中下側は本開示の「厚さ方向の他方側」の一例であり、「厚さ方向他方側ｚ２」と呼ぶ。図１に示すように、半導体発光装置Ａ１は、厚さ方向ｚに見て略矩形状である。なお、半導体発光装置Ａ１の大きさは何ら限定されない。

基板１は、直方体状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料を含む。基板１の大きさは何ら限定されず、たとえば、第１方向ｘの大きさが１．６ｍｍ程度、第２方向ｙの大きさが０．８ｍｍ程度、厚さ方向ｚの大きさが０．６ｍｍ程度である。

基板１は、第１主面１１、第２主面１２および側面１３～１６を有する。第１主面１１は、厚さ方向一方側ｚ１を向く平面である。第２主面１２は、厚さ方向他方側ｚ２を向く平面である。側面１３は、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置し、第１方向一方側ｘ１を向く。側面１４は、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置し、第１方向他方側ｘ２を向く。側面１５は、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置し、第２方向一方側ｙ１を向く。側面１６は、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置し、第２方向他方側ｙ２を向く。

図１に示すように、第１主面１１は、端縁１１０および第１端縁１１１を有する。端縁１１０は、第１主面１１の第２方向一方側ｙ１に位置する端縁であり、第１方向ｘに沿っている。第１端縁１１１は、第１主面１１の第２方向他方側ｙ２に位置する端縁であり、第１方向ｘに沿っている。本実施形態において、端縁１１０は、第１主面１１と側面１５との境界を兼ねている。また、第１端縁１１１は、第１主面１１と側面１６との境界を兼ねている。

図４に示すように、第２主面１２は、第２端縁１２２および第３端縁１２３を有する。第２端縁１２２は、第２主面１２の第２方向一方側ｙ１に位置する端縁であり、第１方向ｘに沿っている。第３端縁１２３は、第２主面１２の第２方向他方側ｙ２に位置する端縁であり、第１方向ｘに沿っている。本実施形態において、第２端縁１２２は、第２主面１２と側面１５との境界を兼ねている。また、第３端縁１２３は、第２主面１２と側面１６との境界を兼ねている。

本実施形態において、基板１は、凹溝１７１～１７４を有する。凹溝１７１は、側面１３および側面１５から凹む。凹溝１７２は、側面１３および側面１６から凹む。凹溝１７３は、側面１４および側面１５から凹む。凹溝１７４は、側面１４および側面１６から凹む。凹溝１７１～１７４の各々は、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１および第２主面１２に達する。凹溝１７１～１７４の各々の厚さ方向ｚに垂直な断面形状は、四半円形状である。

本実施形態において、第１電極２および第２電極３は、基板１上に配置されている。第１電極２および第２電極３は、たとえばＣｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｆｅ（鉄）、Ｓｎ（錫）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）等の金属またはこれらの合金に代表される導電性材料を含む。第１電極２および第２電極３それぞれを形成する手法は何ら限定されず、たとえばめっきによって形成される。

図１～図５および図７～図９に示すように、本実施形態の第１電極２は、第１部２１、第２部２２、第３部２３、第１ボンディング部２４、第１連絡部２５および溝中継部２６１，２６２を含む。

図１および図５等に示すように、第１部２１、第２部２２、第１ボンディング部２４および第１連絡部２５の各々は、第１主面１１に形成されている。本実施形態において、第１ボンディング部２４は、第１主面１１において第１方向ｘの中央、且つ第２方向ｙの中央に位置する。第１ボンディング部２４は、厚さ方向ｚに見て円形状である。第１ボンディング部２４は、半導体発光素子４がダイボンディングされる部位である。

第１部２１および第２部２２の各々は、第１主面１１において第１方向一方側ｘ１に位置する。第１部２１は、第１主面１１において第２方向一方側ｙ１に位置する。図１、図９に示すように、第１部２１は、端縁１１０に接している。図１に示すように、第１部２１は、第１主面１１上において第１ボンディング部２４につながっている。第２部２２は、第１主面１１において第２方向他方側ｙ２に位置する。第２部２２は、第１端縁１１１に接している。第２部２２は、第１主面１１上において第１ボンディング部２４から離隔している。また、第２部２２は、第２方向ｙにおいて第１部２１と離隔している。

第１連絡部２５は、第１主面１１において第２方向一方側ｙ１寄りに位置する。第１連絡部２５は、第１主面１１上において第１ボンディング部２４および第１部２１の双方につながっている。これにより、第１部２１は、第１主面１１上において、第１連絡部２５を介して第１ボンディング部２４につながっている。

図１に示すように、本実施形態において、第１部２１の第２方向ｙにおける長さ（第１寸法Ｌ１）と第２部２２の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）とは、同一である。ここで、第１寸法Ｌ１および第２寸法Ｌ２が同一であるとは、第１寸法Ｌ１と第２寸法Ｌ２が一致する場合だけでなく、製造上の誤差等に起因して多少異なる場合を含むものとする。

第１主面１１の第２方向ｙにおける長さ（第３寸法Ｌ３）に対する第２部２２の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）の割合は、たとえば０．１～０．８倍の範囲である。図１に示した例では、第３寸法Ｌ３に対する第２寸法Ｌ２の割合は、約０．２８倍である。

第３部２３は、第１主面１１とは異なる部位に形成されている。図３～図５および図９に示すように、本実施形態において、第３部２３は、第２主面１２に形成されている。第３部２３は、第２主面１２において第１方向一方側ｘ１に位置する。第３部２３は、第２方向ｙに沿って延びており、第２端縁１２２および第３端縁１２３の双方に接している。

