JP2020061486A - Electromagnetic wave shield film, manufacturing method of the same, and print circuit board with electromagnetic wave shield film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電磁波シールドフィルムおよびその製造方法、ならびに電磁波シールドフィルム付きプリント配線板に関する。 The present invention relates to an electromagnetic wave shield film, a method for manufacturing the same, and a printed wiring board with an electromagnetic wave shield film.
プリント配線板から発生する電磁波ノイズや外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために、絶縁樹脂層と導電層とを有する電磁波シールドフィルムを、絶縁フィルム（カバーレイフィルム）を介してプリント配線板の表面に設けることがある（例えば、特許文献１参照）。導電層は、例えば、電磁波を遮蔽するための金属薄膜層と、金属薄膜層とプリント配線板のプリント回路とを電気的に接続するための導電性接着剤層とを有する。 An electromagnetic wave shielding film having an insulating resin layer and a conductive layer is provided on the surface of the printed wiring board via an insulating film (coverlay film) in order to shield the electromagnetic wave noise generated from the printed wiring board and the electromagnetic wave noise from the outside. It may be provided (for example, refer to Patent Document 1). The conductive layer has, for example, a metal thin film layer for shielding electromagnetic waves, and a conductive adhesive layer for electrically connecting the metal thin film layer and the printed circuit of the printed wiring board.
電磁波シールドフィルムをプリント配線板の表面に設ける際には、キャリアフィルム付き電磁波シールドフィルムと絶縁フィルム付きプリント配線板とを熱プレスし、必要に応じてさらに加熱することによって貼り付ける。しかし、プリント配線板への貼り付けの際の高温によってキャリアフィルムが熱により伸縮しやすい。キャリアフィルムが伸縮すると、電磁波シールドフィルムの寸法が変化してしまい、電磁波シールドフィルムをプリント配線板の表面に設計通りに設けることができない。 When the electromagnetic wave shielding film is provided on the surface of the printed wiring board, the electromagnetic wave shielding film with the carrier film and the printed wiring board with the insulating film are hot-pressed, and if necessary, further heated to adhere. However, the carrier film easily expands and contracts due to heat due to the high temperature when it is attached to the printed wiring board. When the carrier film expands and contracts, the dimensions of the electromagnetic wave shielding film change, and the electromagnetic wave shielding film cannot be provided on the surface of the printed wiring board as designed.
本発明は、プリント配線板への貼り付けの際の高温によって寸法が変化しにくい電磁波シールドフィルムおよびその製造方法、ならびに電磁波シールドフィルムが設計通りに設けられた電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を提供する。 The present invention provides an electromagnetic wave shield film whose dimensions are unlikely to change due to high temperature when attached to a printed wiring board, a method for manufacturing the same, and a printed wiring board with an electromagnetic wave shield film provided as designed. .
本発明は、以下の態様を有する。
＜１＞キャリアフィルムと、前記キャリアフィルムに隣接する絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層とを有し、前記導電層が少なくとも導電性接着剤層を有する電磁波シールドフィルムであり、下記寸法変化率測定（１）による前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１が、前記キャリアフィルムのＭＤおよびＴＤのそれぞれについて±０．２００％以内となるものである、電磁波シールドフィルム。
（寸法変化率測定（１））
前記電磁波シールドフィルムと厚さ１８μｍの銅箔とを、前記導電性接着剤層と前記銅箔とが接するように重ね、温度：１７０℃、圧力：３ＭＰａで３分間熱プレスして試験用積層体を得る。前記試験用積層体を、温度：１５０℃の雰囲気下で６０分間加熱する。加熱後の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ２と、熱プレスする前の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ１とから、下記式（Ｉ）によって前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１を求める。前記キャリアフィルムのＴＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１も、前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１と同様に求める。
ΔＬ１＝（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（Ｉ）
＜２＞下記寸法変化率測定（２）による前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２が、前記キャリアフィルムのＭＤおよびＴＤのそれぞれについて±０．２００％以内となるものである、前記＜１＞の電磁波シールドフィルム。
（寸法変化率測定（２））
前記寸法変化率測定（１）を実施した後の前記試験用積層体を、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６に規定のはんだ耐熱性試験にしたがい、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６の図２ａに記載のリフロー温度プロファイルにおける予備加熱最低温度Ｔ１を１５０±５℃、予備加熱最高温度Ｔ２を１７０±５℃、予備加熱時間ｔ１を８５秒、はんだ付け温度Ｔ３を２２０℃、はんだ付け時間ｔ２を４０秒、ピーク温度Ｔ４を２４５℃、ピーク温度維持時間ｔ４を２０秒に規定したリフロー温度プロファイルで加熱する。加熱後の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ３と、前記寸法変化率測定（１）において熱プレスする前の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ１とから、下記式（ＩＩ）によって前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２を求める。前記キャリアフィルムのＴＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２も、前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２と同様に求める。
ΔＬ２＝（Ｌ３−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（ＩＩ）
＜３＞温度：１８０℃以上２５０℃以下の雰囲気下にて１分以上５分以下で加熱処理されて得られたキャリアフィルムの片面に絶縁樹脂層を形成し、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層を設ける、電磁波シールドフィルムの製造方法。
＜４＞下記寸法変化率測定（３）によるキャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３がキャリアフィルムのＭＤおよびＴＤそれぞれについて±０．２５０％以内となるキャリアフィルムの片面に絶縁樹脂層を形成し、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層を設ける、電磁波シールドフィルムの製造方法。
（寸法変化率測定（３））
前記キャリアフィルムを、温度：１５０℃の雰囲気下で３０分間加熱した後の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法Ｌ５と、加熱する前の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法Ｌ４とから、下記式（ＩＩＩ）によって前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３を求める。前記キャリアフィルムのＴＤにおける前記キャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３も、前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３と同様に求める。
ΔＬ３＝（Ｌ５−Ｌ４）／Ｌ４×１００ ・・・（ＩＩＩ）
＜５＞基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に隣接する絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムに隣接する前記＜１＞または＜２＞の電磁波シールドフィルムとを有する、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板。
The present invention has the following aspects.
<1> An electromagnetic wave shielding film having a carrier film, an insulating resin layer adjacent to the carrier film, and a conductive layer adjacent to the insulating resin layer, wherein the conductive layer has at least a conductive adhesive layer, An electromagnetic wave shielding film, wherein the dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shielding film measured by the following dimensional change rate measurement (1) is within ± 0.200% for each of MD and TD of the carrier film.
(Dimensional change rate measurement (1))
The electromagnetic wave shielding film and a copper foil having a thickness of 18 μm were laminated so that the conductive adhesive layer and the copper foil were in contact with each other, and heat-pressed at a temperature of 170 ° C. and a pressure of 3 MPa for 3 minutes to form a test laminate. To get The test laminate is heated for 60 minutes in an atmosphere at a temperature of 150 ° C. From the dimension L2 of the electromagnetic wave shielding film in the MD of the carrier film after heating and the dimension L1 of the electromagnetic wave shielding film in the MD of the carrier film before hot pressing, the MD of the carrier film according to the following formula (I). The dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shielding film is calculated. The dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shield film in the TD of the carrier film is also obtained in the same manner as the dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shield film in the MD of the carrier film.
ΔL1 = (L2-L1) / L1 × 100 (I)
<2> The dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shielding film measured by the following dimensional change rate measurement (2) is within ± 0.200% for each of MD and TD of the carrier film. Electromagnetic wave shield film.
(Dimensional change rate measurement (2))
The test laminate after carrying out the dimensional change rate measurement (1) is subjected to a solder heat resistance test prescribed in JIS C 60068-2-58: 2006, according to JIS C 60068-2-58: 2006. In the reflow temperature profile described in 2a, the preheating minimum temperature T 1 is 150 ± 5 ° C., the preheating maximum temperature T 2 is 170 ± 5 ° C., the preheating time t 1 is 85 seconds, and the soldering temperature T 3 is 220 ° C. The soldering time t 2 is 40 seconds, the peak temperature T 4 is 245 ° C., and the peak temperature maintenance time t 4 is 20 seconds. From the dimension L3 of the electromagnetic wave shielding film in MD of the carrier film after heating and the dimension L1 of the electromagnetic wave shielding film in MD of the carrier film before hot pressing in the dimensional change rate measurement (1), According to (II), the dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shield film in the MD of the carrier film is obtained. The dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shield film in the TD of the carrier film is also obtained in the same manner as the dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shield film in the MD of the carrier film.
ΔL2 = (L3-L1) / L1 × 100 (II)
<3> Temperature: An insulating resin layer is formed on one surface of a carrier film obtained by heat treatment for 1 minute to 5 minutes in an atmosphere of 180 ° C. to 250 ° C. A method for producing an electromagnetic wave shielding film, which comprises providing a layer.
<4> The dimension change rate ΔL3 of the carrier film measured by the following dimension change rate measurement (3) is within ± 0.250% for each of MD and TD of the carrier film. An insulating resin layer is formed on one surface of the carrier film, and the insulation is obtained. A method for producing an electromagnetic wave shielding film, which comprises providing a conductive layer adjacent to a resin layer.
(Dimensional change rate measurement (3))
A dimension L5 of the carrier film in MD of the carrier film after heating the carrier film in an atmosphere of a temperature of 150 ° C. for 30 minutes, and a dimension L4 of the carrier film in MD of the carrier film before heating. From the above, the dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in MD of the carrier film is obtained by the following formula (III). The dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in the TD of the carrier film is also obtained in the same manner as the dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in the MD of the carrier film.
ΔL3 = (L5-L4) / L4 × 100 (III)
<5> A printed wiring board having a printed circuit provided on at least one surface of a substrate, an insulating film adjacent to the surface of the printed wiring board on the side where the printed circuit is provided, and the above-mentioned <1 adjacent to the insulating film. > Or <2> electromagnetic wave shielding film, a printed wiring board with an electromagnetic wave shielding film.
本発明の電磁波シールドフィルムは、プリント配線板への貼り付けの際の高温によって寸法が変化しにくい。
本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法によれば、プリント配線板への貼り付けの際の高温によって寸法が変化しにくい電磁波シールドフィルムを製造できる。
本発明の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板は、電磁波シールドフィルムが設計通りに設けられたものとなる。
The dimension of the electromagnetic wave shielding film of the present invention is unlikely to change due to the high temperature when it is attached to a printed wiring board.
According to the method for producing an electromagnetic wave shield film of the present invention, it is possible to produce an electromagnetic wave shield film whose dimensions are unlikely to change due to the high temperature applied to a printed wiring board.
In the printed wiring board with the electromagnetic wave shielding film of the present invention, the electromagnetic wave shielding film is provided as designed.
以下の用語の定義は、本明細書および特許請求の範囲にわたって適用される。
「ＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」とは、フィルムを製造するときのフィルムの流れ方向である。
「ＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」とは、ＭＤに直交するフィルムの幅方向である。
「等方導電性接着剤層」とは、厚さ方向および面方向に導電性を有する導電性接着剤層を意味する。
「異方導電性接着剤層」とは、厚さ方向に導電性を有し、面方向に導電性を有しない導電性接着剤層を意味する。
「面方向に導電性を有しない導電性接着剤層」とは、表面抵抗が１×１０４Ω／□以上である導電性接着剤層を意味する。
導電性粒子の平均粒子径は、粒子の顕微鏡像から３０個の粒子を無作為に選び、それぞれの粒子について、最小径および最大径を測定し、最小径と最大径との中央値を一粒子の粒子径とし、測定した３０個の粒子の粒子径を算術平均して得た値である。
フィルム（キャリアフィルム、離型フィルム、絶縁フィルム等）、塗膜（絶縁樹脂層、導電性接着剤層等）、金属薄膜層等の厚さは、顕微鏡を用いて測定対象の断面を観察し、無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
貯蔵弾性率は、測定対象に与えた応力と検出したひずみから算出され、温度または時間の関数として出力する動的粘弾性測定装置を用いて、粘弾性特性の一つとして測定される。
導電性粒子の１０％圧縮強度は、微小圧縮試験機を用いた測定結果から、下記式（α）によって求める。
Ｃ（ｘ）＝２．４８Ｐ／πｄ２ ・・・（α）
ただし、Ｃ（ｘ）は１０％圧縮強度（ＭＰａ）であり、Ｐは粒子径の１０％変位時の試験力（Ｎ）であり、ｄは粒子径（ｍｍ）である。
表面抵抗は、三菱ケミカル社製の種々の抵抗率計のうち、１０６Ω／□未満の場合は商品名：ロレスタ（ロレスタＧＰ、ＡＳＰプローブ）を用い、四端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４：１９９４およびＪＩＳ Ｒ １６３７：１９９８に準拠する方法）で測定される表面抵抗率であり、１０６Ω／□以上の場合は商品名：ハイレスタ（ハイレスタＵＰ、ＵＲＳプローブ）を用い、二重リング法（ＪＩＳ Ｋ ６９１１：２００６に準拠する方法）で測定される表面抵抗率である。
図１〜図３、図５〜図８における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。
The following definitions of terms apply throughout the specification and claims.
