JP2020158800A - 高純度アルミニウムシートおよびその製造方法ならびに当該高純度アルミニウムシートを用いたパワー半導体モジュール - Google Patents
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 97
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 97
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 8
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
- B21B2003/001—Aluminium or its alloys
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
絶縁基板上にIGBTおよびMOSFET等の半導体素子を配置し、半導体素子が発する熱を絶縁基板の下に配置された放熱部材から放熱するパワー半導体モジュールが、大電流制御等に用いられている。このようなパワー半導体モジュールでは、放熱特性を向上させるために絶縁基板の上面、すなわち絶縁基板と半導体素子の間、および絶縁基板の下面、すなわち絶縁基板と放熱部材との間の一方または両方に熱伝導部材が配置されている。熱伝導部材には高い熱伝導率が必要であることからアルミニウムシートが多用されている。
従来、このような硬度を実現するためには、アルミニウムの圧延素材(例えば、鋳塊を切断、切削加工して作製)を熱間圧延または冷間圧延した後、得られた圧延材を再結晶させるために400℃以上の温度に加熱する熱処理を行っていた。しかし、このような熱処理を行うと結晶粒径が粗大となり、これが原因でうねりが発生するという問題がある。
以下に本発明をより詳細に説明する。
(平均厚み)
本発明に係るアルミニウムシートの平均厚みは2.0mm以下である。平均厚みが2.0mmを超えるとクラック発生およびうねり発生を抑制する効果が十分に得られない場合があるからである。好ましい形態の1つは、例えば圧延後のままの形状で用いる、または圧延後に一様に面削を行う等により厚さが均一であることである。このような場合、厚さを1箇所測定し、その値(厚み)を平均厚みとしてよい。
しかし、例えば圧延方向に連続的に厚さが増加または減少するように、場所により厚さが異なっていてもよい。この場合、平均厚みは、厚みが連続する方向に、所定の間隔で測定した厚さの平均値を用いてもよく、また全体体積を最大となる投影面積で除して求めてもよい。
本発明に係るアルミニウムシートは、純度が99.999質量%(5N)以上、好ましくは99.9999質量%(6N)以上である。このような高純度のアルミニウムとすることで冷間圧延後の熱処理温度を低くでき、ビッカース硬度を18.0以下にし、かつ平均結晶粒径を1.00mm未満にできるからである。
また、このような高純度のアルミニウムを用いることで、より高い熱伝導特性を得ることができる。
しかし、高純度アルミニウムの生成方法は、三層電解法に限定されるものではなく、偏析法、帯溶融精製法、超高真空溶解精製法を含む既知の方法にであってよい。
また、例えば、純度が99.8質量%の場合のように連続する9の後に9以外の数値が来ることを示すために、当該9以外の数字を上述のNの後につけ、「2N8」と記載する場合がある。純度2N8のアルミニウムを「2N8−Al」と表記する場合がある。
本発明に係るアルミニウムシートは、平均結晶粒径は1.00mm未満であり、好ましくは0.7mm以下である。
このように結晶粒径を小さくすることで、ヒートサイクルによるうねりの発生を抑制できる。
平均結晶粒径は、所定の長さの直線が横切った結晶粒の数を求め、当該直線の長さを横切った結晶粒の数で除して求める切片法で求めることができる。
具体的な方法として、王水(硝酸+塩酸=1:3)を用いて結晶粒界を顕出させたサンプルを用い、圧延方向に対して垂直方向に延在する75mmの直線2本(平均結晶粒径が小さいサンプルでは、75mm×2か所より短い長さの範囲で測定してもよい)を横切る結晶粒の数を計数し、これを直線の長さの合計(75mm×2箇所の場合、150mm)で除して求めることができる。
本発明に係るアルミニウムシートは、ビッカース硬度が18.0以下である。これにより、ヒートサイクルによるクラックの発生を抑制できる。
ビッカース硬度は微小硬度計(HMV、マイクロビッカース硬度計)を用いて測定する。測定条件は、試験力0.05kgで行う。すなわち、本明細書におけるビッカース硬度は「HV0.05」と表記される硬度である。
しかし、本発明に係るアルミニウムシートの用途はこれに限定されるものではない。ヒートサイクルを有する例えば、冷凍機周辺部材およびLED製造用支持基板のような他の用途においても用いることができる。
本発明に係るアルミニウムシートを熱伝導部材として用いた、パワー半導体モジュールの構成を以下に例示する。
セラミクス基板(絶縁基板)の上面または下面の少なくとも一方の面に本発明に係るアルミニウムシート(熱伝導部材)が配置されている。アルミニウムシートと放熱部材とは、通常、接合されている。例えば、ろう付け等の任意の方法により接合してよい。また、超音波接合、表面活性化接合もしくは固相拡散接合のような直接接合により接合してもよい。
セラミックス基板の上面にアルミニウムシートが配置されている場合、すなわちセラミックス基板と半導体素子の間にアルミニウムシートを有する場合、半導体素子とアルミニウムシートとをボンディングワイヤにより電気的に接続してよい。
以下に本発明に係るアルミニウムシートの製造方法を説明する。
(圧延素材作製工程)
圧延素材作製工程は、純度が99.999質量%以上である冷間圧延用の材料、圧延素材を得る工程である。
圧延素材は、例えば以下のような方法で得ることができる。上述の三層電解法等の既知の精製方法により得られる純度99.999質量%以上の高純度アルミニウム(原料)を用い、不純物の侵入を抑制しつつ溶解した溶湯から所定形状の鋳塊を作製する。その後、切断および切削加工の一方または両方を鋳塊に施すことで所定形状の圧延素材を得ることができる。なお、圧延素材の作製方法は上述の方法に限定されるものではなく、公知の方法(例えばダイキャスティング、押出など)を用いてもよい。また、例えば鋳造組織の影響を低減することを目的に圧延素材は熱処理(均質化熱処理)を行ってもよい。
次に得られた圧延素材に圧延材温度(加工温度)60℃以上で冷間圧延を施す。圧延材温度が60℃以上となるように冷間圧延を行うことで、次工程の熱処理の加熱温度を低くできる。この結果、平均結晶粒径が1.00mm未満であり、かつビッカース硬度が18.0以下であるアルミニウムシートを得ることができる。
冷間圧延中に圧延材温度(加工温度)が一定以上の温度、すなわち60℃以上に達することで、圧延加工中の加工歪(結晶学的には転位等の結晶欠陥の蓄積)が圧延中に適度に開放され(転位等の結晶欠陥の移動・結合などによる減少)、加工歪を適量に抑えることができる。この結果、再結晶の核生成の駆動力が小さくなり、圧延加工中の部分的な再結晶が抑制され、したがって結晶組織の不均一が抑制される。同時に、適量の加工歪を有するため、圧延後の低い温度での熱処理で回復・再結晶が均一に進行し、結晶粒径が小さく、かつ硬度の低い(軟質な)アルミニウム材が得られる。
なお、アルミニウムシートを製造する場合、例えば400℃程度に加熱後に圧延する熱間圧延が行われるが、熱間圧延では次工程の熱処理の加熱温度を低くできる上述の効果を得ることができない。
また、圧延素材を熱間圧延し、得られた熱間圧延材を上記の条件で冷間圧延しても次工程の熱処理の加熱温度を低くできる効果を得ることができない。従って、圧延素材は熱間圧延を行うことなく、冷間圧延を行う。
圧延材温度は、当該パスの圧延ロールを出た直後の材料(圧延加工を受けた圧延素材)の温度を例えば接触温度計等を用いて測定することで求めることができる。
圧延加工率(%)=[(圧延前の厚さ−圧延後の厚さ)÷圧延前の厚さ]×100
により算出される。例えば、厚さ50mmの圧延素材を圧延して厚さ1mmの板材とすれば、圧延加工率は98%となる。
上記の冷間圧延を行って得た冷間圧延材に熱処理を施す。熱処理条件は、下記に示すように純度が99.999質量%以上99.9999%未満の場合と99.9999質量%以上の場合で異なる。
100℃〜400℃の間の温度で熱処理を行う。熱処理温度の好ましい下限は150℃であり、好ましい上限は200℃である。
50℃〜300℃の間の温度で熱処理を行う。