図１、図４、図７および図８に示すように、溝中継部２６１は、凹溝１７１に形成されており、溝中継部２６２は凹溝１７２に形成されている。溝中継部２６１は、凹溝１７１の全てを覆っている。溝中継部２６１は、第１部２１および第３部２３の双方につながっている。溝中継部２６２は、凹溝１７２の全てを覆っている。溝中継部２６２は、第２部２２および第３部２３の双方につながっている。上記構成により、第１部２１と第２部２２とは、第３部２３および溝中継部２６１，２６２を介して互いに導通している。溝中継部２６１，２６２は、本開示の第３部の一部を構成する一例である。

図１、図２、図５、図７、図８および図１０に示すように、本実施形態の第２電極３は、第４部３１、第５部３２、第６部３３、第２ボンディング部３４、第２連絡部３５および溝中継部３６１，３６２を含む。

図１および図５等に示すように、第４部３１、第５部３２、第２ボンディング部３４および第２連絡部３５の各々は、第１主面１１に形成されている。本実施形態において、第２ボンディング部３４は、第１主面１１において第１方向他方側ｘ２寄り、且つ第２方向一方側ｙ１寄りに位置する。第２ボンディング部３４は、第１ボンディング部２４に対して第１方向他方側ｘ２且つ第２方向一方側ｙ１に離隔している。第２ボンディング部３４は、ワイヤ５がボンディングされる部位である。

第４部３１および第５部３２の各々は、第１主面１１において第１方向他方側ｘ２１に位置する。第４部３１は、第１主面１１において第２方向一方側ｙ１に位置する。図１、図１０に示すように、第４部３１は、端縁１１０に接している。図１に示すように、第４部３１は、第１主面１１上において第２ボンディング部３４につながっている。第５部３２は、第１主面１１において第２方向他方側ｙ２に位置する。第５部３２は、第１端縁１１１に接している。第５部３２は、第１主面１１上において第２ボンディング部３４から離隔している。また、第５部３２は、第２方向ｙにおいて第４部３１と離隔している。

第２連絡部３５は、第１主面１１において第２方向一方側ｙ１寄りに位置する。第２連絡部３５は、第１主面１１上において第２ボンディング部３４および第４部３１の双方につながっている。これにより、第４部３１は、第１主面１１上において、第２連絡部３５を介して第２ボンディング部３４につながっている。

図１に示すように、本実施形態において、第４部３１の第２方向ｙにおける長さ（第４寸法Ｌ４）と第５部３２の第２方向ｙにおける長さ（第４寸法Ｌ４）とは、同一である。ここで、第４寸法Ｌ４および第５寸法Ｌ５が同一であるとは、第４寸法Ｌ４と第５寸法Ｌ５が一致する場合だけでなく、製造上の誤差等に起因して多少異なる場合を含むものとする。

第１主面１１の第２方向ｙにおける長さ（第３寸法Ｌ３）に対する第５部３２の第２方向ｙにおける長さ（第５寸法Ｌ５）の割合は、たとえば０．１～０．８倍の範囲である。図１に示した例では、第３寸法Ｌ３に対する第５寸法Ｌ５の割合は、約０．２８倍である。

第６部３３は、第１主面１１とは異なる部位に形成されている。図３～図５および図１０に示すように、本実施形態において、第６部３３は、第２主面１２に形成されている。第６部３３は、第２主面１２において第１方向他方側ｘ２に位置する。第３部２３は、第２方向ｙに沿って延びており、第２端縁１２２および第３端縁１２３の双方に接している。

図１、図４、図７および図８に示すように、溝中継部３６１は、凹溝１７３に形成されており、溝中継部３６２は凹溝１７４に形成されている。溝中継部３６１は、凹溝１７３の全てを覆っている。溝中継部３６１は、第４部３１および第６部３３の双方につながっている。溝中継部３６２は、凹溝１７４の全てを覆っている。溝中継部３６２は、第５部３２および第６部３３の双方につながっている。上記構成により、第４部３１と第５部３２とは、第６部３３および溝中継部３６１，３６２を介して互いに導通している。溝中継部３６１，３６２は、本開示の第６部の一部を構成する一例である。

半導体発光素子４は、半導体発光装置Ａ１の発光源である。半導体発光素子４の具体的構成は何ら限定されず、たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）等である。本実施形態においては、半導体発光素子４は、たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）である。なお、本開示の半導体発光装置が備える半導体発光素子の個数は、何ら限定されず、２つ以上であってもよい。

図１、図５および図６に示すように、半導体発光素子４は、電極４１および電極４２を有する。電極４１は、厚さ方向一方側ｚ１に配置されている。電極４２は、厚さ方向他方側ｚ２に配置されている。電極４２は、接合材４９によって第１ボンディング部２４に導通接合されている。接合材４９は、たとえば、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材である。このように第１ボンディング部２４に搭載された半導体発光素子４は、厚さ方向ｚに見て、基板１の中央（第１方向ｘおよび第２方向ｙそれぞれの中央）に配置されている。

ワイヤ５は、半導体発光素子４の電極４１と第２ボンディング部３４とに接続されている。ワイヤ５は、たとえばＡｕ（金）等の金属からなる。半導体発光素子４の電極４１は、このワイヤ５によって第２ボンディング部３４に導通接合されている。

透光樹脂６は、半導体発光素子４およびワイヤ５と、第１主面１１、第１電極２および第２電極３の一部ずつと、を覆っている。より具体的には、透光樹脂６は、第１電極２のうち、第１ボンディング部２４および第１連絡部２５と、第１部２１および第２部２２の一部ずつと、を覆っている。また、透光樹脂６は、第２電極３のうち、第２ボンディング部３４および第２連絡部３５と、第４部３１および第５部３２の一部ずつと、を覆っている。透光樹脂６は、半導体発光素子４からの光を透過する材質からなり、たとえば透明または半透明のエポキシ樹脂からなる。透光樹脂６の具体的構成は何ら限定されず、本実施形態においては、図２、図３、図５～図８および図１０に示すように、透光樹脂６は、天面６１、２つの側面６２および２つの斜面６３を有する。