"MD (Machine Direction)" is the flow direction of the film when the film is manufactured.
"TD (Transverse Direction)" is the width direction of the film orthogonal to MD.
The “isotropic conductive adhesive layer” means a conductive adhesive layer having conductivity in the thickness direction and the surface direction.
The “anisotropic conductive adhesive layer” means a conductive adhesive layer that has conductivity in the thickness direction and does not have conductivity in the plane direction.
The “conductive adhesive layer having no conductivity in the plane direction” means a conductive adhesive layer having a surface resistance of 1 × 10 4 Ω / □ or more.
For the average particle diameter of the conductive particles, 30 particles are randomly selected from the microscopic image of the particles, the minimum diameter and the maximum diameter of each particle are measured, and the median value of the minimum diameter and the maximum diameter is 1 particle. Is a value obtained by arithmetically averaging the measured particle diameters of 30 particles.
The thickness of the film (carrier film, release film, insulating film, etc.), coating film (insulating resin layer, conductive adhesive layer, etc.), metal thin film layer, etc. can be measured by observing the cross section of the measurement object using a microscope. It is a value obtained by measuring and averaging the thicknesses of five randomly selected points.
The storage elastic modulus is calculated as one of the viscoelastic properties using a dynamic viscoelasticity measuring device which is calculated from the stress applied to the measurement target and the detected strain and outputs as a function of temperature or time.
The 10% compressive strength of the conductive particles is obtained by the following formula (α) from the measurement result using a micro compression tester.
C (x) = 2.48P / πd 2 (α)
However, C (x) is 10% compressive strength (MPa), P is the test force (N) at the time of 10% displacement of the particle diameter, and d is the particle diameter (mm).
Among the various resistivity meters manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, when the surface resistance is less than 10 6 Ω / □, the product name: Loresta (Loresta GP, ASP probe) is used, and the four-terminal method (JIS K 7194: 1994 and Surface resistivity measured by JIS R 1637: 1998). When the surface resistivity is 10 6 Ω / □ or more, the product name: Hiresta (HIRESTA UP, URS probe) is used and the double ring method (JIS K 6911: 2006).
The dimensional ratios in FIGS. 1 to 3 and FIGS. 5 to 8 are different from actual ones for convenience of description.
＜電磁波シールドフィルム＞
本発明の第１の態様は、キャリアフィルムと、キャリアフィルムに隣接する絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層に隣接する導電層とを有し、導電層が少なくとも導電性接着剤層を有し、特定の条件における寸法変化率が特定の範囲内となる電磁波シールドフィルムである。
<Electromagnetic wave shielding film>
A first aspect of the present invention has a carrier film, an insulating resin layer adjacent to the carrier film, and a conductive layer adjacent to the insulating resin layer, the conductive layer has at least a conductive adhesive layer, specific The electromagnetic wave shielding film has a dimensional change rate within a specific range under the condition of.
図１は、第１の実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図である。図２は、第２の実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図である。図３は、第３の実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図である。
第１の実施形態、第２の実施形態および第３の実施形態の電磁波シールドフィルム１はいずれも、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接する導電層２０と、絶縁樹脂層１０の導電層２０とは反対側に隣接するキャリアフィルム３０と、導電層２０の絶縁樹脂層１０とは反対側に隣接する離型フィルム４０とを有する。
第１の実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する異方導電性接着剤層２４とを有する。
第２の実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する等方導電性接着剤層２６とを有する。
第３の実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が等方導電性接着剤層２６からなる。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electromagnetic
The electromagnetic
In the electromagnetic
In the electromagnetic
In the electromagnetic
電磁波シールドフィルム１の厚さ（キャリアフィルム３０および離型フィルム４０を除く）は、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム３０および離型フィルム４０を含まない電磁波シールドフィルム１の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルム３０を剥離する際に破断しにくい。キャリアフィルム３０および離型フィルム４０を含まない電磁波シールドフィルム１の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を薄くできる。
The thickness of the electromagnetic wave shielding film 1 (excluding the
（寸法変化率）
電磁波シールドフィルム１は、寸法変化率測定（１）による電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ１が、キャリアフィルム３０のＭＤおよびＴＤのそれぞれについて±０．２００％以内となるものである。
寸法変化率測定（１）：
電磁波シールドフィルム１が離型フィルム４０を有する場合は、離型フィルム４０を剥離する。電磁波シールドフィルム１と厚さ１８μｍの銅箔とを、導電性接着剤層と銅箔とが接するように重ね、温度（プレス機の熱盤の温度）：１７０℃、圧力：３ＭＰａで３分間熱プレスして試験用積層体を得る。試験用積層体を、温度：１５０℃の雰囲気下で６０分間加熱する。加熱後のキャリアフィルム３０のＭＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法Ｌ２と、熱プレスする前のキャリアフィルム３０のＭＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法Ｌ１とから、下記式（Ｉ）によってキャリアフィルム３０のＭＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ１を求める。キャリアフィルム３０のＴＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ１も、キャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１と同様に求める。
ΔＬ１＝（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（Ｉ）
(Dimensional change rate)
In the electromagnetic
Dimensional change rate measurement (1):
When the electromagnetic
ΔL1 = (L2-L1) / L1 × 100 (I)
寸法変化率ΔＬ１が±０．２００％以内であれば、電磁波シールドフィルム１と絶縁フィルム付きプリント配線板とを熱プレスする際に、電磁波シールドフィルム１の寸法が変化しにくい。電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ１は、±０．１８０％以内が好ましく、±０．１５０％以内がより好ましい。
寸法変化率ΔＬ１が前記範囲の電磁波シールドフィルム１は、例えば、後述する寸法変化率ΔＬ３が特定の範囲以内となるキャリアフィルム３０を用いることによって得られる。寸法変化率ΔＬ３が特定の範囲以内となるキャリアフィルム３０は、例えば、後述する特定の条件で原反フィルムを加熱処理することによって得られる。
When the dimensional change rate ΔL1 is within ± 0.200%, the dimensions of the electromagnetic
The electromagnetic
電磁波シールドフィルム１は、寸法変化率測定（２）による電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ２が、キャリアフィルム３０のＭＤおよびＴＤのそれぞれについて±０．２００％以内となるものが好ましい。
寸法変化率測定（２）：
寸法変化率測定（１）を実施した後の試験用積層体を、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６（対応国際規格ＩＥＣ ６００６８−２−５８：２００４）に規定のはんだ耐熱性試験にしたがい、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６の図２ａ（例えば、本願図面の図４）に記載のリフロー温度プロファイルにおける予備加熱最低温度Ｔ１を１５０±５℃、予備加熱最高温度Ｔ２を１７０±５℃、予備加熱時間ｔ１を８５秒、はんだ付け温度Ｔ３を２２０℃、はんだ付け時間ｔ２を４０秒、ピーク温度Ｔ４を２４５℃、ピーク温度維持時間ｔ４を２０秒に規定したリフロー温度プロファイルで加熱する。加熱後のキャリアフィルム３０のＭＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法Ｌ３と、寸法変化率測定（１）において熱プレスする前のキャリアフィルム３０のＭＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法Ｌ１とから、下記式（ＩＩ）によってキャリアフィルム３０のＭＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ２を求める。キャリアフィルム３０のＴＤにおける電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ２も、キャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２と同様に求める。
ΔＬ２＝（Ｌ３−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（ＩＩ）
The electromagnetic
Dimensional change rate measurement (2):
The test laminate after carrying out the dimensional change rate measurement (1) was subjected to a solder heat resistance test prescribed in JIS C 60068-2-58: 2006 (corresponding international standard IEC 60068-2-58: 2004), The preheating minimum temperature T 1 in the reflow temperature profile shown in FIG. 2a of JIS C 60068-2-58: 2006 (for example, FIG. 4 of the present application drawing) is 150 ± 5 ° C., and the preheating maximum temperature T 2 is 170 ± 5. C., preheating time t 1 is 85 seconds, soldering temperature T 3 is 220 ° C., soldering time t 2 is 40 seconds, peak temperature T 4 is 245 ° C., peak temperature maintenance time t 4 is 20 seconds. Heat with a temperature profile. From the dimension L3 of the electromagnetic
ΔL2 = (L3-L1) / L1 × 100 (II)
寸法変化率ΔＬ２が±０．２００％以内であれば、電磁波シールドフィルム１付きプリント配線板をはんだリフロー工程に供した際に、電磁波シールドフィルム１の寸法が変化しにくい。電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ２は、±０．１８０％以内が好ましく、±０．１５０％以内がより好ましい。
寸法変化率ΔＬ２が前記範囲の電磁波シールドフィルム１は、例えば、後述する寸法変化率ΔＬ３が特定の範囲以内となるキャリアフィルム３０を用いることによって得られる。寸法変化率ΔＬ３が特定の範囲以内となるキャリアフィルム３０は、例えば、後述する特定の条件で原反フィルムを加熱処理することによって得られる。
If the dimensional change rate ΔL2 is within ± 0.200%, the dimensions of the electromagnetic
The electromagnetic
（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層１０は、電磁波シールドフィルム１をフレキシブルプリント配線板の表面に設けられた絶縁フィルムの表面に貼り付け、電磁波シールドフィルム１からキャリアフィルム３０を剥離した後には、導電層２０の保護層となる。
(Insulating resin layer)
The insulating
絶縁樹脂層１０としては、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む組成物を溶融成形したフィルムからなる層等が挙げられる。はんだリフロー工程に供される際の耐熱性の点から、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜が好ましい。
The insulating
熱硬化性樹脂としては、アミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、耐熱性に優れる点から、アミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。
硬化剤としては、熱硬化性樹脂の種類に応じた公知の硬化剤が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。
Examples of the thermosetting resin include amide resin, epoxy resin, phenol resin, amino resin, alkyd resin, urethane resin, synthetic rubber, and ultraviolet curing acrylate resin. As the thermosetting resin, an amide resin and an epoxy resin are preferable from the viewpoint of excellent heat resistance.
Examples of the curing agent include known curing agents depending on the type of thermosetting resin.
Examples of the thermoplastic resin include aromatic polyether ketone, polyimide, polyamide imide, polyamide, polysulfone, polyether sulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide sulfone, and polyphenylene sulfide ketone.
絶縁樹脂層１０は、プリント配線板のプリント回路を隠蔽したり、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板に意匠性を付与したりするために、着色剤（顔料、染料等）およびフィラーのいずれか一方または両方を含んでいてもよい。
着色剤およびフィラーのいずれか一方または両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料またはフィラーが好ましく、プリント回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、または黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層１０は、難燃剤を含んでいてもよい。
絶縁樹脂層１０は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
The insulating
As one or both of the colorant and the filler, weather resistance, heat resistance, from the viewpoint of hiding property, a pigment or a filler is preferable, from the viewpoint of hiding property of the printed circuit, designability, a black pigment, or a black pigment. A combination with other pigments or fillers is more preferable.
