JP2020069529A - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工装置及びレーザ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020069529A JP2020069529A JP2018234778A JP2018234778A JP2020069529A JP 2020069529 A JP2020069529 A JP 2020069529A JP 2018234778 A JP2018234778 A JP 2018234778A JP 2018234778 A JP2018234778 A JP 2018234778A JP 2020069529 A JP2020069529 A JP 2020069529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser processing
- laser
- line
- region
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 652
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 85
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 53
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 11
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 8
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 abstract description 15
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 192
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 40
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 38
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 18
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 16
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 13
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 13
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
- B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
- B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
- B23K26/0884—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions in at least in three axial directions, e.g. manipulators, robots
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/351—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
- B23K37/02—Carriages for supporting the welding or cutting element
- B23K37/0211—Carriages for supporting the welding or cutting element travelling on a guide member, e.g. rail, track
- B23K37/0235—Carriages for supporting the welding or cutting element travelling on a guide member, e.g. rail, track the guide member forming part of a portal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Robotics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Lasers (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
Description
図1に示されるように、レーザ加工装置1は、複数の移動機構5,6と、支持部7と、1対のレーザ加工ヘッド(第1レーザ加工ヘッド、第2レーザ加工ヘッド)10A,10Bと、光源ユニット8と、制御部9と、を備えている。以下、第1方向をX方向、第1方向に垂直な第2方向をY方向、第1方向及び第2方向に垂直な第3方向をZ方向という。本実施形態では、X方向及びY方向は水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。
[レーザ加工ヘッドの構成]
[作用及び効果]
[変形例]
図9に示される第1実施形態に係るレーザ加工装置101は、レーザ加工装置1は、対象物100に集光点(少なくとも集光領域の一部)を合わせて第1レーザ光L1を照射することにより、対象物100に改質領域を形成する。レーザ加工装置101は、対象物100にトリミング加工を施し、半導体デバイスを取得(製造)する。レーザ加工装置101は、対象物100の外縁の内側において環状に延在するラインM3に沿って、改質領域を形成する。レーザ加工装置101は、ステージ107、第1レーザ加工ヘッド10A、第1Z軸レール106A、X軸レール108、アライメントカメラ110、並びに、制御部9を備える。
図24、図39及び図54に示されるように、加工角度αが85°の場合においては、ビーム角度βが−35°〜−10°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
次に、第2実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第2実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点を説明し、第1実施形態と重複する説明を省略する。
次に、第3実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第3実施形態の説明では、第2実施形態と異なる点を説明し、第2実施形態と重複する説明を省略する。
次に、第4実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第4実施形態の説明では、第3実施形態と異なる点を説明し、第3実施形態と重複する説明を省略する。
以上、本発明の一態様は、上述した実施形態に限定されない。
Claims (9)
- 対象物に少なくとも集光領域の一部を合わせてレーザ光を照射することにより、前記対象物に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記対象物を支持する支持部と、
前記支持部によって支持された前記対象物に前記レーザ光を照射する照射部と、
前記支持部及び前記照射部を制御する制御部と、を備え、
前記照射部は、
前記レーザ光の光軸に垂直な面内における前記集光領域の一部の形状が長手方向を有するように前記レーザ光を成形する成形部を有し、
前記制御部は、
前記対象物に関する対象物情報、及び、前記対象物の外縁の内側において環状に延在するラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記ラインに関するライン情報に基づいて、前記長手方向が前記集光領域の一部の移動方向と交差するように、前記ラインの第1部分における前記長手方向の向きを第1向きに決定する決定部と、
前記決定部によって決定された前記第1向きになるように、前記第1部分における前記長手方向の向きを調整する調整部と、を有する、レーザ加工装置。 - 前記対象物情報は、前記対象物の結晶方位に関する情報であり、
前記ライン情報は、前記集光領域の一部の移動方向に関する情報である、請求項1に記載のレーザ加工装置。 - 前記決定部は、前記対象物情報及び前記ライン情報に基づいて、前記長手方向が前記移動方向と交差するように、前記第1部分から離れた前記ラインの第2部分における前記長手方向の向きを第2向きに決定し、
前記調整部は、前記決定部によって決定された前記第2向きになるように、前記第2部分における前記長手方向の向きを調整する、請求項1又は2に記載のレーザ加工装置。 - 前記第1部分に沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させた後に前記第2部分に沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合に、前記調整部は、前記第1部分と前記第2部分との間に位置する前記ラインの第3部分において、前記長手方向の向きを前記第1向きから前記第2向きに変化させる、請求項3に記載のレーザ加工装置。
- 前記対象物は、(100)面を主面とし、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位及び他方の(110)面に垂直な第2結晶方位を有するウェハであり、
前記ラインは、前記主面に垂直な方向から見た場合に円環状に延在しており、
前記ラインが前記第2結晶方位と直交する1点を0°の点とした場合に、前記第1部分は、5°の点から15°の点までの間の部分を含み、前記第2部分は、75°の点から85°の点までの間の部分を含む、請求項3又は4に記載のレーザ加工装置。 - 前記第1向き及び前記第2向きは、前記第1結晶方位及び前記第2結晶方位のうち前記移動方向との間の角度が大きい一方に近づくように、前記移動方向に対して傾斜した方向の向きである、請求項5に記載のレーザ加工装置。
- 前記第1向き及び第2向きは、前記第1結晶方位及び前記第2結晶方位のうち前記移動方向との間の角度が大きい一方に近づくように前記移動方向から10°〜35°傾斜した方向の向きである、請求項6に記載のレーザ加工装置。