天面６１は、厚さ方向一方側ｚ１に位置しており、第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿った平面である。２つの側面６２は、第２方向一方側ｙ１および第２方向他方側ｙ２にそれぞれ設けられており、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに沿った平面である。第２方向一方側ｙ１の側面６２は、基板１の側面１５と面一（またはほぼ面一）である。第２方向他方側ｙ２の側面６２は、基板１の側面１６と面一（またはほぼ面一）である。２つの斜面６３は、第１方向一方側ｘ１および第１方向他方側ｘ２にそれぞれ設けられている。斜面６３は、厚さ方向ｚに対して傾いている。

上述のように、透光樹脂６は、第１部２１および第２部２２の一部ずつと、第４部３１および第６部３３と、を覆っている。第１部２１、第２部２２、第４部３１および第５部３２それぞれにおいて透光樹脂６によって覆われた部位は、透光樹脂６と第１主面１１との間に介在している。第１部２１および第２部２２は、透光樹脂６から第１方向一方側ｘ１に延出した部分を有する。第１主面１１のうち、厚さ方向ｚに見て、第１部２１および第２部２２の透光樹脂６から第１方向一方側ｘ１それぞれ延出する部分により挟まれた領域が、透光樹脂６により薄く覆われる場合がある。また、第１主面１１のうち、厚さ方向ｚに見て、第４部３１および第５部３２の透光樹脂６から第１方向他方側ｘ２それぞれ延出する部分により挟まれた領域が、透光樹脂６により薄く覆われる場合がある。これは、半導体発光装置Ａ１の製造過程において透光樹脂６を形成する際に、形成に用いられる金型の平坦部分が、第１部２１、第２部２２、第４部３１、第５部３２それぞれの一部に押し当てられ、当該金型と第１部２１および第２部２２と第１主面１１とで囲まれた隙間、ならびに上記金型と第４部３１および第５部３２と第１主面１１とで囲まれた隙間に、樹脂材料が流れ込むことによる。

図２および図４～図６に示すように、絶縁膜７は、基板１の第２主面１２上に配置されている。絶縁膜７の具体的構成は何ら限定されず、たとえばレジスト層によって構成されている。絶縁膜７は、半導体発光装置Ａ１の接続方向を判断する目印として機能する。絶縁膜７は、第２主面１２において、第２方向ｙの中央付近であって第１方向ｘにおいて第３部２３と第６部３３との間に配置されている。絶縁膜７は、厚さ方向ｚに見て、第６部３３の側が第１方向ｘに突出する凸状をなす。このような形状の絶縁膜７は、半導体発光装置Ａ１の接続方向を判断する目印として機能する。

図１１は、半導体発光装置Ａ１を実装基板に実装した状態の一例を示す左側面図である。半導体発光装置Ａ１は、基板１の側面１６（第２方向他方側ｙ２を向く面）が実装基板９０（想像線で表す）と対向する姿勢で当該実装基板９０に実装されている。半導体発光装置Ａ１は、実装基板９０の表面と平行な方向（図１１における右側）に光を出射するサイドビュー型の光源として用いられる。実装基板９０の表面には、たとえば配線パターン（図示略）が形成されている。半導体発光装置Ａ１は、たとえばはんだなどの接合部を介して実装基板９０に実装される。溝中継部２６２、第２部２２、第３部２３、溝中継部３６２（図示せず）、第５部３２（図示せず）および第６部３３（図示せず）の各々と、実装基板９０とが、接合部により接合されている。図１１においては、接合部Ｓｄ１および接合部Ｓｄ２を想像線で表している。接合部Ｓｄ１は、第２部２２と実装基板９０とを接合している。接合部Ｓｄ２は、第３部２３と実装基板９０とを接合している。

次に、本実施形態の半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。

半導体発光装置Ａ１は、基板１に設けられた第１電極２と、基板１の第１主面１１に搭載された半導体発光素子４と、を備える。第１電極２は、第１ボンディング部２４、第１部２１、第２部２２および第３部２３を含む。第１ボンディング部２４は、第１主面１１に形成されるとともに、接合材４９を介して半導体発光素子４（電極４２）と導通接合されている。第１部２１および第２部２２は、第１主面１１に形成され、且つ基板１において第１方向一方側ｘ１に配置されている。第１部２１は、第１主面１１上において第１ボンディング部２４につながる。一方、第２部２２は、第１主面１１上において第１ボンディング部２４から離隔するとともに、第２方向ｙにおいて第１部２１とも離隔している。第３部２３は、第１主面１１とは異なる部位（本実施形態では第２主面１２）に形成されており、第１部２１と第２部２２とは、第３部２３および溝中継部２６１，２６２を介して互いに導通している。

半導体発光装置Ａ１を実装基板９０に実装した際には、実装用のはんだが第２部２２と透光樹脂６との間から侵入する場合がある。半導体発光装置Ａ１の上記構成によれば、第２部２２が第１ボンディング部２４およびこれにつながる第１部２１から離隔しているため、半導体発光装置Ａ１の内部に侵入したはんだが第２部２２を伝って進んでも、第１部２１や第１ボンディング部２４に到達することは防止される。したがって、第１電極２が上記第１部２１、第２部２２、第３部２３および第１ボンディング部２４を有する構成によれば、はんだの侵入による不当な電気的導通などの不都合を防止することができる。また、半導体発光装置Ａ１においては、たとえば本実施形態と異なり、電極と透光樹脂との間に絶縁膜を介在させる場合などと比べて、第１主面１１上の絶縁膜の形成が不要である。このことは、半導体発光装置Ａ１の小型化を図るうえで好ましい。

