JP2019534581A - 汚染物質を捕捉するための装置を備えた縦型炉 - Google Patents
汚染物質を捕捉するための装置を備えた縦型炉 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019534581A JP2019534581A JP2019540706A JP2019540706A JP2019534581A JP 2019534581 A JP2019534581 A JP 2019534581A JP 2019540706 A JP2019540706 A JP 2019540706A JP 2019540706 A JP2019540706 A JP 2019540706A JP 2019534581 A JP2019534581 A JP 2019534581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capture device
- vertical furnace
- packed tower
- circular portion
- fresh gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 title abstract 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/56—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
- B01D46/62—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in series
- B01D46/64—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in series arranged concentrically or coaxially
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/0039—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with flow guiding by feed or discharge devices
- B01D46/0041—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with flow guiding by feed or discharge devices for feeding
- B01D46/0045—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with flow guiding by feed or discharge devices for feeding by using vanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D39/00—Filtering material for liquid or gaseous fluids
- B01D39/02—Loose filtering material, e.g. loose fibres
- B01D39/06—Inorganic material, e.g. asbestos fibres, glass beads or fibres
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
Abstract
Description
(発明の目的)
本発明は、従来技術の欠点の全部または一部を克服することを目的としている。本発明の1つの主題は、処理対象の複数の基板と接触するフレッシュガス中の汚染物質の存在を制限することを可能にする縦型炉である。
チャンバの上端に配置されたフレッシュガス導入チャネルと
を備え
充填塔は、上部と、複数の基板を支持するための中央部とを備える縦型炉に関する。
ブレードは実質的に垂直であり、
ブレードは着脱可能であり、
少なくとも上部位置に配置されたスクリーンは、中央オリフィスを含み、
上部位置に配置されたスクリーンおよび下部位置に配置されたスクリーンの間に位置するスクリーンの全てまたは一部はそれぞれ、中央オリフィスを含み、そのオリフィスの直径はその上部に配置される隣接スクリーンのオリフィスの直径より小さく、
上部位置に配置されたスクリーンは、中央オリフィスの周囲に配置された垂直要素を含み、
捕捉装置は、充填塔が基板をチャンバ外に排出する位置にある時には着脱可能であり、
捕捉装置はシリコンから構成される。
Claims (7)
- 充填塔(3)を収容するためのチャンバ(2)と、
前記チャンバ(2)の上端に配置されたフレッシュガス導入チャネル(5)と
を備える縦型炉(1)であって、
前記充填塔(3)は、上部(3b)と、複数の基板(10)を支持するための中央部(3a)とを備え、
前記縦型炉(1)は捕捉装置(100)を含むことを特徴とし、前記捕捉装置(100)は、
前記フレッシュガス中に存在する汚染物質の全部または一部を捕捉することができる少なくとも1つの材料から形成され、
前記充填塔(3)の前記上部(3b)に配置された円形部(101、111)を含み、
前記円形部(101、111)は、前記円形部(101、111)の上部表面上に規則的に分配されているブレード(102、112b)を含み、また直径が前記円形部(101、111)の直径の20%から50%に相当する中央開口部を含み、
前記基板(10)を支持するようにされている前記中央部(3a)の位置の上方にある、前記充填塔(3)の前記上部(3b)内に保持された複数のスクリーン(105、115、125)を含むことを特徴とする縦型炉(1)。 - 前記ブレード(112b)は着脱可能であることを特徴とする請求項1に記載の縦型炉(1)。
- 少なくとも上部位置(125a)に配置された前記スクリーンは、中央オリフィスを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の縦型炉(1)。
- 前記上部位置(125a)に配置された前記スクリーンおよび下部位置(125b)に配置されたスクリーンの間に位置する前記スクリーンの全てまたは一部はそれぞれ、中央オリフィスを含み、そのオリフィスの直径はその上部に配置される隣接スクリーンの前記オリフィスの直径より小さいことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の縦型炉(1)。
- 前記上部位置(125a)に配置された前記スクリーンは、前記中央オリフィスの周囲に配置された垂直要素(126)を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の縦型炉(1)。
- 前記捕捉装置(100)は、前記充填塔(3)が前記基板(10)を前記チャンバ(2)外に排出する位置にある時には着脱可能であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の縦型炉(1)。
- 前記捕捉装置(100)はシリコンから構成されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の縦型炉(1)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1659813 | 2016-10-11 | ||
FR1659813A FR3057390B1 (fr) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Four vertical avec dispositif de piegeage de contaminants |
PCT/FR2017/052528 WO2018069595A1 (fr) | 2016-10-11 | 2017-09-21 | Four vertical avec dispositif de piégeage de contaminants |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019534581A true JP2019534581A (ja) | 2019-11-28 |
JP6980021B2 JP6980021B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=57861005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019540706A Active JP6980021B2 (ja) | 2016-10-11 | 2017-09-21 | 汚染物質を捕捉するための装置を備えた縦型炉 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11219851B2 (ja) |
JP (1) | JP6980021B2 (ja) |
CN (1) | CN109844922B (ja) |
DE (1) | DE112017005147T5 (ja) |
FR (1) | FR3057390B1 (ja) |
SG (1) | SG11201903262WA (ja) |
WO (1) | WO2018069595A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227862A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理炉 |
JPH08288232A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理炉ガス制御治具 |
JP2001237239A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-08-31 | Axcelis Technologies Inc | 一体化ガス分散通路を有するベル・ジャー |
JP2007059606A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型ウエハボート及び縦型熱処理炉 |
JP2008186852A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4050913A (en) * | 1974-06-28 | 1977-09-27 | Pall Corporation | Vortex air cleaner assembly with acoustic attenuator |
US4420314A (en) * | 1977-06-02 | 1983-12-13 | Barron Industries, Inc. | Gas-solids separator |
ZA931264B (en) * | 1992-02-27 | 1993-09-17 | Atomic Energy South Africa | Filtration. |
JPH0922878A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理炉 |
TW489827U (en) * | 1998-04-09 | 2002-06-01 | Kobe Steel Ltd | Apparatus for high-temperature and high-pressure treatment of semiconductor substrates |
JP2000277526A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 半導体製造装置及びそれを用いた半導体部材の製造方法 |
US6620630B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-09-16 | Extraction Systems, Inc. | System and method for determining and controlling contamination |
NO315188B1 (no) * | 2001-11-07 | 2003-07-28 | Consept As | Dråpefangersyklon |
US20050053535A1 (en) | 2003-09-08 | 2005-03-10 | Seh America, Inc. | Gettering filter and associated method for removing oxygen from a gas |
JP2010239115A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
KR20160084491A (ko) * | 2009-05-22 | 2016-07-13 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 저온 gst 방법 |
US20110061810A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
KR101165326B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2012-07-18 | 주식회사 유진테크 | 대칭형 유입구 및 유출구를 통해 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
GB201111735D0 (en) * | 2011-07-08 | 2011-08-24 | Rec Wafer Norway As | Furnace for semiconductor material and method |
US9192886B2 (en) * | 2013-01-02 | 2015-11-24 | Koch-Glitsch, Lp | Cyclone, cyclone mist eliminator and method of use |
US20140271097A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
GB2524743A (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-07 | Nano Porous Solutions Ltd | Apparatus for contaminant reduction in a stream of compressed gas |
JP6441244B2 (ja) * | 2016-02-02 | 2018-12-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置 |
-
2016
- 2016-10-11 FR FR1659813A patent/FR3057390B1/fr active Active
-
2017
- 2017-09-21 DE DE112017005147.9T patent/DE112017005147T5/de active Pending
- 2017-09-21 SG SG11201903262WA patent/SG11201903262WA/en unknown
- 2017-09-21 JP JP2019540706A patent/JP6980021B2/ja active Active
- 2017-09-21 WO PCT/FR2017/052528 patent/WO2018069595A1/fr active Application Filing
- 2017-09-21 US US16/341,390 patent/US11219851B2/en active Active
- 2017-09-21 CN CN201780062463.2A patent/CN109844922B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227862A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理炉 |
JPH08288232A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理炉ガス制御治具 |
JP2001237239A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-08-31 | Axcelis Technologies Inc | 一体化ガス分散通路を有するベル・ジャー |
US6302963B1 (en) * | 1999-12-21 | 2001-10-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Bell jar having integral gas distribution channeling |
JP2007059606A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型ウエハボート及び縦型熱処理炉 |
JP2008186852A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6980021B2 (ja) | 2021-12-15 |
FR3057390B1 (fr) | 2018-12-07 |
CN109844922A (zh) | 2019-06-04 |
WO2018069595A1 (fr) | 2018-04-19 |
US20200054978A1 (en) | 2020-02-20 |
FR3057390A1 (fr) | 2018-04-13 |
US11219851B2 (en) | 2022-01-11 |
SG11201903262WA (en) | 2019-05-30 |
DE112017005147T5 (de) | 2019-06-27 |
CN109844922B (zh) | 2022-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI358745B (en) | Erosion resistance enhanced quartz used in plasma | |
KR100767804B1 (ko) | 세정 주기 제어 방법 및 장치 | |
TWI489524B (zh) | 形成多晶矽膜之方法 | |
CN108475610B (zh) | 在非对称的腔室环境中的均匀晶片温度实现 | |
KR102004587B1 (ko) | 기판의 에칭장치 및 기판의 분석방법 | |
JP3671418B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP4539985B2 (ja) | エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 | |
CN110760823A (zh) | 用于消除遮蔽框架的气体限制器组件 | |
JP2013138114A (ja) | 半導体製造装置及びサセプタ支持部材 | |
JP6980021B2 (ja) | 汚染物質を捕捉するための装置を備えた縦型炉 | |
CN107919302B (zh) | 具有收集器装置的热处理*** | |
JP2007059606A (ja) | 縦型ウエハボート及び縦型熱処理炉 | |
JP2009049047A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2005129575A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2012074664A (ja) | 横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法 | |
KR200360554Y1 (ko) | 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터 | |
JPH1056004A (ja) | 有機物除去装置 | |
JP2006294779A (ja) | 熱処理炉 | |
KR100500712B1 (ko) | 실리콘웨이퍼의 금속 불순물 농도 측정 방법 | |
JP2007081382A (ja) | プラズマエッチング装置用シリコンリング | |
Maruyama et al. | Silicon wafer and a silicon epitaxial wafer having a polycrystal silicon layer formed on a major surface including boron concentration of the polycrystal silicon layer being 1× 10 15 atom/cm 3 or less | |
JP2005079481A (ja) | 酸化膜成長装置 | |
JP2002009068A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JPS61166023A (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法 | |
JP2004228110A (ja) | 有機物除去装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200729 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211019 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6980021 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |