DE3171836D1
(en)
|
1980-12-08 |
1985-09-19 |
Toshiba Kk |
Semiconductor memory device
|
JPH0612799B2
(ja)
|
1986-03-03 |
1994-02-16 |
三菱電機株式会社 |
積層型半導体装置およびその製造方法
|
JPS6324507U
(fr)
|
1986-07-30 |
1988-02-18 |
|
|
JPH0383690U
(fr)
|
1989-12-12 |
1991-08-26 |
|
|
JPH05299653A
(ja)
|
1991-04-05 |
1993-11-12 |
Fuji Xerox Co Ltd |
半導体装置及びその製造方法
|
JPH0529571A
(ja)
|
1991-07-19 |
1993-02-05 |
Oki Electric Ind Co Ltd |
半導体記憶装置およびその製造方法
|
US7253440B1
(en)
|
1991-10-16 |
2007-08-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having at least first and second thin film transistors
|
JP2784615B2
(ja)
|
1991-10-16 |
1998-08-06 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
電気光学表示装置およびその駆動方法
|
US6759680B1
(en)
|
1991-10-16 |
2004-07-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device having thin film transistors
|
US7071910B1
(en)
|
1991-10-16 |
2006-07-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electrooptical device and method of driving and manufacturing the same
|
JP2775040B2
(ja)
|
1991-10-29 |
1998-07-09 |
株式会社 半導体エネルギー研究所 |
電気光学表示装置およびその駆動方法
|
TW299897U
(en)
|
1993-11-05 |
1997-03-01 |
Semiconductor Energy Lab |
A semiconductor integrated circuit
|
JPH103091A
(ja)
|
1996-06-18 |
1998-01-06 |
Hoshiden Philips Display Kk |
液晶表示素子
|
JP4103968B2
(ja)
|
1996-09-18 |
2008-06-18 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
絶縁ゲイト型半導体装置
|
US5770483A
(en)
|
1996-10-08 |
1998-06-23 |
Advanced Micro Devices, Inc. |
Multi-level transistor fabrication method with high performance drain-to-gate connection
|
US6271542B1
(en)
|
1997-12-08 |
2001-08-07 |
International Business Machines Corporation |
Merged logic and memory combining thin film and bulk Si transistors
|
KR100333180B1
(ko)
|
1998-06-30 |
2003-06-19 |
주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 |
Tft-lcd제조방법
|
JP2001053164A
(ja)
|
1999-08-04 |
2001-02-23 |
Sony Corp |
半導体記憶装置
|
IT1314025B1
(it)
|
1999-11-10 |
2002-12-03 |
St Microelectronics Srl |
Processo per sigillare selettivamente elementi capacitoriferroelettrici compresi in celle di memorie non volatili integrate su
|
JP3735855B2
(ja)
|
2000-02-17 |
2006-01-18 |
日本電気株式会社 |
半導体集積回路装置およびその駆動方法
|
JP2002093924A
(ja)
|
2000-09-20 |
2002-03-29 |
Sony Corp |
半導体記憶装置
|
JP4306142B2
(ja)
|
2001-04-24 |
2009-07-29 |
株式会社日立製作所 |
画像表示装置及びその製造方法
|
JP2002368226A
(ja)
|
2001-06-11 |
2002-12-20 |
Sharp Corp |
半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器
|
CN1219770C
(zh)
|
2001-07-13 |
2005-09-21 |
朱景力 |
异喹啉的提纯方法
|
JP2003060060A
(ja)
|
2001-08-21 |
2003-02-28 |
Fujitsu Ltd |
半導体集積回路装置
|
JP4275336B2
(ja)
|
2001-11-16 |
2009-06-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
EP1498955A4
(fr)
|
2002-04-17 |
2008-02-20 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication
|
US7189992B2
(en)
|
2002-05-21 |
2007-03-13 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures having a transparent channel
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
US6787835B2
(en)
|
2002-06-11 |
2004-09-07 |
Hitachi, Ltd. |
Semiconductor memories
|
JP4314843B2
(ja)
*
|
2003-03-05 |
2009-08-19 |
カシオ計算機株式会社 |
画像読取装置及び個人認証システム
|
TWI255032B
(en)
|
2004-01-29 |
2006-05-11 |
Casio Computer Co Ltd |
Transistor array and manufacturing method thereof image processing device
|
JP4401971B2
(ja)
|
2004-04-29 |
2010-01-20 |
三星モバイルディスプレイ株式會社 |
発光表示装置
|
JP4927321B2
(ja)
|
2004-06-22 |
2012-05-09 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体記憶装置
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
JP4466853B2
(ja)
|
2005-03-15 |
2010-05-26 |
セイコーエプソン株式会社 |
有機強誘電体メモリ及びその製造方法
|
JP4849817B2
(ja)
|
2005-04-08 |
2012-01-11 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体記憶装置
|
US8288197B2
(en)
|
2005-04-27 |
2012-10-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a semiconductor device including a memory device comprising an insulator mixture region in a conductive layer
|
JP4560502B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2010-10-13 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
EP1770788A3
(fr)
|
2005-09-29 |
2011-09-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif semi-conducteur à oxyde semi-conducteur et son procédé de fabrication
|
EP1777689B1
(fr)
*
|
2005-10-18 |
2016-08-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif semi-conducteur, et dispositif d'affichage et équipement électronique le comprenant
|
JP5015473B2
(ja)
|
2006-02-15 |
2012-08-29 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタアレイ及びその製法
|
JP4839904B2
(ja)
|
2006-03-16 |
2011-12-21 |
セイコーエプソン株式会社 |
半導体装置、集積回路、及び電子機器
|
US7663165B2
(en)
|
2006-08-31 |
2010-02-16 |
Aptina Imaging Corporation |
Transparent-channel thin-film transistor-based pixels for high-performance image sensors
|
KR100829570B1
(ko)
|
2006-10-20 |
2008-05-14 |
삼성전자주식회사 |
크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
JP5116290B2
(ja)
|
2006-11-21 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタの製造方法
|
KR20080052107A
(ko)
|
2006-12-07 |
2008-06-11 |
엘지전자 주식회사 |
산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터
|
JP5086625B2
(ja)
|
2006-12-15 |
2012-11-28 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
GB2448174B
(en)
|
2007-04-04 |
2009-12-09 |
Cambridge Display Tech Ltd |
Organic thin film transistors
|
JP5043499B2
(ja)
|
2007-05-02 |
2012-10-10 |
財団法人高知県産業振興センター |
電子素子及び電子素子の製造方法
|
KR101402189B1
(ko)
|
2007-06-22 |
2014-06-02 |
삼성전자주식회사 |
Zn 산화물계 박막 트랜지스터 및 Zn 산화물의 식각용액
|
US8354674B2
(en)
|
2007-06-29 |
2013-01-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
|
KR20090002841A
(ko)
|
2007-07-04 |
2009-01-09 |
삼성전자주식회사 |
산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
US8049253B2
(en)
|
2007-07-11 |
2011-11-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
TWI353063B
(en)
|
2007-07-27 |
2011-11-21 |
Au Optronics Corp |
Photo detector and method for fabricating the same
|
US8232598B2
(en)
|
2007-09-20 |
2012-07-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and method for manufacturing the same
|
US7982250B2
(en)
|
2007-09-21 |
2011-07-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
US8044464B2
(en)
|
2007-09-21 |
2011-10-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
JP4759598B2
(ja)
|
2007-09-28 |
2011-08-31 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
|
TW200921226A
(en)
|
2007-11-06 |
2009-05-16 |
Wintek Corp |
Panel structure and manufacture method thereof
|
JP5435857B2
(ja)
|
2007-11-07 |
2014-03-05 |
スパンション エルエルシー |
半導体装置
|
JP5512078B2
(ja)
|
2007-11-22 |
2014-06-04 |
富士フイルム株式会社 |
画像形成装置
|
JP5213429B2
(ja)
|
2007-12-13 |
2013-06-19 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
JP5213458B2
(ja)
|
2008-01-08 |
2013-06-19 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
|
KR101412761B1
(ko)
|
2008-01-18 |
2014-07-02 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
JP2009206508A
(ja)
|
2008-01-31 |
2009-09-10 |
Canon Inc |
薄膜トランジスタ及び表示装置
|
JP5121478B2
(ja)
|
2008-01-31 |
2013-01-16 |
株式会社ジャパンディスプレイウェスト |
光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子
|
JP4555358B2
(ja)
|
2008-03-24 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
|
JP5253872B2
(ja)
|
2008-04-17 |
2013-07-31 |
株式会社東芝 |
半導体集積回路装置
|
KR101496148B1
(ko)
|
2008-05-15 |
2015-02-27 |
삼성전자주식회사 |
반도체소자 및 그 제조방법
|
JP2010003910A
(ja)
|
2008-06-20 |
2010-01-07 |
Toshiba Mobile Display Co Ltd |
表示素子
|
KR100963026B1
(ko)
|
2008-06-30 |
2010-06-10 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
KR100963027B1
(ko)
|
2008-06-30 |
2010-06-10 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
JP5345456B2
(ja)
|
2008-08-14 |
2013-11-20 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタ
|
JP5781720B2
(ja)
|
2008-12-15 |
2015-09-24 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
EP2202802B1
(fr)
|
2008-12-24 |
2012-09-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Circuit de commande et dispositif semi-conducteur
|
KR101100999B1
(ko)
|
2009-01-13 |
2011-12-29 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
씨모스 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
|
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(ko)
|
2009-01-22 |
2011-07-12 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
유기 전계발광 표시장치
|
KR101065407B1
(ko)
|
2009-08-25 |