半導体発光装置Ａ１は、基板１に設けられた第２電極３をさらに備える。第２電極３は、第２ボンディング部３４、第４部３１、第５部３２および第６部３３を含む。第２ボンディング部３４は、第１主面１１に形成されるとともに、ワイヤ５を介して半導体発光素子４（電極４１）と導通接合されている。第４部３１および第５部３２は、第１主面１１に形成され、且つ基板１において第１方向他方側ｘ２に配置されている。第４部３１は、第１主面１１上において第２ボンディング部３４につながる。一方、第５部３２は、第１主面１１上において第２ボンディング部３４から離隔するとともに、第２方向ｙにおいて第４部３１とも離隔している。第６部３３は、第１主面１１とは異なる部位（本実施形態では第２主面１２）に形成されており、第４部３１と第５部３２とは、第６部３３および溝中継部３６１，３６２を介して互いに導通している。

半導体発光装置Ａ１を実装基板９０に実装した際には、実装用のはんだが第５部３２と透光樹脂６との間から侵入する場合がある。このような構成によれば、半導体発光装置Ａ１を実装基板９０に実装した際、第５部３２が第２ボンディング部３４およびこれにつながる第４部３１から離隔しているため、半導体発光装置Ａ１の内部に侵入したはんだが第５部３２を伝って進んでも、第４部３１や第２ボンディング部３４に到達することは防止される。したがって、第２電極３が上記第４部３１、第５部３２、第６部３３および第２ボンディング部３４を有する構成によれば、はんだの侵入による不当な電気的導通などの不都合を防止することができる。また、半導体発光装置Ａ１においては、たとえば本実施形態と異なり、電極と透光樹脂との間に絶縁膜を介在させる場合などと比べて、第１主面１１上の絶縁膜の形成が不要である。このことは、半導体発光装置Ａ１の小型化を図るうえで好ましい。

第１電極２の第１部２１は、第１主面１１において第２方向一方側ｙ１に位置し、第２部２２は第１主面１１において第２方向他方側ｙ２に位置する。第２電極３の第４部３１は、第１主面１１において第２方向一方側ｙ１に位置し、第５部３２は第１主面１１において第２方向他方側ｙ２に位置する。このような構成によれば、半導体発光装置Ａ１の内部への不当なはんだの侵入を適切に防止することができる。

第１電極２の第２部２２は、第１主面１１の第１方向他方側ｘ２の第１端縁１１１に接している。第３部２３は、第２主面１２に形成されており、第２主面１２における第２方向一方側ｙ１の第２端縁１２２および第２方向他方側ｙ２の第３端縁１２３の双方に接している。第２部２２の第２方向ｙの長さである第２寸法Ｌ２は、第１部２１の第２方向ｙの長さである第１寸法Ｌ１と同一である。第１主面１１の第２方向ｙにおける長さ（第３寸法Ｌ３）に対する第２部２２の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）の割合は、０．１～０．８倍の範囲である。第２部２２および第３部２３はそれぞれ、はんだにより実装基板９０に接合される。第２部２２に接合されたはんだは、第２部２２の第２方向ｙの第２寸法Ｌ２に対応する範囲に形成される。第３部２３に接合されたはんだは、第３部２３の第２方向ｙにおいて十分広範囲に形成される（図１１参照）。このような構成によれば、半導体発光装置Ａ１の実装強度を高めることができる。

第２電極３の第５部３２は、第１主面１１の第１方向他方側ｘ２の第１端縁１１１に接している。第６部３３は、第２主面１２に形成されており、第２主面１２における第２方向一方側ｙ１の第２端縁１２２および第２方向他方側ｙ２の第３端縁１２３の双方に接している。第５部３２の第２方向ｙの長さである第５寸法Ｌ５は、第４部３１の第２方向ｙの長さである第４寸法Ｌ４と同一である。第１主面１１の第２方向ｙにおける長さ（第３寸法Ｌ３）に対する第５部３２の第２方向ｙにおける長さ（第５寸法Ｌ５）の割合は、０．１～０．８倍の範囲である。第５部３２および第６部３３はそれぞれ、はんだにより実装基板９０に接合される。第２部２２に接合されたはんだは、第５部３２の第２方向ｙの第５寸法Ｌ５に対応する範囲に形成される。第６部３３に接合されたはんだは、第６部３３の第２方向ｙにおいて十分広範囲に形成される。このような構成によれば、半導体発光装置Ａ１の実装強度を高めることができる。

＜第２実施形態＞
図１２～図１４は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示している。 図１２は、本実施形態の半導体発光装置Ａ２の平面図である。図１３は、半導体発光装置Ａ２の底面図である。図１４は、半導体発光装置Ａ２の左側面図である。なお、図１２以降の図面において、上記実施形態の半導体発光装置Ａ１と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。また、各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。

本実施形態の半導体発光装置Ａ２においては、主に第１電極２の第２部２２および第２電極３の第５部３２の構成が上記実施形態と異なっている。また、半導体発光装置Ａ２においては、第１絶縁膜７１および第２絶縁膜７２が追加して設けられている。

本実施形態では、第２部２２の第２方向ｙの長さ（第２寸法Ｌ２）が上記実施形態と比べて大である。そして、第２部２２の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）は、第１部２１の第２方向ｙにおける長さ（第１寸法Ｌ１）よりも大である。図１２に示した例では、第１主面１１の第２方向ｙにおける長さ（第３寸法Ｌ３）に対する第２部２２の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）の割合は、約０．５９倍である。

半導体発光装置Ａ２においては、第５部３２の第２方向ｙの長さ（第５寸法Ｌ５）が上記実施形態と比べて大である。第５部３２の第２方向ｙにおける長さ（第５寸法Ｌ５）は、第４部３１の第２方向ｙにおける長さ（第４寸法Ｌ４）よりも大である。図１２に示した例では、第１主面１１の第２方向ｙにおける長さ（第３寸法Ｌ３）に対する第５部３２の第２方向ｙにおける長さ（第５寸法Ｌ５）の割合は、約０．５９倍である。

