JP4539985B2 - エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4539985B2 JP4539985B2 JP2005319273A JP2005319273A JP4539985B2 JP 4539985 B2 JP4539985 B2 JP 4539985B2 JP 2005319273 A JP2005319273 A JP 2005319273A JP 2005319273 A JP2005319273 A JP 2005319273A JP 4539985 B2 JP4539985 B2 JP 4539985B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- film
- gas
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
平均孔径約70μmのアモルファスカーボン粒子を1000℃で焼成することによって、気孔率30%、平均孔径5〜10μmの孔が分散した状態の多孔質体を調製し、これを実施例における拡散電極として使用した。この多孔質体の電子顕微鏡写真を図3に示し、また、その特性を下記表1に示す。
(2−a)電極の厚み
前述と同様の材料を用いて、厚み10mmと3mmの二種類の拡散電極を作製した(プラズマ生成直径84mm)。そして、これらの拡散電極を用いて、下記表2の条件(150MHzの高周波電源を使用)で、プラズマを生起させ、前記基板上に成膜を行った。そして、形成された膜の一部に有機高分子のマスクを施し、マスクされていない膜部分をKOHによりエッチングし、除去した。エッチングにより形成された膜段差を、触針式表面粗さ計により測定した。なお、基板は、石英ガラス(110×130mm、厚み0.7mm)、150nmの酸化膜付きSi基板(直径100mm、全体厚み0.525mm)を使用し、プラズマ処理装置の壁部および上部の部材は、SUSとした。
前述と同様の材料を用いて、厚み3mmの拡散電極(多孔質カーボン)を作製し、これと放熱部材とを組み合わせて、成膜特性を調べた。
成膜ギャップを変動させた以外は、前記(2−b)と同様に、図8に示す多数のガス供給孔を備えた放熱部材を併用した例と同様の条件で、基板上への成膜を行った。この結果を図13に示す。同図に示すように、成膜速度は、ギャップに対して指数関数的に減少し、その特徴的な減衰距離は0.18mmであることがわかった。このように、ギャップに対して非常に急激な減衰を示す原因は、電極からの粘性流の減衰と拡散による影響が考えられる。
本発明における拡散電極を使用する際に、エピタキシャル成長の阻害不純物となりうる、水分および炭素、酸素、電極に付着したSiに着目した。
電極を構成する多孔質カーボンは、粒径70μm程度の粒子を焼成することで形成されているため、比表面積が非常に大きく、多量の水分子を内部に吸着することができる。電極内部の吸着水分子は、エピタキシャル膜の成膜時に、カーボン表面より脱離するとともに、600℃程度に加熱されたSiウェハ表面を容易に酸化し得る。さらに、大気圧プラズマにより水分子が活性化されるため、より大きな速度で酸化が進行するおそれがある。この様なSiウェハ表面の酸化膜は、低温エピタキシャル成長を阻害するのみならず、水に由来する酸素がエピタキシャルSi膜に混入することにより、OSFや酸素ドナーを生じさせるおそれがある。一般的に水分子は、他の気体分子に比較して、脱離の活性化エネルギーが極めて大きいため、脱ガスさせる事が最も難しい分子の一つである。
本発明における電極は、その構成材料が炭素であるため、Si膜中への炭素の混入が懸念される。一般的に、CZ−Si結晶中には、1016atoms/ccの炭素が固溶されていると報告されていることから、これ以下の濃度に抑えることが望ましい。なお、CZ−Si結晶中の炭素は、結晶育成中に高温のグラファイト部材から放出されるCOが混入することが原因である。
プラズマCVD法において、電極表面に過剰に付着した成膜材料が、プラズマパラメータおよび成膜特性を著しく乱すことがよく知られている。特に、エピタキシャルSi膜の形成プロセスにおいては、電極表面に過剰に付着したSiが、成膜プロセスの途中で剥離脱落して、基板表面に付着し、ウェハ表面で微粒子状の異物として作用するため、これがエピタキシャル成長を阻害する一因となる。そこで、過度に電極表面に付着したSiを、クリーニングするプロセスが求められる。本発明においては、平均孔径が5〜10μmの拡散電極を用いているため、電極への過剰なSiの付着は、ウェハ表面のSi微粒子汚染を進行するのみならず、拡散電極のガスを透過する孔を塞いでしまい、基板表面への原料ガス供給を妨げるおそれがある。一般的に、低圧プラズマCVDにおいては、電極のクリーニングのため、フッ素系のガスを用いてプラズマを発生させ、電極表面に付着したSiをSiFx状のガス分子として除去する手法が取られている。しかしながら、これらフッ素系のプラズマは、Siをエッチングするだけでなく、炭素そのものを強く浸食する働きを有する。また、フッ素や塩素といったハロゲン系の元素は、チャンバーや電極構成部材に非常に大きな吸着エネルギーで吸着するため、プラズマクリーニングの後、これらのハロゲン元素を除去するために多大な労力が必要となる。さらに、拡散電極を用いた成膜では、除去すべき過剰付着Siは、電極表面のみならず、電極内部の孔にも存在するおそれがある。したがって、本発明の製造方法においては、以下のようなクリーニング法を適用することが好ましい。
図19に、作製したエピタキシャルSiウェハの蛍光灯下での観察像(同図(a))、および、簡易型表面異物検査装置による照明(ハロゲンランプ)下でのウェハ観察像(同図(b))をそれぞれに示す。なお、異物検査装置による観察像に大きな白濁した箇所が見られるが、これは、ウェハ搬送時に用いる搬送治具が、ウェハ表面に接触したためにできたものであり、成膜現象とは本質的に無関係である。異物検査装置によれば、例えば、粒径300nm以上のパーティクルを検出可能であり、さらに、ウェハ表面にRMS0.2nm以上のマイクロラフネスが存在する場合には、ウェハ表面の曇りとして観察することが可能である。しかしながら、本実施例において作製したエピタキシャルSiウェハの表面には、照明下でも、異物検査装置により一切のヘイズ等は観察されず、その外観はアズレシーブドのウェハとほぼ同等であった。また、従来の平行流路や回転電極を用いた成膜時に見られるプラズマ界面における白濁も、拡散電極により形成したウェハ上には、全く存在しないことが明らかとなった。
