JP2019216250A - Semiconductor light-emitting device - Google Patents

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智一郎 外山
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Abstract

To provide a semiconductor light-emitting device that is able to enhance light emission efficiency of an LED chip.SOLUTION: A semiconductor light-emitting device comprises: a substrate having a surface, a bottom face, and a side face connected to the surface and the bottom face; a first conductive portion and a second conductive portion formed on the surface; a third conductive portion and a fourth conductive portion formed in the substrate; a fifth conductive portion formed on the bottom face and conducting to the first conductive portion via the third conductive portion; a sixth conductive portion formed on the bottom face and conducting to the second conductive portion via the fourth conductive portion; and an LED chip having: a rear surface opposite the surface; an anode electrode formed on the rear surface and joined to the first conductive portion; and a cathode electrode formed on the rear surface and joined to the second conductive portion, wherein respective parts of the third conductive portion and the fourth conductive portion are formed in parallel with the side face.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device.

図２７は、従来の半導体発光装置の一例を示している。同図に示された半導体発光装置９は、基材９１にリード９２が設けられている。リード９２には、ＬＥＤチップ９３が実装されている。ＬＥＤチップ９３は、半導体層９４およびサブマウント基板９５を有する。半導体層９４は、たとえばｎ型半導体層、ｐ型半導体層、およびこれらに挟まれた活性層を有する。サブマウント基板９５は、半導体層９４を支持しており、たとえばＳｉからなる。ＬＥＤチップ９３は、ワイヤ９６によってリード９２に導通している。封止樹脂９７は、ＬＥＤチップ９３を覆っており、ＬＥＤチップ９３からの光を透過する。   FIG. 27 shows an example of a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device 9 shown in FIG. An LED chip 93 is mounted on the lead 92. The LED chip 93 has a semiconductor layer 94 and a submount substrate 95. The semiconductor layer 94 has, for example, an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween. Submount substrate 95 supports semiconductor layer 94 and is made of, for example, Si. The LED chip 93 is electrically connected to the lead 92 by a wire 96. The sealing resin 97 covers the LED chip 93, and transmits light from the LED chip 93.

ＬＥＤチップ９３が発光すると、主に前記活性層から熱が発生する。この熱は、リード９２および基材９１へと伝えられることにより放熱される。しかしながら、前記活性層とリード９２との間には、サブマウント基板９５が介在している。このサブマウント基板９５は、ＬＥＤチップ９３からの放熱を妨げる。したがって、ＬＥＤチップ９３の発光効率が低下するという問題があった。   When the LED chip 93 emits light, heat is mainly generated from the active layer. This heat is radiated by being transmitted to the leads 92 and the base material 91. However, a submount substrate 95 is interposed between the active layer and the leads 92. This submount substrate 95 prevents heat radiation from the LED chip 93. Therefore, there is a problem that the luminous efficiency of the LED chip 93 is reduced.

図２８は、従来の半導体発光装置の他の一例を示している（たとえば、特許文献２参照）。同図に示された半導体発光装置９００は、基板９０１にＬＥＤチップ９０２が搭載されている。ＬＥＤチップ９０２は、枠状のリフレクタ９０５によって囲まれている。リフレクタ９０５によって囲まれた空間には、封止樹脂９０６が充填されている。ＬＥＤチップ９０２は、たとえばＳｉからなるサブマウント基板９０３とサブマウント基板９０３上に積層された半導体層９０４を有する。半導体層９０４は、サブマウント基板９０３を介して基板９０１に導通している。   FIG. 28 shows another example of a conventional semiconductor light emitting device (for example, see Patent Document 2). In the semiconductor light emitting device 900 shown in the figure, an LED chip 902 is mounted on a substrate 901. The LED chip 902 is surrounded by a frame-shaped reflector 905. A space surrounded by the reflector 905 is filled with a sealing resin 906. The LED chip 902 has a submount substrate 903 made of, for example, Si and a semiconductor layer 904 laminated on the submount substrate 903. The semiconductor layer 904 is electrically connected to the substrate 901 via the submount substrate 903.

ＬＥＤチップ９０２から側方に出射した光は、リフレクタ９０５によって上向きに反射される。反射された光をより多く半導体発光装置９００から出射するには、リフレクタ９０５の内壁面を基板９０１に対して直角である角度から大きく傾けることが有効である。しかしながら、前記内壁面を傾けるほど、半導体発光装置９００が大きくなってしまう。半導体発光装置９００は、搭載される電子機器などのスペース制約から、小型化の要請が強い。このため、半導体発光装置９００の小型化と高輝度化とを両立することは困難である。   Light emitted laterally from the LED chip 902 is reflected upward by the reflector 905. In order to emit more of the reflected light from the semiconductor light emitting device 900, it is effective to incline the inner wall surface of the reflector 905 from an angle that is perpendicular to the substrate 901. However, the more the inner wall surface is inclined, the larger the semiconductor light emitting device 900 becomes. The semiconductor light emitting device 900 is strongly required to be reduced in size due to space constraints of electronic devices to be mounted. Therefore, it is difficult to achieve both miniaturization and high luminance of the semiconductor light emitting device 900.

特開２００６−２４５２３１号公報JP 2006-245231 A 特開２００４−１１９７４３号公報JP 2004-119743 A

本発明は、上述した事情のもとで考え出されたものであって、ＬＥＤチップの発光効率を高めることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor light emitting device that can increase the luminous efficiency of an LED chip.

本発明の第１の側面によると、複数のＬＥＤチップと、前記複数のＬＥＤチップが搭載されたケースと、を備え、前記各ＬＥＤチップは、基板、およびこの基板に積層されたｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、前記ｐ型半導体層に導通するアノード電極および前記ｎ型半導体層に導通するカソード電極を有しており、前記アノード電極および前記カソード電極が前記ケースと対面する姿勢で前記ケースに搭載されており、前記ケースは、セラミックからなり、かつ表面および裏面を有する基材と、前記表面に形成された複数ずつのアノードパッドおよびカソードパッドを含む表面層、前記裏面に形成されたアノード実装電極およびカソード実装電極を含む裏面層、前記複数のアノードパッドと前記アノード実装電極とを導通させ、かつ前記基材の厚さ方向の少なくとも一部を貫通する複数のアノード貫通配線、前記複数のカソードパッドと前記カソード実装電極とを導通させ、かつ前記基材の厚さ方向の少なくとも一部を貫通する複数のカソード貫通配線、を有する配線と、を有することを特徴とする、半導体発光装置が提供される。   According to a first aspect of the present invention, there are provided a plurality of LED chips, and a case on which the plurality of LED chips are mounted, wherein each of the LED chips is a substrate, and an n-type semiconductor layer laminated on the substrate. An active layer, a p-type semiconductor layer, an anode electrode connected to the p-type semiconductor layer, and a cathode electrode connected to the n-type semiconductor layer, wherein the anode electrode and the cathode electrode face the case. The case is made of ceramic and has a front surface and a back surface, and a surface layer including a plurality of anode pads and cathode pads formed on the front surface, formed on the back surface. A back surface layer including the separated anode mounting electrode and the cathode mounting electrode, electrically connecting the plurality of anode pads and the anode mounting electrode, and A plurality of anode through wirings penetrating at least a part of the thickness direction of the base, a plurality of the plurality of cathode pads and the plurality of cathode pads and the plurality of the cathode mounting electrodes are electrically connected, and a plurality of the through holes penetrate at least a part of the thickness of the base. And a wiring having the above-described cathode through wiring.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のアノード貫通配線は、前記表面から前記裏面まで前記基材を貫通する複数の全厚アノード貫通配線を含む。   Preferably, in the practice of the present invention, the plurality of through-anode wirings include a plurality of through-thick anode through-wirings penetrating the base material from the front surface to the back surface.

本発明の実施において好ましくは、前記配線は、前記基材の厚さ方向において前記表面および前記裏面の間に位置する中間層を有している。   In the practice of the present invention, preferably, the wiring has an intermediate layer located between the front surface and the back surface in the thickness direction of the base material.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のカソード貫通配線は、前記表面から前記中間層まで前記基材を貫通している１以上の表面側カソード貫通配線と、前記中間層から前記裏面まで前記基材を貫通している１以上の裏面側カソード貫通配線と、を含む。   In the practice of the present invention, preferably, the plurality of cathode through wirings include one or more front surface side cathode through wirings penetrating the substrate from the front surface to the intermediate layer, and the base through the intermediate layer to the back surface. And at least one back-side cathode through wiring penetrating the material.

本発明の実施において好ましくは、前記中間層は、前記表面側カソード貫通配線と、前記裏面側カソード貫通配線とにつながるカソード中継配線を有する。   In an embodiment of the present invention, preferably, the intermediate layer has a cathode relay wiring connected to the front-side cathode through wiring and the back-side cathode through wiring.

本発明の実施において好ましくは、前記表面層は、前記基材の厚さ方向視において前記基材の一端から前記基材の他端へと至るアノードメッキ配線およびカソードメッキ配線を有する。   In the practice of the present invention, preferably, the surface layer has an anode plating wiring and a cathode plating wiring extending from one end of the base material to the other end of the base material in a thickness direction of the base material.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のアノード貫通配線は、前記アノードメッキ配線と前記アノード実装電極とをつなぐメッキ用アノード貫通配線を含む。   Preferably, in the practice of the present invention, the plurality of anode through wirings include a plating anode through wiring connecting the anode plating wiring and the anode mounting electrode.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のカソード貫通配線は、前記カソードメッキ配線と前記カソード実装電極とをつなぐメッキ用カソード貫通配線を含む。   Preferably, in the practice of the present invention, the plurality of cathode through wirings include a cathode through wiring for plating that connects the cathode plating wiring and the cathode mounting electrode.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のアノード貫通配線のうち前記表面に露出するものは、その前記表面側端面が前記複数のアノードパッドによって覆われている。   In the practice of the present invention, preferably, among the plurality of anode through wirings, the one exposed on the surface is covered with the plurality of anode pads on the front end surface.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のカソード貫通配線のうち前記表面に露出するものは、その前記表面側端面が前記複数のカソードパッドによって覆われている。   In the embodiment of the present invention, preferably, among the plurality of cathode through wirings, the one exposed on the surface is covered with the plurality of cathode pads on the front end surface.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のアノード貫通配線のうち前記裏面に露出するものは、その前記裏面側端面が前記アノード実装電極によって覆われている。   In the practice of the present invention, preferably, among the plurality of anode through wirings, those exposed on the back surface have their back side end surfaces covered with the anode mounting electrodes.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のカソード貫通配線のうち前記裏面に露出するものは、その前記裏面側端面が前記カソード実装電極によって覆われている。   In the practice of the present invention, preferably, of the plurality of cathode through wirings, which is exposed on the back surface, the back surface side end surface is covered with the cathode mounting electrode.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のアノード貫通配線および前記複数のカソード貫通配線は、Ａｇからなる。   In the practice of the present invention, preferably, the plurality of anode through wirings and the plurality of cathode through wirings are made of Ag.

本発明の実施において好ましくは、前記複数ずつのアノードパッドおよびカソードパッドは、Ａｕからなる。   Preferably, in the practice of the present invention, each of the plurality of anode pads and cathode pads is made of Au.

本発明の実施において好ましくは、前記アノード実装電極および前記カソード実装電極は、Ａｕからなる。   In the practice of the present invention, preferably, the anode mounting electrode and the cathode mounting electrode are made of Au.

本発明の実施において好ましくは、前記配線は、前記表面に形成されたバイパスカソードパッドおよびバイパスアノードパッドを有しており、前記複数のアノード貫通配線は、前記バイパスカソードパッドと前記アノード実装電極とを導通させるバイパスカソード貫通配線を含んでおり、前記複数のカソード貫通配線は、前記バイパスアノードパッドと前記カソード実装電極とを導通させるバイパスアノード貫通配線を含んでいる。   In the practice of the present invention, preferably, the wiring has a bypass cathode pad and a bypass anode pad formed on the surface, and the plurality of anode through wirings connect the bypass cathode pad and the anode mounting electrode. The plurality of cathode through wirings include a bypass anode through wiring for conducting the conduction between the bypass anode pad and the cathode mounting electrode.

本発明の実施において好ましくは、前記バイパスカソードパッドにはツェナーダイオードが導通接合されており、前記バイパスアノードパッドと前記ツェナーダイオードとを導通させるワイヤを備える。   In an embodiment of the present invention, preferably, a Zener diode is conductively connected to the bypass cathode pad, and a wire for electrically connecting the bypass anode pad to the Zener diode is provided.

本発明の実施において好ましくは、前記ケースには、その厚さ方向において前記複数のＬＥＤチップを収容する収容凹部が形成されている。   In the embodiment of the present invention, preferably, the case has a housing recess for housing the plurality of LED chips in a thickness direction thereof.

本発明の実施において好ましくは、前記収容凹部には、前記複数のＬＥＤチップを覆う封止樹脂が充填されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the housing recess is filled with a sealing resin covering the plurality of LED chips.

本発明の実施において好ましくは、前記封止樹脂は、前記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより前記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光材料が混入されている。   In the practice of the present invention, preferably, the sealing resin is mixed with a fluorescent material that emits light having a different wavelength from the light from the LED chip when excited by the light from the LED chip.

本発明の実施において好ましくは、前記ケースは、その厚さ方向において略矩形状であり、その四隅には、厚さ方向断面形状が四半円状のコーナー凹部が形成されている。   Preferably, in the embodiment of the present invention, the case has a substantially rectangular shape in the thickness direction, and corner recesses having a quadrangular cross section in the thickness direction are formed at four corners.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のアノード貫通配線および前記複数のカソード貫通配線の少なくともいずれかには、第１凹部が形成され、前記表面層には、前記基材の厚さ方向視において、前記第１凹部に重なる第２凹部が形成され、前記第２凹部に充填された充填部をさらに備え、前記充填部は、前記基材の厚さ方向視において前記複数のＬＥＤチップのいずれか一つに重なる。   In the practice of the present invention, preferably, at least one of the plurality of anode through wirings and the plurality of cathode through wirings has a first recess, and the surface layer has a thickness in the thickness direction of the base material. A second recess overlapping the first recess, further comprising a filling portion filled in the second recess, wherein the filling portion is one of the plurality of LED chips when viewed in a thickness direction of the base material. Overlap one.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のＬＥＤチップのいずれか一つおよび前記表面層の間に介在する接合部をさらに備え、前記充填部は、前記接合部および前記表面層の間に介在し、且つ、前記接合部および前記表面層のいずれにも接している。   In the practice of the present invention, preferably, further comprises a bonding portion interposed between any one of the plurality of LED chips and the surface layer, the filling portion is interposed between the bonding portion and the surface layer In addition, it is in contact with both the junction and the surface layer.

本発明の実施において好ましくは、前記充填部は、導電性の材料よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the filling portion is made of a conductive material.

本発明の実施において好ましくは、前記充填部は、ＡｕとＳｎとの合金よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the filling portion is made of an alloy of Au and Sn.

本発明の実施において好ましくは、前記接合部は、導電性の材料よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the joint is made of a conductive material.

本発明の実施において好ましくは、前記接合部は、ＡｕとＳｎとの合金よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the joint is made of an alloy of Au and Sn.

本発明の第２の側面によると、１以上のＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップが搭載された表面、およびこの表面とは反対側に位置する裏面を有するケースとを備えた半導体発光装置であって、前記ケースは、前記ＬＥＤチップを囲む内壁面を有する基材を含んでおり、前記ＬＥＤチップ側に位置する内縁、前記内壁面に接する外縁、これら内縁および外縁を繋いでおり、かつ前記内縁から前記外縁に向かうほど前記表面から離間するように傾斜した反射面、を有する反射樹脂を備えることを特徴とする、半導体発光装置が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device including one or more LED chips, a surface having the LED chip mounted thereon, and a case having a back surface located on a side opposite to the front surface. The case includes a base material having an inner wall surface surrounding the LED chip, an inner edge located on the LED chip side, an outer edge contacting the inner wall surface, connecting these inner edges and outer edges, and from the inner edge. A semiconductor light emitting device is provided, comprising: a reflective resin having a reflective surface that is inclined so as to be more distant from the surface toward the outer edge.

本発明の実施において好ましくは、前記反射樹脂は、前記基材よりも反射率が高い。   In the practice of the present invention, preferably, the reflection resin has a higher reflectance than the base material.

本発明の実施において好ましくは、前記反射樹脂は、白色である。   In the practice of the present invention, preferably, the reflective resin is white.

本発明の実施において好ましくは、前記基材は、セラミックからなる。   Preferably, in the practice of the present invention, the substrate is made of ceramic.

本発明の実施において好ましくは、前記ケースは、前記ＬＥＤチップに導通し、かつ少なくともその一部が前記基材によって覆われたリードを具備しており、前記基材は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含んでいる。   In the practice of the present invention, preferably, the case includes a lead that is electrically connected to the LED chip, and at least a part of the lead is covered with the base material, and the base material is a thermosetting resin or a thermosetting resin. Contains plastic resin.

本発明の実施において好ましくは、前記表面から前記外縁までの高さが、前記表面から前記ＬＥＤチップの活性層までの高さよりも高い。   In the practice of the present invention, preferably, the height from the surface to the outer edge is higher than the height from the surface to the active layer of the LED chip.

本発明の実施において好ましくは、前記内壁面は、前記表面に対して直角である。   Preferably, in the practice of the present invention, the inner wall surface is perpendicular to the surface.

本発明の実施において好ましくは、前記ＬＥＤチップに過大な逆電圧が印加されることを防止するバイパス機能素子を備えており、前記反射樹脂は、前記バイパス機能素子を覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, the LED chip preferably includes a bypass function element for preventing an excessive reverse voltage from being applied to the LED chip, and the reflective resin covers the bypass function element.

本発明の実施において好ましくは、前記反射樹脂は、前記バイパス機能素子に接続されたワイヤを覆っている。   In the practice of the present invention, preferably, the reflective resin covers a wire connected to the bypass functional element.

本発明の実施において好ましくは、前記基材は、前記表面から前記裏面側に凹んでおり、かつ前記ＬＥＤチップから離間しているとともに、前記バイパス機能素子を収容するせき止め凹部を有している。   In the practice of the present invention, preferably, the base material is recessed from the front surface to the back surface side, is separated from the LED chip, and has a damming recess for accommodating the bypass function element.

本発明の実施において好ましくは、前記内縁は、前記せき止め凹部の端縁と一致している。   Preferably, in the practice of the present invention, the inner edge coincides with an edge of the damming recess.

本発明の実施において好ましくは、前記せき止め凹部は、前記バイパス機能素子に接続されたワイヤがボンディングされたパッドを収容している。   In the practice of the present invention, preferably, the damming recess houses a pad to which a wire connected to the bypass functional element is bonded.

本発明の実施において好ましくは、前記せき止め凹部は、前記ＬＥＤチップを囲む包囲部を有している。   Preferably, in the practice of the present invention, the damming recess has a surrounding portion surrounding the LED chip.

本発明の実施において好ましくは、複数の前記ＬＥＤチップを備えており、前記反射樹脂は、前記包囲部から互いに隣り合う前記ＬＥＤチップどうしの間に入り込んだ突出部を有している。   In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of the LED chips are provided, and the reflective resin has a protruding portion that enters between the LED chips adjacent to each other from the surrounding portion.

本発明の実施において好ましくは、前記隣り合うＬＥＤチップどうしの間に入り込んだ部分よりも、前記ケースの中央寄りに位置する前記ＬＥＤチップを備える。   Preferably, in the practice of the present invention, the apparatus further includes the LED chip located closer to the center of the case than a portion inserted between the adjacent LED chips.

本発明の実施において好ましくは、前記ＬＥＤチップは、前記表面に対面するアノード電極およびカソード電極を有するフリップチップタイプである。   In the practice of the present invention, preferably, the LED chip is a flip chip type having an anode electrode and a cathode electrode facing the surface.

本発明の実施において好ましくは、前記反射樹脂の前記内縁は、前記ＬＥＤチップから離間している。   In the practice of the present invention, preferably, the inner edge of the reflective resin is separated from the LED chip.

本発明の実施において好ましくは、前記ＬＥＤチップは、前記表面とは反対側に位置し、かつそれぞれにワイヤが接続されたアノード電極およびカソード電極を有する２ワイヤタイプである。   Preferably, in the practice of the present invention, the LED chip is of a two-wire type having an anode electrode and a cathode electrode, which are located on the opposite side of the surface and each has a wire connected thereto.

本発明の実施において好ましくは、前記反射樹脂の前記内縁は、前記ＬＥＤチップから離間している。   In the practice of the present invention, preferably, the inner edge of the reflective resin is separated from the LED chip.

本発明の実施において好ましくは、前記ケースは、前記ＬＥＤチップに接続されたワイヤがボンディングされたアノードパッドおよびカソードパッドを備えており、前記アノードパッドおよびカソードパッドは、前記ＬＥＤチップよりも外側に配置されている。   Preferably, in the practice of the present invention, the case includes an anode pad and a cathode pad to which wires connected to the LED chip are bonded, and the anode pad and the cathode pad are arranged outside the LED chip. Have been.

本発明の実施において好ましくは、前記反射樹脂は、前記アノードパッドおよび前記カソードパッドを覆っている。   In the practice of the present invention, preferably, the reflective resin covers the anode pad and the cathode pad.

本発明の実施において好ましくは、前記ＬＥＤチップは、互いに積層されたｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、これらを支持するサブマウント基板を有している。   Preferably, in the practice of the present invention, the LED chip includes an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a submount substrate that supports these layers.

本発明の実施において好ましくは、前記反射樹脂は、前記内壁面に囲まれた前記表面のうち、前記サブマウント基板が接合された部分以外のすべてを覆っている。   In the practice of the present invention, preferably, the reflective resin covers all of the surface surrounded by the inner wall surface except for the portion where the submount substrate is joined.

本発明の実施において好ましくは、前記ＬＥＤチップおよび前記反射樹脂を覆い、前記ＬＥＤチップからの光を透過させる透明樹脂に、前記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより異なる波長の光を発する蛍光材料が混入された材料からなる封止樹脂を備える。   In the practice of the present invention, preferably, a fluorescent resin that covers the LED chip and the reflective resin and emits light of different wavelengths when excited by light from the LED chip is provided on a transparent resin that transmits light from the LED chip. A sealing resin made of a material mixed with the material is provided.

本発明の実施において好ましくは、前記ケースは、表面層、裏面層、複数のアノード貫通配線、および複数のカソード貫通配線を含み、前記表面層は、前記基材の表面に形成された複数ずつのアノードパッドおよびカソードパッドを含み、前記裏面層は、前記基材の裏面に形成されたアノード実装電極およびカソード実装電極を含み、前記複数のアノード貫通配線は、前記複数のアノードパッドと前記アノード実装電極とを導通させ、かつ前記基材の厚さ方向の少なくとも一部を貫通しており、前記複数のカソード貫通配線は、前記複数のカソードパッドと前記カソード実装電極とを導通させ、かつ前記基材の厚さ方向の少なくとも一部を貫通している。   In the practice of the present invention, preferably, the case includes a front surface layer, a back surface layer, a plurality of through-anode wirings, and a plurality of through-cathode wirings, and the front surface layer is formed by a plurality of each formed on the surface of the base material. An anode pad and a cathode pad, wherein the back surface layer includes an anode mounting electrode and a cathode mounting electrode formed on a back surface of the substrate, and the plurality of anode through wirings include the plurality of anode pads and the anode mounting electrode. And, penetrates at least a part of the thickness direction of the base material, the plurality of cathode through wirings conducts the plurality of cathode pads and the cathode mounting electrodes, and the base material Penetrates at least a part of the thickness direction.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のアノード貫通配線および前記複数のカソード貫通配線の少なくともいずれかには、第１凹部が形成され、前記表面層には、前記基材の厚さ方向視において、前記第１凹部に重なる第２凹部が形成され、前記第２凹部に充填された充填部をさらに備え、前記充填部は、前記基材の厚さ方向視において前記複数のＬＥＤチップのいずれか一つに重なる。   In the practice of the present invention, preferably, at least one of the plurality of anode through wirings and the plurality of cathode through wirings has a first recess, and the surface layer has a thickness in the thickness direction of the base material. A second recess overlapping the first recess, further comprising a filling portion filled in the second recess, wherein the filling portion is one of the plurality of LED chips when viewed in a thickness direction of the base material. Overlap one.

本発明の実施において好ましくは、前記複数のＬＥＤチップのいずれか一つおよび前記表面層の間に介在する接合部をさらに備え、前記充填部は、前記接合部および前記表面層の間に介在し、且つ、前記接合部および前記表面層のいずれにも接している。   In the practice of the present invention, preferably, further comprises a bonding portion interposed between any one of the plurality of LED chips and the surface layer, the filling portion is interposed between the bonding portion and the surface layer In addition, it is in contact with both the junction and the surface layer.

本発明の実施において好ましくは、前記充填部は、導電性の材料よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the filling portion is made of a conductive material.

本発明の実施において好ましくは、前記充填部は、ＡｕとＳｎとの合金よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the filling portion is made of an alloy of Au and Sn.

