JP2021057522A - 基板支持器及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力を高めることが可能な基板支持器を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態に係る基板支持器は、基台及び第１〜第２の支持体を備える。基台の内部には、冷媒流路が形成されている。基台は、第１〜第３の領域を有する。第１の領域は、円形の上面を有する。第２の領域は、第１の領域を囲む。第３の領域は、第２の領域を囲む。第１の領域の上面、第２の領域の上面、及び第３の領域の上面は、平坦であり連続している。第１の支持体は、第１の領域上に設けられており、その上に載置される基板を支持するように構成されている。第２の支持体は、第１の支持体を囲むように第３の領域上に設けられており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成されており、且つ第１の支持体から分離されている。【選択図】図２

Description

本開示の例示的実施形態は、基板支持器及びプラズマ処理装置に関するものである。

プラズマ処理装置が、基板に対するプラズマ処理に用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ及び載置台を備える。載置台は、基台及び静電チャックを有する。基台の中には、冷媒流路が形成されている。静電チャックは、基台上に搭載されている。静電チャックの外周部上にはエッジリングが搭載される。また、基板は、静電チャックの中央の領域上且つエッジリングによって囲まれた領域内に配置される。

特開２０１３−１７２０１３号公報

エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力を高めることが求められている。

一つの例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、基台、第１の支持体、及び第２の支持体を備える。基台の内部には、冷媒流路が形成されている。基台は、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有する。第１の領域は、円形の上面を有する。第２の領域は、第１の領域に対して径方向において外側で延在して第１の領域を囲む。第３の領域は、第２の領域に対して径方向において外側で延在して第２の領域を囲む。第１の領域の上面、第２の領域の上面、及び第３の領域の上面は、平坦であり連続している。第１の支持体は、第１の領域上に設けられており、その上に載置される基板を支持するように構成されている。第２の支持体は、第１の支持体を囲むように第３の領域上に設けられており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成されており、且つ第１の支持体から分離されている。

一つの例示的実施形態に係る基板支持器によれば、エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力が高められる。

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の基台の平面図である。 別の例示的実施形態に係る基板支持器の基台の平面図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、基台、第１の支持体、及び第２の支持体を備える。基台の内部には、冷媒流路が形成されている。基台は、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有する。第１の領域は、円形の上面を有する。第２の領域は、第１の領域に対して径方向において外側で延在して第１の領域を囲む。第３の領域は、第２の領域に対して径方向において外側で延在して第２の領域を囲む。第１の領域の上面、第２の領域の上面、及び第３の領域の上面は、平坦であり連続している。第１の支持体は、第１の領域上に設けられており、その上に載置される基板を支持するように構成されている。第２の支持体は、第１の支持体を囲むように第３の領域上に設けられており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成されており、且つ第１の支持体から分離されている。

上記実施形態の基板支持器では、第１の支持体と第２の支持体が互いから分離されているので、第１の支持体と第２の支持体との間の熱伝導が抑制される。したがって、エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力が高められる。

一つの例示的実施形態において、冷媒流路の一部は、第２の領域と重複するように第１の領域の中心軸線の周りで延在する。この実施形態によれば、基台の第２の領域を介した第１の支持体と第２の支持体との間の熱伝導が更に抑制される。したがって、エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力が更に高められる。

一つの例示的実施形態において、冷媒流路は、第１〜第３の流路を含んでいてもよい。第１の流路は、第１の領域内で延在する。第２の流路は、第２の領域と重複するように第１の領域の中心軸線の周りで延在する。第３の流路は、第３の領域内且つ当該中心軸線の周りで延在する。この実施形態によれば、基台の第２の領域を介した第１の支持体と第２の支持体との間の熱伝導が更に抑制される。したがって、エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力が更に高められる。

一つの例示的実施形態において、第２の流路は、内縁及び外縁を有し、内縁は第１の領域内で延在し、外縁は第３の領域内で延在していてもよい。この実施形態によれば、エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力が更に高められる。

一つの例示的実施形態において、第１の流路、第２の流路、及び第３の流路は、連通していてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の流路と第３の流路は、互いから分離されていてもよい。即ち、第１の流路と第３の流路は、互いに繋がっていなくてもよい。一つの例示的実施形態において、第２の流路は、第１の流路に連通していてもよい。即ち、第２の流路は、第１の流路に接続していてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の流路の断面積と第３の流路の断面積が互いに異なっていてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の流路の断面積は、第３の流路の断面積よりも小さくてもよい。この実施形態によれば、第１の領域の冷却能力が、第３の領域の冷却能力よりも高くなる。

