CN117013984B - 一种键合晶圆及薄膜声表面波器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种键合晶圆及薄膜声表面波器件，键合晶圆包括衬底；压电层，位于衬底的一侧；其中，衬底的材质至少需要满足如下要求：衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速，n≥1。本发明提供的技术方案，以使得声表面波器件工作时，主模式波得到增强，而高阶模式杂波向下扩散，从而使得高阶模式杂波得到抑制，能够更全面地提升器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及声波器件技术领域，尤其涉及一种键合晶圆及薄膜声表面波器件。
背景技术
近几年，基于键合晶圆的高性能声表面波(SAW)滤波器快速发展，受到了领域的广泛关注，满足了快速发展的移动通讯需求。尽管键合晶圆的引入极大地提升了SAW器件的性能，但也带来一些瑕疵。例如，目前常用的键合晶圆通常基于硅、蓝宝石等衬底，它们在提升主波性能的同时也增强了高阶杂波，从而对SAW器件的整体性能带来影响。发明专利CN113764572A、CN113764574A等中所描述的键合晶圆及声学器件均有上述缺陷。
开发低成本且有效的方案解决高阶杂波问题，同时保证包括温度稳定性、功率耐受性在内的各项性能优异，将使得高性能SAW滤波器得到进一步的优化，对于移动通讯技术的发展具有重要的意义。
发明内容
本发明提供一种键合晶圆及薄膜声表面波器件，以能够更全面地提升器件的性能。
第一方面，本发明实施例提供了键合晶圆，应用于薄膜声表面波器件，包括：
衬底；
压电层，位于所述衬底的一侧；
其中，所述衬底的材质至少需要满足如下要求：所述衬底的剪切波声速大于所述薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于所述薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速，n≥1。
可选的，所述衬底的剪切波声速v满足4000m/s＜v＜6000m/s，且所述衬底的剪切波声阻抗大于17MRayls。
可选的，所述衬底的材质还需要满足如下要求：所述衬底的弹性常数C44与所述衬底的密度的比值介于1.6×107(N·m/kg)与3.6×107(N·m/kg)之间。
可选的，所述衬底的密度大于4000kg/m3；所述衬底的弹性常数C44大于80GPa。
可选的，所述衬底的材质还需要满足如下要求：所述衬底的电阻率大于1×105(Ω·cm)。
可选的，所述衬底的材质还需要满足如下要求：在声传播方向上的热膨胀系数小于15ppm/K。
可选的，所述衬底的材质包括YuAlvOw化合物，其中，w＝3×(u+v)/2，u和v均为正整数。
可选的，所述压电层至少满足如下要求：压电层激励的主模式波为水平剪切波。
可选的，所述键合晶圆还包括至少一层功能层，所述至少一层功能层位于所述衬底与所述压电层之间；
所述压电层和所述功能层的厚度均小于100μm。
第二方面，本发明实施例提供了一种薄膜声表面波器件，包括如第一方面所述的键合晶圆；
所述薄膜声表面波器件还包括金属电极，所述金属电极位于所述键合晶圆中压电层远离衬底的一侧。
本发明提供的方案，通过对衬底的材质设计提供精确的设计，即设置衬底材质满足：衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速，n≥1。可以理解的，基态水平剪切波声速指零阶水平剪切波的声速，设置衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的一阶以及更高阶水平剪切波声速，使得声表面波器件工作时，主模式波得到增强，而高阶模式杂波向下扩散，从而使得高阶模式杂波得到抑制，能够提升器件的性能。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。
图1为本发明实施例提供的一种键合晶圆的截面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种键合晶圆的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种键合晶圆的制备方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的另一种键合晶圆的制备方法的流程图；