次に、作製したエピタキシャルSiウェハの結晶性をREDにより観察した。この結果を図20に示す。同図の結果より、RED像は、Si(001)に由来するストリーク像を示し、ストリークパターンに菊池線が重畳していることが分かる。また、各々が4cm離れた任意の4点を、ウェハ表面よりサンプリングし、同様にRED観察を行ったところ、いずれも図20と同様の結果が得られた。このことから、ウェハ全面にわたって、良質なエピタキシャルSi層が形成されている事が明らかとなった。
前述のREDでは、エピタキシャルSi膜内に存在する転位等の欠陥を評価できないため、さらに、作製したエピタキシャルSiウェハから、各々が1cm離れた任意の3点をサンプリングし、XTEM観察を行った。XTEM観察により得られた明視野像を図21に示す。同図の結果より、透過試料の厚さ等や弾性変形に依存した干渉縞以外には、エピタキシャルSi膜中に、欠陥や界面に起因する明瞭なコントラストの強弱は現れていない。このことから、ウェハ全面で、基板温度600℃においても、欠陥を含まないエピタキシャルSi層の形成が、約200nm/min以上の成長速度で可能であることがわかる。ここで、基板とエピタキシャル層の区別は非常に困難であるが、図中のエピタキシャル層の厚さを示す指標は、成膜後の基板の質量増分から算出された平均膜厚を参考にして記入している。
次に、得られたエピタキシャルSi膜表面のマイクロラフネスを評価するため、AFMによる観察を行った。その結果を図22に示す。同図の結果より、作製されたエピタキシャルSi膜の表面マイクロラフネスは、5μm×5μmの観察視野において、PV=0.4〜1nm以下であり、現在用いられているSiウェハ表面のマイクロラフネスに匹敵する、極めて平坦な表面が形成されていることがわかった。
作製したエピタキシャルSi膜中の不純物を、SIMSにより測定した。着目した元素は、電極の構成部材であるC、脱ガス後の拡散電極のTDS測定において顕著に観察されたm/e=28の候補であるN、さらに水に起因するOである。SIMSにより測定されたエピタキシャルSi層中の不純物のデプスプロファイルを、図23のグラフに示す。一次イオンには、Cs+を10kVの加速電圧で用いた。同図より、エピタキシャルSi膜中には6×1016atoms/ccの酸素、8×1015atoms/ccの炭素、5×1014atoms/ccの窒素が含有されていることが分かった。なお、本測定に用いたSIMSの検出限界は、Cが7×1015atoms/cm3、Oが5×1016atoms/cm3、Nが5×1014atoms/cm3である。ここで、同図には、表面より1.1μmの深さで、基板に用いたSiの濃度プロファイルが現れており、CおよびNに関しては、用いた基板と同程度の濃度であり、O濃度に関しては、用いたSi基板の1/20まで低減されていることが分かった。特に着目すべき点は、チャンバーの背圧が5×10-7Torrであり、超高真空という背圧に達していないにも拘わらず、600℃にてエピタキシャル層が形成され、さらにはエピタキシャルSi層中に含有される酸素濃度が低く、エピタキシャルSi層と基板界面付近でのC、N、Oの濃度の上昇が見られなかったことである。このことから、5×10-7Torr程度の高真空中でウェハ表面を終端しているH2が脱離する温度(320〜420℃)以上に基板を加熱しても、拡散電極により常に超高純度のガスをウェハ表面へ直接供給することで、チャンバー内に残留する不純物の基板表面への付着を防止できることが明らかになった。
12 放熱板
13 支持部材
14 基板
15 プラズマ
16 ガス供給口
17 上部
18 ガス供給室
20 回転ホルダー
100 プラズマ処理装置
Claims (16)
- 大気圧下、電極と基板との間にプラズマを発生させ、前記基板表面に、エピタキシャルSi膜を成膜するエピタキシャルSi膜の製造方法であって、
前記電極が、平均孔径5〜30μm、厚み10mm未満の、炭化ケイ素および炭素の少なくとも一方からなる多孔質体であり、
前記電極表面が、厚み20nm以上のSi膜で被覆されており、
前記電極における前記基板との対向面とは反対の表面上に、前記Si膜を介して放熱板が配置されており、
前記電極に投入する電力の周波数が、10〜300MHzであり、
前記電極と前記基板との間の距離が、0.25mm〜2.5mmの範囲であり、
前記多孔質体である電極の孔を通じて、ガスを、前記電極と基板との間に導入することを特徴とするエピタキシャルSi膜の製造方法。 - 前記電極の単位体積(cm3)あたりの不純物放出量が、2.52×10-4Torrl/sec・cc未満である、請求項1記載の製造方法。
- さらに、エピタキシャルSi膜の成膜に先立って、前記電極からガス成分を除去する脱ガス工程を含み、
前記脱ガス工程が、前記基板の温度を、エピタキシャルSi膜の成膜時における基板の温度よりも高い温度に設定し、プラズマ生起ガスを、前記多孔質体である電極の孔を通じて、前記電極と基板との間に導入し、前記電極と基板との間にプラズマを発生させる工程である、請求項1または2記載の製造方法。 - エピタキシャルSi膜の成膜時における基板の温度が、850℃以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記脱ガス工程における基板の温度が、600〜1050℃の範囲である、請求項3または4記載の製造方法。
- 前記電極における前記基板との対向面を、前記基板における前記電極との対向面よりも大きく設定する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記基板を、その面方向において回転もしくは揺動させる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 導入するガスが、原料ガスとキャリアガスの混合ガスである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記原料ガスが、SiH4、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3ClおよびSi2H6、これらとH2との混合ガス、ならびに、これらとH2およびCl2との混合ガスからなる群から選択された少なくとも一つのガスである、請求項8記載の製造方法。
- 前記キャリアガスが、He、ArおよびH2からなる群から選択された少なくとも一つである、請求項8または9記載の製造方法。
- 前記混合ガスにおけるキャリアガスと原料ガスとの割合が、10,000:1〜10:1の範囲である、請求項8〜10のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記脱ガス工程におけるプラズマ生起ガスが、He、ArおよびH2からなる群から選択された少なくとも一つを含む、請求項3記載の製造方法。