本発明の実施において好ましくは、前記接合部は、導電性の材料よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the joint is made of a conductive material.

本発明の実施において好ましくは、前記接合部は、ＡｕとＳｎとの合金よりなる。   In the practice of the present invention, preferably, the joint is made of an alloy of Au and Sn.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第１実施形態の半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。FIG. 2 is a plan view of a main part showing an example of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention. 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. 1. 図１の半導体発光装置に用いられるＬＥＤチップの一例を示す要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part showing an example of an LED chip used in the semiconductor light emitting device of FIG. 1. 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う平面によって図１の半導体発光装置を切断したと仮定した場合の要部平面図である。FIG. 4 is a plan view of relevant parts on the assumption that the semiconductor light emitting device of FIG. 1 is cut along a plane along the line IV-IV of FIG. 2. 図２のＶ−Ｖ線に沿う平面によって図１の半導体発光装置を切断したと仮定した場合の要部平面図である。FIG. 5 is a plan view of a principal part on the assumption that the semiconductor light emitting device of FIG. 1 is cut along a plane along the line VV of FIG. 2. 図１の半導体発光装置を示す底面図である。FIG. 2 is a bottom view illustrating the semiconductor light emitting device of FIG. 1. 本発明の第２実施形態の半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows an example of the semiconductor light emitting device of 2nd Embodiment of this invention. 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 8 is a sectional view taken along the line VIII-VIII in FIG. 7. 図８に示す半導体発光装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。FIG. 9 is a partially enlarged sectional view showing a part of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 8 in an enlarged manner. 本発明の第２実施形態の変形例にかかる半導体発光装置の部分拡大断面図である。FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view of a semiconductor light emitting device according to a modification of the second embodiment of the present invention. 本発明の第３実施形態に基づく半導体発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view showing the semiconductor light emitting device based on a 3rd embodiment of the present invention. 図１１の半導体発光装置を示す底面図である。FIG. 12 is a bottom view illustrating the semiconductor light emitting device of FIG. 11. 図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 13 is a sectional view taken along the line XIII-XIII in FIG. 11. 図１１の半導体発光装置に用いられるＬＥＤチップを示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating an LED chip used in the semiconductor light emitting device of FIG. 本発明の第４実施形態に基づく半導体発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view showing the semiconductor light emitting device based on a 4th embodiment of the present invention. 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。FIG. 16 is a sectional view taken along the line XVI-XVI in FIG. 15. 本発明の第５実施形態に基づく半導体発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view showing the semiconductor light emitting device based on a 5th embodiment of the present invention. 図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XVIII-XVIII line of FIG. 図１７の半導体発光装置に用いられるＬＥＤチップを示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing an LED chip used in the semiconductor light emitting device of FIG. 本発明の第６実施形態に基づく半導体発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view showing the semiconductor light emitting device based on a 6th embodiment of the present invention. 図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。FIG. 21 is a sectional view taken along the line XXI-XXI in FIG. 20. 図２０の半導体発光装置に用いられるＬＥＤチップを示す断面図である。FIG. 21 is a sectional view showing an LED chip used in the semiconductor light emitting device of FIG. 20. 本発明の第７実施形態の半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows an example of the semiconductor light emitting device of 7th Embodiment of this invention. 図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view of FIG. 23 taken along the line XXIV-XXIV. 図２４に示す半導体発光装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。FIG. 25 is a partially enlarged cross-sectional view showing a part of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 24 in an enlarged manner. 本発明の第７実施形態の変形例にかかる半導体発光装置の部分拡大断面図である。FIG. 15 is a partially enlarged cross-sectional view of a semiconductor light emitting device according to a modification of the seventh embodiment of the present invention. 従来の半導体発光装置の一例を示す要部断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a main part showing an example of a conventional semiconductor light emitting device. 従来の半導体発光装置の一例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional semiconductor light emitting device.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１〜図６は、本発明の第１実施形態の半導体発光装置の一例およびこれに用いられるＬＥＤチップの一例を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、ケース２、複数のＬＥＤチップ５、ツェナーダイオード６、および封止樹脂７を備えている。なお、図１においては、理解の便宜上封止樹脂７を省略している。   1 to 6 show an example of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention and an example of an LED chip used for the device. The semiconductor light emitting device A1 of this embodiment includes a case 2, a plurality of LED chips 5, a Zener diode 6, and a sealing resin 7. In FIG. 1, the sealing resin 7 is omitted for convenience of understanding.

ケース２は、半導体発光装置Ａ１の土台となるものであり、基材３と配線４とを有している。ケース２のサイズは、平面視寸法が５〜１０ｍｍ角程度、厚さが１．０ｍｍ程度とされている。   The case 2 serves as a base of the semiconductor light emitting device A1, and has a base material 3 and wirings 4. The size of the case 2 is about 5 to 10 mm square in plan view and about 1.0 mm in thickness.

基材３は、平面視略矩形状の厚板状とされており、たとえばアルミナなどのセラミックからなる。本実施形態においては、このセラミックとして、低温同時焼成セラミックと称される、焼成温度が９００℃程度と比較的低い材質が用いられている。この低温同時焼成セラミックは、低焼成温度により、配線４の材質となる金属と同時に焼成することが可能である。基材３の中央には、収容凹部３３が形成されている。収容凹部３３は、複数のＬＥＤチップ５を収容しており、平面視形状が円形とされている。基材３の四隅には、コーナー凹部３４が形成されている。コーナー凹部３４は、半導体発光装置Ａ１の製造方法において、セラミック材料を適切分割するために設けられた貫通孔の一部であり、断面四半円形状の溝とされている。基材３は、表面３１と裏面３２とを有している。本実施形態においては、収容凹部３３の深さが、たとえば０．６ｍｍ程度とされている。   The base material 3 is in the form of a thick plate having a substantially rectangular shape in plan view, and is made of, for example, ceramic such as alumina. In the present embodiment, a material having a relatively low firing temperature of about 900 ° C., which is called a low-temperature co-fired ceramic, is used as the ceramic. The low-temperature co-fired ceramic can be fired at the same time as the metal as the material of the wiring 4 at a low firing temperature. An accommodation recess 33 is formed in the center of the base material 3. The accommodation recess 33 accommodates a plurality of LED chips 5 and has a circular shape in plan view. Corner recesses 34 are formed at four corners of the base material 3. The corner recess 34 is a part of a through hole provided for appropriately dividing the ceramic material in the method of manufacturing the semiconductor light emitting device A1, and is a groove having a quarter-circle cross section. The substrate 3 has a front surface 31 and a back surface 32. In the present embodiment, the depth of the housing recess 33 is, for example, about 0.6 mm.

配線４は、複数のＬＥＤチップ５に対して直流電力を供給するための経路として用いられるものであり、表面層４１、中間層４２、裏面層４３、複数のアノード貫通配線４４、および複数のカソード貫通配線４５を有している。   The wiring 4 is used as a path for supplying DC power to the plurality of LED chips 5, and includes a surface layer 41, an intermediate layer 42, a back layer 43, a plurality of anode through wires 44, and a plurality of cathodes. It has a through wiring 45.

図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う平面で半導体発光装置Ａ１を切断したと仮定した場合の要部平面図である。本発明においては、便宜上、配線４のうち、収容凹部３３に囲まれた円形の表面３１と、基材３の厚さ方向において表面３１と同位に存在する面とに形成された部位を、表面層４１と称している。   FIG. 4 is a plan view of a main part assuming that the semiconductor light emitting device A1 is cut along a plane along the line IV-IV in FIG. In the present invention, for convenience, of the wiring 4, a portion formed on the circular surface 31 surrounded by the housing recess 33 and the surface formed at the same level as the surface 31 in the thickness direction of the base material 3 are referred to as a surface. It is referred to as layer 41.

表面層４１は、複数のアノードパッド４１ａ、複数のカソードパッド４１ｂ、バイパスカソードパッド４１ｃ、バイパスアノードパッド４１ｄ、アノードメッキ配線４１ｅ、およびカソードメッキ配線４１ｆを含んでいる。本実施形態においては、表面層４１のうちアノードメッキ配線４１ｅおよびカソードメッキ配線４１ｆを除く部分がＡｕからなり、アノードメッキ配線４１ｅおよびカソードメッキ配線４１ｆは、Ａｕを含む適宜選択された金属からなる。   The surface layer 41 includes a plurality of anode pads 41a, a plurality of cathode pads 41b, a bypass cathode pad 41c, a bypass anode pad 41d, an anode plating wiring 41e, and a cathode plating wiring 41f. In the present embodiment, a portion of the surface layer 41 other than the anode plating wiring 41e and the cathode plating wiring 41f is made of Au, and the anode plating wiring 41e and the cathode plating wiring 41f are made of an appropriately selected metal containing Au.

複数のアノードパッド４１ａおよび複数のカソードパッド４１ｂは、ＬＥＤチップ５を実装するためのものである。図４によく表れているように、アノードパッド４１ａとカソードパッド４１ｂとは隣り合う組として配置されている。本実施形態においては、アノードパッド４１ａとカソードパッド４１ｂとの組が、５組形成されている。各アノードパッド４１ａは、３本の平行な枝状部分と、これらの枝状部分に対して直角につながる帯状部分と、この帯状部分につながる円形部分とを有している。カソードパッド４１ｂは、帯状部分とこの帯状部分につながる円形部分とを有している。   The plurality of anode pads 41a and the plurality of cathode pads 41b are for mounting the LED chip 5. 4, the anode pad 41a and the cathode pad 41b are arranged as an adjacent pair. In the present embodiment, five pairs of the anode pad 41a and the cathode pad 41b are formed. Each anode pad 41a has three parallel branch portions, a band portion connected at right angles to these branch portions, and a circular portion connected to the band portion. The cathode pad 41b has a band portion and a circular portion connected to the band portion.

バイパスカソードパッド４１ｃとバイパスアノードパッド４１ｄは、ＬＥＤチップ５に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのバイパス機能素子を実装するためのものであり、本実施形態においては、バイパス機能素子としてツェナーダイオード６が実装されている。バイパスカソードパッド４１ｃは、円形状とされており、バイパスアノードパッド４１ｄは、矩形状部分とこの矩形状部分につながる円形部分とを有している。   The bypass cathode pad 41c and the bypass anode pad 41d are for mounting a bypass function element for preventing an excessive reverse voltage from being applied to the LED chip 5, and in the present embodiment, the bypass function element A zener diode 6 is mounted. The bypass cathode pad 41c has a circular shape, and the bypass anode pad 41d has a rectangular portion and a circular portion connected to the rectangular portion.

アノードメッキ配線４１ｅおよびカソードメッキ配線４１ｆは、複数のアノードパッド４１ａ、複数のカソードパッド４１ｂ、バイパスカソードパッド４１ｃ、バイパスアノードパッド４１ｄ、および裏面層４３をメッキによって形成するために用いられるものである。アノードメッキ配線４１ｅおよびカソードメッキ配線４１ｆは、図４における基材３の図中上端から下端にわたって、互いにほぼ平行に延びている。   The anode plating wiring 41e and the cathode plating wiring 41f are used for forming a plurality of anode pads 41a, a plurality of cathode pads 41b, a bypass cathode pad 41c, a bypass anode pad 41d, and a back surface layer 43 by plating. The anode plating wiring 41e and the cathode plating wiring 41f extend substantially parallel to each other from the upper end to the lower end of the substrate 3 in FIG.

中間層４２は、基材３の厚さ方向において表面３１と裏面３２とのほぼ中央（表面３１から深さ０．２ｍｍ程度）に形成されている。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う平面に沿って半導体発光装置Ａ１を切断したと仮定した場合の要部平面図である。本図に示すように、中間層４２は、カソード中継配線４２ａを含んでいる。カソード中継配線４２ａは、略五角形の部分と、この五角形部分につながる帯状部分と、この帯状部分に対して直角につながる帯状部分とを有している。   The intermediate layer 42 is formed substantially at the center between the front surface 31 and the back surface 32 in the thickness direction of the base material 3 (about 0.2 mm deep from the front surface 31). FIG. 5 is a plan view of a main part assuming that the semiconductor light emitting device A1 is cut along a plane along the line VV in FIG. As shown in the figure, the intermediate layer 42 includes a cathode relay wiring 42a. The cathode relay wiring 42a has a substantially pentagonal portion, a band-shaped portion connected to the pentagonal portion, and a band-shaped portion connected at right angles to the band-shaped portion.

図６に示すように、裏面層４３は、基材３の裏面３２に形成されており、アノード実装電極４３ａとカソード実装電極４３ｂとを有している。アノード実装電極４３ａおよびカソード実装電極４３ｂは、半導体発光装置Ａ１をたとえば回路基板などに面実装するために用いられる。本実施形態においては、アノード実装電極４３ａおよびカソード実装電極４３ｂは、Ａｕからなる。アノード実装電極４３ａは、略矩形状であり、図６において基材３の裏面３２の右側２／３程度の領域を覆っている。カソード実装電極４３ｂは、長矩形状であり、裏面３２の左側１／４程度の領域を覆っている。   As shown in FIG. 6, the back surface layer 43 is formed on the back surface 32 of the base material 3, and has an anode mounting electrode 43a and a cathode mounting electrode 43b. The anode mounting electrode 43a and the cathode mounting electrode 43b are used for surface mounting the semiconductor light emitting device A1 on, for example, a circuit board. In the present embodiment, the anode mounting electrode 43a and the cathode mounting electrode 43b are made of Au. The anode mounting electrode 43a has a substantially rectangular shape, and covers about 右側 of the right side of the back surface 32 of the substrate 3 in FIG. The cathode mounting electrode 43b has a long rectangular shape and covers an area of about 1/4 on the left side of the back surface 32.

複数のアノード貫通配線４４は、複数の全厚アノード貫通配線４４ａ、複数のメッキ用アノード貫通配線４４ｂ、およびバイパスカソード貫通配線４４ｃを含んでいる。複数のアノード貫通配線４４はそれぞれ、Ａｇ、Ｔａ、もしくはハンダからなり、本実施形態においてはＡｇからなる。図２に示すように全厚アノード貫通配線４４ａは、基材３を表面３１から裏面３２までその厚さ方向に貫通している。図４および図６から理解される通り、複数の全厚アノード貫通配線４４ａは、基材３の厚さ方向視において複数のアノードパッド４１ａおよびアノード実装電極４３ａの双方に重なっている。すなわち、各全厚アノード貫通配線４４ａは、その表面３１側の端面が、アノードパッド４１ａの円形部分によって覆われており、裏面３２側の端面が、アノード実装電極４３ａによって覆われている。   The plurality of anode through wires 44 include a plurality of full thickness anode through wires 44a, a plurality of plating anode through wires 44b, and a bypass cathode through wire 44c. Each of the plurality of anode through wires 44 is made of Ag, Ta, or solder, and is made of Ag in the present embodiment. As shown in FIG. 2, the full-thickness anode through wiring 44 a penetrates the base material 3 from the front surface 31 to the back surface 32 in the thickness direction. As understood from FIGS. 4 and 6, the plurality of full-thickness anode through wirings 44a overlap with both the plurality of anode pads 41a and the anode mounting electrodes 43a when viewed in the thickness direction of the base material 3. That is, each full-thickness anode through wiring 44a has an end surface on the front surface 31 side covered by the circular portion of the anode pad 41a, and an end surface on the back surface 32 side covered by the anode mounting electrode 43a.

複数のメッキ用アノード貫通配線４４ｂは、基材３をその厚さ方向において全厚アノード貫通配線４４ａと同じ領域を貫通している。図４および図６から理解される通り、複数のメッキ用アノード貫通配線４４ｂは、基材３の厚さ方向視においてアノードメッキ配線４１ｅおよびアノード実装電極４３ａの双方に重なっている。すなわち、各メッキ用アノード貫通配線４４ｂは、その表面３１側の端面が、アノードメッキ配線４１ｅによって覆われており、裏面３２側の端面が、アノード実装電極４３ａによって覆われている。   The plurality of anode through-holes for plating 44b penetrate the substrate 3 in the thickness direction in the same region as the through-hole anode through-holes 44a. As understood from FIGS. 4 and 6, the plurality of anode through wirings for plating 44 b overlap with both the anode plating wiring 41 e and the anode mounting electrode 43 a in the thickness direction of the substrate 3. That is, the end surface on the front surface 31 side of each of the anode through wirings for plating 44b is covered with the anode plating wiring 41e, and the end surface on the back surface 32 side is covered with the anode mounting electrode 43a.

バイパスカソード貫通配線４４ｃは、全厚アノード貫通配線４４ａと同様に基材３を表面３１から裏面３２までその厚さ方向に貫通している。図４および図６から理解される通り、バイパスカソード貫通配線４４ｃは、基材３の厚さ方向視においてバイパスカソードパッド４１ｃおよびアノード実装電極４３ａの双方に重なっている。すなわち、バイパスカソード貫通配線４４ｃは、その表面３１側の端面が、バイパスカソードパッド４１ｃによって覆われており、裏面３２側の端面が、アノード実装電極４３ａによって覆われている。   The bypass cathode through wire 44c penetrates the base material 3 from the front surface 31 to the back surface 32 in the thickness direction, similarly to the full thickness anode through wire 44a. As understood from FIGS. 4 and 6, the bypass cathode through wiring 44c overlaps both the bypass cathode pad 41c and the anode mounting electrode 43a when viewed in the thickness direction of the base material 3. That is, the end surface of the bypass cathode through wiring 44c on the front surface 31 side is covered with the bypass cathode pad 41c, and the end surface on the back surface 32 side is covered with the anode mounting electrode 43a.

複数のカソード貫通配線４５は、複数の表面側カソード貫通配線４５ａ、複数の裏面側カソード貫通配線４５ｂ、複数のメッキ用カソード貫通配線４５ｃ、およびバイパスアノード貫通配線４５ｄを含んでおり、本実施形態においてはＡｇからなる。図２に示すように、表面側カソード貫通配線４５ａは、基材３のうちその厚さ方向において表面３１から中間層４２までの部分を貫通している。図４および図５から理解される通り、複数の表面側カソード貫通配線４５ａは、基材３の厚さ方向視において複数のカソードパッド４１ｂおよびカソード中継配線４２ａと重なっている。すなわち、複数の表面側カソード貫通配線４５ａは、その表面３１側の端面が複数のカソードパッド４１ｂによって覆われており、中間層４２側の端面がカソード中継配線４２ａによって覆われている。   The plurality of cathode through wires 45 include a plurality of front surface side cathode through wires 45a, a plurality of back surface side cathode through wires 45b, a plurality of plating cathode through wires 45c, and a bypass anode through wire 45d. Consists of Ag. As shown in FIG. 2, the front-side cathode through wiring 45 a penetrates a portion from the surface 31 to the intermediate layer 42 in the thickness direction of the base material 3. As understood from FIGS. 4 and 5, the plurality of front-surface-side cathode through wirings 45 a overlap with the plurality of cathode pads 41 b and the cathode relay wiring 42 a in the thickness direction of the base material 3. That is, the plurality of front-surface-side cathode through wirings 45a have their end faces on the surface 31 side covered by the plurality of cathode pads 41b, and their end faces on the intermediate layer 42 side covered by the cathode relay wiring 42a.

複数の裏面側カソード貫通配線４５ｂは、基材３のうちその厚さ方向において中間層４２から裏面３２までの部分を貫通している。図５および図６から理解される通り、複数の裏面側カソード貫通配線４５ｂは、基材３の厚さ方向視においてカソード中継配線４２ａおよびカソード実装電極４３ｂと重なっている。すなわち、複数の裏面側カソード貫通配線４５ｂは、その中間層４２側の端面がカソード中継配線４２ａによって覆われており、裏面３２側の端面がカソード実装電極４３ｂによって覆われている。中間層４２のカソード中継配線４２ａを介して、複数の表面側カソード貫通配線４５ａと複数の裏面側カソード貫通配線４５ｂとは互いに導通している。   The plurality of back-surface-side cathode through wirings 45b penetrate a portion of the base material 3 from the intermediate layer 42 to the back surface 32 in the thickness direction. As understood from FIGS. 5 and 6, the plurality of back-surface-side cathode through wirings 45 b overlap the cathode relay wiring 42 a and the cathode mounting electrode 43 b in the thickness direction of the base material 3. That is, the plurality of back-surface-side cathode through wires 45b have their end faces on the intermediate layer 42 side covered with the cathode relay wiring 42a, and their end faces on the back face 32 side are covered with the cathode mounting electrode 43b. The plurality of front surface cathode through wires 45a and the plurality of back surface side cathode through wires 45b are electrically connected to each other via the cathode relay wire 42a of the intermediate layer 42.

複数のメッキ用カソード貫通配線４５ｃは、基材３をその厚さ方向において全厚アノード貫通配線４４ａと同じ領域を貫通している。図４および図６から理解される通り、複数のメッキ用カソード貫通配線４５ｃは、基材３の厚さ方向視においてカソードメッキ配線４１ｆおよびカソード実装電極４３ｂの双方に重なっている。すなわち、各メッキ用カソード貫通配線４５ｃは、その表面３１側の端面が、カソードメッキ配線４１ｆによって覆われており、裏面３２側の端面が、カソード実装電極４３ｂによって覆われている。   The plurality of cathode through wires 45c for plating pass through the substrate 3 in the thickness direction in the same region as the full thickness anode through wires 44a. As understood from FIG. 4 and FIG. 6, the plurality of cathode through wires for plating 45 c overlap with both the cathode plating wires 41 f and the cathode mounting electrodes 43 b in the thickness direction of the base material 3. That is, the end surface on the front surface 31 side of each of the cathode through wirings for plating 45c is covered with the cathode plating wiring 41f, and the end surface on the back surface 32 side is covered with the cathode mounting electrode 43b.

バイパスアノード貫通配線４５ｄは、表面側カソード貫通配線４５ａと同様に基材３を表面３１から中間層４２までを貫通している。図４および図５から理解される通り、バイパスアノード貫通配線４５ｄは、基材３の厚さ方向視においてバイパスアノードパッド４１ｄおよびカソード中継配線４２ａの双方に重なっている。すなわち、バイパスアノード貫通配線４５ｄは、その表面３１側の端面が、バイパスアノードパッド４１ｄによって覆われており、中間層４２側の端面が、カソード中継配線４２ａによって覆われている。   The bypass anode through wiring 45d penetrates the base material 3 from the surface 31 to the intermediate layer 42 similarly to the front side cathode through wiring 45a. As understood from FIGS. 4 and 5, the bypass anode through wiring 45d overlaps both the bypass anode pad 41d and the cathode relay wiring 42a when viewed in the thickness direction of the base material 3. That is, the bypass anode through wiring 45d has an end face on the surface 31 side covered by the bypass anode pad 41d, and an end face on the intermediate layer 42 side covered by the cathode relay wiring 42a.

半導体発光装置Ａ１の光源となる複数のＬＥＤチップ５のそれぞれは、以下のように構成されている。まず、たとえばサファイアからなる基板５ａ上に、たとえばＧａＮ系半導体からなるｎ型半導体層５ｂが積層されている。さらに、ｎ型半導体層５ｂ上に活性層５ｃが積層されている。活性層５ｃは、たとえばＧａＮ系半導体からなる複数の層が積層された多重量子井戸構造とされている。ｐ型半導体層５ｄは、活性層５ｃ上に積層されており、たとえはＧａＮ系半導体からなる。アノード電極５ｅは、ｐ型半導体層５ｄ上に積層されており、たとえばＡｌ，Ａｕ，Ａｇ等の金属からなる。カソード電極５ｆは、ｐ型半導体層５ｄおよび活性層５ｃをエッチングにより取り除くことによって露出したｎ型半導体層５ｂ上に積層されており、たとえばＡｌ，Ａｕ，Ａｇ等の金属からなる。   Each of the plurality of LED chips 5 serving as a light source of the semiconductor light emitting device A1 is configured as follows. First, an n-type semiconductor layer 5b made of, for example, a GaN-based semiconductor is stacked on a substrate 5a made of, for example, sapphire. Further, an active layer 5c is stacked on the n-type semiconductor layer 5b. The active layer 5c has a multiple quantum well structure in which a plurality of layers made of, for example, a GaN-based semiconductor are stacked. The p-type semiconductor layer 5d is stacked on the active layer 5c, and is made of, for example, a GaN-based semiconductor. The anode electrode 5e is stacked on the p-type semiconductor layer 5d, and is made of, for example, a metal such as Al, Au, and Ag. The cathode electrode 5f is stacked on the n-type semiconductor layer 5b exposed by removing the p-type semiconductor layer 5d and the active layer 5c by etching, and is made of, for example, a metal such as Al, Au, and Ag.

個々のＬＥＤチップ５は、それぞれが製造されたのちに、上下を反転させたいわゆるフリップチップと称される実装形態で、アノードパッド４１ａおよびカソードパッド４１ｂに実装されている。詳細には、アノード電極５ｅは、接合部５１を介してアノードパッド４１ａに接続されており、カソード電極５ｆは、接合部５１を介してカソードパッド４１ｂに接続されている。このような構成のＬＥＤチップ５からは、たとえば青色光が発せられる。   After each LED chip 5 is manufactured, it is mounted on the anode pad 41a and the cathode pad 41b in a so-called flip-chip mounting form in which the LED chips 5 are turned upside down. Specifically, the anode electrode 5e is connected to the anode pad 41a via the joint 51, and the cathode electrode 5f is connected to the cathode pad 41b via the joint 51. From the LED chip 5 having such a configuration, for example, blue light is emitted.

