JP2021089933A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021089933A JP2021089933A JP2019218716A JP2019218716A JP2021089933A JP 2021089933 A JP2021089933 A JP 2021089933A JP 2019218716 A JP2019218716 A JP 2019218716A JP 2019218716 A JP2019218716 A JP 2019218716A JP 2021089933 A JP2021089933 A JP 2021089933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lift pin
- susceptor
- shaft portion
- wafer
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 14
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】ウェーハをサセプタに載置する際に発生するリフトピンの引っ掛かりを抑制できる気相成長装置。【解決手段】サセプタ及びリフトピンを有する気相成長装置であって、前記サセプタは、成膜を行うウェーハを載置するザグリと該ザグリにはリフトピンが挿通される貫通孔とを有し、該貫通孔はリフトピン頭部と係合するリフトピン受け部を有し、前記リフトピンは、軸部と該軸部より直径が大きい頭部を有し、前記リフトピン頭部の下部には、前記リフトピン頭部の上部から前記軸部に向かって直径が漸次小さくなるテーパー部が設けられており、前記軸部の中心軸に垂直な面と前記テーパー部のなす角が６０°以上７５°以下のものである気相成長装置。【選択図】図１
Description
本発明は、リフトピンを昇降させてサセプタ上のウェーハの着脱を行う気相成長装置に関する。
気相成長法によりウェーハの表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハは、電子デバイスに広く使用されている。近年、電子デバイスの普及が進み、多数のエピタキシャルウェーハが使用されており、エピタキシャルウェーハの歩留まり向上が重要な課題となっている。
気相成長装置を用いてエピタキシャル層を成膜する場合、まず、サセプタに挿通しているリフトピンの上にウェーハを搬送し、その後ウェーハをサセプタ上のザグリに載置し、エピタキシャル成膜を行う。
リフトピンからサセプタ上のザグリにウェーハが載置されるとき、気相成長装置内の熱環境によりウェーハが変形を起こす場合があり、ウェーハの変形等の影響により、リフトピンにサセプタ主表面に対して水平方向の力が生じる場合がある。その結果、リフトピンがサセプタの貫通孔に収まらず、引っ掛かりが発生するケースがある。理想的には、図５に示すようにリフトピン４はサセプタ２の貫通孔に挿入されるが、引っ掛かりが生じた場合、例えば、図６に示すようにリフトピン４の頭部１３が引っかかる。
リフトピンの引っ掛かりが発生すると、ウェーハの裏面品質に影響を与えたり、場合によってはウェーハの傾きが発生する。ウェーハの傾きが発生した場合の一例を図７に示す。ウェーハＷの傾きが発生した場合、エピタキシャル成膜の膜厚均一性の著しい悪化を引き起こし、歩留まり悪化の要因となる。
特許文献１には、リフトピン頭部及びリフトピン頭部と係合するサセプタのリフトピン受け部が曲面状となっており、密着性を高めることが開示されているが、リフトピンの引っ掛かりについては考慮されていなかった。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ウェーハをサセプタに載置する際に発生するリフトピンの引っ掛かりを抑制できる気相成長装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、サセプタ及びリフトピンを有する気相成長装置であって、サセプタは、成膜を行うウェーハを載置するザグリとザグリにはリフトピンが挿通される貫通孔とを有し、貫通孔はリフトピン頭部と係合するリフトピン受け部を有し、リフトピンは、軸部と軸部より直径が大きい頭部を有し、リフトピン頭部の下部には、リフトピン頭部の上部から軸部に向かって直径が漸次小さくなるテーパー部が設けられており、軸部の中心軸に垂直な面とテーパー部のなす角が６０°以上７５°以下のものである気相成長装置を提供する。
このような気相成長装置であれば、リフトピンの引っ掛かりを抑制することができ、かつ、リフトピン頭部がリフトピン受け部から脱落することも防止できる。
このとき、リフトピン受け部は、テーパー部と係合するテーパー形状部を有しており、軸部の中心軸に垂直な面とテーパー形状部のなす角が６０°以上７５°以下のものとすることができる。
これにより、リフトピンの引っ掛かりをより有効に抑制することができ、かつ、リフトピン頭部がリフトピン受け部から脱落するのをより有効に防止することができる。
以上のように、本発明の気相成長装置によれば、リフトピンの引っ掛かりを抑制することができ、かつ、リフトピン頭部がリフトピン受け部から脱落するのを防止することが可能となる。これにより、ウェーハの裏面品質に悪影響を及ぼさず、またウェーハの傾きの発生を抑制することで、膜厚の均一性が高い膜を気相成長させることができ、歩留まりを向上することが可能となる。
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
上述のように、ウェーハの裏面品質に悪影響を及ぼさず、またウェーハの傾きの発生を抑制することで高い膜厚均一性を有する薄膜を気相成膜させ、歩留まりを向上させるために、リフトピンが引っかからない気相成長装置が求められていた。
本発明者は、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、サセプタ及びリフトピンを有する気相成長装置であって、サセプタは、成膜を行うウェーハを載置するザグリとザグリにはリフトピンが挿通される貫通孔とを有し、貫通孔はリフトピン頭部と係合するリフトピン受け部を有し、リフトピンは、軸部と軸部より直径が大きい頭部を有し、リフトピン頭部の下部には、リフトピン頭部の上部から軸部に向かって直径が漸次小さくなるテーパー部が設けられており、軸部の中心軸に垂直な面とテーパー部のなす角が６０°以上７５°以下のものである気相成長装置により、リフトピンの引っ掛かりを抑制することができ、かつ、リフトピン頭部がリフトピン受け部から脱落することも防止できることを見出し、本発明を完成させた。