図１３、図１４に示すように、第１絶縁膜７１および第２絶縁膜７２は、第２主面１２上に配置されている。第１絶縁膜７１および第２絶縁膜７２の具体的構成は何ら限定されず、たとえばレジスト層によって構成されている。

第１絶縁膜７１は、第３部２３に積層されており、図示した例では、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘに延びる帯状である。第１絶縁膜７１は、第３部２３上および第２主面１２上に跨って形成されている。第１絶縁膜７１は、厚さ方向ｚに見て、第３部２３を第２方向一方側ｙ１と第２方向他方側ｙ２とに区画する。第１絶縁膜７１は、第２主面１２において、第２方向一方側ｙ１寄りに配置される。第１絶縁膜７１によって区画された第３部２３のうち、第２方向他方側ｙ２に位置する部位の第２方向の長さは、第２部２２の第２方向ｙの長さ（第２寸法Ｌ２）と同程度である。

第２絶縁膜７２は、第２主面１２上に配置されている。第２絶縁膜７２は、第６部３３に積層されており、図示した例では、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘに延びる帯状である。第２絶縁膜７２は、第６部３３上および第２主面１２上に跨って形成されている。第２絶縁膜７２は、厚さ方向ｚに見て、第６部３３を第２方向一方側ｙ１と第２方向他方側ｙ２とに区画する。第２絶縁膜７２は、第２主面１２において、第２方向一方側ｙ１寄りに配置される。第２絶縁膜７２によって区画された第６部３３のうち、第２方向他方側ｙ２に位置する部位の第２方向の長さは、第５部３２の第２方向ｙの長さ（第５寸法Ｌ５）と同程度である。

図１５は、半導体発光装置Ａ２を実装基板に実装した状態の一例を示す左側面図である。半導体発光装置Ａ２は、基板１の側面１６（第２方向他方側ｙ２を向く面）が実装基板９０（想像線で表す）と対向する姿勢で当該実装基板９０に実装されている。

本実施形態によれば、半導体発光装置Ａ２を実装基板９０に実装した際、第２部２２が第１ボンディング部２４およびこれにつながる第１部２１から離隔しているため、半導体発光装置Ａ２の内部に侵入したはんだが第２部２２を伝って進んでも、第１部２１や第１ボンディング部２４に到達することは防止される。したがって、第１電極２が第１部２１、第２部２２、第３部２３および第１ボンディング部２４を有する構成によれば、はんだの侵入による不当な電気的導通などの不都合を防止することができる。また、半導体発光装置Ａ２においては、たとえば本実施形態と異なり、電極と透光樹脂との間に絶縁膜を介在させる場合などと比べて、第１主面１１上の絶縁膜の形成が不要である。このことは、半導体発光装置Ａ２の小型化を図るうえで好ましい。

半導体発光装置Ａ２を実装基板９０に実装した際、第５部３２が第２ボンディング部３４およびこれにつながる第４部３１から離隔しているため、半導体発光装置Ａ２の内部に侵入したはんだが第５部３２を伝って進んでも、第４部３１や第２ボンディング部３４に到達することは防止される。したがって、第２電極３が第４部３１、第５部３２、第６部３３および第２ボンディング部３４を有する構成によれば、はんだの侵入による不当な電気的導通などの不都合を防止することができる。また、半導体発光装置Ａ２においては、たとえば本実施形態と異なり、電極と透光樹脂との間に絶縁膜を介在させる場合などと比べて、第１主面１１上の絶縁膜の形成が不要である。このことは、半導体発光装置Ａ２の小型化を図るうえで好ましい。

第２部２２の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）は、第１部２１の第２方向ｙにおける長さ（第１寸法Ｌ１）よりも大である。第２部２２および第３部２３はそれぞれ、はんだにより実装基板９０に接合される。第２部２２に接合されたはんだは、第２部２２の第２方向ｙの第２寸法Ｌ２に対応する範囲に形成される。第３部２３に接合されたはんだは、第３部２３のうち第１絶縁膜７１により区画された第２方向他方側ｙ２に形成される（図１５参照）。このような構成によれば、第２部２２に接合されたはんだと第３部２３に接合されたはんだの大きさのばらつきを抑制することができる。これにより、半導体発光装置Ａ２の実装強度を高め、且つより安定して実装することが可能である。

第５部３２の第２方向ｙにおける長さ（第５寸法Ｌ５）は、第４部３１の第２方向ｙにおける長さ（第４寸法Ｌ４）よりも大である。第５部３２および第６部３３はそれぞれ、はんだにより実装基板９０に接合される。第５部３２に接合されたはんだは、第５部３２の第２方向ｙの第５寸法Ｌ５に対応する範囲に形成される。第６部３３に接合されたはんだは、第６部３３のうち第２絶縁膜７２により区画された第２方向他方側ｙ２に形成される。このような構成によれば、第５部３２に接合されたはんだと第６部３３に接合されたはんだの大きさのばらつきを抑制することができる。これにより、半導体発光装置Ａ２の実装強度を高め、且つより安定して実装することが可能である。その他にも、上記実施形態の半導体発光装置Ａ１と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

＜第３実施形態＞
図１６～図１８は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示している。図１６は、本実施形態の半導体発光装置Ａ３の平面図である。図１７は、半導体発光装置Ａ３の正面図である。図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

本実施形態の半導体発光装置Ａ３においては、主に第１電極２の第２部２２および第２電極３の第５部３２の構成が上記実施形態と異なっている。本実施形態では、第２部２２および第５部３２の各々の第１方向ｘの長さが、上記実施形態と比べて小である。第２部２２の第１方向他方側ｘ２の端縁は、上記実施形態と比べて第１方向一方側ｘ１寄りに位置する。第５部３２の第１方向一方側ｘ１の端縁は、上記実施形態と比べ第１方向他方側ｘ２寄りに位置する。これにより、第２部２２および第５部３２は、それぞれ透光樹脂６から露出している。