图5为本发明实施例提供的一种薄膜声表面波器件的截面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种金属电极的俯视结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种具体的薄膜声表面波谐振器的仿真导纳曲线；
图8为本发明实施例提供的一种具体的薄膜声表面波谐振器的仿真高阶声波模态能量分布；
图9为本发明实施例提供的一种基于常规键合晶圆的薄膜声表面波谐振器的仿真导纳曲线；
图10为本发明实施例提供的一种基于常规键合晶圆的薄膜声表面波谐振器的仿真高阶声波模态能量分布；
图11为本发明实施例提供的另一种具体的薄膜声表面波谐振器的仿真导纳曲线；
图12为本发明实施例提供的另一种具体的薄膜声表面波谐振器的仿真高阶声波模态能量分布；
图13为本发明实施例提供的另一种基于常规键合晶圆的薄膜声表面波谐振器的仿真导纳曲线；
图14为本发明实施例提供的另一种基于常规键合晶圆的薄膜声表面波谐振器的仿真高阶声波模态能量分布；
图15为本发明实施例提供的一种薄膜声表面波器件的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例所揭示和提示的基本概念，本领域的技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的一种键合晶圆的截面结构示意图，如图1所示，该键合晶圆，应用于薄膜声表面波器件，键合晶圆10包括衬底1；压电层2，位于衬底1的一侧；其中，衬底1的材质至少需要满足如下要求：衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速，n≥1。
可以理解的是，参考图1，键合晶圆衬底1用于起到支撑作用，在应用于薄膜声表面波(SAW)器件时，可以加强主模式波，抑制高阶杂波，而压电层2可以起到声电转换的作用。现有的应用于薄膜声表面波器件中的键合晶圆的压电层材质通常为钽酸锂、铌酸锂，现有的应用于薄膜声表面波器件中的键合晶圆的衬底材质通常为高阻硅、蓝宝石、碳化硅等，采用常规材质的衬底得到的键合晶圆，在应用于薄膜SAW器件中时，在提升主波性能的同时也增强了高阶杂波，从而降低薄膜SAW器件的整体性能。
本实施例中，通过对衬底的材质设计提供精确的设计，即设置衬底材质满足：衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速，n≥1。可以理解的，基态水平剪切波声速指零阶水平剪切波的声速，设置衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的一阶以及更高阶水平剪切波声速，使得声表面波器件工作时，主模式波得到增强，而高阶模式杂波向下扩散，从而使得高阶模式杂波得到抑制，能够更全面地提升器件的性能。
可选的，衬底的剪切波声速v满足4000m/s＜v＜6000m/s，且衬底的剪切波声阻抗大于17MRayls，以保证薄膜声表面波器件的高阶杂波得到抑制。衬底的剪切波声速v具体取值可根据实际需求进行设置，此处不做具体限定。
可选的，衬底的弹性常数C44与衬底的密度的比值k满足：1.6×107(N·m/kg)＜k＜3.6×107(N·m/kg)。
其中，弹性常数C44是指弹性常数矩阵中第四行第四列对应的常数值，即在剪切方向上的弹性分量。
具体的，根据衬底的弹性常数C44与衬底的密度的比值k的不同，对应的衬底的剪切波声速也会不同，可通过调整衬底的弹性常数C44与衬底的密度的比值k的大小，使得衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速。对于衬底的弹性常数C44和衬底的密度的具体取值大小，还受衬底的声阻抗的影响，可以理解的，根据衬底的弹性常数C44与衬底的密度的乘积的大小的不同，对应的衬底的声阻抗也会不同，通过精准控制衬底的声阻抗，设置衬底的剪切波声阻抗大于17MRayls，可提高衬底声阻抗，使高阶杂波的主要能量均集中在无压电性的衬底中，从而使其强度得到大幅度地削弱。
在一可选的实施例中，衬底的密度大于4000kg/m3；衬底的弹性常数C44大于80GPa。
进一步的可选的，衬底的密度可以是介于4000kg/m3和5500kg/m3之间的任意值，衬底的弹性常数C44可以是介于90GPa与180GPa之间的任意值，以精准控制衬底的声速和声阻抗，保证高阶杂波完全被抑制。衬底的密度和衬底的弹性常数C44的具体值可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不做具体限定。
可选的，衬底的材质还需要满足如下要求：衬底的电阻率大于1×105(Ω·cm)。