ツェナーダイオード６は、ＬＥＤチップ５に過大な逆電圧が印加されることを回避するための機能素子であり、本実施形態においては、バイパスカソードパッド４１ｃにダイボンディングされており、バイパスカソードパッド４１ｃに導通している。またツェナーダイオード６とバイパスアノードパッド４１ｄとは、ワイヤ６１によって接続されている。なお、ツェナーダイオード６に代えて、逆電圧印加を回避する機能素子として、バリスタ素子やＥＳＤ（Electro Static Discharge）保護素子を用いてもよい。   The Zener diode 6 is a functional element for preventing an excessive reverse voltage from being applied to the LED chip 5, and is, in this embodiment, die-bonded to the bypass cathode pad 41c. Conducted. The Zener diode 6 and the bypass anode pad 41d are connected by a wire 61. Instead of the Zener diode 6, a varistor element or an ESD (Electro Static Discharge) protection element may be used as a functional element for avoiding application of a reverse voltage.

封止樹脂７は、ケース２の収容凹部３３を埋めており、複数のＬＥＤチップ５を覆っている。封止樹脂７は、透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂に蛍光材料が混入された材質からなる。この蛍光材料は、ＬＥＤチップ５からの青色光によって励起されることにより、たとえば黄色光を発する。この黄色光と青色光とが混色されることにより、半導体発光装置Ａ１からは白色光が出射される。   The sealing resin 7 fills the housing recess 33 of the case 2 and covers the plurality of LED chips 5. The sealing resin 7 is made of a material in which a fluorescent material is mixed in a transparent epoxy resin or silicone resin. This fluorescent material emits, for example, yellow light when excited by the blue light from the LED chip 5. By mixing the yellow light and the blue light, white light is emitted from the semiconductor light emitting device A1.

次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor light emitting device A1 will be described.

本実施形態によれば、図２および図３に示すように、活性層５ｃとケース２との間には、基板５ａは介在していない。基板５ａと比較して、ｐ型半導体層５ｄはごく薄く、アノード電極５ｅは、熱伝導率が高い金属からなる。このため、ＬＥＤチップ５が点灯したときに発生する熱は、ケース２へと伝わりやすい。したがって、ＬＥＤチップ５からの放熱を促進することが可能であり、ＬＥＤチップ５の発光効率を高めることができる。   According to the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the substrate 5 a is not interposed between the active layer 5 c and the case 2. Compared to the substrate 5a, the p-type semiconductor layer 5d is extremely thin, and the anode electrode 5e is made of a metal having a high thermal conductivity. Therefore, heat generated when the LED chip 5 is turned on is easily transmitted to the case 2. Therefore, heat radiation from the LED chip 5 can be promoted, and the luminous efficiency of the LED chip 5 can be increased.

アノードパッド４１ａは、全厚アノード貫通配線４４ａを介してアノード実装電極４３ａにつながっている。このため、ＬＥＤチップ５からの熱は、全厚アノード貫通配線４４ａを通じてアノード実装電極４３ａ、さらには半導体発光装置Ａ１が実装されたたとえば回路基板へと伝えられる。これは、ＬＥＤチップ５の放熱を促進し、ＬＥＤチップ５の発光効率を高めるのに適している。   The anode pad 41a is connected to the anode mounting electrode 43a via a full-thickness anode through wiring 44a. For this reason, the heat from the LED chip 5 is transmitted to the anode mounting electrode 43a and further to, for example, a circuit board on which the semiconductor light emitting device A1 is mounted, through the full thickness anode through wiring 44a. This is suitable for promoting the heat radiation of the LED chip 5 and increasing the luminous efficiency of the LED chip 5.

また、カソードパッド４１ｂは、表面側カソード貫通配線４５ａ、カソード中継配線４２ａ、および裏面側カソード貫通配線４５ｂを介してカソード実装電極４３ｂにつながっている。このため、ＬＥＤチップ５からの熱は、表面側カソード貫通配線４５ａ、カソード中継配線４２ａ、および裏面側カソード貫通配線４５ｂを通じてカソード実装電極４３ｂ、さらには半導体発光装置Ａ１が実装されたたとえば回路基板へと伝えられる。これは、ＬＥＤチップ５の放熱を促進し、ＬＥＤチップ５の発光効率を高めるのに適している。   In addition, the cathode pad 41b is connected to the cathode mounting electrode 43b via the front-side cathode through wiring 45a, the cathode relay wiring 42a, and the back-side cathode through wiring 45b. Therefore, heat from the LED chip 5 is transmitted to the cathode mounting electrode 43b through the front-side cathode through wiring 45a, the cathode relay wiring 42a, and the back-side cathode through wiring 45b, and further to, for example, a circuit board on which the semiconductor light emitting device A1 is mounted. It is reported. This is suitable for promoting the heat radiation of the LED chip 5 and increasing the luminous efficiency of the LED chip 5.

複数のアノード貫通配線４４および複数のカソード貫通配線４５は、Ａｇからなる。これは、ＬＥＤチップ５からの放熱を促進するのに有利である。また、複数のアノード貫通配線４４および複数のカソード貫通配線４５は、表面３１側および裏面３２側の端面が、表面層４１および裏面層４３によって覆われている。表面層４１および裏面層４３のうち、少なくともこれらの端面を覆う部分は、Ａｕによって形成されている。これにより、比較的変質しやすいＡｇからなる複数のアノード貫通配線４４および複数のカソード貫通配線４５を適切に保護することができる。   The plurality of anode through wires 44 and the plurality of cathode through wires 45 are made of Ag. This is advantageous for promoting heat radiation from the LED chip 5. The end surfaces on the front surface 31 side and the back surface 32 side of the anode through wires 44 and the cathode through wires 45 are covered with the surface layer 41 and the back surface layer 43. At least a portion of the surface layer 41 and the back layer 43 that covers these end faces is made of Au. This makes it possible to appropriately protect the plurality of anode through wires 44 and the plurality of cathode through wires 45 made of Ag, which are relatively easily deteriorated.

基材３は、アルミナなどのセラミックからなり、ＬＥＤチップ５の材料であるたとえばＧａＮ系半導体と熱膨張率が比較的近似している。このため、ＬＥＤチップ５をケース２に実装する作業や、ＬＥＤチップ５の発光時などに、ＬＥＤチップ５とケース２との間に熱膨張差が生じにくい。これにより、ＬＥＤチップ５がケース２から剥離することを防止できる。   The base material 3 is made of a ceramic such as alumina, and has a coefficient of thermal expansion relatively similar to that of, for example, a GaN-based semiconductor which is a material of the LED chip 5. Therefore, a difference in thermal expansion between the LED chip 5 and the case 2 hardly occurs during the operation of mounting the LED chip 5 on the case 2 or when the LED chip 5 emits light. Thereby, it is possible to prevent the LED chip 5 from being separated from the case 2.

バイパスカソードパッド４１ｃは、バイパスカソード貫通配線４４ｃを介してアノード実装電極４３ａにつながっている。これは、ＬＥＤチップ５に過大な逆電圧が印加されるのを回避するために、一時的な大電流をスムーズに流すのに適している。   The bypass cathode pad 41c is connected to the anode mounting electrode 43a via the bypass cathode through wire 44c. This is suitable for smoothly flowing a temporary large current in order to avoid applying an excessive reverse voltage to the LED chip 5.

図７〜図９を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。   A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

同図に示す半導体発光装置Ａ２は、図９の充填部８を備える点において、半導体発光装置Ａ１における構成と主に異なる。具体的には以下のとおりである。   The semiconductor light emitting device A2 shown in the figure mainly differs from the structure of the semiconductor light emitting device A1 in that the semiconductor light emitting device A2 includes the filling portion 8 shown in FIG. The details are as follows.

半導体発光装置Ａ１の説明では省略したが、実際には、アノード貫通配線４４やカソード貫通配線４５には、基材３の裏面３２側に凹む凹部が形成される場合が多い。このような凹部は基材３を焼成する際に形成される。図９に、アノード貫通配線４４のうちの全厚アノード貫通配線４４ａに形成された凹部４４ｈを示している。本実施形態においては、図７、図８に示すように、全厚アノード貫通配線４４ａに重なる位置に、複数のＬＥＤチップ５がそれぞれ配置されている。   Although omitted in the description of the semiconductor light emitting device A <b> 1, in practice, the anode through wiring 44 and the cathode through wiring 45 are often formed with a concave portion that is recessed on the back surface 32 side of the base material 3. Such a concave portion is formed when the substrate 3 is fired. FIG. 9 shows a concave portion 44h formed in the full-thickness anode through wiring 44a of the anode through wiring 44. In the present embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, a plurality of LED chips 5 are respectively arranged at positions overlapping the full-thickness anode through wiring 44a.

なお、本実施形態においては、一つのＬＥＤチップ５と重なる位置に全厚アノード貫通配線４４ａが３つ形成されているが、一つのＬＥＤチップ５に重なる全厚アノード貫通配線４４ａの個数は３つに限られず、１つや２つでもよいし、４つ以上でもよい。全厚アノード貫通配線４４ａの数が多いと、ＬＥＤチップ５からの熱をより効率良くアノード実装電極４３ａに伝えることができる。このことは、半導体発光装置Ａ２の放熱性向上の観点から好ましい。また、全厚アノード貫通配線４４ａの数が多いことは、表面層４１（アノードパッド４１ａ）とアノード実装電極４３ａとの間の電気抵抗を減少させるのに適する。   In the present embodiment, three full-thick anode through-wirings 44a are formed at positions overlapping one LED chip 5, but the number of all-thick anode through-wirings 44a overlapping one LED chip 5 is three. The number is not limited to one, but may be one, two, or four or more. When the number of the through-thickness anode through wires 44a is large, heat from the LED chip 5 can be more efficiently transmitted to the anode mounting electrode 43a. This is preferable from the viewpoint of improving the heat dissipation of the semiconductor light emitting device A2. Further, the large number of the through-thickness anode through-wirings 44a is suitable for reducing the electric resistance between the surface layer 41 (the anode pad 41a) and the anode mounting electrode 43a.

凹部４４ｈを規定する表面は表面層４１に覆われている。表面層４１は全体にわたってほぼ均一な厚さである。そのため、表面層４１にも凹部４１ｈが形成されている。図９に示す凹部４１ｈは、表面層４１のうちアノードパッド４１ａに形成されている。凹部４１ｈは、基材３の裏面３２側に凹んでいる。凹部４１ｈは、基材３の厚さ方向視において凹部４４ｈに重なる。そのため、図９では、凹部４１ｈは凹部４４ｈの真上に位置している。なお特に図示しないが、本実施形態において表面層４１は、Ｎｉよりなる層と、Ａｕよりなる層とが積層された構造を有する。Ｎｉよりなる層は、Ａｕよりなる層および基材３の間に介在している。   The surface defining the concave portion 44h is covered with the surface layer 41. The surface layer 41 has a substantially uniform thickness throughout. Therefore, a concave portion 41h is also formed in the surface layer 41. The recess 41h shown in FIG. 9 is formed in the anode pad 41a of the surface layer 41. The recess 41h is recessed on the back surface 32 side of the base material 3. The concave portion 41h overlaps with the concave portion 44h when viewed in the thickness direction of the base material 3. Therefore, in FIG. 9, the concave portion 41h is located right above the concave portion 44h. Although not particularly shown, in the present embodiment, the surface layer 41 has a structure in which a layer made of Ni and a layer made of Au are stacked. The layer made of Ni is interposed between the layer made of Au and the substrate 3.

充填部８は、凹部４１ｈに充填されている。充填部８は、表面層４１および接合部５１に接している。充填部８は、導電性の材料よりなっていてもよいし、絶縁性の材料よりなっていてもよい。本実施形態では、充填部８は導電性の材料よりなる。充填部８を構成する導電性の材料としては、たとえば、ＡｕとＳｎとの合金が挙げられる。充填部８は、ＬＥＤチップ５を表面層４１に配置する前に形成される。充填部８の形成は、たとえば、凹部４１ｈにペーストを塗布することにより行う。   The filling portion 8 is filled in the concave portion 41h. The filling portion 8 is in contact with the surface layer 41 and the bonding portion 51. The filling portion 8 may be made of a conductive material or an insulating material. In the present embodiment, the filling section 8 is made of a conductive material. Examples of the conductive material forming the filling portion 8 include an alloy of Au and Sn. The filling section 8 is formed before the LED chip 5 is arranged on the surface layer 41. The formation of the filling portion 8 is performed, for example, by applying a paste to the concave portion 41h.

本実施形態においても接合部５１は、複数のＬＥＤチップ５のいずれか一つと、表面層４１との間に介在している。接合部５１は、各ＬＥＤチップ５を表面層４１に接合するためのものである。接合部５１は、導電性の材料よりなっていてもよいし、絶縁性の材料よりなっていてもよい。本実施形態では、接合部５１は導電性の材料よりなる。接合部５１を構成する導電性の材料としては、たとえば、ＡｕとＳｎとの合金が挙げられる。本実施形態とは異なり、接合部５１を構成する導電性の材料は、銀ペーストやハンダであってもよい。   Also in the present embodiment, the bonding portion 51 is interposed between any one of the plurality of LED chips 5 and the surface layer 41. The bonding part 51 is for bonding each LED chip 5 to the surface layer 41. The joint 51 may be made of a conductive material or an insulating material. In the present embodiment, the joint 51 is made of a conductive material. An example of the conductive material forming the bonding portion 51 is an alloy of Au and Sn. Unlike the present embodiment, the conductive material forming the bonding portion 51 may be silver paste or solder.

半導体発光装置Ａ２によると、ＬＥＤチップ５を基材３に配置する前に、充填部８を凹部４１ｈに形成することで、ＬＥＤチップ５が配置されるべき部位の表面をより平坦にすることができる。そのため、全厚アノード貫通配線４４ａに基材３の厚さ方向視において重なる位置にＬＥＤチップ５を配置したとしても、ＬＥＤチップ５が凹部４１ｈにはまり込まないから、ＬＥＤチップ５を配置する際にＬＥＤチップ５の姿勢が崩れることを防止できる。したがって、半導体発光装置Ａ２の製造上の歩留まりの向上を図ることができる。   According to the semiconductor light emitting device A2, the filling portion 8 is formed in the concave portion 41h before the LED chip 5 is arranged on the base 3, so that the surface of the portion where the LED chip 5 is to be arranged can be made flatter. it can. Therefore, even if the LED chip 5 is arranged at a position overlapping the full thickness anode through wiring 44a in the thickness direction of the base material 3, the LED chip 5 does not fit into the concave portion 41h. It is possible to prevent the posture of the LED chip 5 from being collapsed. Therefore, the production yield of the semiconductor light emitting device A2 can be improved.

なお、図９では、アノード貫通配線４４に凹部４４ｈが形成されており、表面層４１のうちのアノードパッド４１ａに凹部４１ｈが形成されている例を示した。図９に示したのと異なり、図１０に示すように、カソード貫通配線４５に凹部４５ｈが形成されており、この凹部４５ｈと基材３の厚さ方向視において重なる位置に凹部４１ｈが形成されている場合も考えられる。この場合に、凹部４１ｈに充填部８を形成し、カソード貫通配線４５と基材３の厚さ方向視において重なる位置に、ＬＥＤチップを配置してもよい。   Note that FIG. 9 shows an example in which a concave portion 44h is formed in the anode through wiring 44 and a concave portion 41h is formed in the anode pad 41a of the surface layer 41. Unlike FIG. 9, as shown in FIG. 10, a recess 45 h is formed in the cathode through wiring 45, and a recess 41 h is formed at a position overlapping the recess 45 h in the thickness direction of the base material 3. It is also conceivable. In this case, the filling portion 8 may be formed in the concave portion 41h, and the LED chip may be arranged at a position overlapping the cathode through wiring 45 in the thickness direction of the base material 3 in the thickness direction.

図１１〜図１３は、本発明の第３実施形態に基づく半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０１は、ケース２００、複数のＬＥＤチップ５００、ツェナーダイオード６００、反射樹脂７１０、および封止樹脂７００を備えている。なお、図１１においては、理解の便宜上封止樹脂７００を省略している。   11 to 13 show a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention. The semiconductor light emitting device 101 of the present embodiment includes a case 200, a plurality of LED chips 500, a Zener diode 600, a reflective resin 710, and a sealing resin 700. Note that, in FIG. 11, the sealing resin 700 is omitted for convenience of understanding.

ケース２００は、半導体発光装置１０１の土台となるものであり、基材３００と配線４００とを有している。ケース２００のサイズは、平面視寸法が５〜１０ｍｍ角程度、厚さが１．０ｍｍ程度とされている。   The case 200 is a base of the semiconductor light emitting device 101, and has a base material 300 and a wiring 400. The case 200 has a size in plan view of about 5 to 10 mm square and a thickness of about 1.0 mm.

基材３００は、平面視略矩形状の厚板状とされており、たとえばアルミナなどのセラミックからなる。本実施形態においては、このセラミックとして、低温同時焼成セラミックと称される、焼成温度が９００℃程度と比較的低い材質が用いられている。この低温同時焼成セラミックは、低焼成温度により、配線４００の材質となる金属と同時に焼成することが可能である。   The base material 300 is in the form of a thick plate having a substantially rectangular shape in plan view, and is made of, for example, ceramic such as alumina. In the present embodiment, a material having a relatively low firing temperature of about 900 ° C., which is called a low-temperature co-fired ceramic, is used as the ceramic. The low-temperature co-fired ceramic can be fired at the same time as the metal used for the wiring 400 at a low firing temperature.

基材３００の中央には、収容凹部３０３が形成されている。収容凹部３０３は、複数のＬＥＤチップ５００を収容しており、平面視形状が矩形状とされている。基材３００の四隅には、コーナー凹部３０４が形成されている。コーナー凹部３０４は、半導体発光装置１０１の製造方法において、セラミック材料を適切分割するために設けられた貫通孔の一部であり、断面四半円形状の溝とされている。基材３００は、表面３０１と裏面３０２とを有している。収容凹部３０３の内壁面３０５は、環状であり、表面３０１に対して直角である。本実施形態においては、収容凹部３０３の深さが、たとえば０．６ｍｍ程度とされている。   An accommodation recess 303 is formed in the center of the substrate 300. The accommodation recess 303 accommodates a plurality of LED chips 500, and has a rectangular shape in plan view. Corner recesses 304 are formed at four corners of the substrate 300. The corner concave portion 304 is a part of a through hole provided for appropriately dividing the ceramic material in the method for manufacturing the semiconductor light emitting device 101, and is a groove having a quarter-circular cross section. The base material 300 has a front surface 301 and a back surface 302. The inner wall surface 305 of the housing recess 303 is annular and is perpendicular to the surface 301. In the present embodiment, the depth of the housing recess 303 is, for example, about 0.6 mm.

基材３００は、せき止め凹部３０６を有している。せき止め凹部３０６は、表面３０１から凹んでおり、内壁面３０５に接している。本実施形態においては、せき止め凹部３０６は矩形状とされている。   The base material 300 has a damming recess 306. The damming recess 306 is recessed from the surface 301 and is in contact with the inner wall surface 305. In the present embodiment, the damming recess 306 has a rectangular shape.

配線４００は、複数のＬＥＤチップ５００に対して直流電力を供給するための経路として用いられるものであり、表面層４１０、中間層４２０、裏面層４３０、複数のアノード貫通配線４４０、および複数のカソード貫通配線４５０を有している。   The wiring 400 is used as a path for supplying DC power to the plurality of LED chips 500, and includes a surface layer 410, an intermediate layer 420, a back layer 430, a plurality of anode through wirings 440, and a plurality of cathodes. It has a through wiring 450.

表面層４１０は、複数のアノードパッド４１１、複数のカソードパッド４１２、バイパスカソードパッド４１３、およびバイパスアノードパッド４１４を含んでいる。表面層４１０は、たとえばＡｕからなる。   The surface layer 410 includes a plurality of anode pads 411, a plurality of cathode pads 412, a bypass cathode pad 413, and a bypass anode pad 414. The surface layer 410 is made of, for example, Au.

複数のアノードパッド４１１および複数のカソードパッド４１２は、ＬＥＤチップ５００を実装するためのものである。アノードパッド４１１とカソードパッド４１２とは隣り合う組として配置されている。本実施形態においては、アノードパッド４１１とカソードパッド４１２との組が、５組形成されている。各アノードパッド４１１は、３本の平行な枝状部分と、これらの枝状部分に対して直角につながる帯状部分と、この帯状部分につながる円形部分とを有している。カソードパッド４１２は、帯状部分とこの帯状部分につながる円形部分とを有している。   The plurality of anode pads 411 and the plurality of cathode pads 412 are for mounting the LED chip 500. The anode pad 411 and the cathode pad 412 are arranged as an adjacent set. In the present embodiment, five pairs of the anode pad 411 and the cathode pad 412 are formed. Each anode pad 411 has three parallel branch portions, a band portion connected at a right angle to these branch portions, and a circular portion connected to the band portion. The cathode pad 412 has a band portion and a circular portion connected to the band portion.

バイパスカソードパッド４１３とバイパスアノードパッド４１４は、ＬＥＤチップ５００に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのバイパス機能素子を実装するためのものであり、本実施形態においては、バイパス機能素子としてツェナーダイオード６００が実装されている。バイパスカソードパッド４１３は、円形状とされており、バイパスアノードパッド４１４は、矩形状部分とこの矩形状部分につながる円形部分とを有している。   The bypass cathode pad 413 and the bypass anode pad 414 are for mounting a bypass function element for preventing an excessive reverse voltage from being applied to the LED chip 500. In the present embodiment, the bypass function element is used. A Zener diode 600 is mounted. The bypass cathode pad 413 has a circular shape, and the bypass anode pad 414 has a rectangular portion and a circular portion connected to the rectangular portion.

中間層４２０は、基材３００の厚さ方向において表面３０１と裏面３０２とのほぼ中央（表面３０１から深さ０．２ｍｍ程度）に形成されている。中間層４２０は、カソード中継配線４２１を含んでいる。   The intermediate layer 420 is formed substantially at the center (approximately 0.2 mm in depth from the front surface 301) between the front surface 301 and the back surface 302 in the thickness direction of the base material 300. The intermediate layer 420 includes a cathode relay wiring 421.

図１２に示すように、裏面層４３０は、基材３００の裏面３０２に形成されており、アノード実装電極４３１とカソード実装電極４３２とを有している。アノード実装電極４３１およびカソード実装電極４３２は、半導体発光装置１０１をたとえば回路基板などに面実装するために用いられる。本実施形態においては、アノード実装電極４３１およびカソード実装電極４３２は、Ａｕからなる。アノード実装電極４３１は、略矩形状であり、基材３００の裏面３０２の図中右側２／３程度の領域を覆っている。カソード実装電極４３２は、長矩形状であり、裏面３０２の図中左側１／４程度の領域を覆っている。   As shown in FIG. 12, the back surface layer 430 is formed on the back surface 302 of the base material 300, and has an anode mounting electrode 431 and a cathode mounting electrode 432. The anode mounting electrode 431 and the cathode mounting electrode 432 are used for surface mounting the semiconductor light emitting device 101 on, for example, a circuit board. In the present embodiment, the anode mounting electrode 431 and the cathode mounting electrode 432 are made of Au. The anode mounting electrode 431 has a substantially rectangular shape and covers a region on the back surface 302 of the base material 300, which is about 右側 on the right side in the drawing. The cathode mounting electrode 432 has a long rectangular shape and covers a region of the rear surface 302, which is about 1/4 on the left side in the figure.

複数のアノード貫通配線４４０は、複数の全厚アノード貫通配線４４１およびバイパスカソード貫通配線４４３を含んでいる。複数のアノード貫通配線４４０はそれぞれ、Ａｇ、Ｔａ、もしくはハンダからなり、本実施形態においてはＡｇからなる。図１３に示すように全厚アノード貫通配線４４１は、基材３００を表面３０１から裏面３０２までその厚さ方向に貫通している。各全厚アノード貫通配線４４１は、その表面３０１側の端面が、アノードパッド４１１の円形部分によって覆われており、裏面３０２側の端面が、アノード実装電極４３１によって覆われている。   The plurality of anode through wirings 440 include a plurality of full thickness anode through wirings 441 and bypass cathode through wirings 443. Each of the plurality of anode through wirings 440 is made of Ag, Ta, or solder, and is made of Ag in the present embodiment. As shown in FIG. 13, the full-thickness anode through wiring 441 penetrates the base material 300 from the front surface 301 to the back surface 302 in the thickness direction. Each full-thickness anode through wiring 441 has an end surface on the front surface 301 side covered by a circular portion of the anode pad 411, and an end surface on the back surface 302 side covered by the anode mounting electrode 431.

バイパスカソード貫通配線４４３は、全厚アノード貫通配線４４１と同様に基材３００を表面３０１から裏面３０２までその厚さ方向に貫通している。バイパスカソード貫通配線４４３は、その表面３０１側の端面が、バイパスカソードパッド４１３によって覆われており、裏面３０２側の端面が、アノード実装電極４３１によって覆われている。   The bypass cathode through wiring 443 penetrates the substrate 300 from the front surface 301 to the back surface 302 in the thickness direction like the full thickness anode through wiring 441. The bypass cathode through wiring 443 has an end face on the front surface 301 side covered by the bypass cathode pad 413, and an end face on the back surface 302 side covered by the anode mounting electrode 431.

複数のカソード貫通配線４５０は、複数の表面側カソード貫通配線４５１、複数の裏面側カソード貫通配線（図示略）、およびバイパスアノード貫通配線（図示略）を含んでおり、本実施形態においてはＡｇからなる。表面側カソード貫通配線４５１は、基材３００のうちその厚さ方向において表面３０１から中間層４２０までの部分を貫通している。表面側カソード貫通配線４５１は、その表面３０１側の端面が複数のカソードパッド４１２によって覆われており、中間層４２０側の端面がカソード中継配線４２１によって覆われている。前記裏面側カソード貫通配線は、基材３００のうちその厚さ方向において中間層４２０から裏面３０２までの部分を貫通している。前記裏面側カソード貫通配線は、その中間層４２０側の端面がカソード中継配線４２１によって覆われており、裏面３０２側の端面がカソード実装電極４３２によって覆われている。中間層４２０のカソード中継配線４２１を介して、複数の表面側カソード貫通配線４５１と前記複数の裏面側カソード貫通配線とは互いに導通している。前記バイパスアノード貫通配線は、表面側カソード貫通配線４５１と同様に基材３００を表面３０１から中間層４２０までを貫通している。バイパスアノード貫通配線は、その表面３０１側の端面が、バイパスアノードパッド４１４によって覆われており、中間層４２０側の端面が、カソード中継配線４２１によって覆われている。   The plurality of cathode through wirings 450 include a plurality of front side cathode through wirings 451, a plurality of back side cathode through wirings (not shown), and bypass anode through wirings (not shown). Become. The surface side cathode through wiring 451 penetrates a portion from the surface 301 to the intermediate layer 420 in the thickness direction of the base material 300. The front-surface-side cathode through wiring 451 has an end surface on the surface 301 side covered with a plurality of cathode pads 412, and an end surface on the intermediate layer 420 side is covered with the cathode relay wiring 421. The back surface side cathode through wiring penetrates a portion from the intermediate layer 420 to the back surface 302 in the thickness direction of the base material 300. The rear-surface-side cathode through wiring has an end face on the intermediate layer 420 side covered with the cathode relay wiring 421, and an end face on the back face 302 side is covered with the cathode mounting electrode 432. The plurality of front surface cathode through wires 451 and the plurality of back surface side cathode through wires are electrically connected to each other via the cathode relay wire 421 of the intermediate layer 420. The bypass anode penetrating wiring penetrates the base material 300 from the surface 301 to the intermediate layer 420 similarly to the front-side cathode penetrating wiring 451. The bypass anode through wiring has an end face on the surface 301 side covered by the bypass anode pad 414, and an end face on the intermediate layer 420 side covered by the cathode relay wiring 421.

基材３００の最上面には、２つのテスト電極４６０が形成されている。これらのテスト電極４６０は、複数のアノードパッド４１１および複数のカソードパッド４１２と導通している。半導体発光装置１０１の製造工程においては、テスト用の電源プローブを２つのテスト電極４６０に接触させることにより、ＬＥＤチップ５００の点灯テストを行うことができる。   On the uppermost surface of the substrate 300, two test electrodes 460 are formed. These test electrodes 460 are electrically connected to the plurality of anode pads 411 and the plurality of cathode pads 412. In the manufacturing process of the semiconductor light emitting device 101, a lighting test of the LED chip 500 can be performed by bringing a power probe for testing into contact with the two test electrodes 460.

半導体発光装置１０１の光源となる複数のＬＥＤチップ５００のそれぞれは、以下のように構成されている。まず、図１４に示すようにたとえばサファイアからなる基板５０１上に、たとえばＧａＮ系半導体からなるｎ型半導体層５０２が積層されている。さらに、ｎ型半導体層５０２上に活性層５０３が積層されている。活性層５０３は、たとえばＧａＮ系半導体からなる複数の層が積層された多重量子井戸構造とされている。ｐ型半導体層５０４は、活性層５０３上に積層されており、たとえはＧａＮ系半導体からなる。アノード電極５０５は、ｐ型半導体層５０４上に積層されており、たとえばＡｌ，Ａｕ，Ａｇ等の金属からなる。カソード電極５０６は、ｐ型半導体層５０４および活性層５０３をエッチングにより取り除くことによって露出したｎ型半導体層５０２上に積層されており、たとえばＡｌ，Ａｕ，Ａｇ等の金属からなる。   Each of the plurality of LED chips 500 serving as a light source of the semiconductor light emitting device 101 is configured as follows. First, as shown in FIG. 14, an n-type semiconductor layer 502 made of, for example, a GaN-based semiconductor is laminated on a substrate 501 made of, for example, sapphire. Further, an active layer 503 is stacked on the n-type semiconductor layer 502. The active layer 503 has a multiple quantum well structure in which a plurality of layers made of, for example, a GaN-based semiconductor are stacked. The p-type semiconductor layer 504 is stacked on the active layer 503, and is made of, for example, a GaN-based semiconductor. The anode electrode 505 is laminated on the p-type semiconductor layer 504 and is made of, for example, a metal such as Al, Au, and Ag. The cathode electrode 506 is stacked on the n-type semiconductor layer 502 exposed by removing the p-type semiconductor layer 504 and the active layer 503 by etching, and is made of a metal such as Al, Au, Ag, or the like.

個々のＬＥＤチップ５００は、それぞれが製造されたのちに、上下を反転させたいわゆるフリップチップと称される実装形態で、アノードパッド４１１およびカソードパッド４１２に実装されている。詳細には、アノード電極５０５は、接合部５１０を介してアノードパッド４１１に接続されており、カソード電極５０６は、接合部５１０を介してカソードパッド４１２に接続されている。このような構成のＬＥＤチップ５００からは、たとえば青色光が発せられる。   After each LED chip 500 is manufactured, it is mounted on the anode pad 411 and the cathode pad 412 in a so-called flip-chip mounting form in which the LED chips 500 are turned upside down. Specifically, the anode electrode 505 is connected to the anode pad 411 via the joint 510, and the cathode electrode 506 is connected to the cathode pad 412 via the joint 510. For example, blue light is emitted from the LED chip 500 having such a configuration.

ツェナーダイオード６００は、ＬＥＤチップ５００に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのバイパス機能素子であり、本実施形態においては、バイパスカソードパッド４１３にダイボンディングされており、バイパスカソードパッド４１３に導通している。またツェナーダイオード６００とバイパスアノードパッド４１４とは、ワイヤ６１０によって接続されている。ツェナーダイオード６００、バイパスカソードパッド４１３、およびバイパスアノードパッド４１４は、せき止め凹部３０６内に形成されている。なお、ツェナーダイオード６００に代えて、逆電圧印加を回避するバイパス機能素子として、バリスタ素子やＥＳＤ（Electro Static Discharge）保護素子を用いてもよい。   The Zener diode 600 is a bypass functional element for preventing an excessive reverse voltage from being applied to the LED chip 500. In the present embodiment, the Zener diode 600 is die-bonded to the bypass cathode pad 413, and It is conducting. Zener diode 600 and bypass anode pad 414 are connected by wire 610. Zener diode 600, bypass cathode pad 413, and bypass anode pad 414 are formed in damming recess 306. Note that, instead of the Zener diode 600, a varistor element or an ESD (Electro Static Discharge) protection element may be used as a bypass function element that avoids application of a reverse voltage.

反射樹脂７１０は、たとえばシリコーン樹脂に酸化チタンが混入された材料からなり、鮮やかな白色を呈する。図１１および図１３に示すように、反射樹脂７１０は、内縁７１２、外縁７１３、および反射面７１１を有している。内縁７１２は、複数のＬＥＤチップ５００から離間した位置において、これらを囲んでいる。外縁７１３は、内壁面３０５と接している。反射面７１１は、内縁７１２と外縁７１３とを繋ぐ面であり、内縁７１２から外縁７１３に向かうほど表面３０１からの高さが高い傾斜面とされている。内縁７１２は、表面３０１に接している。また、表面３０１から外縁７１３までの高さａは、表面３０１からＬＥＤチップ５００の活性層５０３までの高さｂよりも高い。反射樹脂７１０は、ツェナーダイオード６００、バイパスカソードパッド４１３、バイパスアノードパッド４１４、およびワイヤ６１０を覆っている。内縁７１２の一部は、せき止め凹部３０６の端縁の一部と一致している。反射樹脂７１０は、たとえば適度な粘性を有する樹脂材料を表面３０１およびせき止め凹部３０６に付着させることによって形成できる。この樹脂材料の流動および表面張力によって、上述した反射樹脂７１０の形状が実現される。   The reflection resin 710 is made of, for example, a material in which titanium oxide is mixed in a silicone resin, and has a bright white color. As shown in FIGS. 11 and 13, the reflective resin 710 has an inner edge 712, an outer edge 713, and a reflective surface 711. The inner edge 712 surrounds the plurality of LED chips 500 at a position separated from them. The outer edge 713 is in contact with the inner wall surface 305. The reflection surface 711 is a surface that connects the inner edge 712 and the outer edge 713, and is an inclined surface whose height from the surface 301 increases from the inner edge 712 toward the outer edge 713. Inner edge 712 is in contact with surface 301. The height a from the surface 301 to the outer edge 713 is higher than the height b from the surface 301 to the active layer 503 of the LED chip 500. The reflective resin 710 covers the Zener diode 600, the bypass cathode pad 413, the bypass anode pad 414, and the wire 610. A part of the inner edge 712 coincides with a part of the edge of the damming recess 306. The reflection resin 710 can be formed, for example, by attaching a resin material having an appropriate viscosity to the surface 301 and the damming recess 306. The shape of the reflective resin 710 described above is realized by the flow and the surface tension of the resin material.

封止樹脂７００は、ケース２００の収容凹部３０３を埋めており、複数のＬＥＤチップ５００および反射樹脂７１０を覆っている。封止樹脂７００は、透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂に蛍光材料が混入された材質からなる。この蛍光材料は、ＬＥＤチップ５００からの青色光によって励起されることにより、たとえば黄色光を発する。この黄色光と青色光とが混色されることにより、半導体発光装置１０１からは白色光が出射される。   The sealing resin 700 fills the housing recess 303 of the case 200 and covers the plurality of LED chips 500 and the reflective resin 710. The sealing resin 700 is made of a material in which a fluorescent material is mixed in a transparent epoxy resin or silicone resin. This fluorescent material emits, for example, yellow light when excited by blue light from the LED chip 500. By mixing the yellow light and the blue light, white light is emitted from the semiconductor light emitting device 101.

次に、半導体発光装置１０１の作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor light emitting device 101 will be described.

本実施形態によれば、図１３に示すように、ＬＥＤチップ５００と内壁面３０５との間には、反射面７１１が存在する。反射面７１１は、ＬＥＤチップ５００側の内縁７１２から内壁面３０５と接する外縁７１３に向かって、表面３０１からの高さが徐々に高くなるように傾斜している。これにより、ＬＥＤチップ５００から側方に出射した光を図中上方へと適切に向かわせることができる。また、反射面７１１は、収容凹部３０３内に設けた反射樹脂７１０によって構成されている。このため、反射樹脂７１０を設けることによっては、ケース２００のサイズを大きくする必要がない。したがって、半導体発光装置１０１の高輝度化と小型化とを図ることができる。   According to the present embodiment, as shown in FIG. 13, the reflection surface 711 exists between the LED chip 500 and the inner wall surface 305. The reflection surface 711 is inclined such that the height from the surface 301 gradually increases from the inner edge 712 on the LED chip 500 side to the outer edge 713 in contact with the inner wall surface 305. Thereby, the light emitted laterally from the LED chip 500 can be appropriately directed upward in the drawing. The reflection surface 711 is made of a reflection resin 710 provided in the accommodation recess 303. Therefore, it is not necessary to increase the size of the case 200 by providing the reflective resin 710. Therefore, high brightness and small size of the semiconductor light emitting device 101 can be achieved.