一つの例示的実施形態において、第２の支持体は、その内部にヒータを有していてもよい。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、シール部材を更に備えていてもよい。この実施形態において、シール部材は、第２の領域の上面を覆うように延在し、第１の支持体と第２の支持体との間で挟持されていてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の支持体は、静電チャックであり得る。

一つの例示的実施形態において、第２の支持体は、誘電体から形成され得る。

別の例示的実施形態においては、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、上述の種々の例示的実施形態の基板支持器の何れかである。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１に示すプラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置であり得る。プラズマ処理装置１は、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供している。内部空間１０ｓの中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線ＡＸである。

一実施形態において、チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含んでいる。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。内部空間１０ｓは、チャンバ本体１２の内側に提供されている。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ本体１２は電気的に接地されている。チャンバ本体１２の内壁面、即ち内部空間１０ｓを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。

チャンバ本体１２の側壁には通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。この通路１２ｐの開閉のために、ゲートバルブ１２ｇがチャンバ本体１２の側壁に沿って設けられている。

プラズマ処理装置１は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器１４を更に備える。基板支持器１４は、支持部１７によって支持されている。支持部１７は、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１７は、略円筒形状を有している。支持部１７は、石英といった絶縁材料から形成されている。

基板支持器１４は、基台１８、第１の支持体２１、及び第２の支持体２２を有する。基台１８は、アルミニウムといった導体から形成されており、円盤形状を有する。基台１８は、プラズマ処理装置１において下部電極を構成している。

第１の支持体２１及び第２の支持体２２は、基台１８上に搭載されている。第１の支持体２１は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。基板Ｗは、略円盤形状を有する。第２の支持体２２は、その上に載置されるエッジリングＥＲを支持するように構成されている。エッジリングＥＲは、略環状の板である。エッジリングＥＲは、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させるために、利用される。エッジリングＥＲは、例えばシリコン、炭化シリコン、又は石英から形成されている。基板Ｗは、第１の支持体２１上、且つ、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内に配置される。なお、基板支持器１４の詳細については、後述する。

プラズマ処理装置１は、ガス供給ライン２５を更に備え得る。ガス供給ライン２５は、ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、第１の支持体２１の上面と基板Ｗの裏面（下面）との間に供給する。

プラズマ処理装置１は、外周部２８及び外周部２９を更に備え得る。外周部２８は、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。外周部２８は、略円筒形状を有し、支持部１７の外周に沿って延在している。外周部２８は、導電性材料から形成されており、略円筒形状を有している。外周部２８は、電気的に接地されている。外周部２８の表面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。

外周部２９は、外周部２８上に設けられている。外周部２９は、絶縁性を有する材料から形成されている。外周部２９は、例えば石英といったセラミックから形成されている。外周部２９は、略円筒形状を有している。外周部２９は、基板支持器１４の外周に沿って延在している。

プラズマ処理装置１は、上部電極３０を更に備えている。上部電極３０は、基板支持器１４の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２と共にチャンバ本体１２の上部開口を閉じている。部材３２は、絶縁性を有している。上部電極３０は、この部材３２を介してチャンバ本体１２の上部に支持されている。

上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含んでいる。天板３４の下面は、内部空間１０ｓを画成している。天板３４には、複数のガス吐出孔３４ａが形成されている。複数のガス吐出孔３４ａの各々は、天板３４を板厚方向（鉛直方向）に貫通している。この天板３４は、限定されるものではないが、例えばシリコンから形成されている。或いは、天板３４は、アルミニウム製の部材の表面に耐プラズマ性の膜を設けた構造を有し得る。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。

支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持している。支持体３６は、例えばアルミニウムといった導電性材料から形成されている。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。ガス拡散室３６ａからは、複数のガス孔３６ｂが下方に延びている。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入ポート３６ｃが形成されている。ガス導入ポート３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入ポート３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、ガスソース群４０が、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３を介して接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４１及びバルブ群４３の各々は、複数のバルブ（例えば開閉バルブ）を含んでいる。流量制御器群４２は、複数の流量制御器を含んでいる。流量制御器群４２の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４１の対応のバルブ、流量制御器群４２の対応の流量制御器、及びバルブ群４３の対応のバルブを介して、ガス供給管３８に接続されている。プラズマ処理装置１は、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、内部空間１０ｓに供給することが可能である。

外周部２８とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられている。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウム製の部材に酸化イットリウム等のセラミックを被覆することにより構成され得る。このバッフルプレート４８には、多数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方においては、排気管５２がチャンバ本体１２の底部に接続されている。この排気管５２には、排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、自動圧力制御弁といった圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、内部空間１０ｓの中の圧力を減圧することができる。

一実施形態において、プラズマ処理装置１は、高周波電源６１及び整合器６１ｍを更に備え得る。高周波電源６１は、整合器６１ｍを介して、基台１８に電気的に接続されている。高周波電源６１は、プラズマ生成用の高周波電力を発生する電源である。高周波電源６１が発生する高周波電力は、２７〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数、例えば４０ＭＨｚ又は６０ＭＨｚの周波数を有する。整合器６１ｍは、高周波電源６１の出力インピーダンスと負荷側（基台１８側）のインピーダンスを整合させるための整合回路を有している。なお、高周波電源６１は、基台１８に電気的に接続されていなくてもよく、整合器６１ｍを介して上部電極３０に接続されていてもよい。

一実施形態において、プラズマ処理装置１は、高周波電源６２及び整合器６２ｍを更に備え得る。高周波電源６２は、整合器６２ｍを介して、基台１８に電気的に接続されている。高周波電源６２は、チャンバ１０内で生成されたプラズマから基板Ｗにイオンを引き込むための高周波電力を発生する。高周波電源６２が発生する高周波電力は、高周波電源６１が発生する高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。高周波電源６２が発生する高周波電力の周波数は、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であり、例えば、４００ｋＨｚである。整合器６２ｍは、高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（基台１８側）のインピーダンスを整合させるための整合回路を有している。

一実施形態において、プラズマ処理装置１は、制御部ＭＣを更に備え得る。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１の各部を制御する。具体的に、制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいてプラズマ処理装置１の各部を制御する。制御部ＭＣによる制御により、レシピデータによって指定されたプロセスがプラズマ処理装置１において実行される。

以下、図１と共に図２及び図３を参照して、基板支持器１４について詳細に説明する。図２は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。図３は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の基台の平面図である。基板支持器１４は、上述したように基台１８、第１の支持体２１、及び第２の支持体２２を有する。

基台１８は、上述したように、導体から形成されており、略円盤形状を有する。基台１８は、軸線ＡＸをその中心軸線としてチャンバ１０と共有している。基台１８は、第１の領域１８ａ、第２の領域１８ｂ、及び第３の領域１８ｃを含んでいる。なお、図２においては、第１の領域１８ａと第２の領域１８ｂの境界及び第２の領域１８ｂと第３の領域１８ｃの境界は、破線で示されている。図３においては、第１の領域１８ａと第２の領域１８ｂの境界及び第２の領域１８ｂと第３の領域１８ｃの境界は、一点鎖線で示されている。

第１の領域１８ａは、基台１８の中央の領域である。第１の領域１８ａは、略円盤形状の領域である。第１の領域１８ａは、軸線ＡＸをその中心軸線としてチャンバ１０と共有している。第１の領域１８ａは、円形の上面１８ａｔを有している。上面１８ａｔは、平坦な面である。

第２の領域１８ｂは、軸線ＡＸに対して径方向において第１の領域１８ａの外側で延在している。第２の領域１８ｂは、第１の領域１８ａを囲むように軸線ＡＸの周りで延在している。第２の領域１８ｂは、環状の上面１８ｂｔを有している。上面１８ｂｔは、上面１８ａｔを囲むように軸線ＡＸの周りで延在している。上面１８ｂｔは、平坦な面であり、上面１８ａｔに連続している。

第３の領域１８ｃは、第２の領域１８ｂに対して径方向において外側で延在している。第３の領域１８ｃは、第２の領域１８ｂを囲むように軸線ＡＸの周りで延在している。第３の領域１８ｃは、環状の上面１８ｃｔを有している。上面１８ｃｔは、上面１８ｂｔを囲むように軸線ＡＸの周りで延在している。上面１８ｃｔは、平坦な面であり、上面１８ｂｔに連続している。即ち、上面１８ａｔ、上面１８ｂｔ、及び上面１８ｃｔは、平坦であり、連続している。換言すると、上面１８ａｔ、上面１８ｂｔ、及び上面１８ｃｔは、基台１８の平坦な且つ連続する上面を構成している。

基台１８の内部には、冷媒流路（以下、「流路１８ｆ」という）が形成されている。流路１８ｆには、冷媒の供給装置２４から冷媒が供給される。供給装置２４は、チャンバ１０の外側に設けられている。

一実施形態において、流路１８ｆの一部は、第２の領域１８ｂと重複するように軸線ＡＸの周りで延在している。一実施形態において、流路１８ｆは、第１の流路１８１、第２の流路１８２、及び第３の流路１８３を含んでいる。第１の流路１８１は、第１の領域１８ａ内で延在している。第２の流路１８２は、第２の領域１８ｂと重複するように基台１８内で軸線ＡＸの周りで延在している。第３の流路１８３は、第３の領域１８ｃ内且つ軸線ＡＸの周りで延在している。

一実施形態において、第２の流路１８２は、内縁１８２ｉ及び外縁１８２ｏを有している。内縁１８２ｉは、軸線ＡＸに対して径方向において第２の流路１８２の内側の縁部である。外縁１８２ｏは、軸線ＡＸに対して径方向において第２の流路１８２の外側の縁部である。一実施形態において、内縁１８２ｉは、第１の領域１８ａ内で延在している。一実施形態において、外縁１８２ｏは第３の領域１８ｃ内で延在している。

一実施形態において、第１の流路１８１、第２の流路１８２、及び第３の流路１８３は、連通している。即ち、第１の流路１８１、第２の流路１８２、及び第３の流路１８３は、連続した単一の流路１８ｆを構成している。一実施形態では、第２の流路１８２と第３の流路１８３は、第１の流路１８１を介して連通している。一実施形態において、流路１８ｆは、入口１８５及び出口１８６を有する。一実施形態では、入口１８５は、第２の流路１８２の端部において提供されている。一実施形態では、出口１８６は、第３の流路１８３の端部において提供されている。入口１８５及び出口１８６は、供給装置２４に接続されている。供給装置２４からの冷媒は、入口１８５から流路１８ｆに供給される。流路１８ｆに供給された冷媒は、出口１８６から供給装置２４に戻される。

一実施形態において、第１の流路１８１の断面積と第３の流路１８３の断面積が互いに異なっていてもよい。一実施形態において、第１の流路１８１の断面積は、第３の流路１８３の断面積よりも小さくてもよい。第１の流路１８１の断面積が第３の流路１８３の断面積よりも小さい場合には、第１の流路１８１における冷媒の流速が第３の流路１８３における冷媒の流速よりも早くなの。したがって、第１の流路１８１の断面積が第３の流路１８３の断面積よりも小さい場合には、第１の領域１８ａの冷却能力が、第３の領域１８ｃの冷却能力よりも高くなる。なお、第１の流路１８１の断面積は、第３の流路１８３の断面積よりも大きくてもよい。第２の流路１８２の断面積は、第１の流路１８１の断面積と同一であってもよく、異なっていてもよい。

第１の支持体２１は、基台１８の第１の領域１８ａ上に搭載されている。一実施形態では、第１の支持体２１は、第１の領域１８ａの上面１８ａｔに接合されている。一実施形態では、第１の支持体２１は、第１の領域１８ａの上面１８ａｔに接着剤２７ａを介して、接合されている。

第１の支持体２１は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。一実施形態において、第１の支持体２１は、静電チャックであり得る。この実施形態において、第１の支持体２１は、本体２１ｍ及び電極２１ｅを有し得る。本体２１ｍは、略円盤形状を有し得る。本体２１ｍは、誘電体、例えば窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成されている。電極２１ｅは、本体２１ｍの中に設けられている。電極２１ｅは、膜状の電極である。電極２１ｅには、スイッチを介して直流電源が接続される。直流電源からの電圧が電極２１ｅに与えられると、第１の支持体２１と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、第１の支持体２１に引き付けられ、第１の支持体２１によって保持される。

一実施形態において、第１の支持体２１は、ヒータ２１ｈを更に有し得る。ヒータ２１ｈは、本体２１ｍの中に設けられている。ヒータ２１ｈは、抵抗加熱素子であり得る。ヒータ２１ｈには、ヒータコントローラＨＣから電力が供給される。ヒータコントローラＨＣは、ヒータ２１ｈに供給する電力の量を調整することにより、基板Ｗの温度を制御し得る。

第２の支持体２２は、第１の支持体２１を囲むように基台１８の第３の領域１８ｃ上に設けられている。一実施形態では、第２の支持体２２は、第３の領域１８ｃの上面１８ｃｔに接合されている。一実施形態では、第２の支持体２２は、第３の領域１８ｃの上面１８ｃｔに接着剤２７ｂを介して、接合されている。

第２の支持体２２は、その上に載置されるエッジリングＥＲを支持するように構成されている。一実施形態において、第２の支持体２２は、誘電体から形成された本体２２ｍを有する。本体２２ｍは、略環状且つ板状をなしている。

一実施形態において、第２の支持体２２は、ヒータ２２ｈを更に有し得る。ヒータ２２ｈは、本体２２ｍの中に設けられている。ヒータ２２ｈは、抵抗加熱素子であり得る。ヒータ２２ｈには、ヒータコントローラＨＣから電力が供給される。ヒータコントローラＨＣは、ヒータ２２ｈに供給する電力の量を調整することにより、エッジリングＥＲの温度を制御し得る。なお、ヒータ２２ｈには、ヒータコントローラＨＣとは別のヒータコントローラから電力が供給されてもよい。

第２の支持体２２は、第１の支持体２１から分離されている。具体的に、第１の支持体２１と第２の支持体２２は、第１の支持体２１（又は本体２１ｍ）の外周面と第２の支持体２２（又は本体２２ｍ）の内周面との間に第２の領域１８ｂの上面１８ｂｔを露出させるギャップが介在するように、互いから分離されている。

一実施形態において、基板支持器１４は、シール部材２３を更に備えていてもよい。シール部材２３は、第２の領域１８ｂの上面１８ｂｔを覆うように延在している。シール部材２３は、第１の支持体２１（又は本体２１ｍ）の外周面と第２の支持体２２（又は本体２２ｍ）の内周面との間で挟持されている。シール部材２３は、弾性とプラズマに対する耐性を有する。シール部材２３により、基台１８の第２の領域１８ｂがプラズマから保護される。

基板支持器１４では、第１の支持体２１と第２の支持体２２が互いから分離されているので、第１の支持体２１と第２の支持体２２との間の熱伝導が抑制される。したがって、エッジリングＥＲの温度と基板Ｗの温度とを互いから分離する能力が高められる。

一実施形態においては、上述したように、流路１８ｆの一部、例えば第２の流路１８２は、第２の領域１８ｂと重複するように軸線ＡＸの周りで延在する。この構成により、基台１８の第２の領域１８ｂを介した第１の支持体２１と第２の支持体２２との間の熱伝導が更に抑制される。したがって、エッジリングＥＲの温度と基板Ｗの温度とを互いから分離する能力が更に高められる。

一実施形態において、第２の流路１８２の内縁１８２ｉは第１の領域１８ａ内で延在し、第２の流路１８２の外縁１８２ｏは第３の領域１８ｃ内で延在している。この構成により、エッジリングの温度と基板の温度とを互いから分離する能力が更に高められる。

以下、図４を参照して、別の例示的実施形態に係る基板支持器の基台について説明する。図４は、別の例示的実施形態に係る基板支持器の基台の平面図である。なお、図４においても、図３と同様に、第１の領域１８ａと第２の領域１８ｂの境界及び第２の領域１８ｂと第３の領域１８ｃの境界が、一点鎖線で示されている。

図４に示す基台１８は、基板支持器１４の基台として図３に示した基台に代えて用いられ得る。図４に示す基台１８は、冷媒流路が互いから分離された二つの流路から構成されている点のみにおいて、図３に示した基台と異なっている。図４に示す基台１８を備える基板支持器１４は、その他の点では、図３に示した基台を備える基板支持器１４と同様の構成を有している。以下、図４に示す基台１８が図３に示す基台に対して異なる点について説明する。

図４に示す基台１８の冷媒流路では、第１の流路１８１と第３の流路１８３は、互いから分離されている。即ち、第１の流路１８１と第３の流路１８３は、互いに繋がっていない。一実施形態においては、第２の流路１８２は、第１の流路１８１に連通している。

図４に示す基台１８の冷媒流路は、入口１８５ａ、出口１８６ａ、入口１８５ｂ、及び出口１８６を有する。入口１８５ａは、第１の流路１８１の端部に設けられている。出口１８６ａは、第２の流路１８２の端部に設けられている。入口１８５ａ及び出口１８６ａは、供給装置２４に接続されている。供給装置２４からの冷媒は、入口１８５ａから第１の流路１８１に供給され、第１の流路１８１から第２の流路１８２を通って、出口１８６ａから供給装置２４に戻される。

入口１８５ｂ及び出口１８６ｂはそれぞれ、第３の流路１８３の両端に設けられている。入口１８５ｂ及び出口１８６ｂは、供給装置２４又は冷媒の別の供給装置に接続されている。供給装置２４又は別の供給装置からの冷媒は、入口１８５ｂから第３の流路１８３に供給され、出口１８６ｂから供給装置２４又は別の供給装置に戻される。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、第２の流路１８２の外縁１８２ｏは、第１の領域１８ａ内で延在していてもよい。この場合に、外縁１８２ｏは、第１の領域１８ａと第２の領域１８ｂの境界から３ｍｍといった数ｍｍ程度の距離範囲内で延在し得る。

また、基板支持器１４を備えるプラズマ処理装置は、容量結合型のプラズマ処理装置に限定されるものではなく、他のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。例えば、基板支持器１４を備えるプラズマ処理装置は、誘導結合型のプラズマ処理装置又はマイクロ波といった表面波を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置であってもよい。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１４…基板支持器、１８…基台、１８ａ…第１の領域、１８ａｔ…上面、１８ｂ…第２の領域、１８ｂｔ…上面、１８ｃ…第３の領域、１８ｃｔ…上面、１８ｆ…流路、２１…第１の支持体、２２…第２の支持体。Ｗ…基板、ＥＲ…エッジリング。

Claims (14)

1. その内部に冷媒流路が形成された基台であり、円形の上面を有する第１の領域、前記第１の領域に対して径方向において外側で延在して該第１の領域を囲む第２の領域、及び前記第２の領域に対して前記径方向において外側で延在して該第２の領域を囲む第３の領域を有し、前記第１の領域の前記上面、前記第２の領域の上面、及び前記第３の領域の上面は、平坦であり連続している、該基台と、
   前記第１の領域上に設けられており、その上に載置される基板を支持するように構成された第１の支持体と、
   前記第１の支持体を囲むように前記第３の領域上に設けられており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成されており、且つ前記第１の支持体から分離された第２の支持体と、
   を備える基板支持器。
2. 前記冷媒流路の一部は、前記第２の領域と重複するように前記第１の領域の中心軸線の周りで延在する、請求項１に記載の基板支持器。
3. 前記冷媒流路は、前記第１の領域内で延在する第１の流路、前記第２の領域と重複するように前記第１の領域の中心軸線の周りで延在する第２の流路、及び前記第３の領域内且つ前記中心軸線の周りで延在する第３の流路を含む、請求項１に記載の基板支持器。
4. 前記第２の流路は、内縁及び外縁を有し、該内縁は前記第１の領域内で延在し、該外縁は前記第３の領域内で延在する、請求項３に記載の基板支持器。
5. 前記第１の流路、前記第２の流路、及び前記第３の流路は、連通している、請求項３又は４に記載の基板支持器。
6. 前記第１の流路と前記第３の流路は、互いから分離されている、請求項３又は４に記載の基板支持器。
7. 前記第２の流路は、前記第１の流路に連通している、請求項６に記載の基板支持器。
8. 前記第１の流路の断面積と前記第３の流路の断面積が互いに異なる、請求項３〜７の何れか一項に記載の基板支持器。
9. 前記第１の流路の断面積は、前記第３の流路の断面積よりも小さい、請求項８に記載の基板支持器。
10. 前記第２の支持体は、その内部にヒータを有する、請求項１〜９の何れか一項に記載の基板支持器。
11. 前記第２の領域の上面を覆うように延在し、前記第１の支持体と前記第２の支持体との間で挟持されたシール部材を更に備える、請求項１〜１０の何れか一項に記載の基板支持器。
12. 前記第１の支持体は、静電チャックである、請求項１〜１１の何れか一項に記載の基板支持器。
13. 前記第２の支持体は、誘電体から形成されている、請求項１〜１２の何れか一項に記載の基板支持器。
14. チャンバと、
    請求項１〜１３の何れか一項に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた該基板支持器と、
    を備えるプラズマ処理装置。

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