このような構成によれば、半導体発光装置Ａ３を実装基板に実装した際、第２部２２（第５部３２）に接合されるはんだが当該第２部２２（第５部３２）を伝って半導体発光装置Ａ３の内部に侵入することは防止される。はんだの侵入による不都合を防止することができる。また、半導体発光装置Ａ３においては、たとえば本実施形態と異なり、電極と透光樹脂との間に絶縁膜を介在させる場合などと比べて、第１主面１１上の絶縁膜の形成が不要である。このことは、半導体発光装置Ａ３の小型化を図るうえで好ましい。その他にも、上記実施形態の半導体発光装置Ａ１と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

＜第４実施形態＞
図１９～図２３は、本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示している。図１９は、本実施形態の半導体発光装置Ａ４の平面図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図１９のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図２３は、図１９のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。

本実施形態の半導体発光装置Ａ４においては、主に基板１、第１電極２および第２電極３の構成が上記実施形態と異なっている。本実施形態では、基板１の４隅には凹溝１７１～１７４が設けられていない。これに代えて、基板１は、貫通孔１８１～１８４を有する。貫通孔１８１～１８４の各々は、基板１の厚さ方向ｚに貫通している。貫通孔１８１は、厚さ方向ｚに見て第１部２１および第３部２３に重なる。貫通孔１８２は、厚さ方向ｚに見て第２部２２および第３部２３に重なる。貫通孔１８３は、厚さ方向ｚに見て第４部３１および第６部３３に重なる。貫通孔１８４は、厚さ方向ｚに見て第５部３２および第６部３３に重なる。

本実施形態において、第１電極２は、溝中継部２６１，２６２を有しておらず、これに代えて貫通導電部２７１，２７２を有する。貫通導電部２７１は、貫通孔１８１に充填されている。貫通導電部２７１は、第１部２１および第３部２３の双方につながっている。貫通導電部２７１は、厚さ方向ｚに見て第１主面１１に重なり、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置する。貫通導電部２７２は、貫通孔１８２に充填されている。貫通導電部２７２は、第２部２２および第３部２３の双方につながっている。貫通導電部２７２は、厚さ方向ｚに見て第１主面１１に重なり、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置する。上記構成により、第１部２１と第２部２２とは、第３部２３および貫通導電部２７１，２７２を介して互いに導通している。貫通導電部２７１，２７２は、本開示の第３部の一部を構成する一例である。

本実施形態において、第２電極３は、溝中継部３６１，３６２を有しておらず、これに代えて貫通導電部３７１，３７２を有する。貫通導電部３７１は、貫通孔１８３に充填されている。貫通導電部３７１は、第４部３１および第６部３３の双方につながっている。貫通導電部３７１は、厚さ方向ｚに見て第１主面１１に重なり、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置する。貫通導電部３７２は、貫通孔１８４に充填されている。貫通導電部３７２は、第５部３２および第６部３３の双方につながっている。貫通導電部３７２は、厚さ方向ｚに見て第１主面１１に重なり、厚さ方向ｚにおいて第１主面１１と第２主面１２との間に位置する。上記構成により、第４部３１と第５部３２とは、第６部３３および貫通導電部３７１，３７２を介して互いに導通している。貫通導電部３７１，３７２は、本開示の第６部の一部を構成する一例である。

本実施形態によれば、半導体発光装置Ａ４を実装基板に実装した際、第２部２２が第１ボンディング部２４およびこれにつながる第１部２１から離隔しているため、半導体発光装置Ａ４の内部に侵入したはんだが第２部２２を伝って進んでも、第１部２１や第１ボンディング部２４に到達することは防止される。したがって、第１電極２が第１部２１、第２部２２、第３部２３および第１ボンディング部２４を有する構成によれば、はんだの侵入による不当な電気的導通などの不都合を防止することができる。また、半導体発光装置Ａ４においては、たとえば本実施形態と異なり、電極と透光樹脂との間に絶縁膜を介在させる場合などと比べて、第１主面１１上の絶縁膜の形成が不要である。このことは、半導体発光装置Ａ４の小型化を図るうえで好ましい。

半導体発光装置Ａ４を実装基板に実装した際、第５部３２が第２ボンディング部３４およびこれにつながる第４部３１から離隔しているため、半導体発光装置Ａ４の内部に侵入したはんだが第５部３２を伝って進んでも、第４部３１や第２ボンディング部３４に到達することは防止される。したがって、第２電極３が第４部３１、第５部３２、第６部３３および第２ボンディング部３４を有する構成によれば、はんだの侵入による不当な電気的導通などの不都合を防止することができる。また、半導体発光装置Ａ４においては、たとえば本実施形態と異なり、電極と透光樹脂との間に絶縁膜を介在させる場合などと比べて、第１主面１１上の絶縁膜の形成が不要である。このことは、半導体発光装置Ａ４の小型化を図るうえで好ましい。その他にも、上記実施形態の半導体発光装置Ａ１と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