- 前記成形部は、空間光変調器であり、
前記調整部は、前記空間光変調器を制御することにより、前記長手方向の向きを調整する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。 - 対象物に少なくとも集光領域の一部を合わせてレーザ光を照射することにより、前記対象物に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、
前記対象物に関する対象物情報、及び、前記対象物の外縁の内側において環状に延在するラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記ラインに関するライン情報に基づいて、前記レーザ光の光軸に垂直な面内における前記集光領域の一部の形状が有する長手方向が前記集光領域の一部の移動方向と交差するように、前記ラインの第1部分における前記長手方向の向きを第1向きに決定し、前記第1部分から離れた前記ラインの第2部分における前記長手方向の向きを第2向きに決定する工程と、
決定された前記第1向きになるように、前記第1部分における前記長手方向の向きを調整し、決定された前記第2向きになるように、前記第2部分における前記長手方向の向きを調整する工程と、を備える、レーザ加工方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020217015663A KR20210080508A (ko) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 |
CN201980071724.6A CN113165119B (zh) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | 激光加工装置及激光加工方法 |
TW108139207A TW202027893A (zh) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | 雷射加工裝置及雷射加工方法 |
PCT/JP2019/042627 WO2020090913A1 (ja) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018204114 | 2018-10-30 | ||
JP2018204114 | 2018-10-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020069529A true JP2020069529A (ja) | 2020-05-07 |
JP7285067B2 JP7285067B2 (ja) | 2023-06-01 |
Family
ID=70463712
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018234809A Active JP7120903B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-12-14 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2018234816A Active JP7120904B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-12-14 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2018234778A Active JP7285067B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-12-14 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2019073179A Active JP7134909B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-04-05 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2019073181A Active JP7352372B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-04-05 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2020553988A Active JP7301067B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | レーザ加工装置 |
JP2020553978A Active JP7402813B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | レーザ装置、及び、レーザ加工装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018234809A Active JP7120903B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-12-14 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2018234816A Active JP7120904B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-12-14 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019073179A Active JP7134909B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-04-05 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2019073181A Active JP7352372B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-04-05 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2020553988A Active JP7301067B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | レーザ加工装置 |
JP2020553978A Active JP7402813B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-10-30 | レーザ装置、及び、レーザ加工装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11833611B2 (ja) |
JP (7) | JP7120903B2 (ja) |
KR (5) | KR20210082484A (ja) |
CN (6) | CN113039035B (ja) |
DE (2) | DE112019005451T5 (ja) |
TW (6) | TWI837206B (ja) |
WO (2) | WO2020090909A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020213479A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
WO2020213478A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP7460377B2 (ja) * | 2020-01-28 | 2024-04-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JPWO2022014104A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | ||
CN116075389A (zh) * | 2020-07-15 | 2023-05-05 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工装置、及激光加工方法 |
KR20230038461A (ko) * | 2020-07-15 | 2023-03-20 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치, 및 레이저 가공 방법 |
CN112059416A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-12-11 | 浙江摩多巴克斯科技股份有限公司 | 一种高速高精度能环向加工的节能型双工位激光加工设备 |
TWI787933B (zh) | 2021-08-02 | 2022-12-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 巨量轉移設備 |
CN113594308A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-02 | 錼创显示科技股份有限公司 | 巨量转移设备 |
KR102654236B1 (ko) * | 2022-03-07 | 2024-04-03 | 주식회사 코윈디에스티 | 레이저 빔의 균질도가 향상된 레이저 가공 시스템 |
WO2023209904A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | ヤマハ発動機株式会社 | ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016043558A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | アイシン精機株式会社 | 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置 |
JP2018133484A (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
