JP6678757B2 - 銅板付き絶縁基板用銅板材及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)Al、Be、Cd、Mg、Pb、Ni、P、Sn及びCrからなる群から選択される金属成分の合計含有量が0.1〜2.0ppm、銅の含有量が99.96mass%以上である組成を有し、かつ、EBSDによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角(φ1、Φ、φ2)で表したとき、φ2=0°、φ1=0°、Φ=0°〜90°の範囲における方位密度の平均値が3.0以上35.0未満であり、かつ、φ2=35°、φ1=45°〜55°、Φ=65°〜80°の範囲における方位密度の最大値が1.0以上30.0未満である圧延集合組織を有する、銅板付き絶縁基板用銅板材。
(2)前記銅の含有量が99.99mass%以上であり、かつ、縦弾性係数の平均値が115GPa以下であり、前記縦弾性係数は、圧延方向、板幅方向、及びこれらの間の方向で測定される、(1)に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
(3)平均結晶粒径が3μm〜100μmである、(1)又は(2)に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
(4)700〜800℃で10分〜5時間の熱履歴を受けた状態で、平均結晶粒径が50μm〜200μmである、(1)から(3)のいずれかに記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
(5)引張強度が150〜330MPaであり、かつ、導電率が95%IACS以上である、(1)から(4)のいずれかに記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
(6)(1)から(5)のいずれかに記載の銅板付き絶縁基板用銅板材の製造方法であって、
前記組成を有する銅素材を鋳造して得られた鋳塊に対して均質化熱処理を行う均質化熱処理工程と、
該均質化熱処理工程後に、熱間圧延を行う熱間圧延工程と、
該熱間圧延工程後に、冷却を行う冷却工程と、
該冷却工程後の被圧延材の両面を面削する面削工程と、
該面削工程後に、総加工率が75%以上である冷間圧延を行う第1冷間圧延工程と、
該第1冷間圧延工程後に、昇温速度が1〜100℃/秒、到達温度が100〜500℃、保持時間が1〜900秒、かつ、冷却速度が1〜50℃/秒である条件で熱処理を施す第1焼鈍工程と、
該第1焼鈍工程後に、総加工率が60〜95%である冷間圧延を行う第2冷間圧延工程と、
該第2冷間圧延工程後に、昇温速度が10〜100℃/秒、到達温度が200〜550℃、保持時間が10〜3600秒、かつ、冷却速度が10〜100℃/秒である条件で熱処理を施す第2焼鈍工程と、
該第2焼鈍工程後に、さらなる圧延を行う仕上げ圧延工程と、
該仕上げ圧延工程後に、最終熱処理を施す最終焼鈍工程と、
該最終焼鈍工程後に、酸洗及び研磨を行う表面酸化膜除去工程と、
を含む、銅板付き絶縁基板用銅板材の製造方法。
銅の含有量は、99.96mass%以上であり、好ましくは99.99mass%以上である。銅の含有量が99.96mass%未満であると、熱伝導率が低下し、所望する放熱性が得られない。また、Al、Be、Cd、Mg、Pb、Ni、P、Sn及びCrからなる群から選択される金属成分の合計含有量が0.1〜2.0ppmであり、0.1〜1.0ppmであることが好ましい。これらの金属成分の合計含有量の下限値は、特に限定されるものではないが、不可避的不純物を考慮し、0.1ppmである。一方、これらの金属成分の合計含有量が2.0ppmを超えると、所望の方位密度が得られない。また、銅板材には、銅、並びに、Al、Be、Cd、Mg、Pb、Ni、P、Sn及びCrからなる群から選択される金属成分以外に、残部として不可避的不純物が含まれていてもよい。不可避的不純物は、製造工程上、不可避的に含まれうる含有レベルの不純物を意味する。
本発明の銅板材は、圧延集合組織を有し、この圧延集合組織は、EBSDによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数(ODF:crystal orientation distribution function)をオイラー角(φ1、Φ、φ2)で表したとき、φ2=0°、φ1=0°、Φ=0°〜90°の範囲における方位密度の平均値が3.0以上35.0未満、好ましくは15以下であり、かつ、φ2=35°、φ1=45°〜55°、Φ=65°〜80°の範囲における方位密度の最大値が1.0以上30.0未満、好ましくは10以上である。圧延方向をRD方向、板幅方向(RD方向に対して直交する方向)をTD方向、圧延面(RD面)に対して垂直な方向をND方向としたとき、RD方向を軸とした方位回転がΦ、ND方向を軸とした方位回転がφ1、TD方向を軸とした方位回転がφ2として表される。方位密度は、集合組織における結晶方位の存在比率及び分散状態を定量的に解析する際に用いられるパラメータであり、EBSD及びX線回折を行い、(100)、(110)、(112)等の3種類以上の正極点図の測定データに基づいて、級数展開法による結晶方位分布解析法により算出される。EBSDによる集合組織解析から得られる、φ2を所定の角度で固定した断面図において、RD面内での方位密度の分布が示される。