本発明に係る気相成長装置の一例を、図を参照しながら以下に説明する。図１に記載の気相成長装置１００は、ウェーハＷ、ウェーハＷを支持する略円盤状のサセプタ２、サセプタ２が略水平状態で内部に配される反応容器１、ウェーハ回転機構３、サセプタ２に対して相対的にウェーハＷを上下動させるリフトピン４、サセプタ２に設けられリフトピン４の軸部１４が挿通される貫通孔５、リフトピン４の軸部１４が挿通された支持アーム９に設けられた貫通孔６、ウェーハリフトシャフト７、サセプタ２を下面側から支持するサセプタ支持部材８、サセプタ支持部材８の先端に設けられた支持アーム９、原料ガスを反応容器１内のサセプタ２の上側領域に導入してこのサセプタ２上のウェーハＷの主表面上に供給するガス導入管１０、反応容器１からガスを排気するガス排出管１１を備える気相成長装置である。
サセプタ２は、例えば、炭化珪素で被覆されたグラファイトから構成されており、その主表面には、図２に示すように、内部にエピタキシャル層が気相成長されるウェーハＷを載置するザグリ１２が形成されている。反応容器内を加熱するため、例えば、ハロゲンランプ等の加熱装置を気相成長装置１００に備えてもよい。
ザグリ１２の底面には、サセプタ２をその主表面側から主裏面側に亘って貫通する貫通孔５が形成されている。この貫通孔５には、リフトピン４が挿通されており、リフトピン４はそのリフトピン頭部をザグリ１２の底面に臨ませるように配設されている。
また、気相成長に用いるウェーハＷとしては、例えば、シリコン単結晶を用いることができるが、これに限定するものではない。
ウェーハシフトシャフト７は、上下方向に移動可能に設けられており、サセプタ支持部材８の先端部には、放射状に分岐するように複数の支持アーム９が設けられている。この支持アーム９の先端部は、サセプタ２の裏面に形成された凹部に嵌合されており、これにより、サセプタ２をその上面が略水平となるように支持している。
以下に、本発明に係る気相成長装置１００のリフトピン４及びサセプタ２に設けられた貫通孔５の周辺部について、図３及び図４を参照してさらに詳細に説明する。
図３に示すように、本発明に係るリフトピン４は、略円柱状に形成された軸部１４と、軸部１４に連続して軸部１４より直径が大きいリフトピン頭部１３とを備えて構成されている。
リフトピン頭部１３は、軸部１４と反対側の端部（上端面）に、ザグリ１２内に収納されるウェーハＷの主裏面に当接してウェーハＷを支持可能な略円形状の支持面１７と、リフトピン頭部１３の下部には、リフトピン頭部１３の上部から軸部１４に向かって直径が漸次小さくなるテーパー部１６を有している。
本発明に係るリフトピン４におけるリフトピン頭部１３の下部には、図３に示すように、リフトピン頭部１３の上部から軸部１４に向かって直径が漸次小さくなるテーパー部１６が設けられており、軸部１４の中心軸１５に垂直な面とテーパー部１６のなす角θ１が６０°以上７５°以下のものである
軸部１４の中心軸１５に垂直な面とテーパー部１６のなす角θ１が６０°未満であると引っ掛かりを抑制できず、また７５°より大きいとリフトピン頭部１３がリフトピン受け部から脱落してしまう。従って、軸部１４の中心軸１５に垂直な面とテーパー部１６のなす角θ１は６０°以上７５°以下でなければならない。
また、図４に示すように、本発明の気相成長装置１００におけるサセプタ２に形成された貫通孔５の上部のリフトピン受け部１８は、テーパー部１６と係合するテーパー形状部１９を有しており、軸部１４の中心軸１５に垂直な面とテーパー形状部１９のなす角θ２を６０°以上７５°以下の範囲にすることが好ましい。
軸部１４の中心軸１５に垂直な面とテーパー形状部１９のなす角θ２が６０°以上７５°以下の範囲であれば、リフトピン４の引っ掛かりをより有効に抑制することができ、かつ、リフトピン頭部１３がリフトピン受け部１８から脱落するのをより有効に防止できる。なお、軸部１４の中心軸１５に垂直な面とテーパー部１６のなす角θ１と、軸部１４の中心軸１５に垂直な面とテーパー形状部１９のなす角θ２が同じ角度であることが好ましい。このようにすれば、リフトピン４の引っ掛かりをより一層抑制することができ、かつ、リフトピン頭部１３がリフトピン受け部１８から脱落するのをより一層防止できる。
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例及び比較例において、リフトピンの軸部の中心軸に垂直な面とリフトピン頭部の下部のテーパー部のなす角をθとし、またリフトピン頭部の下部のテーパー部と係合する角度のテーパー形状部を設けたリフトピン受け部を有する貫通孔を備えたサセプタを用い、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを気相成長装置の反応容器内に搬送した際のリフトピンの引っ掛かり率Ｌを算出した。なお、サセプタの貫通孔の直径は、リフトピンが挿通されるため、リフトピンの軸部の直径よりも大きくなっている。
（実施例）
θが６０°及び７５°の水準では、リフトピン引っ掛かり率Ｌはそれぞれ０．６％、０．２％となり、いずれも引っ掛かり率Ｌは１％以下であった。
θが６０°及び７５°の水準では、リフトピン引っ掛かり率Ｌはそれぞれ０．６％、０．２％となり、いずれも引っ掛かり率Ｌは１％以下であった。
（比較例１）
θが３０°、４５°の水準では、リフトピン引っ掛かり率Ｌはそれぞれ２．５％、１．４％となり、いずれも引っ掛かり率Ｌは１％を超える結果となった。
θが３０°、４５°の水準では、リフトピン引っ掛かり率Ｌはそれぞれ２．５％、１．４％となり、いずれも引っ掛かり率Ｌは１％を超える結果となった。
（比較例２）
θが８０°の水準では、サセプタ及びリフトピンをセッティングする段階で、リフトピン頭部がサセプタのリフトピン挿通部と係合できず、リフトピンの脱落が発生したため、引っ掛かり率Ｌの算出は困難であった。
θが８０°の水準では、サセプタ及びリフトピンをセッティングする段階で、リフトピン頭部がサセプタのリフトピン挿通部と係合できず、リフトピンの脱落が発生したため、引っ掛かり率Ｌの算出は困難であった。
以上の結果をまとめたものを表１に示す。