The insulating
The insulating
絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω／□以上が好ましい。絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω／□以下が好ましい。
絶縁樹脂層１０の厚さは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。
The surface resistance of the insulating
The thickness of the insulating
（導電層）
導電層２０は、少なくとも導電性接着剤層を有する。
第１の実施形態における導電層２０は、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する異方導電性接着剤層２４とを有する。
第２の実施形態における導電層２０は、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する等方導電性接着剤層２６とを有する。
第３の実施形態における導電層２０は、等方導電性接着剤層２６からなる。
導電層２０としては、電磁波遮蔽性が十分に高くなることから、金属薄膜層２２と、異方導電性接着剤層２４または等方導電性接着剤層２６とを有することが好ましい。すなわち、導電層２０は、金属薄膜層２２と導電性接着剤層の２層を有することが好ましい。
(Conductive layer)
The
The
The
The
The
金属薄膜層：
金属薄膜層２２は、金属の薄膜からなる層である。金属薄膜層２２は、面方向に広がるように形成されていることから、面方向に導電性を有し、電磁波シールド層等として機能する。
Metal thin film layer:
The metal
金属薄膜層２２としては、物理蒸着（真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着等）またはＣＶＤ（化学気相蒸着）によって形成された蒸着膜、めっきによって形成されためっき膜、金属箔等が挙げられる。面方向の導電性に優れる点では、金属薄膜層２２は、蒸着膜、めっき膜が好ましい。金属薄膜層２２を薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れ、ドライプロセスにて簡便に形成できる点では、金属薄膜層２２は蒸着膜がより好ましく、物理蒸着による蒸着膜がさらに好ましい。
As the metal
金属薄膜層２２を構成する金属としては、アルミニウム、銀、銅、金、導電性セラミックス等が挙げられ、電気伝導度の点からは、銀または銅が好ましい。
金属薄膜層２２のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかも金属薄膜を容易に形成しやすいことから、金属蒸着層が好ましく、銀蒸着層または銅蒸着層がより好ましい。
Examples of the metal forming the metal
Among the metal thin film layers 22, a metal vapor deposition layer is preferable, and a silver vapor deposition layer or a copper vapor deposition layer is more preferable, because the metal
金属薄膜層２２の表面抵抗は、０．００１Ω／□以上１Ω／□以下が好ましく、０．００１Ω／□以上０．５Ω／□以下がより好ましい。金属薄膜層２２の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、金属薄膜層２２を十分に薄くできる。金属薄膜層２２の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールド層として十分に機能できる。
The surface resistance of the metal
金属薄膜層２２の厚さは、０．０１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。金属薄膜層２２の厚さが０．０１μｍ以上であれば、面方向の導電性がさらに良好になる。金属薄膜層２２の厚さが０．０５μｍ以上であれば、電磁波ノイズの遮蔽効果がさらに良好になる。金属薄膜層２２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の生産性、可とう性がよくなる。
The thickness of the metal
黒化層：
銀蒸着層、銅蒸着層等の金属薄膜層２２は、光反射性が高く、金属光沢を有する。その金属光沢を抑制するために、導電層２０は、金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０側の面に黒化層を有してもよい。例えば、電磁波シールドフィルム１をディスプレイ用のフレキシブルプリント配線板に使用する場合には、金属薄膜層２２の光沢がディスプレイの視認性に影響を与えることを防ぐために、金属薄膜層２２と絶縁樹脂層１０との間に黒化層を設けることが好ましい。
黒化層は、光吸収性の材料から構成されて光の反射防止性を有する黒色の層である。黒化層は、具体的には、ＪＩＳ Ｚ ８７８１−５：２０１３（対応国際規格ＩＳＯ １１６６４−５：２００９）において規定されるＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ｕ＊ｖ＊色空間における明度指数Ｌ＊が５以下であることが好ましい。明度指数Ｌ＊の値が小さいほど黒色度が大きくなり、光の反射を抑制できる傾向にある。
Black layer:
The metal
The blackening layer is a black layer made of a light absorbing material and having a light reflection preventing property. Specifically, the blackening layer has a lightness index L * in the CIE 1976 L * u * v * color space of 5 or less defined in JIS Z 8781-5: 2013 (corresponding international standard ISO 11664-5: 2009). Is preferred. The smaller the value of the lightness index L *, the greater the degree of blackness, which tends to suppress the reflection of light.
黒化層は、例えば、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれかの光吸収性材料から構成される。
（ｉ）銀の酸化物または銅の酸化物。
（ｉｉ）窒化銅、酸化銅、窒化ニッケルおよび酸化ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種。
（ｉｉｉ）亜鉛、銅と亜鉛の合金、銀と亜鉛の合金のいずれか１種。
The blackening layer is made of, for example, any one of the following light absorbing materials (i) to (iii).
(I) Silver oxide or copper oxide.
(Ii) At least one selected from the group consisting of copper nitride, copper oxide, nickel nitride and nickel oxide.
(Iii) Any one of zinc, an alloy of copper and zinc, an alloy of silver and zinc.
（ｉ）から構成される黒化層を形成する方法としては、銀の酸化物または銅の酸化物からなる層を、蒸着またはめっきにより形成する方法が挙げられる。蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の公知の蒸着法を適用できる。
（ｉｉ）から構成される黒化層を形成する方法としては、窒化銅、酸化銅、窒化ニッケルおよび酸化ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種からなる層を、蒸着またはめっきにより形成する方法が挙げられる。
（ｉｉｉ）から構成される黒化層を形成する方法としては、亜鉛、銅と亜鉛の合金、銀と亜鉛の合金のいずれか１種からなる層を、蒸着またはめっきにより形成する方法が挙げられる。
Examples of the method of forming the blackened layer composed of (i) include a method of forming a layer made of a silver oxide or a copper oxide by vapor deposition or plating. As the vapor deposition method, a known vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method can be applied.
As a method of forming the blackened layer composed of (ii), there is a method of forming a layer made of at least one selected from the group consisting of copper nitride, copper oxide, nickel nitride and nickel oxide by vapor deposition or plating. Can be mentioned.
Examples of the method of forming the blackened layer composed of (iii) include a method of forming a layer made of any one of zinc, an alloy of copper and zinc, and an alloy of silver and zinc by vapor deposition or plating. .
黒化層の厚さは、５ｎｍ以上２０μｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上１μｍ以下がより好ましい。黒化層の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、光の反射を十分に抑制できる。黒化層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、黒化層を容易に形成できる。 The thickness of the blackening layer is preferably 5 nm or more and 20 μm or less, more preferably 10 nm or more and 1 μm or less. When the thickness of the blackening layer is at least the lower limit value of the above range, light reflection can be sufficiently suppressed. When the thickness of the blackened layer is not more than the upper limit value of the above range, the blackened layer can be easily formed.
異方導電性接着剤層：
第１の実施形態における異方導電性接着剤層２４は、厚さ方向に導電性を有し、面方向には導電性を有さず、かつ、接着性を有する。
異方導電性接着剤層２４は、導電性接着剤層を容易に薄くでき、後述する導電性粒子の量を少なくでき、その結果、電磁波シールドフィルム１を薄くでき、電磁波シールドフィルム１の可とう性が高くなる利点を有する。
Anisotropic conductive adhesive layer:
The anisotropic conductive
The anisotropic conductive
異方導電性接着剤層２４としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、未硬化の状態であってもよく、Ｂステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、例えば、熱硬化性接着剤２４ａと導電性粒子２４ｂとを含む。熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
As the anisotropic conductive
The thermosetting anisotropic conductive
熱硬化性接着剤２４ａとしては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム、アクリルゴム等）、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
熱硬化性接着剤２４ａは、異方導電性接着剤層２４の強度を高め、打ち抜き特性を向上させるために、セルロース樹脂、ミクロフィブリル（ガラス繊維等）を含んでいてもよい。熱硬化性接着剤２４ａは、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分（硬化剤等）を含んでいてもよい。
Examples of the
The
導電性粒子２４ｂとしては、金属（銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、ハンダ等）の粒子、黒鉛粉、焼成カーボン粒子、めっきされた焼成カーボン粒子等が挙げられる。導電性粒子２４ｂとしては、異方導電性接着剤層２４がさらに適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際の異方導電性接着剤層２４における圧力損失をさらに低減できる点からは、金属粒子が好ましく、銅粒子がより好ましい。
Examples of the
導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度は、３０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下が好ましく、５０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下がより好ましく、７０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下がさらに好ましい。導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度が前記範囲の下限値以上であれば、熱プレスの際に金属薄膜層２２にかけられた圧力を大きく損失することなく、異方導電性接着剤層２４が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度が前記範囲の上限値以下であれば、金属薄膜層２２との接触がよくなり、電気的接続が確実になる。
The 10% compressive strength of the
異方導電性接着剤層２４における導電性粒子２４ｂの平均粒子径は、２μｍ以上２６μｍ以下が好ましく、４μｍ以上１６μｍ以下がより好ましい。導電性粒子２４ｂの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４の厚さを確保することができ、十分な接着強度を得ることができる。導電性粒子２４ｂの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層２４の流動性を確保でき、後述するように異方導電性接着剤層２４を絶縁フィルムの貫通孔に押し込んだ際に絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
The average particle diameter of the
異方導電性接着剤層２４における導電性粒子２４ｂの割合は、異方導電性接着剤層２４の１００体積％のうち、１体積％以上３０体積％以下が好ましく、２体積％以上１５体積％以下がより好ましい。導電性粒子２４ｂの割合が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４の導電性が良好になる。導電性粒子２４ｂの割合が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層２４の接着性、流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
The proportion of the
異方導電性接着剤層２４の１８０℃における貯蔵弾性率は、１×１０３Ｐａ以上５×１０７Ｐａ以下が好ましく、５×１０３Ｐａ以上１×１０７Ｐａ以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２４の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４がさらに適度な硬さを有するようになり、熱プレスの際の異方導電性接着剤層２４における圧力損失を低減できる。その結果、異方導電性接着剤層２４とプリント配線板のプリント回路とが十分に接着され、異方導電性接着剤層２４が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。異方導電性接着剤層２４の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。その結果、電磁波シールドフィルム１が絶縁フィルムの貫通孔内に沈み込みやすくなり、異方導電性接着剤層２４が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。
The storage elastic modulus at 180 ° C. of the anisotropically conductive
異方導電性接着剤層２４の表面抵抗は、１×１０４Ω／□以上１×１０１６Ω／□以下が好ましく、１×１０６Ω／□以上１×１０１４Ω／□以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２４の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２４ｂの含有量が低く抑えられる。異方導電性接着剤層２４の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、実用上、異方性に問題がない。
The surface resistance of the anisotropic conductive
異方導電性接着剤層２４の厚さは、３μｍ以上２５μｍ以下が好ましく、５μｍ以上１５μｍ以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２４の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。異方導電性接着剤層２４の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
The thickness of the anisotropic conductive
等方導電性接着剤層：
第２の実施形態または第３の実施形態における等方導電性接着剤層２６は、厚さ方向および面方向に導電性を有し、かつ、接着性を有する。
等方導電性接着剤層２６は、電磁波シールドフィルム１の電磁波遮蔽性をより高くできる利点を有する。
Isotropic conductive adhesive layer:
The isotropic conductive
The isotropic conductive
等方導電性接着剤層２６としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、未硬化の状態であってもよく、Ｂステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、例えば、熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂとを含む。熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
等方導電性接着剤層２６に含まれる熱硬化性接着剤２６ａの成分および導電性粒子２６ｂの材質は、異方導電性接着剤層２４に含まれる熱硬化性接着剤２４ａの成分および導電性粒子２４ｂの材質と同様である。
As the isotropic conductive
The thermosetting isotropic conductive
The components of the
等方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｂの平均粒子径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上１μｍ以下がより好ましい。導電性粒子２６ｂの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２６ｂの接触点数が増えることになり、３次元方向の導通性を安定的に高めることができる。導電性粒子２６ｂの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
The average particle diameter of the
等方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｂの割合は、等方導電性接着剤層２６の１００体積％のうち、５０体積％以上８０体積％以下が好ましく、６０体積％以上７０体積％以下がより好ましい。導電性粒子２６ｂの割合が前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層２６の導電性が良好になる。導電性粒子２６ｂの割合が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の接着性、流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
The proportion of the
等方導電性接着剤層２６の１８０℃における貯蔵弾性率は、１×１０３Ｐａ以上５×１０７Ｐａ以下が好ましく、５×１０３Ｐａ以上１×１０７Ｐａ以下がより好ましい。前記範囲が好ましい理由は、異方導電性接着剤層２４と同様である。
The storage elastic modulus at 180 ° C. of the isotropic conductive
等方導電性接着剤層２６の表面抵抗は、０．０５Ω／□以上２．０Ω／□以下が好ましく、０．１Ω／□以上１．０Ω／□以下がより好ましい。等方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２６ｂの含有量が低く抑えられ、導電性接着剤の粘度が高くなりすぎず、塗布性がさらに良好となる。また、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）をさらに確保できる。等方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の全面が均一な導電性を有するものとなる。
The surface resistance of the isotropic conductive
等方導電性接着剤層２６の厚さは、５μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、７μｍ以上１７μｍ以下がより好ましい。等方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層２６の導電性が良好になり、電磁波シールド層として十分に機能できる。また、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができ、耐折性も確保でき繰り返し折り曲げても等方導電性接着剤層２６が断裂することはない。等方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
The thickness of the isotropic conductive
（キャリアフィルム）
キャリアフィルム３０は、絶縁樹脂層１０および導電層２０を補強および保護する支持体であり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。特に、絶縁樹脂層１０として、薄いフィルム、具体的には厚さ３μｍ以上１０μｍ以下のフィルムを用いた場合には、キャリアフィルム３０を有することによって、絶縁樹脂層１０の破断を防ぐことができる。
キャリアフィルム３０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層１０から剥離される。
(Carrier film)
The
The
本実施形態において使用されるキャリアフィルム３０は、キャリアフィルム本体３２と、キャリアフィルム本体３２の絶縁樹脂層１０側の表面に設けられた粘着剤層３４とを有する。
The
キャリアフィルム本体３２の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」ということもある。）、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム、液晶ポリマー等が挙げられる。樹脂材料としては、電磁波シールドフィルム１を製造する際の耐熱性（寸法安定性）および価格の点から、ＰＥＴが好ましい。
Examples of the resin material of the
キャリアフィルム本体３２は、着色剤（顔料、染料等）およびフィラーのいずれか一方または両方を含んでいてもよい。
着色剤およびフィラーのいずれか一方または両方としては、絶縁樹脂層１０と明確に区別でき、熱プレスした後にキャリアフィルム３０の剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層１０とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、または白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
The
As one or both of the colorant and the filler, those having a color different from that of the insulating
キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率は、８×１０７Ｐａ以上５×１０９Ｐａが好ましく、１×１０８Ｐａ以上８×１０８Ｐａがより好ましい。キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルム３０が適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際のキャリアフィルム３０における圧力損失を低減できる。キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、キャリアフィルム３０の柔軟性が良好となる。
The storage elastic modulus at 180 ° C. of the
キャリアフィルム本体３２の厚さは、３μｍ以上７５μｍ以下が好ましく、１２μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム本体３２の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム本体３２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム１の導電性接着剤層（異方導電性接着剤層２４または等方導電性接着剤層２６）を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。
The thickness of the
粘着剤層３４は、例えば、キャリアフィルム本体３２の表面に粘着剤を含む粘着剤組成物を塗布して形成される。キャリアフィルム３０が粘着剤層３４を有することによって、離型フィルム４０を導電性接着剤層から剥離する際や電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に熱プレスによって貼り付ける際に、キャリアフィルム３０が絶縁樹脂層１０から剥離することが抑えられる。そのため、キャリアフィルム３０が保護フィルムとしての役割を十分に果たすことができる。
The pressure-
粘着剤は、熱プレス前にはキャリアフィルム３０が絶縁樹脂層１０から容易に剥離することなく、熱プレス後にはキャリアフィルム３０を絶縁樹脂層１０から剥離できる程度の適度な粘着性を粘着剤層３４に付与するものであることが好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤のガラス転移温度は、−１００℃以上６０℃以下が好ましく、−６０℃以上４０℃以下がより好ましい。
The pressure-sensitive adhesive has an appropriate degree of tackiness such that the
Examples of the adhesive include acrylic adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, rubber adhesives and the like.
The glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive is preferably −100 ° C. or higher and 60 ° C. or lower, and more preferably −60 ° C. or higher and 40 ° C. or lower.
キャリアフィルム３０の厚さは、２５μｍ以上１２５μｍ以下が好ましく、３８μｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム３０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム３０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム１の導電性接着剤層を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。
The thickness of the
（離型フィルム）
離型フィルム４０は、導電性接着剤層（異方導電性接着剤層２４または等方導電性接着剤層２６）を保護するものであり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。離型フィルム４０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付ける前に、導電性接着剤層（異方導電性接着剤層２４または等方導電性接着剤層２６）から剥離される。
(Release film)
The
離型フィルム４０は、例えば、離型フィルム本体４２と、離型フィルム本体４２の導電性接着剤層側の表面に設けられた離型剤層４４とを有する。
The
離型フィルム本体４２の樹脂材料としては、キャリアフィルム本体３２の樹脂材料と同様なものが挙げられる。
離型フィルム本体４２は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
離型フィルム本体４２の厚さは、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。
Examples of the resin material of the release film
The release film
The thickness of the release film
離型剤層４４は、離型フィルム本体４２の表面を離型剤で処理して形成される。離型フィルム４０が離型剤層４４を有することによって、離型フィルム４０を導電性接着剤層から剥離する際に、離型フィルム４０を剥離しやすく、導電性接着剤層が破断しにくくなる。
離型剤としては、公知の離型剤を用いればよい。
The
As the release agent, a known release agent may be used.
離型剤層４４の厚さは、０．０５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。離型剤層４４の厚さが前記範囲内であれば、離型フィルム４０をさらに剥離しやすくなる。
The thickness of the
（他の実施形態）
本態様の電磁波シールドフィルムは、寸法変化率測定（１）による電磁波シールドフィルム１の寸法変化率ΔＬ１が、キャリアフィルム３０のＭＤおよびＴＤのそれぞれについて±０．２００％以内となるものであればよく、図示例の第１の実施形態、第２の実施形態および第３の実施形態に限定されない。
例えば、異方導電性接着剤層２４または等方導電性接着剤層２６の表面の粘着力が小さい場合には、離型フィルム４０を省略しても構わない。
キャリアフィルム３０は、キャリアフィルム本体３２が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層３４を有しなくてもよい。
離型フィルム４０は、離型フィルム本体４２のみで十分な離型性を有する場合は、離型剤層４４を有しなくてもよい。
(Other embodiments)
The electromagnetic wave shield film of this embodiment may be any one as long as the dimension change rate ΔL1 of the electromagnetic
For example, the
The
The
＜電磁波シールドフィルムの製造方法＞
本発明の第２の態様は、キャリアフィルムの片面に絶縁樹脂層を形成し、絶縁樹脂層に隣接する導電層を設ける、電磁波シールドフィルムの製造方法である。
<Method of manufacturing electromagnetic wave shielding film>
A second aspect of the present invention is a method for producing an electromagnetic wave shielding film, which comprises forming an insulating resin layer on one surface of a carrier film and providing a conductive layer adjacent to the insulating resin layer.
キャリアフィルムとしては、例えば、温度：１８０℃以上２５０℃以下の雰囲気下にて１分以上５分以下で加熱処理（アニール処理）されて得られたキャリアフィルムを用いる。特定の条件で加熱処理されたキャリアフィルムは、寸法変化率が十分に小さいため、電磁波シールドフィルムを絶縁フィルム付きプリント配線板に高温で貼り付ける際に、電磁波シールドフィルムの寸法が変化しにくい。加熱処理の温度は、１４０℃以上１９０℃以下が好ましく、１５０℃以上１７５℃以下がより好ましい。加熱処理の時間は、２０秒以上６０分以下が好ましく、２０秒以上３０分以下がより好ましい。 As the carrier film, for example, a carrier film obtained by heat treatment (annealing treatment) in an atmosphere of temperature: 180 ° C. or higher and 250 ° C. or lower for 1 minute to 5 minutes is used. Since the dimensional change rate of the carrier film heat-treated under specific conditions is sufficiently small, the dimensions of the electromagnetic wave shielding film do not easily change when the electromagnetic wave shielding film is attached to a printed wiring board with an insulating film at high temperature. The temperature of the heat treatment is preferably 140 ° C or higher and 190 ° C or lower, more preferably 150 ° C or higher and 175 ° C or lower. The heat treatment time is preferably 20 seconds or more and 60 minutes or less, and more preferably 20 seconds or more and 30 minutes or less.
また、キャリアフィルムとしては、例えば、寸法変化率測定（３）によるキャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３がキャリアフィルムのＭＤおよびＴＤそれぞれについて±０．２００％以内となるキャリアフィルムを用いる。
寸法変化率測定（３）：
キャリアフィルム３０を、温度：１５０℃の雰囲気下で３０分間加熱した後のキャリアフィルム３０のＭＤにおけるキャリアフィルム３０の寸法Ｌ５と、加熱する前のキャリアフィルム３０のＭＤにおけるキャリアフィルム３０の寸法Ｌ４とから、下記式（ＩＩＩ）によってキャリアフィルム３０のＭＤにおけるキャリアフィルム３０の寸法変化率ΔＬ３を求める。キャリアフィルム３０のＴＤにおけるキャリアフィルム３０の寸法変化率ΔＬ３も、前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３と同様に求める。
ΔＬ３＝（Ｌ５−Ｌ４）／Ｌ４×１００ ・・・（ＩＩＩ）
Further, as the carrier film, for example, a carrier film whose dimensional change rate ΔL3 of the carrier film by the dimensional change rate measurement (3) is within ± 0.200% for each of MD and TD of the carrier film is used.
Dimensional change rate measurement (3):
The dimension L5 of the
ΔL3 = (L5-L4) / L4 × 100 (III)
ＭＤにおける寸法変化率ΔＬ３が±０．２５０％以内であるキャリアフィルムを用いれば、電磁波シールドフィルムを絶縁フィルム付きプリント配線板に高温で貼り付ける際に、電磁波シールドフィルムの寸法が変化しにくい。また、電磁波シールドフィルム１付きプリント配線板をはんだリフロー工程に供した際に、電磁波シールドフィルム１の寸法が変化しにくい。ＭＤにおけるキャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３は、±０．２３０％以内が好ましく、±０．２１０％以内がより好ましい。
ＴＤにおける寸法変化率ΔＬ３が±０．２５０％以内であるキャリアフィルムを用いれば、電磁波シールドフィルムを絶縁フィルム付きプリント配線板に高温で貼り付ける際に、電磁波シールドフィルムの寸法が変化しにくい。また、電磁波シールドフィルム１付きプリント配線板をはんだリフロー工程に供した際に、電磁波シールドフィルム１の寸法が変化しにくい。ＴＤにおけるキャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３は、±０．２００％以内が好ましく、±０．１５０％以内がより好ましい。
寸法変化率ΔＬ３が前記範囲のキャリアフィルム３０は、例えば、上述した特定の条件で原反フィルムを加熱処理することによって得られる。
If a carrier film having a dimensional change rate ΔL3 in MD of ± 0.250% or less is used, the dimensions of the electromagnetic wave shielding film do not easily change when the electromagnetic wave shielding film is attached to a printed wiring board with an insulating film at high temperature. Further, when the printed wiring board with the electromagnetic
When a carrier film having a dimensional change rate ΔL3 in TD of ± 0.250% or less is used, the size of the electromagnetic wave shielding film does not easily change when the electromagnetic wave shielding film is attached to a printed wiring board with an insulating film at high temperature. Further, when the printed wiring board with the electromagnetic
The
具体的に、第１の実施形態の電磁波シールドフィルム１を製造する方法としては、下記の方法（Ａ１）または方法（Ａ２）が挙げられる。第２の実施形態の電磁波シールドフィルム１を製造する方法としては、下記の方法（Ｂ１）または方法（Ｂ２）が挙げられる。第３の実施形態の電磁波シールドフィルムを製造する方法としては、下記の方法（Ｃ１）または方法（Ｃ２）が挙げられる。
Specifically, as a method for producing the electromagnetic
方法（Ａ１）は、下記の工程（Ａ１−１）〜（Ａ１−４）を有する方法である。
工程（Ａ１−１）：キャリアフィルム３０の片面に絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ａ１−２）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に金属薄膜層２２を形成する工程。
工程（Ａ１−３）：金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に異方導電性接着剤層２４を形成する工程。
工程（Ａ１−４）：異方導電性接着剤層２４の金属薄膜層２２とは反対側の面に離型フィルム４０を積層する工程。
以下、方法（Ａ１）の各工程について詳細に説明する。
The method (A1) is a method including the following steps (A1-1) to (A1-4).
Step (A1-1): A step of forming the insulating
Step (A1-2): A step of forming the metal
Step (A1-3): A step of forming the anisotropic conductive
Step (A1-4): A step of laminating the
Hereinafter, each step of the method (A1) will be described in detail.
工程（Ａ１−１）における絶縁樹脂層１０の形成方法としては、例えば、下記の方法が挙げられる。
・キャリアフィルム３０の粘着剤層３４側の面に、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させる方法。
・キャリアフィルム３０の粘着剤層３４側の面に、熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させる方法。
・キャリアフィルム３０の粘着剤層３４側の面に、熱可塑性樹脂を含む組成物を押出成形により成形したフィルムを直接積層する方法。
これらの方法のなかでも、はんだ付け等の際の耐熱性の点から、キャリアフィルム３０の粘着剤層３４側の面に、熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させる方法が好ましい。
塗料の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
熱硬化性樹脂を半硬化または硬化させる際には、ヒータ、赤外線ランプ等の加熱器を用いて加熱すればよい。
導電層２０が黒化層を有する場合には、絶縁樹脂層１０の表面に、蒸着、めっき等により黒化層を形成すればよい。
Examples of the method of forming the insulating
A method of applying a coating material containing a thermosetting resin and a curing agent to the surface of the
A method in which a coating material containing a thermoplastic resin is applied to the surface of the
A method in which a film formed by extrusion molding a composition containing a thermoplastic resin is directly laminated on the surface of the
Among these methods, from the viewpoint of heat resistance during soldering or the like, a coating containing a thermosetting resin and a curing agent is applied to the surface of the
As a coating method of the paint, for example, die coater, gravure coater, roll coater, curtain flow coater, spin coater, bar coater, reverse coater, kiss coater, fountain coater, rod coater, air doctor coater, knife coater, blade coater, caster A method using various coaters such as a coater and a screen coater can be applied.
When the thermosetting resin is semi-cured or cured, it may be heated using a heater such as a heater or an infrared lamp.
When the
工程（Ａ１−２）における金属薄膜層の形成方法としては、物理蒸着、ＣＶＤ（化学気相蒸着）によって蒸着膜を形成する方法、めっきによってめっき膜を形成する方法、金属箔を貼り付ける方法等が挙げられる。面方向の導電性に優れる金属薄膜層を形成できる点から、物理蒸着、ＣＶＤによって蒸着膜を形成する方法、またはめっきによってめっき膜を形成する方法が好ましい。金属薄膜層の厚さを薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れる金属薄膜層を形成でき、ドライプロセスにて簡便に金属薄膜層を形成できる点から、物理蒸着、ＣＶＤによって蒸着膜を形成する方法がより好ましく、物理蒸着によって蒸着膜を形成する方法がさらに好ましい。 Examples of the method of forming the metal thin film layer in the step (A1-2) include physical vapor deposition, a method of forming a vapor deposition film by CVD (chemical vapor deposition), a method of forming a plating film by plating, a method of attaching a metal foil, and the like. Is mentioned. The method of forming a vapor deposition film by physical vapor deposition, CVD, or the method of forming a plating film by plating is preferable because a metal thin film layer having excellent conductivity in the plane direction can be formed. Physical vapor deposition, CVD are possible because the thickness of the metal thin film layer can be reduced, and even if the thickness is thin, the metal thin film layer having excellent conductivity in the surface direction can be formed and the metal thin film layer can be easily formed by a dry process. The method of forming a vapor deposition film by is more preferable, and the method of forming a vapor deposition film by physical vapor deposition is still more preferable.
工程（Ａ１−３）では、金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に、導電性接着剤塗料を塗布する。
導電性接着剤塗料は、熱硬化性接着剤２４ａと導電性粒子２４ｂと溶剤とを含む。
導電性接着剤塗料に含まれる溶剤としては、エステル（酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸イソプロピル、エチレングリコールモノアセテート等）、ケトン（メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリールモノメチルエーテル、プロピレングルコール等）等が挙げられる。
導電性接着剤塗料の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
塗布した導電性接着剤塗料より溶剤を揮発させることにより、異方導電性接着剤層２４を形成する。
In the step (A1-3), a conductive adhesive coating material is applied to the surface of the metal
The conductive adhesive paint contains a
As the solvent contained in the conductive adhesive paint, ester (butyl acetate, ethyl acetate, methyl acetate, isopropyl acetate, ethylene glycol monoacetate, etc.), ketone (methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc.) , Alcohol (methanol, ethanol, isopropanol, butanol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol, etc.) and the like.
As a method for applying the conductive adhesive paint, for example, die coater, gravure coater, roll coater, curtain flow coater, spin coater, bar coater, reverse coater, kiss coater, fountain coater, rod coater, air doctor coater, knife coater, knife coater, A method using various coaters such as a blade coater, a cast coater and a screen coater can be applied.
The anisotropic conductive
工程（Ａ１−４）では、離型フィルム４０を、異方導電性接着剤層２４の金属薄膜層２２とは反対側の面に、離型剤層４４が異方導電性接着剤層２４に接するように積層する。
離型フィルム４０を異方導電性接着剤層２４に積層した後には、キャリアフィルム３０、絶縁樹脂層１０、金属薄膜層２２、異方導電性接着剤層２４および離型フィルム４０からなる積層体に、各層同士の密着性を高めるための加圧処理を施してもよい。
加圧処理における圧力としては、０．１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下が好ましく、０．１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下がより好ましく、１ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下がさらに好ましい。
加圧処理と同時に加熱してもよい。その際の加熱温度としては５０℃以上１００℃以下が好ましい。
In the step (A1-4), the
After the
The pressure in the pressure treatment is preferably 0.1 kPa or more and 100 kPa or less, more preferably 0.1 kPa or more and 20 kPa or less, and further preferably 1 kPa or more and 10 kPa or less.
You may heat simultaneously with a pressurization process. The heating temperature at that time is preferably 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.
方法（Ａ２）は、下記の工程（Ａ２−１）〜（Ａ２−４）を有する方法である。
工程（Ａ２−１）：キャリアフィルム３０の片面に絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ａ２−２）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に金属薄膜層２２を形成して積層体Ｉを得る工程。
工程（Ａ２−３）：離型フィルム４０の片面に異方導電性接着剤層２４を形成して積層体ＩＩを得る工程。
工程（Ａ２−４）：積層体Ｉと積層体ＩＩとを、積層体Ｉの金属薄膜層２２と積層体ＩＩの異方導電性接着剤層２４とが接するように貼り合せる工程。
The method (A2) is a method including the following steps (A2-1) to (A2-4).
Step (A2-1): A step of forming the insulating
Step (A2-2): A step of forming the metal
Step (A2-3): A step of forming a laminate II by forming the anisotropic conductive
Step (A2-4): A step of bonding the laminated body I and the laminated body II so that the metal
工程（Ａ２−１）および工程（Ａ２−２）は、前記方法（Ａ１）における工程（Ａ１−１）および工程（Ａ１−２）と同様である。 Step (A2-1) and step (A2-2) are the same as step (A1-1) and step (A1-2) in the method (A1).
工程（Ａ２−３）では、離型フィルム４０の離型剤層４４が設けられた面に導電性接着剤塗料を塗布する。塗布した導電性接着剤塗料より溶剤を揮発させることにより、異方導電性接着剤層２４を形成する。導電性接着剤塗料および塗布方法は、前記方法（Ａ１）における工程（Ａ１−３）と同様である。
In the step (A2-3), a conductive adhesive coating material is applied to the surface of the
工程（Ａ２−４）における積層体Ｉと積層体ＩＩとの貼り合せでは、積層体Ｉと積層体ＩＩとの密着性を高めるための加圧処理を施してもよい。加圧条件は、工程（Ａ１−４）における加圧処理と同様である。また、工程（Ａ２−４）においても、工程（Ａ１−４）と同様に加熱してもよい。 In the laminating of the laminated body I and the laminated body II in the step (A2-4), a pressure treatment may be performed to enhance the adhesion between the laminated body I and the laminated body II. The pressurizing condition is the same as the pressurizing process in the step (A1-4). Moreover, you may heat similarly to a process (A1-4) also in a process (A2-4).
方法（Ｂ１）は、導電性接着剤塗料を熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂと溶剤とを含む塗料に変更して等方導電性接着剤層２６を形成したこと以外は方法（Ａ１）と同様の方法である。
方法（Ｂ２）は、導電性接着剤塗料を熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂと溶剤とを含む塗料に変更して等方導電性接着剤層２６を形成したこと以外は方法（Ａ２）と同様の方法である。
The method (B1) is the same as the method (A1) except that the conductive adhesive coating is changed to a coating containing a
The method (B2) is a method (A2) except that the conductive adhesive coating is changed to a coating containing a
方法（Ｃ１）は、下記の工程（Ｃ１−１）〜（Ｃ１−３）を有する方法である。
工程（Ｃ１−１）：：キャリアフィルム３０の片面に絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ｃ１−２）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に等方導電性接着剤層２６を形成する工程。
工程（Ｃ１−３）：等方導電性接着剤層２６の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に離型フィルム４０を積層する工程。
方法（Ｃ１）は、金属薄膜層の形成を省略し、導電性接着剤として等方導電性接着剤を用い、絶縁樹脂層１０に等方導電性接着剤層２６を直接形成したこと以外は方法（Ａ１）と同様の方法である。
The method (C1) is a method including the following steps (C1-1) to (C1-3).
Step (C1-1) :: A step of forming the insulating
Step (C1-2): A step of forming an isotropic conductive
Step (C1-3): A step of laminating the
The method (C1) is a method except that the formation of the metal thin film layer is omitted, an isotropic conductive adhesive is used as the conductive adhesive, and the isotropic conductive
方法（Ｃ２）は、下記の工程（Ｃ２−１）〜（Ｃ２−３）を有する方法である。
工程（Ｃ２−１）：キャリアフィルム３０の片面に絶縁樹脂層１０を形成して積層体Ｉを得る工程。
工程（Ｃ２−２）：離型フィルム４０の片面に等方導電性接着剤層２６を形成して積層体ＩＩを得る工程。
工程（Ｃ２−３）：積層体Ｉと積層体ＩＩとを、積層体Ｉの絶縁樹脂層１０と積層体ＩＩの等方導電性接着剤層２６とが接するように貼り合せる工程。
方法（Ｃ２）は、金属薄膜層の形成を省略し、導電性接着剤として等方導電性接着剤を用い、絶縁樹脂層１０に等方導電性接着剤層２６を貼り合せたこと以外は方法（Ａ２）と同様の方法である。
The method (C2) is a method including the following steps (C2-1) to (C2-3).