上記の(1)および(2)の条件で熱処理を行うことで、平均結晶粒径が1.00mm未満であり、かつビッカース硬度が18.0以下であり、従ってヒートサイクルによるクラックの発生およびうねりの発生を抑制できるアルミニウムシートを得ることができる。
また、単に平均結晶粒径が1.00mm未満にできるだけでなく、部分的に再結晶するなどの不均一な組織の形成が抑制され、結晶組織の均一性が高くなるという効果もある。
(圧延素材作製)
高純度アルミニウムとして5N−Alと6N−Alを準備した。また、純度が99.8質量%程度の純アルミニウム(2N8−Al)と、純度が99.99%程度の純アルミニウム(4N−Al)も準備した。
6N−AlのFe、SiおよびCuの含有量の測定については、固体発光分光分析では定量下限以下となる元素があったため、グロー放電質量分析(GD−MS)で測定した。6N−Alのそれ以外の不純物元素(不可避不純物)Mn、Mg、Ti、B、Cr、Ga、Ni、V、Zn、Zrもグロー放電質量分析(GD−MS)により測定した。
Fe、SiおよびCu以外の不可避不純物(Mn、Mg、Ti、B、Cr、Ga、Ni、V、Zn、Zr)の含有量は、2N8−Alは0.002質量%以下、4N−Alは0.002質量%以下、5N−Alは0.0001質量%以下、6N−Alは0.00001質量%以下であった。
次に、得られた鋳塊を、切断加工により厚み50mm×幅75mm×長さ100mmを切出し、さらに圧延面となる2面(50mm×75mmの面)を面削加工することで、厚み48mm×幅75mm×長さ100mmの圧延素材を得た。
上述の圧延素材に複数パスの冷間圧延を行い、厚さ0.4mmの冷間圧延板を得た。1パスあたりの圧延加工率(圧下率)はおおむね15〜20%とした。圧延材温度は61℃であった。圧延材温度は圧延後の厚さが5mmとなるパスで、圧延ロールを出た直後の材料の温度を接触温度計により測定して求めた。
以降のパスでは圧延材温度はより低かった。
得られた圧延材を切り出し、それぞれのサンプルを表2に示す熱処理温度まで加熱し3時間保持する熱処理を行った。
1)硬度
島津製作所製微小硬度計(HMV、マイクロビッカース硬度計)を用いてビッカース硬度HV0.05を測定した。
測定結果を表2に示す。
ビッカース硬度18.0以下を良好「○」とし、18.0を超えると不良「×」とした。
サンプルを王水(硝酸+塩酸=1:3)に浸漬し、結晶粒界が顕出してから取出し、実体顕微鏡を用いて平均結晶粒径を計測した。測定方向は、圧延方向に対して直角方向とした。原則、長さ75mmの直線を2か所(平均結晶粒径が小さいサンプルでは、75mm×2か所を測定しなくても十分なデータが得られるため、計数(直線を横切る結晶粒界の数)が他のサンプルと同等以上になるように測定範囲を調整した)の結晶粒の数を計数し、平均結晶粒径を導出した。
測定結果を表2に示す。平均結晶粒径が0.70mm以下を極めて良好「◎」、0.70mmを超え、1.00mm未満を良好「○」とし、1.00mm以上を不良「×」とした。
一方、それ以外のサンプルは、ビッカース硬度18以下および平均結晶粒径1.00mm未満の少なくとも一方を満足していない。
(冷間圧延材の作製)
実施例1と同じ方法により5N−Al、6N−Al、2N8−Alおよび4N−Alについて、厚さ0.4mmの冷間圧延材を得た。
得られた圧延材から100mm×50mmのサンプルを切り出し、それぞれのサンプルを窒素雰囲気中で表3に示すように200℃または500℃の熱処理温度まで加熱し3時間保持する熱処理を行った。
すなわち、表3のサンプルNo.2−1、2−2、2−3、2−4、2−5、2−6、2−7および2−8は、それぞれ、実施例1のサンプルNo.30、33、36、39、6、14、20および27と同じ方法で作製した。従って、表3に示すサンプルのビッカース硬度および平均結晶粒径は、それぞれ、表2の対応するサンプルの値と略同じである。
それぞれのサンプルを100mm×50mm×0.5mmのアルミナ製絶縁基板の片面にろう付けにより接合し、熱サイクル試験用サンプルを得た。
1)負荷試験(熱サイクル試験)
負荷試験用サンプルを大気雰囲気で、室温(約20℃)から175℃に加熱した。具体的には、200℃に保持した炉内に熱容量を確保するために配置したアルミニウムブロックの上に負荷試験用サンプルを配置し、同サンプルを温度が170±5℃の範囲内で5分保持した後に取り出し、炉外に配置した水冷アルミニウムブロック上に置き室温まで急冷した。