縦弾性係数の平均値は、115GPa以下であることが好ましく、110GPa以下であることがより好ましい。また、縦弾性係数の平均値の下限値は、80GPa以上であることが好ましい。縦弾性係数は、RD方向、TD方向、及びこれらの間の方向で測定される。具体的に、縦弾性係数の平均値は、RD方向からTD方向に向かって所定の角度(例えば、10°)ずつ回転した、それぞれの方向での縦弾性係数を算出した後、それらの平均値を算出することにより得られる。上記範囲で測定した縦弾性係数の平均値が115GPaを超えると、絶縁基板と接合するために熱処理を行う場合に熱膨張による負荷応力が高くなる傾向になる。
本発明の銅板材において、平均結晶粒径は3μm〜100μmであることが好ましく、10μm〜90μm以下であることがより好ましい。平均結晶粒径が3μm未満であると、十分な結晶方位制御ができない場合がある。一方、平均結晶粒径が100μmを超えると、引張強度が低下する傾向にある。また、700〜800℃で10分〜5時間の熱履歴を受けた状態で、平均結晶粒径は50μm〜200μmであることが好ましいく、120μm以上であることがより好ましい。熱履歴を受けた状態における平均結晶粒径が200μmを超えると、ボンディング性の低下、熱膨張時の負荷が大きくなる。なお、結晶粒径は、銅板材のRD面におけるEBSD解析により測定することができる。熱履歴を受けた状態における結晶粒径も、銅板材に対して熱処理を行った後、同様の方法で測定することができる。
本発明の銅板材において、引張強度は150〜330MPaであることが好ましく、190MPa以上であることが好ましい。引張強度が150MPa未満であると、強度が不十分であり、引張強度が330MPaを超えると、伸び、加工性が低下する傾向にある。また、導電率は95%IACS以上であることが好ましい。導電率が95%未満であると、熱伝導率が低下し、その結果、放熱性が劣化する傾向にある。
次に、本発明の銅板材の製造方法の一例を説明する。
式中、t0は圧延前の板厚であり、tは圧延後の板厚である。
まず、表1に示す成分組成を有する銅素材を溶解し、鋳造して鋳塊を得た[工程1]。得られた鋳塊に対して、保持温度700〜1000℃、保持時間10分〜20時間の均質化熱処理を行った[工程2]。そして、総加工率が10〜90%となるように熱間圧延を行った[工程3]後、10℃/sec以上の冷却速度で急冷を行った[工程4]。冷却された材料の両面をそれぞれ約1.0mmずつ面削した[工程5]。次に、表2に示す総加工率で第1冷間処理を行った[工程6]後、表2に示す昇温速度、到達温度、保持時間及び冷却速度で第1焼鈍を行った[工程7]。次に、表2に示す総加工率で第2冷間圧延を行った[工程8]表2に示す昇温速度、到達温度、保持時間及び冷却速度で第2焼鈍を行った[工程9]後、表2に示す総加工率で仕上げ圧延を行った[工程10]。到達温度が125〜400℃である条件で最終焼鈍を行った[工程11]後、酸洗及び研磨を行い[工程12]、銅板材(供試材)を作製した。
<金属成分の定量分析>
作製した各供試材について、VG 9000(VG Scientific社製)を用いて解析を行った。各供試材に含まれるAl、Be、Cd、Mg、Pb、Ni、P、Sn及びCrの含有量(ppm)、Al、Be、Cd、Mg、Pb、Ni、P、Sn及びCr(表1では単に「金属成分」と記す)の合計含有量(ppm)、並びにCuの含有量(mass%)を表1に示す。なお、各供試材には、不可避的不純物が含まれている場合がある。また、表1における「−」は、該当する金属成分が検出されなかったことを意味する。
方位密度は、OIM5.0HIKARI(TSL社製)を用い、EBSD法により測定した。測定面積は、結晶粒を200個以上含む、800μm×1600μmの範囲とし、スキャンステップを0.1μmとした。測定後の結晶粒の解析には、TSL社製の解析ソフトOIM Analysis(商品名)を用いた。解析により得られた結晶方位分布関数はオイラー角で表示された。φ2=0°の断面図より、φ1=0°、Φ=0°〜90°の範囲(表3では「範囲A」と記す)における方位密度の平均値を算出した。また、オイラー角で表示されたφ2=35°の断面図において、φ1=45°〜55°、Φ=65°〜80°の範囲(表3では「範囲B」と記す)における方位密度の最大値を読み出した。各供試材について、範囲Aにおける方位密度の平均値及び範囲Bにおける方位密度の最大値を表3に示す。
平均結晶粒径は、方位密度と同様の方法で測定した。測定範囲に含まれる全ての結晶粒より、平均結晶粒径を算出した。各供試材の平均結晶粒径を表3に示す。
各供試材から、RD方向と、TD方向と、RD方向からTD方向にかけて10°おきに回転させた方向において、それぞれ幅20mm、長さ200mmの短冊状試験片を採取した。まず、試験片の長さ方向に引張試験機により応力を付与した。そして、降伏するときの歪量の80%の歪量を最大変位量とし、その最大変位量までを10分割した変位を与えた。その10点で歪と応力の比例定数を算出し、各比例定数の平均値を縦弾性係数の平均値とした。縦弾性係数の平均値が115GPa以下である場合を「良好」、115GPaを超える場合を「不良」と評価した。各供試材について、縦弾性係数の平均値を表3に示す。
導電率は、20℃(±0.5℃)に保たれた恒温槽中で四端子法により計測した比抵抗の数値から算出した。なお、端子間距離は100mmとした。導電率が95%IACS以上である場合を「良好」、95%IACS未満である場合を「不良」と評価した。各供試材の導電率を表3に示す。
各供試材のRD方向から、JIS Z2201−13B号の試験片を3本切り出した。JIS Z2241に準じて、各試験片の引張強度を測定し、その平均値を算出した。引張強度が150MPa以上330MPa以下である場合を「良好」、150MPa未満である場合又は330MPaを超える場合を「不良」と評価した。各供試材の引張強度を表3に示す。
各供試材に対して、アルゴン雰囲気又は窒素雰囲気下の管状炉で800℃で5時間の熱処理を施した後、上記平均結晶粒径の測定方法と同様の方法で、平均結晶粒径を測定した。熱処理後の平均結晶粒径が200μm以下である場合を耐熱性が「良好」、200μmを超える場合を耐熱性が「不良」と評価した。各供試材について、熱処理後の平均結晶粒径を表3に示す。一般的に、結晶粒径は、熱処理を高温で長時間行うほど成長する。すなわち、800℃で5時間の熱処理を行った後に平均結晶粒径が200μm以下である供試材については、700〜800℃で10分以上5時間以内の熱処理を行った場合に、平均結晶粒径が200μm以下であることは自明である。
Claims (6)
- Al、Be、Cd、Mg、Pb、Ni、P、Sn及びCrからなる群から選択される金属成分の合計含有量が0.1〜2.0ppm、銅の含有量が99.96mass%以上である組成を有し、かつ、EBSDによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角(φ1、Φ、φ2)で表したとき、φ2=0°、φ1=0°、Φ=0°〜90°の範囲における方位密度の平均値が3.0以上35.0未満であり、かつ、φ2=35°、φ1=45°〜55°、Φ=65°〜80°の範囲における方位密度の最大値が1.0以上30.0未満である圧延集合組織を有することを特徴とする銅板付き絶縁基板用銅板材。
- 前記銅の含有量が99.99mass%以上であり、かつ、縦弾性係数の平均値が115GPa以下であり、前記縦弾性係数は圧延方向、板幅方向、及びこれらの間の方向で測定される、請求項1に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
- 平均結晶粒径が3μm〜100μmである、請求項1又は2に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
- 700〜800℃で10分〜5時間の熱履歴を受けた状態で、平均結晶粒径が50μm〜200μmである、請求項1から3までのいずれか1項に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
- 引張強度が150〜330MPaであり、かつ、導電率が95%IACS以上である、請求項1から4までのいずれか1項に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
- 請求項1から5までのいずれか1項に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材の製造方法であって、
前記組成を有する銅素材を鋳造して得られた鋳塊に対して均質化熱処理を行う均質化熱処理工程と、
該均質化熱処理工程後に、熱間圧延を行う熱間圧延工程と、
該熱間圧延工程後に、冷却を行う冷却工程と、
該冷却工程後の被圧延材の両面を面削する面削工程と、
該面削工程後に、総加工率が75%以上である冷間圧延を行う第1冷間圧延工程と、
該第1冷間圧延工程後に、昇温速度が1〜100℃/秒、到達温度が100〜500℃、保持時間が1〜900秒、かつ、冷却速度が1〜50℃/秒である条件で熱処理を施す第1焼鈍工程と、
該第1焼鈍工程後に、総加工率が60〜95%である冷間圧延を行う第2冷間圧延工程と、
該第2冷間圧延工程後に、昇温速度が10〜100℃/秒、到達温度が200〜550℃、保持時間が10〜3600秒、かつ、冷却速度が10〜100℃/秒である条件で熱処理を施す第2焼鈍工程と、
該第2焼鈍工程後に、さらなる圧延を行う仕上げ圧延工程と、
該仕上げ圧延工程後に、最終熱処理を施す最終焼鈍工程と、
該最終焼鈍工程後に、酸洗及び研磨を行う表面酸化膜除去工程と、
を含む、銅板付き絶縁基板用銅板材の製造方法。
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