具体的，衬底的电阻率应高于半导体材料的电阻率，可进一步使衬底的电阻率达到绝缘体的电阻率水平，例如，衬底的电阻率大于1×108(Ω·cm)，以提高声波信号质量，进而提高薄膜声表面波器件的Q值。
可选的，衬底的材质还需要满足如下要求：在声传播方向上的热膨胀系数小于15ppm/K，以提高薄膜声表面波器件的温度稳定性。
在一具体的实施例中，可设置衬底的材质在声传播方向上的热膨胀系数小于10ppm/K，且各方向上的热导率均大于10[W/(m·K)]，以保证薄膜声表面波器件的温度稳定性更好，且使薄膜声表面波器件具有更高的功率耐受性。
在满足上述任一要求的情况下，可选的，衬底的材质包括YuAlvOw化合物，其中，w＝3×(u+v)/2，u和v均为正整数。
示例性，可选用YAlO3作为功能型衬底的材质。该材料的密度为5350kg/m3，弹性常数C44的值为174GPa，电阻率约为1×1010(Ω·cm)，X、Y和Z三个方向上的热膨胀系数均小于10ppm/K，X、Y和Z三个方向上的热导率均大于10[W/(m·K)]，其中，X方向与Y方向垂直，X方向和Y方向构成的平面与Z方向垂直。
继续参考图1，压电层2的材质包括但不限于钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英或钛酸钡等。压电层2的切向和声传播方向任意，包括但不限于15°Y-X，42°Y-X，Z-Y，15°Y-X指Y旋转15°切、X方向传，42°Y-X指Y旋转42°切、X方向传，Z-Y指Z切、Y方向传。
可选的，压电层2至少满足如下要求：压电层2激励的主模式波为水平剪切波。
可选的，图2为本发明实施例提供的另一种键合晶圆的截面结构示意图，如图2所示，键合晶圆10还包括至少一层功能层3，至少一层功能层3位于衬底1与压电层2之间；压电层2和功能层3的厚度均小于100μm。
其中，功能层3的材质包括但不限于二氧化硅、氮化硅、氮化铝或五氧化二钽等，根据实际需求的不同，设置压电层2和功能层3的膜层厚度也会不同，本发明实施例对此不做具体限定，可根据实际需求进行设置。
此外，本发明实施例还提供了一种键合晶圆的制备方法，图3为本发明实施例提供的一种键合晶圆的制备方法的流程图，如图3所示，该制备方法具体包括以下步骤：
S11、提供衬底和压电晶圆，并对衬底和压电晶圆进行表面清洗，其中，衬底至少有一面为抛光面，可将该抛光面定义为第一表面，压电晶圆的至少有一面为抛光面，可将该抛光面定义为第二表面。
具体的，衬底的材质需满足上述任一实施例提供的要求。
示例性的清洗过程可以为依次经过丙酮、酒精、去离子水、酒精超声清洗，然后用氮***吹干，以保证衬底和压电晶圆的表面干净，便于进行后续键合，具体清洗过程可以根据实际需要调整，本发明实施例对此不做具体限定。
S12、根据实际需要，在衬底的第一表面沉积一层或多层功能层，也可不沉积。
具体的，可以采用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或其他薄膜制备技术，沉积任意层数的二氧化硅、氮化硅、氮化铝或其他材质作为功能层，可以根据实际需要任意选择。
S13、当衬底表面生长了功能层且功能层不够平整时，对功能层表面进行抛光操作。
S14、将衬底的第一表面或其上生长的功能层表面与压电晶圆的第二表面对准键合。
具体的，键合工艺可以为等离子体活化键合、阳极键合、聚合物键合等，键合环境可以为真空环境或常压环境，键合温度可以大于或者等于室温，具体键合方式可以根据实际设计需求进行选择，本发明实施例对键合工艺不作具体限定。
S15、对键合后的结构中的压电晶圆进行研磨减薄处理。
本发明实施例对具体的研磨减薄工艺不做限定，可采用高性能减薄机对键合后的压电晶圆减薄至其厚度略大于所需压电层厚度。
S16、对减薄后的压电层表面进行抛光等后处理，使表面光滑且压电层厚度与预设厚度相同，完成键合晶圆制备。
具体的，可以采用化学机械抛光(CMP)方法或其他方法对表面进行抛光处理。
此外，本发明实施例还提供了另一种键合晶圆的制备方法，图4为本发明实施例提供的另一种键合晶圆的制备方法的流程图，如图4所示，该制备方法具体包括以下步骤：
S21、提供衬底和压电晶圆，并对衬底和压电晶圆进行表面清洗，其中，衬底至少有一面为抛光面，可将该抛光面定义为第一表面，压电晶圆的至少有一面为抛光面，可将该抛光面定义为第二表面。
具体的，衬底的材质需满足上述任一实施例提供的要求。
S22、根据实际需要，在衬底的第一表面沉积一层或多层功能层，也可不沉积。
S23、当衬底表面生长了功能层且功能层不够平整时，对功能层表面进行抛光操作。
S24、对压电晶圆的第二表面进行离子注入，使压电晶圆内部出现一层均匀的离子注入损伤层。
具体的，可以选用的注入离子为氢离子、氦离子、氧离子、氖离子中的一种或多种，可以根据实际情况作选择。离子注入的能量控制了离子注入损伤层的深度，可为10～2000keV，可以根据实际需要任意选择。离子注入的剂量可为1×1016～2×1017ions/cm2，可以根据实际需要任意选择。
S25、将衬底的第一表面或其上生长的功能层表面与压电晶圆的第二表面对准键合。
S26、对键合后的结构进行退火。
具体的，退火环境可为真空环境或氮气气氛，退火温度可为80-500℃，退火时间可为1-10小时，本发明对退火工艺不作限定，可以根据实际情况选用合适的退火工艺。如此，可以使键合结构的压电晶圆沿离子注入损伤层分离，剥离远离第二表面一侧的多余压电材料。
S27、对剥离后的键合结构的压电层表面进行抛光处理，完成键合晶圆制备。
具体的，通过抛光处理可以彻底清除离子注入损伤层并使表面光滑且压电层厚度与预设厚度相同。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种薄膜声表面波器件，图5为本发明实施例提供的一种薄膜声表面波器件的截面结构示意图，图6为本发明实施例提供的一种金属电极的俯视结构示意图，结合参考图5和图6所示，该薄膜声表面波器件100包括上述任一实施例提供的键合晶圆10，薄膜声表面波器件100还包括金属电极20，金属电极20位于键合晶圆10中压电层2远离衬底1的一侧。
其中，金属电极20包含叉指换能器21、反射栅22、汇流条23和电极焊盘(图6中未示出)。叉指换能器21中每条叉指交替连接两电端，反射栅22设置于叉指换能器21两侧，每侧的反射栅22相互连通。
进一步的可选的，叉指换能器21及反射栅22的线宽为100nm-100μm，叉指换能器21及反射栅22的相邻指条间距为100nm-100μm，叉指换能器21及反射栅22的声孔径为4μm-1000μm。
进一步的可选的，叉指换能器21及反射栅22的厚度为5nm-5μm。
需要说明的是，金属电极20的材质为Ti、Ni、Cr、Al、Cu、Pt、Ag、Au、Mo和W中的一种或多种。
示例性的，作为一种具体的实施方式，设置薄膜声表面波器件中键合晶圆的衬底的材质同时满足以下要求：(1)密度大于4000kg/m3，(2)弹性常数矩阵中的C44值大于80GPa，(3)C44与密度的比值介于1.6×107(N·m/kg)与3.6×107(N·m/kg)之间，(4)电阻率大于1×105(Ω·cm)，(5)声传播方向上的热膨胀系数小于15ppm/K。此外，选用二氧化硅作为功能层的材质，选用42°Y-X切向的钽酸锂作为压电层的材质，压电层及功能层的厚度均设置为400nm。叉指换能器及反射栅的线宽均设置为500nm，叉指换能器及反射栅的相邻指条间距均设置为500nm，声孔径设置为60μm。叉指换能器和反射栅均为分为金属打底层和金属主体层，金属打底层的材质为Ti，厚度为5nm，金属主体层的材质为Al，厚度为155nm。根据上述设计，利用低温异质键合、减薄或智能剥离等工艺制备所述键合晶圆，利用光刻、镀膜、剥离等工艺基于所述键合晶圆制备所述薄膜声表面波器件，可以得到性能进一步优化，尤其是高阶杂波被有效抑制的高性能SAW滤波器。具体的，根据上述设计得到的薄膜SAW谐振器的仿真导纳曲线如图7所示，其高阶声波模态的能量分布如图8所示。而基于相同结构的常规键合晶圆(例如，键合晶圆中衬底、功能层和压电层的材质分别为蓝宝石、二氧化硅和钽酸锂)和相同设计得到的薄膜SAW谐振器的仿真导纳曲线及高阶模态能量分布分别如图9和图10所示。通过比较可以发现，基于常规键合晶圆的SAW谐振器中，高阶声波模态的能量主要集中于器件表面，使得导纳曲线中高阶杂波的响应强度很大，而在本实施例提供的SAW谐振器中，高阶声波模态的能量主要分布于无压电性的功能型衬底中，使得高阶杂波被强烈抑制，导纳曲线中的高阶杂波强度也非常小，性能得到显著提升。
在另一可行的具体实施方式中，设置薄膜声表面波器件中键合晶圆的衬底的材质同时满足以下要求：(1)密度大于4000kg/m3，(2)弹性常数矩阵中的C44值大于80GPa，(3)C44与密度的比值介于1.6×107(N·m/kg)与3.6×107(N·m/kg)之间，(4)电阻率大于1×105(Ω·cm)，(5)声传播方向上的热膨胀系数小于15ppm/K。此外，选用42°Y-X切向的钽酸锂作为压电层的材质，压电层厚度均设置为2μm，本实施例中在衬底和压电层之间不设置功能层。叉指换能器及反射栅的线宽均设置为1μm，叉指换能器及反射栅的相邻指条间距均设置为1μm，声孔径设置为80μm。叉指换能器和反射栅均分为金属打底层和金属主体层，金属打底层的材质为Ti，厚度为5nm，金属主体层的材质为Al，厚度为395nm。
根据上述设计，利用低温异质键合、减薄或智能剥离等工艺制备所述键合晶圆，利用光刻、镀膜、剥离等工艺基于所述键合晶圆制备所述薄膜声表面波器件，可以得到性能进一步优化，尤其是高阶杂波被有效抑制的高性能SAW滤波器。具体的，根据上述设计得到的薄膜SAW谐振器的仿真导纳曲线如图11所示，其高阶声波模态的能量分布如图12所示。基于相同结构的常规键合晶圆(钽酸锂/蓝宝石)和相同设计得到的薄膜SAW谐振器的仿真导纳曲线及高阶模态能量分布分别如图13、14所示。通过比较可以发现，基于常规键合晶圆的SAW谐振器中，高阶声波模态的能量主要集中于器件表面，使得导纳曲线中高阶杂波的响应强度很大；而在本实施例所述SAW谐振器中，高阶声波模态的能量向下耗散且已很微弱，使得高阶杂波被强烈抑制，导纳曲线中的高阶杂波强度也非常小，性能得到显著提升。
此外，本发明实施例还提供了一种薄膜声表面波器件的制备方法，图15为本发明实施例提供的一种薄膜声表面波器件的制备方法的流程图，如图15所示，该方法具体包括以下步骤：
S31、提供键合晶圆，进行表面清洗。
其中，键合晶圆可以是上述任一实施例提供的键合晶圆。
S32、利用光刻工艺，将设计的器件图案转移到键合晶圆的电层上方的光刻胶上。
S33、利用镀膜工艺，将电极材料镀覆于压电层及光刻胶上方。
S34、利用剥离工艺，除去光刻胶及其上方的多余电极材料，压电层上方留下的电极材料形成所设计的器件图案。
S35、根据实际需要，进行套刻或其他处理，实现复杂器件的制备。
S36、经过后道工艺，完成薄膜声表面波器件的制备。
本实施例中，可以采用电子束蒸镀工艺蒸镀制备金属电极层，金属电极层的材质为Ti、Ni、Cr、Al、Cu、Pt、Ag、Au、Mo、W中的一种或多种，具体可以根据实际设计需求进行选择，本发明实施例不做具体限定，对金属电极层进行图案化处理，形成金属电极。金属电极层进行图案化处理的工艺可以包括表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘等，或者采用剥离机及标准化剥离工艺将多余金属剥离得到完整的金属电极，对于金属电极的形状可以根据实际需求进行选择，进而对应调整工艺步骤，实现金属电极的制备，进而满足薄膜声表面波器件的制备。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (9)
1.一种键合晶圆，应用于薄膜声表面波器件，其特征在于，包括：
衬底；
压电层，位于所述衬底的一侧；
其中，所述衬底的材质至少需要满足如下要求：所述衬底的剪切波声速大于所述薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于所述薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速，n≥1；
其中，所述衬底的剪切波声速v满足4000m/s＜v＜6000m/s，且所述衬底的剪切波声阻抗大于17MRayls。
2.根据权利要求1所述的键合晶圆，其特征在于，所述衬底的材质还需要满足如下要求：所述衬底的弹性常数C44与所述衬底的密度的比值k满足：1.6×107(N·m/kg) ＜k＜3.6×107(N·m/kg)。
3.根据权利要求2所述的键合晶圆，其特征在于，所述衬底的密度大于4000kg/m3；所述衬底的弹性常数C44大于80GPa。
4.根据权利要求1所述的键合晶圆，其特征在于，所述衬底的材质还需要满足如下要求：所述衬底的电阻率大于1×105(Ω·cm)。
5.根据权利要求1所述的键合晶圆，其特征在于，所述衬底的材质还需要满足如下要求：在声传播方向上的热膨胀系数小于15ppm/K。
6.根据权利要求1所述的键合晶圆，其特征在于，所述衬底的材质包括YuAlvOw化合物，其中，w=3×(u+v)/2，u和v均为正整数。
7.根据权利要求1所述的键合晶圆，其特征在于，所述压电层至少满足如下要求：压电层激励的主模式波为水平剪切波。
8.根据权利要求1所述的键合晶圆，其特征在于，所述键合晶圆还包括至少一层功能层，所述至少一层功能层位于所述衬底与所述压电层之间；
所述压电层和所述功能层的厚度均小于100μm。
9.一种薄膜声表面波器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的键合晶圆；
所述薄膜声表面波器件还包括金属电极，所述金属电极位于所述键合晶圆中压电层远离衬底的一侧。
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