JP2020031526A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体モジュールを示す平面図である。図2は、実施の形態1に係る半導体モジュールを示す側面図である。半導体パッケージ1は+側電極2と−側電極3を有する。スナバコンデンサ4とスナバ抵抗5,6と第1及び第2の発光素子7,8が基板9に実装されている。この基板9が半導体パッケージ1に取り付けられている。
図6は、実施の形態2に係る半導体モジュールを示す側面図である。スナバ回路13は基板18に実装され、基板18の裏面の端子19,20に接続されている。基板18の端子19,20と外部端子14,15は互いに接続可能なプラグ形式になっている。従って、スナバ回路13は、半導体パッケージ1に対して着脱可能になっている。これにより、必要に応じて半導体パッケージ1にスナバ回路13を取り付けて状態表示機能を有効にできる。また、最適なスナバ定数のスナバ回路13を実装した基板18を製造することによりスナバ回路13を容易に最適化できる。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
図7は、実施の形態3に係る半導体モジュールを示す側面図である。第2の発光素子8のピン21,22は基板9のコネクタ23,24に差し込むことで接続可能である。第1の発光素子7も同様である。従って、第1及び第2の発光素子7,8は、半導体パッケージ1に着脱可能な構造である。これにより、必要に応じて第1及び第2の発光素子7,8を取り付けて状態表示機能を有効にできる。なお、高圧用LEDのみ又は中圧用LEDのみでも動作可能であり、用途に応じて必要な個所に第1及び第2の発光素子7,8の一方だけを取り付けてもよい。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
図8は、実施の形態4に係る半導体モジュールを示す側面図である。スナバ回路13と第1及び第2の発光素子7,8が基板18に実装されている。スナバ回路13と第1及び第2の発光素子7,8は基板18の裏面の端子19,20に接続されている。基板18の端子19,20と外部端子14,15は互いに接続可能なプラグ形式になっている。従って、スナバ回路13と第1及び第2の発光素子7,8が一体となった基板18は、半導体パッケージ1に対して着脱可能になっている。これにより、必要に応じて基板18を取り付けて状態表示機能を有効にできる。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
図9は、実施の形態5に係る半導体モジュールを示す平面図である。図10は、実施の形態5に係る半導体モジュールを示す側面図である。スナバ回路13と第1及び第2の発光素子7,8は半導体パッケージ1に内蔵されている。第1及び第2の発光素子7,8の発光部だけが半導体パッケージ1から露出し、残留電圧を表示する。これにより、回路部が保護され、外気にさらされないため、外部要因による回路ショートの可能性が低減する。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
図11は、実施の形態6に係る半導体モジュールを示す平面図である。実施の形態1−5では第1及び第2の発光素子7,8が設けられていたが、本実施の形態では1つの発光素子25だけが設けられている。1つのスイッチング素子10と1つのダイオード11を内蔵した半導体パッケージ1ごとに発光素子25が取り付けられているため、半導体パッケージ1ごとに残留電圧の有無を確認することができる。また、発光素子が1つだけなので外形をコンパクトにできる。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
Claims (8)
- 半導体素子を内蔵した半導体パッケージと、
前記半導体素子に並列に接続されたスナバコンデンサ及びスナバ抵抗を有するスナバ回路と、
前記半導体素子の陽極と陰極の間の残留電圧がそれぞれ第1及び第2の電圧以上になると発光する第1及び第2の発光素子とを備え、
前記第1及び第2の電圧は異なることを特徴とする半導体モジュール。 - 前記第1の電圧は1000V以上4500V未満であり、
前記第2の電圧は100V以上1000V未満であることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記スナバ回路は前記半導体パッケージに着脱可能な構造であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
- 前記第1及び第2の発光素子の少なくとも1つは前記半導体パッケージに着脱可能な構造であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
- 前記スナバ回路と前記第1及び第2の発光素子が実装された基板を更に備え、
前記基板は、前記半導体パッケージに着脱可能な構造であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。 - 前記スナバ回路と前記第1及び第2の発光素子は前記半導体パッケージに内蔵され、
前記第1及び第2の発光素子の発光部は前記半導体パッケージから露出していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。 - 半導体素子を内蔵した半導体パッケージと、
前記半導体素子に並列に接続されたスナバコンデンサ及びスナバ抵抗を有するスナバ回路と、
前記半導体パッケージから露出し、前記半導体素子の陽極と陰極の間の残留電圧に応じて発光する発光素子とを備え、
前記半導体パッケージに内蔵された前記半導体素子は、1つのスイッチング素子と、前記スイッチング素子に逆並列に接続された1つのダイオードのみであることを特徴とする半導体モジュール。 - 前記半導体素子はワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項1〜7の何れか1に記載の半導体モジュール。
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