- 前記放熱板が、焼結グラファイト、ボロンナイトライド、アルミナ、Si、冷却された非磁性金属、窒化アルミおよびガラス状カーボンからなる群から選択された少なくとも一つの材料から形成された放熱板である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の製造方法。
- 電極と、基板の支持部材とが対向して配置され、前記電極と前記支持部材上の基板との間にプラズマを発生させて、前記基板表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記電極が、平均孔径5〜30μm、厚み10mm未満の、炭化ケイ素および炭素の少なくとも一方からなる多孔質体であり、
前記電極表面が、厚み20nm以上のSi膜で被覆されており、
前記電極における前記処理支持部材との対向面とは反対の表面上に、前記Si膜を介して放熱板が配置されており、
前記電極に投入される電力の周波数が10〜300MHzであり、
前記電極と前記基板との間の距離が、0.25mm〜2.5mmの範囲であり、
前記ガスが、前記多孔質体である電極の孔を通じて、前記電極と前記支持部材上の基板との間に導入されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記支持部材が、ヒーターを備える、請求項14記載のプラズマ処理装置。
- ガス供給室を有し、前記ガス供給室の底部が前記電極であり、前記電極上に前記放熱板が配置され、前記ガス供給室の壁部であって前記放熱板の露出表面よりも上部にガス導入口が設けられている、請求項14または15記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005319273A JP4539985B2 (ja) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005319273A JP4539985B2 (ja) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007129009A JP2007129009A (ja) | 2007-05-24 |
JP4539985B2 true JP4539985B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=38151410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005319273A Expired - Fee Related JP4539985B2 (ja) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4539985B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2921388B1 (fr) * | 2007-09-20 | 2010-11-26 | Air Liquide | Dispositif et procede de depot cvd assiste par plasma tres haute frequence a la pression atmospherique, et ses applications |
JP5082967B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2012-11-28 | 株式会社島津製作所 | プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置 |
JP5496474B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-05-21 | 株式会社日本セラテック | 大気開放型cvd装置 |
JP4660715B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2011-03-30 | 国立大学法人大阪大学 | Si精製方法、Si精製装置及びSi精製膜製造装置 |
JP2012124186A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理装置及びそれよって製造される太陽電池の製造方法 |
JP2011001207A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Sharp Corp | モノシラン生成装置およびモノシラン生成方法 |
US9177761B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus, method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
KR20110021654A (ko) | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미결정 반도체막의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법 |
JP2014078667A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハ及びそれを用いた固体撮像素子の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001054746A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスノズル |
JP2003282462A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | シャワープレートとその製造方法及びそれを用いたシャワーヘッド |
JP3480448B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2003-12-22 | 森 勇蔵 | エピタキシャルSiの高速成膜方法 |
JP2004319922A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
JP2005072424A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Ulvac Japan Ltd | シャワーヘッド及び成膜装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03211280A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Hitachi Ltd | Cvd装置の脱ガス方法 |
JPH0437124A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH05102041A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-23 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JPH08209349A (ja) * | 1995-02-06 | 1996-08-13 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JPH11243086A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Sony Corp | 枚葉式cvd装置 |
-
2005
- 2005-11-02 JP JP2005319273A patent/JP4539985B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001054746A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスノズル |
JP3480448B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2003-12-22 | 森 勇蔵 | エピタキシャルSiの高速成膜方法 |
JP2003282462A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | シャワープレートとその製造方法及びそれを用いたシャワーヘッド |
JP2004319922A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
JP2005072424A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Ulvac Japan Ltd | シャワーヘッド及び成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007129009A (ja) | 2007-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4539985B2 (ja) | エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 | |
TWI810254B (zh) | 與氫自由基一起使用的設備及使用該設備的方法 | |
KR101412227B1 (ko) | 탄화규소 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법, 에피택셜 성장용 탄화규소 벌크 기판 및 그 제조 방법 및 열처리 장치 | |
TWI358745B (en) | Erosion resistance enhanced quartz used in plasma | |
US6245647B1 (en) | Method for fabrication of thin film | |
TW557473B (en) | Semiconductor processing equipment having improved particle performance | |
JP4889640B2 (ja) | 処理領域で基板に化学気相堆積を行うためのチャンバ | |
US7919143B2 (en) | Carrier for receiving an object and method for the production of a carrier | |
JPH05163573A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
JP2007173467A (ja) | 半導体薄膜製造装置 | |
KR20080050528A (ko) | 개선된 파티클 성능을 갖는 능동 가열형 알루미늄 배플컴포넌트 및 그 사용 및 제조 방법 | |
CN104541362A (zh) | 用于在较低温度下使用远程等离子体源进行选择性氧化的设备和方法 | |
JP5865796B2 (ja) | エピタキシャル成長装置および炭化珪素エピタキシャルウエハ製造方法 | |
KR101134328B1 (ko) | 유리?탄소를 제거하도록 처리된 반도체 기판 프로세싱장치의 탄화 규소 컴포넌트 | |
JP2008060591A (ja) | 半導体ウェハ及び半導体ウェハの製造方法 | |
JP2015053393A (ja) | サセプタのクリーニング方法 | |
US7771701B2 (en) | Hydrogen atom generation source in vacuum treatment apparatus, and hydrogen atom transportation method | |
TW200540988A (en) | Plasma processing apparatus and method of designing the same | |
JP2901907B2 (ja) | プロセスチャンバウィンドウ | |
KR100885690B1 (ko) | 다이아몬드막의 제조방법 및 다이아몬드막 | |
JP2000109366A (ja) | 光不透過性の高純度炭化珪素材、半導体処理装置用遮光材および半導体処理装置 | |
Regel et al. | Selective patterned deposition of diamond using a new technique | |
JPH0797690A (ja) | プラズマcvd装置 | |
EP4357492A1 (en) | Diamond substrate and manufacturing method for same | |
JP4591824B2 (ja) | サセプタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081020 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090331 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20100311 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100610 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |