JP2024085308A - サセプタ - Google Patents
サセプタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024085308A JP2024085308A JP2022199773A JP2022199773A JP2024085308A JP 2024085308 A JP2024085308 A JP 2024085308A JP 2022199773 A JP2022199773 A JP 2022199773A JP 2022199773 A JP2022199773 A JP 2022199773A JP 2024085308 A JP2024085308 A JP 2024085308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- protrusions
- epitaxial film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 76
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】サセプタのウエハを載置するポケット部に傾斜を設けるとともにウエハを位置ずれさせることなく保持し、半導体ウエハに傷等の損傷なく、均一なエピタキシャル膜を成膜することができるサセプタを提供する。【解決手段】基体2の上面に径方向外側に向かって下方に傾斜した複数のポケット部1と、前記ポケット部の内壁に形成され、半導体ウエハWの外周部を支持する複数の突起部3と、を有し、前記複数の突起部は、傾斜する前記ポケット部の下部側に配置されている。【選択図】図3
Description
本発明は、半導体基板上に均一な半導体エピタキシャル膜を形成することができるサセプタに関する。
近年、半導体素子の微細化に伴い、ウエハ表面の結晶欠陥の低減が求められている。この要求に応えるために、ウエハの表面およびその近傍に、結晶欠陥を高度に制御したエピタキシャル膜を成膜する技術が求められる。
エピタキシャルウエハは、図9に示すような気相エピタキシャル成長装置50を用いて、サセプタ52上に載せたシリコンウエハWの表面にエピタキシャル膜EPを気相成長させることによって製造される。シリコンウエハWは、サセプタ上面の中央部に形成された円形凹部(ポケット部と呼ぶ)に載せる。ポケット部は、円形の底壁とこれを取り囲む側壁とから構成され、底壁は平坦、または若干湾曲した形状を有し、側壁はサセプタの上面を所定の深さまで直角に切り込んで形成されている。そして、回転軸54を中心としてサセプタ52およびシリコンウエハWを所定方向に回転させ、チャンバ51の外側(図示せず)よりシリコンウエハWを加熱しつつ、反応ガス供給管55から排気管56へと水平に反応ガスGを供給する。このようにして、シリコンウエハWの表面上にエピタキシャル膜EPが気相成長する。
従来から、ウエハ表面に形成されるエピタキシャル膜の膜厚を均一にし、かつ、結晶欠陥を低減するため、サセプタについて、種々の提案がなされている。
特許文献1では、有機金属気相成長法により加熱された基板上に半導体結晶をエピタキシャル成長させる半導体気相成長装置において、図10に示すように、回転する板状のサセプタ20に、複数の基板Wを周方向に配置し、かつ、サセプタ20中心を下方に膨らませて基板Wの結晶成長面を、原料ガスGの流れ方向に対してθ=5°傾けることが記載されている。
特許文献1では、有機金属気相成長法により加熱された基板上に半導体結晶をエピタキシャル成長させる半導体気相成長装置において、図10に示すように、回転する板状のサセプタ20に、複数の基板Wを周方向に配置し、かつ、サセプタ20中心を下方に膨らませて基板Wの結晶成長面を、原料ガスGの流れ方向に対してθ=5°傾けることが記載されている。
しかしながら、基板を原料ガスの流れ方向に対して5°傾斜させると、サセプタ中心の成長速度がサセプタ外周部よりも大きくなり、均一なエピタキシャル膜を製造することが困難となる。また、ウエハを載せるポケット部が傾斜しているのに対して、サセプタ底面が水平であるために、サセプタの厚さが一定でなく、熱伝導が不均一となり、均一なエピタキシャル膜を製造することが困難である。
また、特許文献1の技術においてもなお、ウエハの結晶方位に起因する、エピタキシャルウエハの外周部の膜厚のばらつきにより、エピタキシャルウエハの外周部の領域を、半導体素子に使用することができないという課題があった。
このような課題に対し、特許文献2には、サセプタのウエハを載せるポケット部に傾斜を設けてウエハの結晶成長面を原料ガスの流れ方向に対して傾けることにより、サセプタ外周部および中心部におけるウエハのエピタキシャル膜の成長速度が同一となるように調節し、均一なエピタキシャル膜を製造しうるサセプタが開示されている。
具体的には、図11に示すように、回転する板状のサセプタ30の上面に周方向に、複数の半導体ウエハWを配置するためのポケット部31を有し、水平方向に対する各ポケット部31の傾斜角θが2.5°以上3.5°以下であり、かつ、サセプタ30の底面と上面とが平行である構成となされている。
具体的には、図11に示すように、回転する板状のサセプタ30の上面に周方向に、複数の半導体ウエハWを配置するためのポケット部31を有し、水平方向に対する各ポケット部31の傾斜角θが2.5°以上3.5°以下であり、かつ、サセプタ30の底面と上面とが平行である構成となされている。
特許文献2に開示されるように、回転する板状のサセプタの上面に周方向に、複数の半導体ウエハを配置するためのポケット部を設け、水平方向に対する各ポケット部の傾斜角を2.5°以上3.5°以下とし、かつ、サセプタの底面と上面とを平行とすることにより、均一なエピタキシャル膜を形成することができる。
しかしながら、特許文献2に開示されるサセプタにあっては、半導体ウエハを配置するポケット部が水平方向に対し傾斜しているため、サセプタの回転で発生する遠心力により、半導体ウエハが滑って位置ずれし、エピタキシャル膜の厚さにばらつきが生じるという課題があった。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、サセプタのウエハを載置するポケット部に傾斜を設けるとともにウエハを位置ずれさせることなく保持し、半導体ウエハに傷等の損傷なく、均一なエピタキシャル膜を成膜することができるサセプタを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明に係るサセプタは、基体の上面に径方向外側に向かって下方に傾斜した複数のポケット部と、前記ポケット部の内壁に形成され、半導体ウエハの外周部を支持する複数の突起部と、を有し、前記複数の突起部は、傾斜する前記ポケット部の下部側に配置されていることに特徴を有する。
なお、前記ポケット部に形成された突起部は、前記基体の中心と前記ポケット部の中心を結んだ線を境に左右対称に配置されていることが望ましい。
また、前記ポケット部に形成された突起部の数は、2個乃至6個であることが望ましい。
また、前記突起部の幅寸法cは、前記ポケット部の直径a、半導体ウエハの直径bに対して、(a-b)/4<c<(a-b)/2の範囲内であることが望ましい。
また、前記ポケット部に形成された突起部の数は、2個乃至6個であることが望ましい。
また、前記突起部の幅寸法cは、前記ポケット部の直径a、半導体ウエハの直径bに対して、(a-b)/4<c<(a-b)/2の範囲内であることが望ましい。
このように本発明によれば、ポケット部は径方向外側に向かって下方に傾斜しているため、ポケット部に保持された半導体ウエハに対するエピタキシャル膜の成膜の際、水平方向に供給される反応ガスは、半導体ウエハ全体に対して均一に流れ、成膜するエピタキシャル膜の膜厚ばらつきが低減される。さらに、ポケット部内において半導体ウエハは、複数の突起部により支持されるため、サセプタが回転する遠心力による半導体ウエハが滑ることがない。即ち、ポケット部の傾斜と遠心力に起因する半導体ウエハの位置ずれを防止することができる。
また、サセプタにおいてポケット部が形成される側の面(上面)とその反対面(底面)とを平行に形成することにより、サセプタ全体の熱伝導が均一となり、均一なエピタキシャル膜を製造することができる。
また、サセプタにおいてポケット部が形成される側の面(上面)とその反対面(底面)とを平行に形成することにより、サセプタ全体の熱伝導が均一となり、均一なエピタキシャル膜を製造することができる。
本発明によれば、サセプタのウエハを載置するポケット部に傾斜を設けるとともにウエハを位置ずれさせることなく保持し、半導体ウエハに傷等の損傷なく、均一なエピタキシャル膜を成膜することができるサセプタを得ることができる。
以下、本発明のサセプタの実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部位の厚みと幅との関係、部位間の大きさの比率等は、正確に図示されていない。
図1は、本発明のサセプタ10の平面図であり、図2は、図1のサセプタ10のA-A断面図である。
図1に示すように、サセプタ10は、円板状の基体2と、円板状の外周付近に同心円状に形成された複数のポケット部1とを有している。ポケット部1は、サセプタ10が回転軸Oに対して回転対称性を有するように配置されている。すなわち、本発明のサセプタ10は、その一主面に半導体ウエハW(被処理基板)を載せる凹形状のポケット部1が形成された、いわゆるパンケーキ型のサセプタである。なお、半導体ウエハWは、シリコンウエハなどである。
図1に示すように、サセプタ10は、円板状の基体2と、円板状の外周付近に同心円状に形成された複数のポケット部1とを有している。ポケット部1は、サセプタ10が回転軸Oに対して回転対称性を有するように配置されている。すなわち、本発明のサセプタ10は、その一主面に半導体ウエハW(被処理基板)を載せる凹形状のポケット部1が形成された、いわゆるパンケーキ型のサセプタである。なお、半導体ウエハWは、シリコンウエハなどである。
サセプタ10を構成する基体2には、炭素材または炭素材の表面を炭化ケイ素(SiC)で被覆したものなどが用いられる。サセプタ10は、複数個のポケット部が形成され、中央部から両側面に向かって傾斜を有する円板状の基体2をそのまま用いるか、前記基体2に対して、SiCの被覆膜を化学気相成長(CVD)することにより得られる。
図2に示す傾斜角(θ)は、サセプタ10中央部から両側面に向かって傾斜する角度を表す。図示するようにサセプタ10の上面は、ポケット部3を含め、水平方向に対し径方向外側に向かって下方に傾斜している。
前記サセプタ10は、前記ポケット部1の水平方向に対する傾斜角(θ)が2.5~3.5°であり、底面が上面およびポケット部1の傾斜に平行である。前記傾斜角(θ)が2.5°より低いと、エピタキシャル膜の成長速度がサセプタ10の外周部の方が早くなる。一方、前記傾斜角(θ)が3.5°より高いと、サセプタ10の中心部の方がエピタキシャル膜の成長速度が早くなり、均一なエピタキシャル膜を製造することが困難となる。
傾斜角(θ)が前記範囲であるとき、サセプタ10外周部と中心部とで、エピタキシャル膜の成長速度が同程度となり、均一なエピタキシャル膜を製造することができる。傾斜角(θ)は2.7~3.3°であるとより好ましい。
前記サセプタ10は、前記ポケット部1の水平方向に対する傾斜角(θ)が2.5~3.5°であり、底面が上面およびポケット部1の傾斜に平行である。前記傾斜角(θ)が2.5°より低いと、エピタキシャル膜の成長速度がサセプタ10の外周部の方が早くなる。一方、前記傾斜角(θ)が3.5°より高いと、サセプタ10の中心部の方がエピタキシャル膜の成長速度が早くなり、均一なエピタキシャル膜を製造することが困難となる。
傾斜角(θ)が前記範囲であるとき、サセプタ10外周部と中心部とで、エピタキシャル膜の成長速度が同程度となり、均一なエピタキシャル膜を製造することができる。傾斜角(θ)は2.7~3.3°であるとより好ましい。
ポケット部1の数は、サセプタ10を安定して回転させることができ、ウエハWに対するガスの供給を均一にする観点から、3~10個、好ましくは5~8個である(図1では8個)。
図3は、1つのポケット部1を拡大して示す平面図であり、図4は、図3のポケット部1の断面図である。図5は、図3のポケット部1の変形例を示す平面図である。図3に示すように、ポケット部1の口径aは150~250mm、好ましくは175~225mmである。ポケット部1の口径aは、ポケット部1の数に応じて決定される。
また、図4に示すポケット部1の深さt0は、処理するウエハWと同程度の深さに形成されている。具体的には、前記ポケット部1の深さt0は、70~100μm、好ましくは75~95μmである。深さt0は、サセプタ10の厚みtの0.4/10~0.8/10の範囲である。
図3は、1つのポケット部1を拡大して示す平面図であり、図4は、図3のポケット部1の断面図である。図5は、図3のポケット部1の変形例を示す平面図である。図3に示すように、ポケット部1の口径aは150~250mm、好ましくは175~225mmである。ポケット部1の口径aは、ポケット部1の数に応じて決定される。
また、図4に示すポケット部1の深さt0は、処理するウエハWと同程度の深さに形成されている。具体的には、前記ポケット部1の深さt0は、70~100μm、好ましくは75~95μmである。深さt0は、サセプタ10の厚みtの0.4/10~0.8/10の範囲である。
前記したポケット部1の口径aはウエハWの直径より若干大きく形成され、傾斜したポケット部1の下部の内壁に沿って複数の突起部3が設けられる。ポケットの下部とは、ポケットの外周のうちサセプタ10外縁側半周のことを指し、図1に示すように複数の突起部3はすべてこの範囲に設けられている。これら突起部3は、ウエハWの外周部を支持するためのものである。図3に示すように、突起部3は、その先端が平面視において円弧状、例えば真円を半円とした形状に突起しており、図示するように先端にウエハWの外周部が当接することによりウエハWを支持する。
例えば、突起部3は図3に示すように各ポケット部1の内壁において、サセプタ10の中心(回転軸O1)とポケット部1の中心O2とを結ぶ線L1を境に左右対称に配置される。
突起部3が奇数個の場合、サセプタ10の中心(回転軸O1)から最も遠い位置に1つの突起部3(第一の突起部)が配置され、そこからポケット部1の中心O2を軸に左右に90°間隔回転させた位置にそれぞれ突起部3(第二の突起部)が配置される(3点支持)。
或いは、図5に示すように、サセプタ10中心(回転軸O1)から最も遠い位置に1つの突起部3(第一の突起部)が配置され、そこからポケット部1の中心O2を軸に左右に45°ずつ回転させた位置にそれぞれ突起部3(第二の突起部、第三の突起部)が配置される(5点支持)。
突起部3が奇数個の場合、サセプタ10の中心(回転軸O1)から最も遠い位置に1つの突起部3(第一の突起部)が配置され、そこからポケット部1の中心O2を軸に左右に90°間隔回転させた位置にそれぞれ突起部3(第二の突起部)が配置される(3点支持)。
或いは、図5に示すように、サセプタ10中心(回転軸O1)から最も遠い位置に1つの突起部3(第一の突起部)が配置され、そこからポケット部1の中心O2を軸に左右に45°ずつ回転させた位置にそれぞれ突起部3(第二の突起部、第三の突起部)が配置される(5点支持)。
また、突起部3が偶数個の場合は、サセプタ10の中心(回転軸O1)とポケット部1の中心とを結ぶ線L1を境に左右対称に配置される。図7(a)に示すように、例えば、突起部3が2個の場合、サセプタ10中心(回転軸O1)とポケット部1の中心O2とを結ぶ線L1を境に左右に60°の位置にそれぞれ突起部3が配置される。また、図7(b)に示すように、突起部3が4個の場合は、ポケット部1内の下部側において60°ずつの等間隔に突起部3が配置される。また、図7(c)に示すように、突起部3が6個の場合は、ポケット部1内の下部側において36°ずつの等間隔に配置される。なお、突起部3が4個、6個の場合においてもサセプタ10の中心(回転軸O1)とポケット部1の中心O2とを結ぶ線L1を境に左右対称に配置される。
このようにポケット部1内の下部側に突起部3を配置することにより、ウエハWを傾斜したポケット部1内で、2点以上6点以下で支持することが好ましい。
突起部3の2点乃至6点で支持することによりウエハWを損傷させることなく支持することができる。
このようにポケット部1内の下部側に突起部3を配置することにより、ウエハWを傾斜したポケット部1内で、2点以上6点以下で支持することが好ましい。
突起部3の2点乃至6点で支持することによりウエハWを損傷させることなく支持することができる。
また、前記したように、突起部3の先端は平面視において真円を半円とした形状であり、円径寸法c(突起部3の幅寸法c)の幅でポケット部1の内壁に繋がっている。ここで、図3に示すようにポケット部1の直径をa、ウエハWの径をbとすると、(a-b)/4<c<(a-b)/2であることが好ましい。突起部3の幅寸法cが(a-b)/4<c<(a-b)/2であることにより、ウエハWをポケット部1内に載置でき、処理中もウエハWが滑ることなく均一なエピタキシャル膜を製造することができる。
また、図3に示すように突起部3の長さgは、ポケット部1の径a、ウエハWの径b、突起部3の幅寸法cに対して、c/2<g<(a-b)/2の範囲内であることが好ましい。突起部3の長さgがc/2<g<(a-b)/2であることにより、ウエハWをポケット部1内に載置でき、処理中もウエハWが滑ることなく均一なエピタキシャル膜を製造することができる。
また、図4に示すように突起部3の高さeは、ウエハWの厚さfに対して、f/2<e<fの範囲内であることが好ましい。突起部3の高さeが、f/2<e<fの範囲内であることにより、ウエハWが滑ってもウエハWが突起部3の上に乗ることなく、またエピタキシャル膜のガスを阻害することなく均一なエピタキシャル膜を製造できる。
また、突起部3は、基体2と同じ材質、かつ一体に形成されるのが好ましい。即ち、突起部3は、炭素材または炭素材の表面を炭化ケイ素(SiC)で被覆したものであることが好ましい。突起部3を基体2と同じ材質、かつ一体型に形成することにより、使用中の熱により熱膨張差が生じず突起部3が分離するのを抑制することができる。
サセプタ10を用いて、ウエハWの上面にエピタキシャル膜を形成するには、チャンバ(図示せず)内において、図6に示すようにサセプタ10のポケット部1にウエハWを置く。図3に示すように各ポケット部1に3つの突起部3を有する場合、3点支持によりウエハWが保持される。
そして、サセプタ10およびウエハWを所定速度で所定方向に回転させながら(図7参照)、チャンバ外に設けられたヒータ(図示せず)によりウエハWを加熱する。そして、チャンバ内に水平方向に導入された反応ガスGに接触させ、ウエハW上にエピタキシャル膜を化学気相成長させる。
そして、サセプタ10およびウエハWを所定速度で所定方向に回転させながら(図7参照)、チャンバ外に設けられたヒータ(図示せず)によりウエハWを加熱する。そして、チャンバ内に水平方向に導入された反応ガスGに接触させ、ウエハW上にエピタキシャル膜を化学気相成長させる。
サセプタ10はその中央部から両側面方向に傾斜しているため、ポケット部1に保持されたウエハWに対するエピタキシャル膜の成膜の際、水平方向に供給される反応ガスGは、図6に示すように、サセプタの形状に沿って流れる。これにより、反応ガスGは、ウエハW全体に対して均一に流れ、成膜するエピタキシャル膜の膜厚ばらつきが低減される。
また、ポケット部1内においてウエハWは、複数の突起部3により支持されるため、サセプタ10が回転する遠心力によってウエハWが滑ることがない。即ち、ポケット部3の傾斜と遠心力に起因するウエハWの位置ずれを防止し、上記効果を得ることができる。
また、ポケット部1内においてウエハWは、複数の突起部3により支持されるため、サセプタ10が回転する遠心力によってウエハWが滑ることがない。即ち、ポケット部3の傾斜と遠心力に起因するウエハWの位置ずれを防止し、上記効果を得ることができる。
また、サセプタ10の厚みtは一定であることが好ましい。すなわち、ポケット部1が形成される側の面とその反対面とは平行であることが好ましい。厚みtを一定にすることで、サセプタ10全体の熱伝導が均一となり、均一なエピタキシャル膜を製造することができる。また、図6に示すように、反応ガスGがサセプタの上面に沿って流れるため、サセプタ10上面全体に反応ガスGが当たり、ウエハWに成膜されるエピタキシャル膜の膜厚均一性にも寄与する。
前記サセプタ10の厚さtは12mm以上18mm以下であることが好ましい。また、前記サセプタ10の直径dは600mm以上850mm以下であることが好ましい。前記サセプタ10の直径をdとし、厚さをtとしたとき、0.01≦t/d<0.05であり、好ましくは0.02≦t/d≦0.04、より好ましくは0.02≦t/d≦0.03である。つまり、サセプタ10の厚さtが直径dの0.01倍以上0.05倍以下であると、均一な膜厚でかつ結晶欠陥が低減されたエピタキシャル膜を形成することができる。
なお、前記実施の形態においては、サセプタ10の底面が上面およびポケット部1の傾斜に平行な形状(サセプタ10の厚みtは一定)として説明したが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではない。
例えば、ポケット部3は形成されるサセプタ10の上面は、その中央部から両側面方向に傾斜し、サセプタ10の底面は、すべて水平方向に沿って形成してもよい。
その場合であっても、ポケット部1に保持されたウエハWに対するエピタキシャル膜の成膜の際、水平方向に供給される反応ガスGは、サセプタの形状に沿って流れる。これにより、反応ガスGは、ウエハW全体に対して均一に流れ、成膜するエピタキシャル膜の膜厚ばらつきが低減される。
例えば、ポケット部3は形成されるサセプタ10の上面は、その中央部から両側面方向に傾斜し、サセプタ10の底面は、すべて水平方向に沿って形成してもよい。
その場合であっても、ポケット部1に保持されたウエハWに対するエピタキシャル膜の成膜の際、水平方向に供給される反応ガスGは、サセプタの形状に沿って流れる。これにより、反応ガスGは、ウエハW全体に対して均一に流れ、成膜するエピタキシャル膜の膜厚ばらつきが低減される。
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
(実験1)
(実験1)
実験1では、サセプタの中央部から両側面方向への傾斜角(θ)を3.0°とし、ポケット部1に設ける突起部3の位置および数について検証した。
基本的に突起部3の数は、図3、図5、図8に示すように、奇数(3、5、7のいずれか)の場合、サセプタ中心に対して、最も遠い位置(最下部)に1つの突起部3を配置し、そこからサセプタ中心を軸として左右に所定角度回転させた位置にそれぞれ突起部3をさらに配置した。左右の突起部3において最も上部に配置される突起部3は、ポケット部1の最下部から90°の位置(即ち、最も右端、左端の位置)とし、かつポケット部1の下部内壁面において全ての突起部3が等間隔となるように配置した。
基本的に突起部3の数は、図3、図5、図8に示すように、奇数(3、5、7のいずれか)の場合、サセプタ中心に対して、最も遠い位置(最下部)に1つの突起部3を配置し、そこからサセプタ中心を軸として左右に所定角度回転させた位置にそれぞれ突起部3をさらに配置した。左右の突起部3において最も上部に配置される突起部3は、ポケット部1の最下部から90°の位置(即ち、最も右端、左端の位置)とし、かつポケット部1の下部内壁面において全ての突起部3が等間隔となるように配置した。
また、図7(a)~(c)に示すように、突起部3の数が偶数(2、4、6のいずれか)の場合、サセプタ10の中心(回転軸O1)とポケット部1の中心O2とを結ぶ線L1を境に左右対称に配置した。
表1に、実施例1~6および比較例1~3の条件を示す。各実施例において、作製したサセプタを用いてシリコンウエハにエピタキシャル膜を形成し、その成膜状態を評価した。
実施例1~6および比較例1~3の評価結果を表1に示す。表1中、ウエハ面内のエピタキシャル膜の最大と最小の膜厚差が5μm以下である場合を〇、10μmを超える場合を×、5μmを超え10μm以下の場合を△とした。また、成膜後、ウエハをサセプタから取り外した際にウエハに傷がない場合を○、破損し使用不可の場合を×、傷はあるが使用できる場合を△とした。
表1に、実施例1~6および比較例1~3の条件を示す。各実施例において、作製したサセプタを用いてシリコンウエハにエピタキシャル膜を形成し、その成膜状態を評価した。
実施例1~6および比較例1~3の評価結果を表1に示す。表1中、ウエハ面内のエピタキシャル膜の最大と最小の膜厚差が5μm以下である場合を〇、10μmを超える場合を×、5μmを超え10μm以下の場合を△とした。また、成膜後、ウエハをサセプタから取り外した際にウエハに傷がない場合を○、破損し使用不可の場合を×、傷はあるが使用できる場合を△とした。
実施例1~6に示すように、ポケット部に設ける突起部の数が2~7の範囲において、シリコンウエハの成膜結果が良好であった。
一方、ポケット部に突起部を設けなかった場合には(比較例1)、シリコンウエハが滑って位置ずれし、均一なエピタキシャル膜が得られなかった。
また、突起部の位置がポケット部の全周に設けられた場合には(比較例2、3)、突起部とシリコンウエハとの接触部が増え、シリコンウエハの外周部に破損が生じた。
一方、ポケット部に突起部を設けなかった場合には(比較例1)、シリコンウエハが滑って位置ずれし、均一なエピタキシャル膜が得られなかった。
また、突起部の位置がポケット部の全周に設けられた場合には(比較例2、3)、突起部とシリコンウエハとの接触部が増え、シリコンウエハの外周部に破損が生じた。
1 ポケット部
2 基体
3 突起部
10 サセプタ
EP エピタキシャル膜
W ウエハ(半導体ウエハ)
2 基体
3 突起部
10 サセプタ
EP エピタキシャル膜
W ウエハ(半導体ウエハ)
Claims (4)
- 基体の上面に径方向外側に向かって下方に傾斜した複数のポケット部と、
前記ポケット部の内壁に形成され、半導体ウエハの外周部を支持する複数の突起部と、を有し、
前記複数の突起部は、傾斜する前記ポケット部の下部側に配置されていることを特徴とするサセプタ。 - 前記ポケット部に形成された突起部は、前記基体の中心と前記ポケット部の中心を結んだ線を境に左右対称に配置されていることを特徴とする請求項1に記載されたサセプタ。
- 前記ポケット部に形成された突起部の数は、2個乃至6個であることを特徴とする請求項1に記載されたサセプタ。
- 前記突起部の幅寸法cは、前記ポケット部の直径a、半導体ウエハの直径bに対して、(a-b)/4<c<(a-b)/2の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載されたサセプタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022199773A JP2024085308A (ja) | 2022-12-14 | 2022-12-14 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022199773A JP2024085308A (ja) | 2022-12-14 | 2022-12-14 | サセプタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024085308A true JP2024085308A (ja) | 2024-06-26 |
Family
ID=91616388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022199773A Pending JP2024085308A (ja) | 2022-12-14 | 2022-12-14 | サセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024085308A (ja) |
-
2022
- 2022-12-14 JP JP2022199773A patent/JP2024085308A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN206127420U (zh) | 用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体***和单晶片基板载体 | |
TWI664310B (zh) | 磊晶成長裝置、預熱環以及使用其之磊晶晶圓的製造方法 | |
TWI417988B (zh) | Pneumatic growth device base | |
JP4661982B2 (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
WO2013021947A1 (ja) | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 | |
JP2016541127A (ja) | エピタキシャルウェハ成長装置 | |
JP2004319623A (ja) | サセプタ及び気相成長装置 | |
TWI711114B (zh) | 晶座、磊晶成長裝置、磊晶矽晶圓的製造方法以及磊晶矽晶圓 | |
JP3004846B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
JP7440660B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP6562546B2 (ja) | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 | |
TWI743679B (zh) | 氣相成長裝置 | |
JP2004200436A (ja) | サセプタ及びその製造方法 | |
JP2024085308A (ja) | サセプタ | |
JP2009038294A (ja) | 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ | |
JP2020191346A (ja) | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 | |
WO2009093417A1 (ja) | サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 | |
JP6789100B2 (ja) | サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP6587354B2 (ja) | サセプタ | |
JP2022159954A (ja) | サセプタ | |
JP6832770B2 (ja) | 熱化学蒸着装置の基板ホルダー | |
CN113373513B (zh) | 基座以及包括该基座的用于制造晶片的设备 | |
JP7419704B2 (ja) | 化学的気相成長装置 | |
JPH06349748A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
JP7322365B2 (ja) | サセプタ及び化学気相成長装置 |