Family Cites Families (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH067979A (ja) | 1992-06-25 | 1994-01-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レーザー加工機の自動焦点装置 |
JPH07157816A (ja) | 1993-12-07 | 1995-06-20 | Kawasaki Steel Corp | 溶融金属の精錬方法 |
JP3748148B2 (ja) | 1997-03-14 | 2006-02-22 | 株式会社アマダ | レーザー加工不良状態検出方法および装置 |
JP2002131559A (ja) | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Ykk Corp | コア拡大光ファイバの製造方法 |
KR100820689B1 (ko) | 2001-08-10 | 2008-04-10 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성재료기판의 모따기 방법 및 모따기 장치 |
JP3993630B2 (ja) | 2001-11-30 | 2007-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4110219B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-07-02 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置 |
JP2004111606A (ja) | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP4509578B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4838982B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2011-12-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | レーザアニール方法およびレーザアニール装置 |
US7804864B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-09-28 | Imra America, Inc. | High power short pulse fiber laser |
JP2005294656A (ja) | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Sharp Corp | 基板製造方法及び基板製造装置 |
TW200604118A (en) | 2004-04-27 | 2006-02-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Method for forming vertical crack on brittle board and vertical crack forming apparatus |
JP4856931B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2012-01-18 | キヤノン株式会社 | レーザ割断方法およびレーザ割断装置 |
JP2006315033A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体のレーザ切断加工システム及び加工方法 |
US9138913B2 (en) * | 2005-09-08 | 2015-09-22 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
KR20080066744A (ko) | 2005-11-01 | 2008-07-16 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | 자기 특성이 우수한 방향성 전자기 강판의 제조 방법 및제조 장치 |
JP4816390B2 (ja) | 2005-11-16 | 2011-11-16 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法および半導体チップ |
CN101024260A (zh) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 三芳化学工业股份有限公司 | 具有表面纹路的抛光垫和其制造方法与制造装置 |
JP2007229773A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Toyota Auto Body Co Ltd | レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置 |
JP2007235069A (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP5037082B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US8604381B1 (en) * | 2006-10-12 | 2013-12-10 | Purdue Research Foundation | Integrated laser material processing cell |
JP5054496B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2009172668A (ja) | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Toray Eng Co Ltd | レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法 |
CN101251725B (zh) | 2008-03-31 | 2010-09-15 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻装置的对准***和标记、对准方法以及光刻装置 |
JP5198203B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-05-15 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2010153590A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 切断用加工方法 |
JP2010167433A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Omron Corp | レーザ照射装置およびレーザ加工装置 |
JP5352331B2 (ja) * | 2009-04-15 | 2013-11-27 | ダイトエレクトロン株式会社 | ウェーハの面取り加工方法 |
JP5491761B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5446631B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2014-03-19 | アイシン精機株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5441111B2 (ja) | 2009-09-14 | 2014-03-12 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
JP5148575B2 (ja) | 2009-09-15 | 2013-02-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
JP5410250B2 (ja) | 2009-11-25 | 2014-02-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5614739B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2014-10-29 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板内部加工装置および基板内部加工方法 |
JP5456510B2 (ja) | 2010-02-23 | 2014-04-02 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
TWI543264B (zh) * | 2010-03-31 | 2016-07-21 | 應用材料股份有限公司 | 雷射光束定位系統 |
US8730568B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-05-20 | Calmar Optcom, Inc. | Generating laser pulses based on chirped pulse amplification |
RU2459691C2 (ru) | 2010-11-29 | 2012-08-27 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты) |
US8415587B2 (en) * | 2010-12-03 | 2013-04-09 | Uvtech Systems, Inc. | Fiber-optic beam delivery system for wafer edge processing |
JP5771391B2 (ja) | 2010-12-22 | 2015-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5819644B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-11-24 | 株式会社アマダミヤチ | レーザ加工装置 |
JP5917862B2 (ja) | 2011-08-30 | 2016-05-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2013055084A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Panasonic Industrial Devices Sunx Co Ltd | レーザ加工装置、及びレーザ発振装置 |
JP5255109B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP5899513B2 (ja) | 2012-01-12 | 2016-04-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 基板製造方法、および改質層形成装置 |
JP6053381B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2016-12-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP5947172B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2016-07-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 波長変換型空間光変調装置 |
JP6127526B2 (ja) | 2012-10-29 | 2017-05-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
JP6064519B2 (ja) | 2012-10-29 | 2017-01-25 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
JP2014091642A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及び電子デバイスの製造方法 |
DE102012110971A1 (de) * | 2012-11-14 | 2014-05-15 | Schott Ag | Trennen von transparenten Werkstücken |
CN102990230B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种激光切割机 |
US10179374B2 (en) | 2013-02-04 | 2019-01-15 | Newport Corporation | Method and apparatus for laser cutting transparent and semitransparent substrates |
JP6382797B2 (ja) | 2013-03-27 | 2018-08-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US9914183B2 (en) * | 2013-03-27 | 2018-03-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device and laser machining method |
JP6071775B2 (ja) | 2013-06-26 | 2017-02-01 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6241174B2 (ja) | 2013-09-25 | 2017-12-06 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
JP2015074003A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 信越ポリマー株式会社 | 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 |
DE102013016682A1 (de) | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Erzeugung einer Rissauslösestelle oder einer Rissführung zum verbesserten Abspalten einer Festkörperschicht von einem Festkörper |
DE102013223637B4 (de) * | 2013-11-20 | 2018-02-01 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats |
DE102014204347A1 (de) * | 2014-03-10 | 2015-09-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Spark Plasma Sintering mit verbesserter Festigkeit der Fügezone |
EP2965853B2 (en) | 2014-07-09 | 2020-03-25 | High Q Laser GmbH | Processing of material using elongated laser beams |
JP6295154B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2018-03-14 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP6483974B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2019-03-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
SG11201704275UA (en) | 2014-11-27 | 2017-06-29 | Siltectra Gmbh | Splitting of a solid using conversion of material |
JP6494991B2 (ja) | 2014-12-10 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
DE102015003193A1 (de) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Siltectra Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum kontinuierlichen Behandeln eines Festkörpers mittels Laserstrahlen |
JP6451421B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-01-16 | オムロン株式会社 | 接合構造体の製造方法 |
CN107922237B (zh) | 2015-03-24 | 2022-04-01 | 康宁股份有限公司 | 显示器玻璃组合物的激光切割和加工 |
JP6494467B2 (ja) | 2015-08-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6728188B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2020-07-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP6594699B2 (ja) | 2015-08-18 | 2019-10-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置 |
JP6680494B2 (ja) | 2015-09-15 | 2020-04-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP6531345B2 (ja) | 2015-09-29 | 2019-06-19 | 株式会社東京精密 | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
JP2017071074A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 国立大学法人埼玉大学 | 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法 |
JP6602207B2 (ja) | 2016-01-07 | 2019-11-06 | 株式会社ディスコ | SiCウエーハの生成方法 |
JP6661394B2 (ja) | 2016-01-28 | 2020-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP6661392B2 (ja) | 2016-01-28 | 2020-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
US20200105572A1 (en) * | 2016-03-09 | 2020-04-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Heat treatment device, heat treatment method, laser annealing device, and laser annealing method |
JP6995465B2 (ja) | 2016-03-18 | 2022-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
JP2017204574A (ja) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | 株式会社ディスコ | サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置 |
JP6636384B2 (ja) * | 2016-05-13 | 2020-01-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6807662B2 (ja) | 2016-06-14 | 2021-01-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ発振器、及び、励起光検出構造の製造方法 |