2011-09-16 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
KR101073542B1
(ko)
|
2009-09-03 |
2011-10-17 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
KR101591613B1
(ko)
|
2009-10-21 |
2016-02-03 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR20190006091A
(ko)
|
2009-10-29 |
2019-01-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
MY164205A
(en)
|
2009-10-29 |
2017-11-30 |
Semiconductor Energy Lab |
Semiconductor device
|
KR101752348B1
(ko)
|
2009-10-30 |
2017-06-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR20220166361A
(ko)
|
2009-10-30 |
2022-12-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
MY180559A
(en)
|
2009-10-30 |
2020-12-02 |
Semiconductor Energy Lab |
Logic circuit and semiconductor device
|
WO2011052488A1
(fr)
|
2009-10-30 |
2011-05-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif semi-conducteur
|
KR101645680B1
(ko)
|
2009-11-06 |
2016-08-04 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
CN104600074A
(zh)
|
2009-11-06 |
2015-05-06 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
|
CN104681079B
(zh)
|
2009-11-06 |
2018-02-02 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置及用于驱动半导体装置的方法
|
KR101952065B1
(ko)
|
2009-11-06 |
2019-02-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 동작 방법
|
KR101893332B1
(ko)
|
2009-11-13 |
2018-08-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
|
KR102329497B1
(ko)
|
2009-11-13 |
2021-11-22 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
|
KR101752212B1
(ko)
|
2009-11-20 |
2017-06-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
WO2011062058A1
(fr)
|
2009-11-20 |
2011-05-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif semi-conducteur
|
KR101790365B1
(ko)
|
2009-11-20 |
2017-10-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR101922849B1
(ko)
|
2009-11-20 |
2018-11-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR101700154B1
(ko)
|
2009-11-20 |
2017-01-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
래치 회로와 회로
|
KR101662359B1
(ko)
|
2009-11-24 |
2016-10-04 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
|
WO2011065258A1
(fr)
|
2009-11-27 |
2011-06-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif à semi-conducteurs
|
JP5491835B2
(ja)
|
2009-12-02 |
2014-05-14 |
グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー |
画素回路および表示装置
|
KR20170100065A
(ko)
|
2009-12-04 |
2017-09-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
|
JP5095864B2
(ja)
|
2009-12-09 |
2012-12-12 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
CN102656683B
(zh)
|
2009-12-11 |
2015-02-11 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
|
KR101777643B1
(ko)
|
2009-12-11 |
2017-09-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 논리 회로, 및 cpu
|
KR101813460B1
(ko)
|
2009-12-18 |
2017-12-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
EP2517245B1
(fr)
|
2009-12-25 |
2019-07-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. |
Dispositif à semi-conducteur
|
KR101781336B1
(ko)
|
2009-12-25 |
2017-09-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR101762316B1
(ko)
|
2009-12-28 |
2017-07-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR101861991B1
(ko)
|
2010-01-20 |
2018-05-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
신호 처리 회로 및 신호 처리 회로를 구동하기 위한 방법
|
KR101921618B1
(ko)
|
2010-02-05 |
2018-11-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
|
WO2011096270A1
(fr)
|
2010-02-05 |
2011-08-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif à semi-conducteur
|
WO2011096153A1
(fr)
|
2010-02-05 |
2011-08-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif d'affichage
|
KR101939713B1
(ko)
|
2010-02-19 |
2019-01-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
JP2011187506A
(ja)
|
2010-03-04 |
2011-09-22 |
Sony Corp |
薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
|
WO2011114868A1
(fr)
|
2010-03-19 |
2011-09-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif à semi-conducteur
|
WO2011114905A1
(fr)
|
2010-03-19 |
2011-09-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif de mémoire à semi-conducteurs
|
JP5174988B2
(ja)
|
2010-04-07 |
2013-04-03 |
シャープ株式会社 |
回路基板および表示装置
|
KR101343293B1
(ko)
|
2010-04-30 |
2013-12-18 |
샤프 가부시키가이샤 |
회로 기판 및 표시 장치
|
WO2012002186A1
(fr)
|
2010-07-02 |
2012-01-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif semi-conducteur
|
TWI438868B
(zh)
|
2010-07-30 |
2014-05-21 |
Au Optronics Corp |
互補金氧半電晶體及其製作方法
|
US8422272B2
(en)
|
2010-08-06 |
2013-04-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and driving method thereof
|
TWI605549B
(zh)
|
2010-08-06 |
2017-11-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
WO2012026503A1
(fr)
|
2010-08-27 |
2012-03-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif mémoire et dispositif à semi-conducteurs
|
TWI670711B
(zh)
|
2010-09-14 |
2019-09-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
記憶體裝置和半導體裝置
|
US9443984B2
(en)
|
2010-12-28 |
2016-09-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
CN102122620A
(zh)
|
2011-01-18 |
2011-07-13 |
北京大学深圳研究生院 |
一种自对准薄膜晶体管的制作方法
|
TWI567736B
(zh)
|
2011-04-08 |
2017-01-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
記憶體元件及信號處理電路
|
US9111795B2
(en)
*
|
2011-04-29 |
2015-08-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
|
DE112012002065T5
(de)
|
2011-05-13 |
2014-02-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Anzeigevorrichtung
|
SG2014013833A
(en)
|
2011-06-24 |
2014-10-30 |
Sharp Kk |
Display device and method for manufacturing same
|
JP5795893B2
(ja)
|
2011-07-07 |
2015-10-14 |
株式会社Joled |
表示装置、表示素子、及び、電子機器
|
US10002968B2
(en)
|
2011-12-14 |
2018-06-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device including the same
|
US9324449B2
(en)
|
2012-03-28 |
2016-04-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
|
JP6034048B2
(ja)
|
2012-04-23 |
2016-11-30 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置、電子機器
|
CA2888465A1
(fr)
|
2012-10-18 |
2014-04-24 |
Ikanos Communications, Inc. |
Procede et appareil de suppression de bruit impulsionnel dans des systemes dsl
|
TWI611566B
(zh)
|
2013-02-25 |
2018-01-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置和電子裝置
|
US9818765B2
(en)
|
2013-08-26 |
2017-11-14 |
Apple Inc. |
Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
|
US9412799B2
(en)
|
2013-08-26 |
2016-08-09 |
Apple Inc. |
Display driver circuitry for liquid crystal displays with semiconducting-oxide thin-film transistors
|
TWI777433B
(zh)
|
2013-09-06 |
2022-09-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
發光裝置以及發光裝置的製造方法
|
JP6101357B2
(ja)
|
2013-10-09 |
2017-03-22 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
US9734756B2
(en)
|
2013-10-18 |
2017-08-15 |
Apple Inc. |
Organic light emitting diode displays with reduced leakage current
|
KR102227474B1
(ko)
|
2013-11-05 |
2021-03-15 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막트랜지스터 어레이 기판, 유기발광표시장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
|
WO2015097596A1
(fr)
*
|
2013-12-26 |
2015-07-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Dispositif à semi-conducteurs
|
US9401432B2
(en)
|
2014-01-16 |
2016-07-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
KR102325158B1
(ko)
|
2014-01-30 |
2021-11-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 전자 기기, 및 반도체 장치의 제작 방법
|
KR102235597B1
(ko)
|
2014-02-19 |
2021-04-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
|
KR102346544B1
(ko)
*
|
2014-02-24 |
2022-01-05 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
|
EP2911200B1
(fr)
|
2014-02-24 |
2020-06-03 |
LG Display Co., Ltd. |
Substrat de transistor à film mince et affichage utilisant celui-ci
|
US9214508B2
(en)
|
2014-02-24 |
2015-12-15 |
Lg Display Co., Ltd. |
Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
|
EP2911199B1
(fr)
|
2014-02-24 |
2020-05-06 |
LG Display Co., Ltd. |
Substrat de transistor à film mince et afficheur utilisant celui-ci
|
KR102279392B1
(ko)
*
|
2014-02-24 |
2021-07-21 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
|
KR102397873B1
(ko)
|
2014-02-24 |
2022-05-16 |
엘지디스플레이 주식회사 |
표시장치
|
US9489882B2
(en)
*
|
2014-02-25 |
2016-11-08 |
Lg Display Co., Ltd. |
Display having selective portions driven with adjustable refresh rate and method of driving the same
|
JP6518890B2
(ja)
|
2014-03-31 |
2019-05-29 |
株式会社Joled |
表示装置および電子機器
|
US9336709B2
(en)
|
2014-04-25 |
2016-05-10 |
Apple Inc. |
Displays with overlapping light-emitting diodes and gate drivers
|
US10073571B2
(en)
*
|
2014-05-02 |
2018-09-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Touch sensor and touch panel including capacitor
|
JP2015225104A
(ja)
|
2014-05-26 |
2015-12-14 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置
|
KR20160004936A
(ko)
|
2014-07-04 |
2016-01-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 및 전자 기기
|
US10147747B2
(en)
|
2014-08-21 |
2018-12-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
|
CN105390504B
(zh)
|
2014-08-29 |
2019-02-01 |
乐金显示有限公司 |
薄膜晶体管基板及使用它的显示装置
|
US9543370B2
(en)
|
2014-09-24 |
2017-01-10 |
Apple Inc. |
Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays
|
US9601517B2
(en)
|
2014-10-01 |
2017-03-21 |
Apple Inc. |
Hybrid pixel control circuits for light-emitting diode display
|
KR102226236B1
(ko)
|
2014-10-13 |
2021-03-11 |
엘지디스플레이 주식회사 |
유기 발광 표시 장치
|
JP6633346B2
(ja)
*
|
2014-10-31 |
2020-01-22 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
JP6587497B2
(ja)
|
2014-10-31 |
2019-10-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
US9397124B2
(en)
*
|
2014-12-03 |
2016-07-19 |
Apple Inc. |
Organic light-emitting diode display with double gate transistors
|
KR101658716B1
(ko)
|
2014-12-31 |
2016-09-30 |
엘지디스플레이 주식회사 |
표시 장치
|
JP6474275B2
(ja)
|
2015-02-19 |
2019-02-27 |
株式会社ディスコ |
加工装置
|
US9685469B2
(en)
|
2015-04-03 |
2017-06-20 |
Apple Inc. |
Display with semiconducting oxide and polysilicon transistors
|
US10020354B2
(en)
|
2015-04-17 |
2018-07-10 |
Apple Inc. |
Organic light-emitting diode displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
|
KR102326170B1
(ko)
|
2015-04-20 |
2021-11-17 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
|
KR102408898B1
(ko)
|
2015-06-19 |
2022-06-16 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
|
US11733807B2
(en)
|
2015-09-25 |
2023-08-22 |
Apple Inc. |
Light sensing display
|
KR102454087B1
(ko)
|
2015-10-27 |
2022-10-13 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판
|
US10121430B2
(en)
|
2015-11-16 |
2018-11-06 |
Apple Inc. |
Displays with series-connected switching transistors
|
KR102424108B1
(ko)
|
2015-11-26 |
2022-07-25 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
|
KR102519942B1
(ko)
|
2015-11-26 |
2023-04-11 |
엘지디스플레이 주식회사 |
유기발광 다이오드 표시장치용 박막 트랜지스터 기판
|
US9818344B2
(en)
|
2015-12-04 |
2017-11-14 |
Apple Inc. |
Display with light-emitting diodes
|
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(ko)
|
2015-12-31 |
2023-01-04 |
엘지디스플레이 주식회사 |
디스플레이 장치
|
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(ja)
|
2016-03-07 |
2017-09-14 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
半導体装置および表示装置
|
JP6673731B2
(ja)
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2016-03-23 |
2020-03-25 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置及びその製造方法
|
JP2017174946A
(ja)
|
2016-03-23 |
2017-09-28 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
半導体装置の製造方法
|
JP6827270B2
(ja)
|
2016-03-28 |
2021-02-10 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
半導体装置の作製方法
|
JP6668160B2
(ja)
|
2016-05-06 |
2020-03-18 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置の製造方法
|
JP6725317B2
(ja)
|
2016-05-19 |
2020-07-15 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置
|
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(ja)
|
2016-06-14 |
2017-12-21 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
半導体装置及び表示装置
|
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(ko)
|
2016-07-01 |
2018-01-11 |
삼성디스플레이 주식회사 |
화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
|
JP6751613B2
(ja)
|
2016-07-15 |
2020-09-09 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置
|
JP2018013567A
(ja)
|
2016-07-20 |
2018-01-25 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置
|
KR102458660B1
(ko)
*
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2016-08-03 |
2022-10-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
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