本開示に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

本開示は、以下の付記に関する構成を含む。

〔付記１〕
厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第２主面を有する基板と、
前記基板に設けられた第１電極と、
前記第１主面に搭載された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆う透光樹脂と、を備え、
前記第１電極は、第１ボンディング部、第１部、第２部および第３部を含み、
前記第１ボンディング部は、前記第１主面に形成され、且つ前記半導体発光素子と導通接合されており、
前記第１部および前記第２部の各々は、前記第１主面に形成され、且つ前記基板において前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側に配置されており、
前記第１部は、前記第１主面上において前記第１ボンディング部につながり、
前記第２部は、前記第１主面上において前記第１ボンディング部から離隔し、且つ前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向において前記第１部と離隔しており、
前記第３部は、前記第１主面とは異なる部位に形成され、
前記第１部と前記第２部とは、前記第３部を介して互いに導通している、半導体発光装置。
〔付記２〕
前記第１部は、前記第１主面において前記第２方向の一方側に位置し、
前記第２部は、前記第１主面において前記第２方向の他方側に位置する、付記１に記載の半導体発光装置。
〔付記３〕
前記第１電極は、前記第１ボンディング部および前記第１部の双方につながる第１連絡部を含み、
前記第１連絡部は、前記第１主面において前記第２方向の一方側寄りに位置する、付記２に記載の半導体発光装置。
〔付記４〕
前記第１主面は、前記第２方向の他方側に位置する第１端縁を有し、
前記第２部は、前記第１端縁に接している、付記２または３に記載の半導体発光装置。
〔付記５〕
前記第２部の前記第２方向における長さである第２寸法は、前記第１部の前記第２方向における長さである第１寸法と同一または前記第１寸法よりも大である、付記４に記載の半導体発光装置。
〔付記６〕
前記第１主面の前記第２方向における長さに対する前記第２部の前記第２方向における長さの割合は、０．１～０．８倍の範囲である、付記４または５に記載の半導体発光装置。
〔付記７〕
前記第３部は、前記第２主面に形成されている、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記８〕
前記第２主面は、前記第２方向の一方側に位置する第２端縁と、前記第２方向の他方側に位置する第３端縁とを有し、
前記第３部は、前記第２端縁および前記第３端縁の双方に接している、付記７に記載の半導体発光装置。
〔付記９〕
前記第３部に積層された第１絶縁膜をさらに備え、
前記第１絶縁膜は、前記厚さ方向に見て、前記第３部を前記第２方向の一方側と他方側とに区画する、付記７または８に記載の半導体発光装置。
〔付記１０〕
前記第３部は、前記厚さ方向に見て前記第１主面に重なり、且つ前記厚さ方向において前記第１主面と前記第２主面との間に位置する、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１１〕
前記第２部は、前記透光樹脂から露出している、付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１２〕
前記基板に設けられた第２電極をさらに備え、
前記第２電極は、第２ボンディング部、第４部、第５部および第６部を含み、
前記第２ボンディング部は、前記第１主面に形成され、且つ前記半導体発光素子と導通接合されており、
前記第４部および前記第５部の各々は、前記第１主面に形成され、且つ前記基板において前記第１方向の他方側に配置されており、
前記第４部は、前記第１主面上において前記第２ボンディング部につながり、
前記第５部は、前記第１主面上において前記第２ボンディング部から離隔し、且つ前記第２方向において前記第４部と離隔しており、
前記第６部は、前記第１主面とは異なる部位に形成され、
前記第４部と前記第５部とは、前記第６部を介して互いに導通している、付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１３〕
前記第４部は、前記第１主面において前記第２方向の一方側に位置し、
前記第５部は、前記第１主面において前記第２方向の他方側に位置する、付記１２に記載の半導体発光装置。
〔付記１４〕
前記第１主面は、前記第２方向の他方側に位置する第１端縁を有し、
前記第５部は、前記第１端縁に接している、付記１３に記載の半導体発光装置。
〔付記１５〕
前記第５部の前記第２方向における長さである第５寸法は、前記第４部の前記第２方向における長さである第４寸法と同一または前記第４寸法よりも大である、付記１４に記載の半導体発光装置。
〔付記１６〕
前記第１主面の前記第２方向における長さに対する前記第５部の前記第２方向における長さの割合は、０．１～０．８倍の範囲である、付記１４または１５に記載の半導体発光装置。
〔付記１７〕
前記第６部は、前記第２主面に形成されている、付記１２ないし１６のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１８〕
前記第２主面は、前記第２方向の一方側に位置する第２端縁と、前記第２方向の他方側に位置する第３端縁とを有し、
前記第６部は、前記第２端縁および前記第３端縁の双方に接している、付記１７に記載の半導体発光装置。
〔付記１９〕
前記第６部に積層された第２絶縁膜をさらに備え、
前記第２絶縁膜は、前記厚さ方向に見て、前記第６部を前記第２方向の一方側と他方側とに区画する、付記１７または１８に記載の半導体発光装置。
〔付記２０〕
前記第６部は、前記厚さ方向に見て前記第１主面に重なり、且つ前記厚さ方向において前記第１主面と前記第２主面との間に位置する、付記１２ないし１６のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記２１〕
前記第５部は、前記透光樹脂から露出している、付記１２ないし２０のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記２２〕
前記半導体発光素子は、前記第１ボンディング部上に配置されている、付記１ないし２１のいずれかに記載の半導体発光装置。

Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４：半導体発光装置
１ ：基板
１１ ：第１主面
１１０ ：端縁
１１１ ：第１端縁
１２ ：第２主面
１２２ ：第２端縁
１２３ ：第３端縁
１３，１４，１５，１６：側面
１７１，１７２，１７３，１７４：凹溝
１８１，１８２，１８３，１８４：貫通孔
２ ：第１電極
２１ ：第１部
２２ ：第２部
２３ ：第３部
２４ ：第１ボンディング部
２５ ：第１連絡部
２６１，２６２：溝中継部
２７１，２７２：貫通導電部
３ ：第２電極
３１ ：第４部
３２ ：第５部
３３ ：第６部
３４ ：第２ボンディング部
３５ ：第２連絡部
３６１，３６２：溝中継部
３７１，３７２：貫通導電部
４ ：半導体発光素子
４１，４２：電極
４９ ：接合材
５ ：ワイヤ
６ ：透光樹脂
６１ ：天面
６２ ：側面
６３ ：斜面
７ ：絶縁膜
７１ ：第１絶縁膜
７２ ：第２絶縁膜
９０ ：実装基板
Ｓｄ１，Ｓｄ２：接合部
Ｌ１ ：第１寸法
Ｌ２ ：第２寸法
Ｌ３ ：第３寸法
Ｌ４ ：第４寸法
Ｌ５ ：第５寸法
ｘ ：第１方向
ｘ１ ：第１方向一方側
ｘ２ ：第１方向他方側
ｙ ：第２方向
ｙ１ ：第２方向一方側
ｙ２ ：第２方向他方側
ｚ ：厚さ方向
ｚ１ ：厚さ方向一方側
ｚ２ ：厚さ方向他方側

Claims (22)

1. 厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第２主面を有する基板と、
   前記基板に設けられた第１電極と、
   前記第１主面に搭載された半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子を覆う透光樹脂と、を備え、
   前記第１電極は、第１ボンディング部、第１部、第２部および第３部を含み、
   前記第１ボンディング部は、前記第１主面に形成され、且つ前記半導体発光素子と導通接合されており、
   前記第１部および前記第２部の各々は、前記第１主面に形成され、且つ前記基板において前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側に配置されており、
   前記第１部は、前記第１主面上において前記第１ボンディング部につながり、
   前記第２部は、前記第１主面上において前記第１ボンディング部から離隔し、且つ前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向において前記第１部と離隔しており、
   前記第３部は、前記第１主面とは異なる部位に形成され、
   前記第１部と前記第２部とは、前記第３部を介して互いに導通している、半導体発光装置。
2. 前記第１部は、前記第１主面において前記第２方向の一方側に位置し、
   前記第２部は、前記第１主面において前記第２方向の他方側に位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記第１電極は、前記第１ボンディング部および前記第１部の双方につながる第１連絡部を含み、
   前記第１連絡部は、前記第１主面において前記第２方向の一方側寄りに位置する、請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記第１主面は、前記第２方向の他方側に位置する第１端縁を有し、
   前記第２部は、前記第１端縁に接している、請求項２または３に記載の半導体発光装置。
5. 前記第２部の前記第２方向における長さである第２寸法は、前記第１部の前記第２方向における長さである第１寸法と同一または前記第１寸法よりも大である、請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 前記第１主面の前記第２方向における長さに対する前記第２部の前記第２方向における長さの割合は、０．１～０．８倍の範囲である、請求項４または５に記載の半導体発光装置。
7. 前記第３部は、前記第２主面に形成されている、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
8. 前記第２主面は、前記第２方向の一方側に位置する第２端縁と、前記第２方向の他方側に位置する第３端縁とを有し、
   前記第３部は、前記第２端縁および前記第３端縁の双方に接している、請求項７に記載の半導体発光装置。
9. 前記第３部に積層された第１絶縁膜をさらに備え、
   前記第１絶縁膜は、前記厚さ方向に見て、前記第３部を前記第２方向の一方側と他方側とに区画する、請求項７または８に記載の半導体発光装置。
10. 前記第３部は、前記厚さ方向に見て前記第１主面に重なり、且つ前記厚さ方向において前記第１主面と前記第２主面との間に位置する、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
11. 前記第２部は、前記透光樹脂から露出している、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
12. 前記基板に設けられた第２電極をさらに備え、
    前記第２電極は、第２ボンディング部、第４部、第５部および第６部を含み、
    前記第２ボンディング部は、前記第１主面に形成され、且つ前記半導体発光素子と導通接合されており、
    前記第４部および前記第５部の各々は、前記第１主面に形成され、且つ前記基板において前記第１方向の他方側に配置されており、
    前記第４部は、前記第１主面上において前記第２ボンディング部につながり、
    前記第５部は、前記第１主面上において前記第２ボンディング部から離隔し、且つ前記第２方向において前記第４部と離隔しており、
    前記第６部は、前記第１主面とは異なる部位に形成され、
    前記第４部と前記第５部とは、前記第６部を介して互いに導通している、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
13. 前記第４部は、前記第１主面において前記第２方向の一方側に位置し、
    前記第５部は、前記第１主面において前記第２方向の他方側に位置する、請求項１２に記載の半導体発光装置。
14. 前記第１主面は、前記第２方向の他方側に位置する第１端縁を有し、
    前記第５部は、前記第１端縁に接している、請求項１３に記載の半導体発光装置。
15. 前記第５部の前記第２方向における長さである第５寸法は、前記第４部の前記第２方向における長さである第４寸法と同一または前記第４寸法よりも大である、請求項１４に記載の半導体発光装置。
16. 前記第１主面の前記第２方向における長さに対する前記第５部の前記第２方向における長さの割合は、０．１～０．８倍の範囲である、請求項１４または１５に記載の半導体発光装置。
17. 前記第６部は、前記第２主面に形成されている、請求項１２ないし１６のいずれかに記載の半導体発光装置。
18. 前記第２主面は、前記第２方向の一方側に位置する第２端縁と、前記第２方向の他方側に位置する第３端縁とを有し、
    前記第６部は、前記第２端縁および前記第３端縁の双方に接している、請求項１７に記載の半導体発光装置。
19. 前記第６部に積層された第２絶縁膜をさらに備え、
    前記第２絶縁膜は、前記厚さ方向に見て、前記第６部を前記第２方向の一方側と他方側とに区画する、請求項１７または１８に記載の半導体発光装置。
20. 前記第６部は、前記厚さ方向に見て前記第１主面に重なり、且つ前記厚さ方向において前記第１主面と前記第２主面との間に位置する、請求項１２ないし１６のいずれかに記載の半導体発光装置。
21. 前記第５部は、前記透光樹脂から露出している、請求項１２ないし２０のいずれかに記載の半導体発光装置。
22. 前記半導体発光素子は、前記第１ボンディング部上に配置されている、請求項１ないし２１のいずれかに記載の半導体発光装置。

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