KR102566170B1 (ko) * | 2016-09-12 | 2023-08-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 타공 장치 |
JP6908464B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2021-07-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板加工方法および基板加工装置 |
JP6775880B2 (ja) | 2016-09-21 | 2020-10-28 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6786374B2 (ja) * | 2016-12-16 | 2020-11-18 | 株式会社スミテック | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
KR101884429B1 (ko) | 2016-12-22 | 2018-08-01 | 주식회사 포스코 | 방향성 전기강판 및 그 자구미세화 방법 |
JP6797481B2 (ja) | 2017-03-01 | 2020-12-09 | 株式会社ディスコ | 半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置 |
JP7032050B2 (ja) | 2017-03-14 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN107123588A (zh) | 2017-06-26 | 2017-09-01 | 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 一种氮化镓晶圆片边缘处理方法 |
JP6994852B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2022-01-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
JP2019025539A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-21 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN118263105A (zh) | 2018-03-14 | 2024-06-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理***、基板处理方法以及计算机存储介质 |
US10388526B1 (en) | 2018-04-20 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
CN112638573B (zh) | 2018-09-13 | 2023-08-22 | 东京毅力科创株式会社 | 处理***和处理方法 |
EP3872840A4 (en) | 2018-10-23 | 2022-07-27 | Tokyo Electron Limited | SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD |
JP7287982B2 (ja) | 2018-12-21 | 2023-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2018
- 2018-12-14 JP JP2018234809A patent/JP7120903B2/ja active Active
- 2018-12-14 JP JP2018234816A patent/JP7120904B2/ja active Active
- 2018-12-14 JP JP2018234778A patent/JP7285067B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-05 JP JP2019073179A patent/JP7134909B2/ja active Active
- 2019-04-05 JP JP2019073181A patent/JP7352372B2/ja active Active
- 2019-10-30 TW TW108139287A patent/TWI837206B/zh active
- 2019-10-30 WO PCT/JP2019/042616 patent/WO2020090909A1/ja active Application Filing
- 2019-10-30 JP JP2020553988A patent/JP7301067B2/ja active Active
- 2019-10-30 DE DE112019005451.1T patent/DE112019005451T5/de active Pending
- 2019-10-30 KR KR1020217015672A patent/KR20210082484A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-10-30 CN CN201980071530.6A patent/CN113039035B/zh active Active
- 2019-10-30 TW TW108139208A patent/TWI819132B/zh active
- 2019-10-30 CN CN201980072868.3A patent/CN113165120B/zh active Active
- 2019-10-30 JP JP2020553978A patent/JP7402813B2/ja active Active
- 2019-10-30 TW TW108139199A patent/TW202023724A/zh unknown
- 2019-10-30 CN CN201980071652.5A patent/CN113039038B/zh active Active
- 2019-10-30 CN CN201980071724.6A patent/CN113165119B/zh active Active
- 2019-10-30 KR KR1020217015667A patent/KR20210081404A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-10-30 US US17/289,011 patent/US11833611B2/en active Active
- 2019-10-30 CN CN201980071656.3A patent/CN112996628B/zh active Active
- 2019-10-30 TW TW108139303A patent/TWI814930B/zh active
- 2019-10-30 KR KR1020217015670A patent/KR20210080510A/ko active IP Right Grant
- 2019-10-30 DE DE112019005436.8T patent/DE112019005436T5/de active Pending
- 2019-10-30 WO PCT/JP2019/042584 patent/WO2020090889A1/ja active Application Filing
- 2019-10-30 TW TW108139207A patent/TW202027893A/zh unknown
- 2019-10-30 KR KR1020217015663A patent/KR20210080508A/ko active IP Right Grant
- 2019-10-30 KR KR1020217015678A patent/KR20210080513A/ko active IP Right Grant
- 2019-10-30 TW TW108139221A patent/TWI837205B/zh active
- 2019-10-30 CN CN201980071657.8A patent/CN112930244B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016043558A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | アイシン精機株式会社 | 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置 |
JP2018133484A (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020069529A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
WO2020090896A1 (ja) | レーザ加工装置 | |
WO2020090918A1 (ja) | レーザ加工装置 | |
WO2020090905A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
WO2021199874A1 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法及びウェハ | |
WO2020090913A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
WO2020090894A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
WO2021153317A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
WO2021220607A1 (ja) | レーザ加工装置 | |
WO2021149525A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230516 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7285067 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |