JP2020188408A5 - - Google Patents

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実施の形態に係るＳＡＷ素子の縦断側面図である。 前記ＳＡＷ素子の平面図である。 圧電材料層の厚さに応じたスプリアスの発生位置の変化を示す特性図である。 伝搬損失最小周波数を求めるためのシミュレーションモデル図である。 伝搬損失最小周波数を示す特性図である。 電極指の厚さとＳＡＷの伝搬速度との関係を示す特性図である。 圧電材料層の厚さと弾性波の伝搬速度との関係を示す特性図である。 電極指の厚さと、共振周波数、伝搬損失最小周波数における実効音速との関係を示す特性図である。 実施形態、比較形態に係るＳＡＷ素子の特性図である。 高音速層を備えたＳＡＷ素子の縦断側面図である。 伝搬損失最小周波数を変化させたときのアドミッタンス特性図である。 圧電材料のカットを変化させたときのアドミッタンス特性図である。 圧電材料層の厚さと弾性波の伝搬速度との関係を示す第２の特性図である。 電極指の厚さと、共振周波数、伝搬損失最小周波数における実効音速との関係を示す第２の特性図である。 圧電材料として水晶を用いたＳＡＷ素子の特性図である。 圧電材料としてシリコンを用いたＳＡＷ素子の特性図である。 他の例に係るＳＡＷ素子の縦断側面図である。 本例のＳＡＷ素子を共振子に用いたフィルタ回路の構成図である。 共振周波数、伝搬損失最小周波数における、電極占有率と実効音速との関係を示す特性図である。
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