θ＝８０°のリフトピンは、リフトピン頭部と軸部の直径差が小さく、部材の寸法公差も踏まえると、θが７５°より大きいと、テーパー部とテーパー形状部が係合できない可能性が高くなる。以上の結果から、θが６０°以上７５°以下の領域でリフトピンの引っ掛かりを抑制することが可能である。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１…反応容器、 ２…サセプタ、 ３…ウェーハ回転機構、 ４…リフトピン、
５…サセプタに設けられた貫通孔、 ６…支持アームに設けられた貫通孔、
７…ウェーハリフトシャフト、 ８…サセプタ支持部材、
９…支持アーム、 １０…ガス導入管、 １１…ガス排出管、 １２…ザグリ、
１３…リフトピン頭部、 １４…軸部、 １５…中心軸、 １６…テーパー部、
１７…支持面、 １８…リフトピン受け部、 １９…テーパー形状部、
１００…気相成長装置、
Ｗ…ウェーハ。
５…サセプタに設けられた貫通孔、 ６…支持アームに設けられた貫通孔、
７…ウェーハリフトシャフト、 ８…サセプタ支持部材、
９…支持アーム、 １０…ガス導入管、 １１…ガス排出管、 １２…ザグリ、
１３…リフトピン頭部、 １４…軸部、 １５…中心軸、 １６…テーパー部、
１７…支持面、 １８…リフトピン受け部、 １９…テーパー形状部、
１００…気相成長装置、
Ｗ…ウェーハ。
Claims (2)
- サセプタ及びリフトピンを有する気相成長装置であって、
前記サセプタは、成膜を行うウェーハを載置するザグリと該ザグリにはリフトピンが挿通される貫通孔とを有し、
該貫通孔はリフトピン頭部と係合するリフトピン受け部を有し、
前記リフトピンは、軸部と該軸部より直径が大きい頭部を有し、
前記リフトピン頭部の下部には、前記リフトピン頭部の上部から前記軸部に向かって直径が漸次小さくなるテーパー部が設けられており、前記軸部の中心軸に垂直な面と前記テーパー部のなす角が６０°以上７５°以下のものであることを特徴とする気相成長装置。 - 前記リフトピン受け部は、前記テーパー部と係合するテーパー形状部を有しており、前記軸部の中心軸に垂直な面と前記テーパー形状部のなす角が６０°以上７５°以下のものであることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019218716A JP2021089933A (ja) | 2019-12-03 | 2019-12-03 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019218716A JP2021089933A (ja) | 2019-12-03 | 2019-12-03 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021089933A true JP2021089933A (ja) | 2021-06-10 |
Family
ID=76220726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019218716A Pending JP2021089933A (ja) | 2019-12-03 | 2019-12-03 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021089933A (ja) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197719A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体製造装置および基板支持構造 |
| US20030178145A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-25 | Applied Materials, Inc. | Closed hole edge lift pin and susceptor for wafer process chambers |
| JP2004063779A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャルウェーハ製造装置及びサセプタ構造 |
| JP2006128205A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材 |
| US20060156987A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Chien-Hsing Lai | Lift pin mechanism and substrate carrying device of a process chamber |
| JP2011505691A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-24 | ザイカーブ・セラミクス・ビー．ブイ． | 半導体基板上の種々の材料の積層付着のための装置およびこのような装置で使用するためのリフトピン |
| JP2012519393A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-23 | コミコ株式会社 | リフトピン及びそれを含むウェハ処理装置 |
| JP2014220427A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| KR20160032501A (ko) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 기판안착장치 및 이를 포함한 기판처리장치 |
| JP2019169701A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-10-03 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | ハイブリッドリフトピン |
-
2019
- 2019-12-03 JP JP2019218716A patent/JP2021089933A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197719A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体製造装置および基板支持構造 |