Step (C2-1): A step of forming the insulating
Step (C2-2): A step of forming the isotropic conductive
Step (C2-3): A step of laminating the laminate I and the laminate II so that the insulating
The method (C2) is a method except that the formation of the metal thin film layer is omitted, an isotropic conductive adhesive is used as the conductive adhesive, and the isotropic conductive
＜電磁波シールドフィルム付きプリント配線板＞
本発明の第３の態様は、基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、プリント配線板のプリント回路が設けられた側の表面に隣接する絶縁フィルムと、導電性接着剤層が絶縁フィルムに隣接するように設けられた前記態様の電磁波シールドフィルムとを有する電磁波シールドフィルム付きプリント配線板である。
<Printed wiring board with electromagnetic wave shielding film>
A third aspect of the present invention is a printed wiring board in which a printed circuit is provided on at least one surface of a substrate, an insulating film adjacent to the surface of the printed wiring board on the side where the printed circuit is provided, and a conductive adhesive layer. Is a printed wiring board with an electromagnetic wave shielding film having the electromagnetic wave shielding film of the above aspect provided so as to be adjacent to the insulating film.
図５は、本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の一実施形態を示す断面図である。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、フレキシブルプリント配線板５０と、絶縁フィルム６０と、第１の実施形態の電磁波シールドフィルム１とを備える。
フレキシブルプリント配線板５０は、ベースフィルム５２の少なくとも片面にプリント回路５４が設けられたものである。
絶縁フィルム６０は、フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に設けられる。
電磁波シールドフィルム１の異方導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０の表面に接着され、かつ硬化されている。また、異方導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０に形成された貫通孔（図示略）を通ってプリント回路５４に電気的に接続されている。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２においては、離型フィルムは、異方導電性接着剤層２４から剥離されている。
FIG. 5: is sectional drawing which shows one Embodiment of the printed wiring board with an electromagnetic wave shielding film of this aspect.
The printed
The flexible printed
The insulating
The anisotropic conductive
In the printed
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２においてキャリアフィルム３０が不要になった際には、キャリアフィルム３０は絶縁樹脂層１０から剥離される。
When the
貫通孔のある部分を除くプリント回路５４（信号回路、グランド回路、グランド層等）の近傍には、電磁波シールドフィルム１の金属薄膜層２２が、絶縁フィルム６０および異方導電性接着剤層２４を介して離間して対向配置される。
貫通孔のある部分を除くプリント回路５４と金属薄膜層２２との離間距離は、絶縁フィルム６０の厚さと異方導電性接着剤層２４の厚さの総和とほぼ等しい。離間距離は、３０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、６０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。離間距離が３０μｍより小さいと、信号回路のインピーダンスが低くなるため、１００Ω等の特性インピーダンスを有するためには、信号回路の線幅を小さくしなければならず、線幅のバラツキが特性インピーダンスのバラツキとなって、インピーダンスのミスマッチによる反射共鳴ノイズが電気信号に乗りやすくなる。離間距離が２００μｍより大きいと、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２が厚くなり、可とう性が不足する。
In the vicinity of the printed circuit 54 (signal circuit, ground circuit, ground layer, etc.) except for the portion having the through holes, the metal
The distance between the printed
（フレキシブルプリント配線板）
フレキシブルプリント配線板５０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路５４としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム５２の片面または両面に接着剤層（図示略）を介して銅箔を貼り付けたもの；銅箔の表面にベースフィルム５２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
(Flexible printed wiring board)
The flexible printed
As the copper-clad laminate, a copper foil is attached to one surface or both surfaces of the
Examples of the material of the adhesive layer include epoxy resin, polyester, polyimide, polyamideimide, polyamide, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, and melamine resin.
The thickness of the adhesive layer is preferably 0.5 μm or more and 30 μm or less.
ベースフィルム５２としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
ベースフィルム５２の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω／□以上が好ましい。ベースフィルム５２の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω／□以下が好ましい。
ベースフィルム５２の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、屈曲性の点から、６μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
As the
The surface resistance of the
The thickness of the
プリント回路５４を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路５４は、信号回路、グランド回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１８μｍ以上３５μｍ以下がより好ましい。
プリント回路５４の長さ方向の端部（端子）は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、絶縁フィルム６０や電磁波シールドフィルム１に覆われず、露出している。
Examples of the copper foil forming the printed
The thickness of the copper foil is preferably 1 μm or more and 50 μm or less, more preferably 18 μm or more and 35 μm or less.
The end portion (terminal) in the length direction of the printed
（絶縁フィルム）
絶縁フィルム６０（カバーレイフィルム）は、絶縁フィルム本体（図示略）の片面に、接着剤の塗布、接着剤シートの貼り付け等によって接着剤層（図示略）を形成したものである。
絶縁フィルム本体の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω／□以上が好ましい。絶縁フィルム本体の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω／□以下が好ましい。
絶縁フィルム本体としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
絶縁フィルム本体の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、可とう性の点から、３μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム等）を含んでいてもよい。
接着剤層の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。
(Insulating film)
The insulating film 60 (coverlay film) has an adhesive layer (not shown) formed on one surface of an insulating film body (not shown) by applying an adhesive, attaching an adhesive sheet, or the like.
The surface resistance of the insulating film body is preferably 1 × 10 6 Ω / □ or more from the viewpoint of electrical insulation. The surface resistance of the insulating film body is preferably 1 × 10 19 Ω / □ or less from the practical point of view.
The insulating film body is preferably a film having heat resistance, more preferably a polyimide film, a polyetherimide film, a polyphenylene sulfide film or a liquid crystal polymer film, further preferably a polyimide film.
The thickness of the insulating film body is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 3 μm or more and 25 μm or less from the viewpoint of flexibility.
Examples of the material of the adhesive layer include epoxy resin, polyester, polyimide, polyamideimide, polyamide, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, melamine resin, polystyrene and polyolefin. The epoxy resin may include a rubber component (carboxy-modified nitrile rubber or the like) for imparting flexibility.
The thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, more preferably 1.5 μm or more and 60 μm or less.
絶縁フィルム６０に形成される貫通孔の開口部の形状は、特に限定されない。貫通孔の開口部の形状としては、円形、楕円形、四角形等が挙げられる。
The shape of the opening of the through hole formed in the insulating
（電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法）
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、例えば、下記の工程（ａ）〜（ｄ）を有する方法によって製造できる（図６参照）。
工程（ａ）：フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を設け、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程。
工程（ｂ）：工程（ａ）の後、絶縁フィルム付きプリント配線板３と、離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１とを、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４が接触するように重ね、これらを圧着する工程。
工程（ｃ）：工程（ｂ）の後、キャリアフィルム３０が不要になった際にキャリアフィルム３０を剥離する工程。
工程（ｄ）：必要に応じて、工程（ａ）と工程（ｂ）との間、または工程（ｃ）の後に異方導電性接着剤層２４を本硬化させる工程。
以下、各工程について、図６を参照しながら詳細に説明する。
(Method for manufacturing printed wiring board with electromagnetic wave shielding film)
The printed
Step (a): An insulating
Step (b): After the step (a), the anisotropic conductive
Step (c): A step of peeling the
Step (d): A step of main curing the anisotropic conductive
Hereinafter, each step will be described in detail with reference to FIG.
工程（ａ）：
工程（ａ）は、フレキシブルプリント配線板５０に絶縁フィルム６０を積層して、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程である。
具体的には、まず、フレキシブルプリント配線板５０に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を重ねる。次いで、フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層（図示略）を接着し、接着剤層を硬化させることによって、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る。フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層を仮接着し、工程（ｄ）にて接着剤層を本硬化させてもよい。
接着剤層の接着および硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
Process (a):
Step (a) is a step of laminating the insulating
Specifically, first, the insulating
Adhesion and curing of the adhesive layer are performed, for example, by hot pressing using a pressing machine (not shown) or the like.
工程（ｂ）：
工程（ｂ）は、絶縁フィルム付きプリント配線板３に電磁波シールドフィルム１を圧着する工程である。
具体的には、絶縁フィルム付きプリント配線板３に、離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１を重ね、熱プレス等により圧着する。これにより、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を接着するとともに、異方導電性接着剤層２４を貫通孔６２内に押し込み、貫通孔６２内を埋めてプリント回路５４に電気的に接続する。これにより、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２を得る。
Step (b):
Step (b) is a step of pressure-bonding the electromagnetic
Specifically, the electromagnetic
異方導電性接着剤層２４の接着および硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
熱プレスの時間は、２０秒以上６０分以下が好ましく、３０秒以上３０分以下がより好ましい。熱プレスの時間が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を容易に接着できる。熱プレスの時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２の製造時間を短縮できる。
The anisotropic conductive
The time of hot pressing is preferably 20 seconds or more and 60 minutes or less, and more preferably 30 seconds or more and 30 minutes or less. When the hot pressing time is at least the lower limit value of the above range, the anisotropic conductive
熱プレスの温度（プレス機の熱盤の温度）は、１４０℃以上１９０℃以下が好ましく、１５０℃以上１７５℃以下がより好ましい。熱プレスの温度が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を容易に接着できる。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を容易に抑えることができる。
The temperature of hot pressing (temperature of hot plate of press) is preferably 140 ° C. or higher and 190 ° C. or lower, and more preferably 150 ° C. or higher and 175 ° C. or lower. If the temperature of the hot press is not less than the lower limit of the above range, the anisotropic conductive
熱プレスの圧力は、０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましく、１ＭＰａ以上１６ＭＰａ以下がより好ましい。熱プレスの圧力が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４が接着される。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの圧力が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の破損等を抑えることができる。
The pressure of the hot press is preferably 0.5 MPa or more and 20 MPa or less, more preferably 1 MPa or more and 16 MPa or less. If the pressure of the hot press is equal to or higher than the lower limit value of the above range, the anisotropic conductive
工程（ｃ）：
工程（ｃ）は、キャリアフィルム３０を剥離する工程である。
具体的には、キャリアフィルムが不要になった際に、絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離する。
Step (c):
Step (c) is a step of peeling the
Specifically, when the carrier film is no longer needed, the
工程（ｄ）：
工程（ｄ）は、異方導電性接着剤層２４を本硬化させる工程である。
工程（ｂ）における熱プレスの時間が２０秒以上１０分以下の短時間である場合、工程（ｂ）と工程（ｃ）との間、または工程（ｃ）の後に異方導電性接着剤層２４の本硬化を行うことが好ましい。
異方導電性接着剤層２４の本硬化は、例えば、オーブン等の加熱装置を用いて行う。
加熱時間は、１５分以上１２０分以下であり、３０分以上６０分以下がより好ましい。
加熱時間が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４を十分に硬化できる。加熱時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２の製造時間を短縮できる。
加熱温度（オーブン中の雰囲気温度）は、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１２０℃以上１５０℃以下がより好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、加熱時間を短縮できる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を抑えることができる。
Step (d):
Step (d) is a step of permanently curing the anisotropic conductive
When the time of hot pressing in the step (b) is a short time of 20 seconds or more and 10 minutes or less, the anisotropic conductive adhesive layer is provided between the step (b) and the step (c) or after the step (c). It is preferable to perform 24 main curings.
The main curing of the anisotropic conductive
The heating time is 15 minutes or more and 120 minutes or less, and more preferably 30 minutes or more and 60 minutes or less.
When the heating time is at least the lower limit value of the above range, the anisotropic conductive
The heating temperature (ambient temperature in the oven) is preferably 120 ° C or higher and 180 ° C or lower, and more preferably 120 ° C or higher and 150 ° C or lower. When the heating temperature is at least the lower limit value of the above range, the heating time can be shortened. When the heating temperature is equal to or lower than the upper limit value of the above range, deterioration of the electromagnetic
（他の実施形態）
本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板は、図示例の実施形態に限定されない。
例えば、フレキシブルプリント配線板５０は、裏面側にグランド層を有するものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板５０は、両面にプリント回路５４を有し、両面に絶縁フィルム６０および電磁波シールドフィルム１が貼り付けられたものであってもよい。
フレキシブルプリント配線板５０の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。
第１の実施形態の電磁波シールドフィルム１の代わりに、第２の実施形態の電磁波シールドフィルム１または第３の実施形態の電磁波シールドフィルム１を用いてもよい。
(Other embodiments)
The printed wiring board with the electromagnetic wave shielding film of this aspect is not limited to the embodiment shown in the drawings.
For example, the flexible printed
Instead of the flexible printed
Instead of the electromagnetic
以下、実施例および比較例を示して本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
（寸法変化率測定（１））
電磁波シールドフィルムからＭＤの寸法：１２０ｍｍ、ＴＤの寸法：１２０ｍｍの正方形のサンプルを切り出した。図７に示すように、ＭＤの間隔：１００ｍｍ、ＴＤの間隔：１００ｍｍとなるように、サンプルの電磁波シールドフィルム１の対角線上の４点に直径３．０ｍｍの穴７０をあけた。
図８に示すように、離型フィルムを剥離したサンプルの電磁波シールドフィルム１と、圧延銅箔８０（三井金属鉱業社製、３ＥＣ−ＩＩＩ、幅：４５０ｍｍ×厚さ：１８μｍ）とを、異方導電性接着剤層と圧延銅箔とが接するように重ねた。熱プレスを用い、熱盤温度：１７０℃、圧力：３ＭＰａで３分間熱プレスして試験用積層体９０を得た。試験用積層体９０を、温度：１５０℃の雰囲気下で６０分間加熱した。加熱後のキャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ２（ＭＤの２つの穴７０間の距離）と、熱プレスする前のキャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ１（ＭＤの２つの穴７０間の距離）とから、下記式（Ｉ）によってキャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１を求めた。キャリアフィルムのＴＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１も、キャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１と同様に求めた。
ΔＬ１＝（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（Ｉ）
(Dimensional change rate measurement (1))
A square sample having an MD dimension of 120 mm and a TD dimension of 120 mm was cut out from the electromagnetic wave shielding film. As shown in FIG. 7, holes 70 having a diameter of 3.0 mm were made at four points on the diagonal line of the electromagnetic
As shown in FIG. 8, the electromagnetic
ΔL1 = (L2-L1) / L1 × 100 (I)
（寸法変化率測定（２））
寸法変化率測定（１）を実施した後の試験用積層体について、ベルトコンベアを備えたリフロー炉を用い、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６に規定のはんだ耐熱性試験にしたがい、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６の図２ａに記載のリフロー温度プロファイルにおける予備加熱最低温度Ｔ１を１５０±５℃、予備加熱最高温度Ｔ２を１７０±５℃、予備加熱時間ｔ１を８５秒、はんだ付け温度Ｔ３を２２０℃、はんだ付け時間ｔ２を４０秒、ピーク温度Ｔ４を２４５℃、ピーク温度維持時間ｔ４を２０秒に規定したリフロー温度プロファイルで加熱した。加熱後のキャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ３（ＭＤの２つの穴７０間の距離）と、寸法変化率測定（１）において熱プレスする前のキャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ１（ＭＤの２つの穴７０間の距離）とから、下記式（ＩＩ）によってキャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２を求めた。キャリアフィルムのＴＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２も、キャリアフィルムのＭＤにおける電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２と同様に求めた。
ΔＬ２＝（Ｌ３−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（ＩＩ）
(Dimensional change rate measurement (2))
Regarding the test laminate after performing the dimensional change rate measurement (1), using a reflow furnace equipped with a belt conveyor, according to the solder heat resistance test prescribed in JIS C 60068-2-58: 2006, JIS C 60068 -2-58: 2006, the preheating minimum temperature T 1 in the reflow temperature profile shown in FIG. 2a is 150 ± 5 ° C., the preheating maximum temperature T 2 is 170 ± 5 ° C., the preheating time t 1 is 85 seconds, and the solder is used. The soldering temperature T 3 was 220 ° C., the soldering time t 2 was 40 seconds, the peak temperature T 4 was 245 ° C., and the peak temperature maintenance time t 4 was 20 seconds. Dimension L3 of electromagnetic wave shielding film in MD of carrier film after heating (distance between two
ΔL2 = (L3-L1) / L1 × 100 (II)
（寸法変化率測定（３））
キャリアフィルムからＭＤの寸法：１２０ｍｍ、ＴＤの寸法：１２０ｍｍの正方形のサンプルを切り出した。ＭＤの間隔：１００ｍｍ、ＴＤの間隔：１００ｍｍとなるように、サンプルのキャリアフィルムの対角線上の４点に直径３．０ｍｍの穴をあけた。サンプルのキャリアフィルムについて、オーブン等加熱装置を用い、温度：１５０℃の雰囲気下で３０分間加熱した。加熱した後のキャリアフィルムのＭＤにおけるキャリアフィルムの寸法Ｌ５（ＭＤの２つの穴間の距離）と、加熱する前のキャリアフィルムのＭＤにおけるキャリアフィルムの寸法Ｌ４（ＭＤの２つの穴間の距離）とから、下記式（ＩＩＩ）によってキャリアフィルムのＭＤにおけるキャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３を求めた。キャリアフィルムのＴＤにおけるキャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３も、キャリアフィルムのＭＤにおけるキャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３と同様に求めた。
ΔＬ３＝（Ｌ５−Ｌ４）／Ｌ４×１００ ・・・（ＩＩＩ）
(Dimensional change rate measurement (3))
A square sample having an MD dimension of 120 mm and a TD dimension of 120 mm was cut out from the carrier film. Holes having a diameter of 3.0 mm were punched at four points on the diagonal line of the sample carrier film so that the MD interval was 100 mm and the TD interval was 100 mm. The sample carrier film was heated for 30 minutes in an atmosphere of a temperature of 150 ° C. using a heating device such as an oven. Dimension L5 of carrier film in MD of carrier film after heating (distance between two holes in MD) and dimension L4 of carrier film in MD of carrier film before heating (distance between two holes in MD) From the above, the dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in MD of the carrier film was obtained by the following formula (III). The dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in TD of the carrier film was also obtained in the same manner as the dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in MD of the carrier film.
ΔL3 = (L5-L4) / L4 × 100 (III)
（原材料）
絶縁樹脂層形成用塗料として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ（登録商標）８２８）の１００質量部、硬化剤（昭和電工社製、ショウアミンＸ（登録商標））の２０質量部、２−エチル−４−メチルイミダゾールの２質量部、カーボンブラックの２質量部を溶剤（メチルエチルケトン）の２００質量部に溶解した塗料を用意した。
熱硬化性導電性接着剤組成物として、熱硬化性接着剤（エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）の１００質量部と硬化剤（味の素ファインテクノ社製、ＰＮ−２３）の２０質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂）、および導電性粒子（銅粒子）の４０質量部を、溶剤（メチルエチルケトン）の２００質量部に溶解または分散させたものを用意した。
離型フィルムとして、非シリコーン系離型剤にて片面が離型処理されたＰＥＴフィルム（リンテック社製、Ｔ１５７、離型フィルム本体の厚さ：５０μｍ、離型剤層の厚さ：０．１μｍ）を用意した。
(raw materials)
As a coating material for forming an insulating resin layer, 100 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER (registered trademark) 828), 20 parts by mass of a curing agent (Showa Denko KK, Shoamine X (registered trademark)) Parts, 2 parts by mass of 2-ethyl-4-methylimidazole, and 2 parts by mass of carbon black were dissolved in 200 parts by mass of a solvent (methyl ethyl ketone) to prepare a coating material.
As a thermosetting conductive adhesive composition, 100 parts by weight of a thermosetting adhesive (epoxy resin (manufactured by DIC, EXA-4816) and 20 parts by mass of a curing agent (manufactured by Ajinomoto Fine Techno, PN-23). 40 parts by mass of the latent curable epoxy resin) and conductive particles (copper particles) were dissolved or dispersed in 200 parts by mass of the solvent (methyl ethyl ketone).
As a release film, a PET film whose one surface is release-treated with a non-silicone release agent (T157, manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness of release film main body: 50 μm, release agent layer thickness: 0.1 μm ) Was prepared.
（実施例１）
キャリアフィルム本体（リンテック社製、Ｔ１５７、厚さ：５０μｍ）について、オーブン（連続炉）を用い、１８０℃以上であり、かつ最高温度が２１５℃である温度勾配がある温度条件雰囲気下で５分間加熱処理（アニール処理）した。
加熱処理されて得られたキャリアフィルム本体の片面に粘着剤組成物を、アプリケータを用いて塗布して粘着剤層（厚さ：２μｍ）を形成し、キャリアフィルムを得た。キャリアフィルムについて、寸法変化率ΔＬ３を求めた。結果を表１に示す。
(Example 1)
About carrier film main body (T157 made by Lintec Co., Ltd., thickness: 50 μm), using an oven (continuous furnace), under a temperature condition atmosphere having a temperature gradient of 180 ° C. or higher and a maximum temperature of 215 ° C. for 5 minutes It was heat-treated (annealed).
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to one surface of the carrier film main body obtained by the heat treatment using an applicator to form a pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 2 μm) to obtain a carrier film. The dimensional change rate ΔL3 was determined for the carrier film. The results are shown in Table 1.
キャリアフィルムの粘着剤層の表面に絶縁樹脂層形成用塗料を塗布し、６０℃で２分間加熱し、塗料を乾燥、半硬化させて、絶縁樹脂層（厚さ：１０μｍ）を形成した。
絶縁樹脂層の表面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、金属薄膜層（蒸着膜、厚さ：７０ｎｍ）を形成した。
金属薄膜層の表面に熱硬化性導電性接着剤組成物を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、異方導電性接着剤層（厚さ：５μｍ）を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に離型フィルムを貼り付けて、図１に示すような電磁波シールドフィルムを得た。電磁波シールドフィルムについて、寸法変化率ΔＬ１および寸法変化率ΔＬ２を求めた。寸法変化率測定（２）におけるリフロー温度プロファイルを図９に示す。結果を表１に示す。
An insulating resin layer-forming coating material was applied to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the carrier film, heated at 60 ° C. for 2 minutes, and the coating material was dried and semi-cured to form an insulating resin layer (thickness: 10 μm).
Copper was physically deposited on the surface of the insulating resin layer by an electron beam deposition method to form a metal thin film layer (deposited film, thickness: 70 nm).
The anisotropic conductive adhesive layer (thickness: 5 μm) is obtained by applying the thermosetting conductive adhesive composition to the surface of the metal thin film layer using a die coater and volatilizing the solvent to form B stage. Was formed.
A release film was attached to the surface of the anisotropic conductive adhesive layer to obtain an electromagnetic wave shielding film as shown in FIG. The dimensional change rate ΔL1 and the dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shielding film were determined. The reflow temperature profile in the dimensional change rate measurement (2) is shown in FIG. The results are shown in Table 1.
絶縁フィルム付きフレキシブルプリント配線板に、離型フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１７０℃、圧力：２ＭＰａで１２０秒間熱プレスし、絶縁フィルムの表面に異方導電性接着剤層を仮接着した。電磁波シールドフィルムが仮接着されたフレキシブルプリント配線板を、高温恒温器（楠本化成社製、ＨＴ２１０）を用い、温度：１６０℃で１時間加熱することによって、異方導電性接着剤層を本硬化させた。電磁波シールドフィルムが設計通りに設けられた電磁波シールドフィルム付きフレキシブルプリント配線板を得た。 An electromagnetic shielding film from which a release film has been peeled off is placed on a flexible printed wiring board with an insulating film, and a hot press machine (G-12 manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.) is used to heat the platen at a temperature of 170 ° C and a pressure of 2 MPa for 120 seconds. By heat pressing, an anisotropic conductive adhesive layer was temporarily adhered to the surface of the insulating film. The flexible printed wiring board to which the electromagnetic wave shielding film is temporarily adhered is heated at a temperature of 160 ° C. for 1 hour using a high temperature thermostat (HT210 manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd.) to fully cure the anisotropic conductive adhesive layer. Let A flexible printed wiring board with an electromagnetic wave shielding film provided with the electromagnetic wave shielding film as designed was obtained.
（実施例２）
キャリアフィルム本体の加熱処理の条件を１８０℃以上であり、かつ最高温度が２３０℃である温度勾配がある温度条件雰囲気下で３分間に変更した以外は、実施例１と同様にしてキャリアフィルムを得た。キャリアフィルムについて、寸法変化率ΔＬ３を求めた。結果を表１に示す。
キャリアフィルムを実施例２のキャリアフィルムに変更した以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。電磁波シールドフィルムについて、寸法変化率ΔＬ１および寸法変化率ΔＬ２を求めた。結果を表１に示す。
電磁波シールドフィルムを実施例２の電磁波シールドフィルムに変更した以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルム付きフレキシブルプリント配線板を得た。電磁波シールドフィルムがフレキシブルプリント配線板の表面に設計通りに設けられていた。
(Example 2)
A carrier film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the condition of the heat treatment of the carrier film body was 180 ° C. or higher and the temperature was changed to 3 minutes under an atmosphere of a temperature condition with a temperature gradient of 230 ° C. Obtained. The dimensional change rate ΔL3 was determined for the carrier film. The results are shown in Table 1.
An electromagnetic wave shielding film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the carrier film was changed to the carrier film of Example 2. The dimensional change rate ΔL1 and the dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shielding film were determined. The results are shown in Table 1.
A flexible printed wiring board with an electromagnetic wave shielding film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the electromagnetic wave shielding film was changed to the electromagnetic wave shielding film of Example 2. The electromagnetic wave shielding film was provided on the surface of the flexible printed wiring board as designed.
（比較例１）
キャリアフィルム本体の加熱処理を行わない以外は、実施例１と同様にしてキャリアフィルムを得た。キャリアフィルムについて、寸法変化率ΔＬ３を求めた。結果を表１に示す。
キャリアフィルムを比較例１のキャリアフィルムに変更した以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。電磁波シールドフィルムについて、寸法変化率ΔＬ１および寸法変化率ΔＬ２を求めた。結果を表１に示す。
電磁波シールドフィルムを比較例１の電磁波シールドフィルムに変更した以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルム付きフレキシブルプリント配線板を得た。電磁波シールドフィルムの寸法が変化してしまい、電磁波シールドフィルムをフレキシブルプリント配線板の表面に設計通りに設けることができなかった。
(Comparative Example 1)
A carrier film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment of the carrier film body was not performed. The dimensional change rate ΔL3 was determined for the carrier film. The results are shown in Table 1.
An electromagnetic wave shielding film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the carrier film was changed to the carrier film of Comparative Example 1. The dimensional change rate ΔL1 and the dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shielding film were determined. The results are shown in Table 1.
A flexible printed wiring board with an electromagnetic wave shield film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the electromagnetic wave shield film was changed to the electromagnetic wave shield film of Comparative Example 1. The dimensions of the electromagnetic wave shielding film changed, and the electromagnetic wave shielding film could not be provided on the surface of the flexible printed wiring board as designed.
本発明の第１の態様である電磁波シールドフィルムは、スマートフォン、携帯電話、光モジュール、デジタルカメラ、ゲーム機、ノートパソコン、医療器具等の電子機器用のフレキシブルプリント配線板における、電磁波シールド用部材として有用である。 The electromagnetic wave shielding film according to the first aspect of the present invention is used as a member for electromagnetic wave shielding in a flexible printed wiring board for electronic devices such as smartphones, mobile phones, optical modules, digital cameras, game machines, notebook computers and medical instruments. It is useful.
１ 電磁波シールドフィルム、
２ 電磁波シールドフィルム付きプリント配線板、
３ 絶縁フィルム付きプリント配線板、
１０ 絶縁樹脂層、
２０ 導電層、
２２ 金属薄膜層、
２４ 異方導電性接着剤層、
２４ａ 熱硬化性接着剤、
２４ｂ 導電性粒子、
２６ 等方導電性接着剤層、
２６ａ 熱硬化性接着剤、
２６ｂ 導電性粒子、
３０ キャリアフィルム、
３２ キャリアフィルム本体、
３４ 粘着剤層、
４０ 離型フィルム、
４２ 離型フィルム本体、
４４ 離型剤層、
５０ フレキシブルプリント配線板、
５２ ベースフィルム、
５４ プリント回路、
６０ 絶縁フィルム、
６２ 貫通孔、
７０ 穴、
８０ 圧延銅箔、
９０ 試験用積層体。
1 electromagnetic wave shielding film,
2 Printed wiring board with electromagnetic wave shielding film,
3 Printed wiring board with insulating film,
10 Insulating resin layer,
20 conductive layer,
22 metal thin film layer,
24 anisotropic conductive adhesive layer,
24a thermosetting adhesive,
24b conductive particles,
26 isotropic conductive adhesive layer,
26a thermosetting adhesive,
26b conductive particles,
30 carrier film,
32 carrier film body,
34 adhesive layer,
40 release film,
42 release film body,
44 release agent layer,
50 flexible printed wiring board,
52 base film,
54 printed circuit,
60 insulation film,
62 through holes,
70 holes,
80 rolled copper foil,
90 Test laminate.
Claims (5)
下記寸法変化率測定（１）による前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１が、前記キャリアフィルムのＭＤおよびＴＤのそれぞれについて±０．２００％以内となるものである、電磁波シールドフィルム。
（寸法変化率測定（１））
前記電磁波シールドフィルムと厚さ１８μｍの銅箔とを、前記導電性接着剤層と前記銅箔とが接するように重ね、温度：１７０℃、圧力：３ＭＰａで３分間熱プレスして試験用積層体を得る。前記試験用積層体を、温度：１５０℃の雰囲気下で６０分間加熱する。加熱後の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ２と、熱プレスする前の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ１とから、下記式（Ｉ）によって前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１を求める。前記キャリアフィルムのＴＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１も、前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ１と同様に求める。
ΔＬ１＝（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（Ｉ） A carrier film, an insulating resin layer adjacent to the carrier film, and a conductive layer adjacent to the insulating resin layer, the conductive layer is an electromagnetic shield film having at least a conductive adhesive layer,
An electromagnetic wave shielding film, wherein the dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shielding film measured by the following dimensional change rate measurement (1) is within ± 0.200% for each of MD and TD of the carrier film.
(Dimensional change rate measurement (1))
The electromagnetic wave shielding film and a copper foil having a thickness of 18 μm were laminated so that the conductive adhesive layer and the copper foil were in contact with each other, and heat-pressed at a temperature of 170 ° C. and a pressure of 3 MPa for 3 minutes to form a test laminate. To get The test laminate is heated for 60 minutes in an atmosphere at a temperature of 150 ° C. From the dimension L2 of the electromagnetic wave shielding film in the MD of the carrier film after heating and the dimension L1 of the electromagnetic wave shielding film in the MD of the carrier film before hot pressing, the MD of the carrier film according to the following formula (I). The dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shielding film is calculated. The dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shield film in the TD of the carrier film is also obtained in the same manner as the dimensional change rate ΔL1 of the electromagnetic wave shield film in the MD of the carrier film.
ΔL1 = (L2-L1) / L1 × 100 (I)
（寸法変化率測定（２））
前記寸法変化率測定（１）を実施した後の前記試験用積層体を、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６に規定のはんだ耐熱性試験にしたがい、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−５８：２００６の図２ａに記載のリフロー温度プロファイルにおける予備加熱最低温度Ｔ１を１５０±５℃、予備加熱最高温度Ｔ２を１７０±５℃、予備加熱時間ｔ１を８５秒、はんだ付け温度Ｔ３を２２０℃、はんだ付け時間ｔ２を４０秒、ピーク温度Ｔ４を２４５℃、ピーク温度維持時間ｔ４を２０秒に規定したリフロー温度プロファイルで加熱する。加熱後の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ３と、前記寸法変化率測定（１）において熱プレスする前の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法Ｌ１とから、下記式（ＩＩ）によって前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２を求める。前記キャリアフィルムのＴＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２も、前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記電磁波シールドフィルムの寸法変化率ΔＬ２と同様に求める。
ΔＬ２＝（Ｌ３−Ｌ１）／Ｌ１×１００ ・・・（ＩＩ） The electromagnetic wave shield according to claim 1, wherein a dimension change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shield film measured by the following dimension change rate measurement (2) is within ± 0.200% for each of MD and TD of the carrier film. the film.
(Dimensional change rate measurement (2))
The test laminate after carrying out the dimensional change rate measurement (1) is subjected to a solder heat resistance test prescribed in JIS C 60068-2-58: 2006, according to JIS C 60068-2-58: 2006. In the reflow temperature profile described in 2a, the preheating minimum temperature T 1 is 150 ± 5 ° C., the preheating maximum temperature T 2 is 170 ± 5 ° C., the preheating time t 1 is 85 seconds, and the soldering temperature T 3 is 220 ° C. The soldering time t 2 is 40 seconds, the peak temperature T 4 is 245 ° C., and the peak temperature maintenance time t 4 is 20 seconds. From the dimension L3 of the electromagnetic wave shielding film in MD of the carrier film after heating and the dimension L1 of the electromagnetic wave shielding film in MD of the carrier film before hot pressing in the dimensional change rate measurement (1), According to (II), the dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shield film in the MD of the carrier film is obtained. The dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shield film in the TD of the carrier film is also obtained in the same manner as the dimensional change rate ΔL2 of the electromagnetic wave shield film in the MD of the carrier film.
ΔL2 = (L3-L1) / L1 × 100 (II)
前記絶縁樹脂層に隣接する導電層を設ける、電磁波シールドフィルムの製造方法。 Temperature: An insulating resin layer is formed on one surface of a carrier film obtained by heat treatment in an atmosphere of 180 ° C. or higher and 250 ° C. or lower for 1 minute or more and 5 minutes or less,
A method for producing an electromagnetic wave shielding film, comprising providing a conductive layer adjacent to the insulating resin layer.
前記絶縁樹脂層に隣接する導電層を設ける、電磁波シールドフィルムの製造方法。
（寸法変化率測定（３））
前記キャリアフィルムを、温度：１５０℃の雰囲気下で３０分間加熱した後の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法Ｌ５と、加熱する前の前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法Ｌ４とから、下記式（ＩＩＩ）によって前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３を求める。前記キャリアフィルムのＴＤにおける前記キャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３も、前記キャリアフィルムのＭＤにおける前記キャリアフィルムの寸法変化率ΔＬ３と同様に求める。
ΔＬ３＝（Ｌ５−Ｌ４）／Ｌ４×１００ ・・・（ＩＩＩ） A dimensional change rate ΔL3 of the carrier film measured by the following dimensional change rate measurement (3) is within ± 0.250% for each of MD and TD of the carrier film, and an insulating resin layer is formed on one surface of the carrier film.
A method for producing an electromagnetic wave shielding film, comprising providing a conductive layer adjacent to the insulating resin layer.
(Dimensional change rate measurement (3))
A dimension L5 of the carrier film in MD of the carrier film after heating the carrier film in an atmosphere of a temperature of 150 ° C. for 30 minutes, and a dimension L4 of the carrier film in MD of the carrier film before heating. From the above, the dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in MD of the carrier film is obtained by the following formula (III). The dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in the TD of the carrier film is also obtained in the same manner as the dimensional change rate ΔL3 of the carrier film in the MD of the carrier film.
ΔL3 = (L5-L4) / L4 × 100 (III)
前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に隣接する絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムに隣接する請求項１または２に記載の電磁波シールドフィルムと
を有する、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板。 A printed wiring board provided with a printed circuit on at least one surface of the substrate,
An insulating film adjacent to the surface of the printed wiring board on which the printed circuit is provided,
A printed wiring board with an electromagnetic wave shielding film, comprising: the electromagnetic wave shielding film according to claim 1 adjacent to the insulating film.
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