この加熱および冷却(急冷)のサイクルを5サイクル繰り返した。
リファインカッターでアルミニウムシートとアルミナ製絶縁基板との接合部(50mmの短辺に平行な断面)を切出し、研磨し、接合部を実体顕微鏡および金属顕微鏡で観察した。観察範囲は長さ50mmであり、観察倍率は10〜50倍であった。
観察結果を表3に示す。ボイドが観察されなかったまたはボイドが1〜2箇所観察されたサンプルを「○」、ボイドが3〜4箇所観察されたサンプルを「△」、5箇所ボイドが5箇所以上観察されたサンプル「×」と評価した。
Claims (6)
- 純度が99.999質量%以上であり、
平均結晶粒径が1.00mm未満であり、かつ
ビッカース硬度が18.0以下である、平均厚みが2.0mm以下のアルミニウムシート。 - 純度が99.9999質量%以上である請求項1に記載のアルミニウムシート。
- 請求項1または2に記載のアルミニウムシートを用いたアルミニウム製熱伝導部材。
- セラミックス基板と、半導体素子と、放熱部材とを有し、
前記セラミックス基板と前記半導体素子の間、および前記セラミックス基板と前記放熱部材との間の少なくとも一方に、請求項1または2に記載のアルミニウムシートを有するパワー半導体モジュール。 - 純度が99.999質量%以上99.9999%未満のアルミニウム材を加工温度60℃以上で冷間圧延し圧延材を得ることと、
前記圧延材を100℃〜400℃の間の温度に加熱することと、
を含む、純度が99.999質量%以上であり、平均結晶粒径が1.00mm未満であり、かつビッカース硬度が18.0以下である、平均厚みが2.0mm以下のアルミニウムシートの製造方法。 - 純度が99.9999質量%以上のアルミニウム材を加工温度60℃以上で冷間圧延し圧延材を得ることと、
前記圧延材を50℃〜300℃の間の温度に加熱することと、
を含む、純度が99.9999質量%以上であり、平均結晶粒径が1.00mm未満であり、かつビッカース硬度が18.0以下である、平均厚みが2.0mm以下のアルミニウムシートの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019056863A JP7236299B2 (ja) | 2019-03-25 | 2019-03-25 | 高純度アルミニウムシートおよびその製造方法ならびに当該高純度アルミニウムシートを用いたパワー半導体モジュール |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020158800A true JP2020158800A (ja) | 2020-10-01 |
JP7236299B2 JP7236299B2 (ja) | 2023-03-09 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019056863A Active JP7236299B2 (ja) | 2019-03-25 | 2019-03-25 | 高純度アルミニウムシートおよびその製造方法ならびに当該高純度アルミニウムシートを用いたパワー半導体モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7236299B2 (ja) |
CN (1) | CN111739851A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2019
- 2019-03-25 JP JP2019056863A patent/JP7236299B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-20 CN CN202010201036.1A patent/CN111739851A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN111739851A (zh) | 2020-10-02 |
JP7236299B2 (ja) | 2023-03-09 |
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