| US20030178145A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-25 | Applied Materials, Inc. | Closed hole edge lift pin and susceptor for wafer process chambers |
| JP2004063779A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャルウェーハ製造装置及びサセプタ構造 |
| JP2006128205A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材 |
| US20060156987A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Chien-Hsing Lai | Lift pin mechanism and substrate carrying device of a process chamber |
| JP2011505691A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-24 | ザイカーブ・セラミクス・ビー．ブイ． | 半導体基板上の種々の材料の積層付着のための装置およびこのような装置で使用するためのリフトピン |
| JP2012519393A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-23 | コミコ株式会社 | リフトピン及びそれを含むウェハ処理装置 |
| JP2014220427A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| KR20160032501A (ko) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 기판안착장치 및 이를 포함한 기판처리장치 |
| JP2019169701A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-10-03 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | ハイブリッドリフトピン |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107851560B (zh) | 基座、外延生长装置、及外延晶圆 | |
| JP5604907B2 (ja) | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP5156446B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JP4661982B2 (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
| JP6539929B2 (ja) | ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JP5659493B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JP6424726B2 (ja) | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | |
| JP6602145B2 (ja) | 基板載置台及び気相成長装置 | |
| JP6965861B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2004119859A (ja) | サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 | |
| JP2005056984A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JP2021089933A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP6428358B2 (ja) | エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト | |
| JPWO2018207942A1 (ja) | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 | |
| JP2009176959A (ja) | サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 | |
| JP2010028013A (ja) | 気相成長装置用のサセプタ | |
| JP2018026503A (ja) | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP6587354B2 (ja) | サセプタ | |
| JP2007305991A (ja) | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP6493982B2 (ja) | サセプタ | |
| JP6838569B2 (ja) | ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2018041778A (ja) | 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2024085308A (ja) | サセプタ | |
| JP2009272465A (ja) | シリコンウェーハ及びエピタキシャル基板の製造方法。 | |
| JP2022159954A (ja) | サセプタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221027 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230530 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230613 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230926 |