反射樹脂７１０は、基材３００の材料であるセラミックよりも反射率が高い材料からなる。これにより、ＬＥＤチップ５００からの光が反射面７１１によって反射されるときの減衰を抑制することができる。反射樹脂７１０の材料として、白色樹脂を用いることは、反射による減衰を抑制するのに好適である。   The reflection resin 710 is made of a material having a higher reflectance than the ceramic that is the material of the base material 300. Thus, attenuation when light from the LED chip 500 is reflected by the reflection surface 711 can be suppressed. The use of a white resin as the material of the reflective resin 710 is suitable for suppressing attenuation due to reflection.

活性層５０３は、ＬＥＤチップ５００における発光部位である。図１３および図１５に示すように、表面３０１から外縁７１３までの高さａは、表面３０１から活性層５０３までの高さｂよりも高い。このため、活性層５０３から側方に出射された光の正面には、反射面７１１が位置している。したがって、活性層５０３から側方に出射された光を上方へと効率よく反射することができる。   The active layer 503 is a light emitting portion in the LED chip 500. As shown in FIGS. 13 and 15, the height a from the surface 301 to the outer edge 713 is higher than the height b from the surface 301 to the active layer 503. Therefore, the reflection surface 711 is located in front of the light emitted laterally from the active layer 503. Therefore, light emitted laterally from the active layer 503 can be efficiently reflected upward.

内壁面３０５が表面３０１に対して直角であることは、ケース２００の小型化に有利である。   The fact that the inner wall surface 305 is perpendicular to the surface 301 is advantageous for downsizing the case 200.

一般的に、ツェナーダイオード６００は、白色樹脂からなる反射樹脂７１０と比べてより多くの光を吸収する。このツェナーダイオード６００を反射樹脂７１０によって覆うことにより、ＬＥＤチップ５００からの光がツェナーダイオード６００に吸収されることを防止可能であり、半導体発光装置１０１の高輝度化をさらに促進することができる。せき止め凹部３０６にツェナーダイオード６００を配置することにより、反射樹脂７１０を形成する際に、液状あるいはペースト状の樹脂材料をせき止め凹部３０６に付着させると、この樹脂材料によってツェナーダイオード６００を適切に覆いつつ、内縁７１２がせき止め凹部３０６の端縁を超えることを表面張力によって回避することができる。これは、高輝度化を図る一方、反射樹脂７１０がＬＥＤチップ５００のたとえば活性層５０３に付着してしまうことを防止するのに適している。   Generally, the Zener diode 600 absorbs more light than the reflective resin 710 made of white resin. By covering the Zener diode 600 with the reflective resin 710, it is possible to prevent the light from the LED chip 500 from being absorbed by the Zener diode 600, and it is possible to further enhance the brightness of the semiconductor light emitting device 101. By arranging the Zener diode 600 in the damming recess 306, when a liquid or paste-like resin material is adhered to the damping recess 306 when forming the reflective resin 710, the Zener diode 600 is appropriately covered with the resin material. The inner edge 712 can be prevented from exceeding the edge of the damming recess 306 by surface tension. This is suitable for preventing the reflective resin 710 from adhering to, for example, the active layer 503 of the LED chip 500 while increasing the luminance.

図１５〜図２２は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、前記実施形態と同一または類似の要素には、前記実施形態と同一の符号を付している。   15 to 22 show another embodiment of the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the above-described embodiment.

図１５および図１６は、本発明の第４実施形態に基づく半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０２は、せき止め凹部３０６の構成が上述した実施形態と異なっている。   FIGS. 15 and 16 show a semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention. The semiconductor light emitting device 102 of the present embodiment is different from the above embodiment in the structure of the damming recess 306.

本実施形態においては、せき止め凹部３０６は、包囲部３０７および突出部３０８を有している。包囲部３０７は、内壁面３０５に沿った環状であり、複数のＬＥＤチップ５００を囲んでいる。突出部３０８は、包囲部３０７から互いに隣り合うＬＥＤチップ５００どうしの間に突出している。突出部３０８の先端よりもケース２００の中央寄り領域には、１つのＬＥＤチップ５００が配置されている。   In the present embodiment, the damming recess 306 has a surrounding portion 307 and a projecting portion 308. The surrounding portion 307 is annular along the inner wall surface 305 and surrounds the plurality of LED chips 500. The protruding portion 308 protrudes from the surrounding portion 307 between the LED chips 500 adjacent to each other. One LED chip 500 is arranged in a region closer to the center of the case 200 than the tip of the protrusion 308.

本実施形態においては、反射樹脂７１０の内縁７１２すべてが、せき止め凹部３０６の端縁と一致している。すなわち、反射樹脂７１０は、表面３０１から退避した位置に設けられている。   In the present embodiment, the entire inner edge 712 of the reflective resin 710 coincides with the edge of the damming recess 306. That is, the reflective resin 710 is provided at a position retracted from the surface 301.

このような実施形態によっても、半導体発光装置１０２の高輝度化と小型化をと図ることができる。また、せき止め凹部３０６に包囲部３０７を設けることにより、反射樹脂７１０の内縁７１２をＬＥＤチップ５００に対してより近い位置に設けるとともに、反射樹脂７１０を形成する際に誤ってＬＥＤチップ５００に樹脂材料が付着してしまうことを防止することができる。突出部３０８を設けることにより、隣り合うＬＥＤチップ５００どうしに挟まれたスペースに、反射樹脂７１０を適切に形成することができる。反射面７１１のうち突出部３０８によって延長された部分は、中央に位置するＬＥＤチップ５００からの光を効率よく反射することができる。   According to such an embodiment, the semiconductor light emitting device 102 can achieve high luminance and small size. Further, by providing the surrounding portion 307 in the damming recess 306, the inner edge 712 of the reflective resin 710 is provided at a position closer to the LED chip 500, and the resin material is erroneously applied to the LED chip 500 when the reflective resin 710 is formed. Can be prevented from adhering. By providing the protruding portion 308, the reflective resin 710 can be appropriately formed in a space between the adjacent LED chips 500. The portion of the reflection surface 711 extended by the protrusion 308 can efficiently reflect light from the LED chip 500 located at the center.

図１７および図１８は、本発明の第５実施形態に基づく半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０３は、主にＬＥＤチップ５００の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、図１９に示すように、ＬＥＤチップ５００は、アノード電極５０５およびカソード電極５０６が上面側に形成されている。そして、これらのアノード電極５０５およびカソード電極５０６にワイヤ５５０が接続されている。このようなＬＥＤチップ５００は、いわゆる２ワイヤタイプと称される。   17 and 18 show a semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention. The semiconductor light emitting device 103 of the present embodiment is different from the above embodiment mainly in the configuration of the LED chip 500. In the present embodiment, as shown in FIG. 19, the LED chip 500 has an anode electrode 505 and a cathode electrode 506 formed on the upper surface side. A wire 550 is connected to the anode electrode 505 and the cathode electrode 506. Such an LED chip 500 is called a so-called two-wire type.

図１７に示すように、収容凹部３０３は、平面視円形状である。表面３０１には、複数のダイボンディングパッド４１７が形成されている。ダイボンディングパッド４１７には、ＬＥＤチップ５００がダイボンディングされている。複数のダイボンディングパッド４１７を挟んで、複数のアノードパッド４１１と複数のカソードパッド４１２が配置されている。各アノードパッド４１１および各カソードパッド４１２には、ワイヤ５５０が接続されている。   As shown in FIG. 17, the accommodation recess 303 has a circular shape in plan view. A plurality of die bonding pads 417 are formed on the front surface 301. The LED chip 500 is die-bonded to the die bonding pad 417. A plurality of anode pads 411 and a plurality of cathode pads 412 are arranged with the plurality of die bonding pads 417 therebetween. A wire 550 is connected to each anode pad 411 and each cathode pad 412.

反射樹脂７１０は、複数のアノードパッド４１１および複数のカソードパッド４１２を覆っている。また、ワイヤ５５０は、複数のアノードパッド４１１および複数のカソードパッド４１２側の部分が反射樹脂７１０によって覆われている。内縁７１２は、複数のＬＥＤチップ５００および複数のダイボンディングパッド４１７から離間した位置においてこれらを囲んでいる。ツェナーダイオード６００、ワイヤ６１０も、反射樹脂７１０に覆われている。   The reflective resin 710 covers the plurality of anode pads 411 and the plurality of cathode pads 412. In addition, the wire 550 has portions on the side of the plurality of anode pads 411 and the plurality of cathode pads 412 covered with the reflective resin 710. The inner edge 712 surrounds the plurality of LED chips 500 and the plurality of die bonding pads 417 at positions separated therefrom. The Zener diode 600 and the wire 610 are also covered with the reflective resin 710.

このような実施形態によっても、半導体発光装置１０３の高輝度化と小型化をと図ることができる。また、アノードパッド４１１およびカソードパッド４１２は、ＬＥＤチップ５００に対して外側に配置されている。このため、２ワイヤタイプであるＬＥＤチップ５００に接続されたワイヤ５５０は、いずれもＬＥＤチップ５００に対して外側に延びる。ワイヤ５５０のうちアノードパッド４１１およびカソードパッド４１２にボンディングされた部分およびその近傍部分は、反射樹脂７１０を形成する際に、表面張力によって樹脂材料を引き寄せる機能を果たす。これにより、樹脂材料をＬＥＤチップ５００に対して外側に滞留させることができる。   According to such an embodiment as well, it is possible to achieve high brightness and small size of the semiconductor light emitting device 103. Further, the anode pad 411 and the cathode pad 412 are arranged outside the LED chip 500. Therefore, any of the wires 550 connected to the two-wire type LED chip 500 extends outward with respect to the LED chip 500. A portion of the wire 550 bonded to the anode pad 411 and the cathode pad 412 and a portion in the vicinity thereof have a function of attracting a resin material by surface tension when forming the reflective resin 710. This allows the resin material to stay outside the LED chip 500.

図２０および図２１は、本発明の第６実施形態に基づく半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０４は、主に、ケース２００の全体構成、ＬＥＤチップ５００の構造が、上述した実施形態と異なっている。   FIGS. 20 and 21 show a semiconductor light emitting device according to the sixth embodiment of the present invention. The semiconductor light emitting device 104 of the present embodiment is different from the above embodiment mainly in the overall configuration of the case 200 and the structure of the LED chip 500.

本実施形態においては、図２２に示すように、ＬＥＤチップ５００は、たとえばＳｉからなるサブマウント基板５０７と、基板５０１、たとえばＧａＮからなるｎ型半導体層５０２、活性層５０３およびｐ型半導体層５０４が積層された半導体層とを有する構造とされており、たとえば青色光を発する。前記半導体層には、サブマウント基板５０７側にアノード電極５０５およびカソード電極５０６が形成されている。これらのアノード電極５０５およびカソード電極５０６は、サブマウント基板５０７に形成された配線パターン（図示略）に導電性ペースト５１１によって接合されている。サブマウント基板５０７には２つの電極（図示略）が形成されている。これらの電極には、２つのワイヤ５５０それぞれの一端がボンディングされている。図２０および図２１に示すように、一方のワイヤ５５０の他端は、アノードパッド４１１にボンディングされており、他方のワイヤ５５０の他端は、カソードパッド４１２にボンディングされている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 22, the LED chip 500 includes a submount substrate 507 made of, for example, Si, a substrate 501, an n-type semiconductor layer 502 made of, for example, GaN, an active layer 503, and a p-type semiconductor layer 504. And a semiconductor layer in which blue light is emitted, for example. On the semiconductor layer, an anode electrode 505 and a cathode electrode 506 are formed on the submount substrate 507 side. The anode electrode 505 and the cathode electrode 506 are joined to a wiring pattern (not shown) formed on the submount substrate 507 by a conductive paste 511. Two electrodes (not shown) are formed on the submount substrate 507. One end of each of two wires 550 is bonded to these electrodes. As shown in FIGS. 20 and 21, the other end of one wire 550 is bonded to anode pad 411, and the other end of other wire 550 is bonded to cathode pad 412.

基材３００は、平面視長矩形状とされており、収容凹部３０３も長矩形状である。本実施形態においては、内壁面３０５が表面３０１と直角である方向に対して傾いている。反射樹脂７１０は、表面３０１のうちＬＥＤチップ５００のサブマウント基板５０７が接合された部分以外の領域を覆っている。反射樹脂７１０の内縁７１２は、サブマウント基板５０７に接している。アノードパッド４１１は、収容凹部３０３のほとんどを占める平面視寸法とされている。複数のＬＥＤチップ５００は、アノードパッド４１１にダイボンディングされている。ツェナーダイオード６００、およびワイヤ６１０は、反射樹脂７１０に覆われている。なお、サブマウント基板５０７に、本発明でいうバイパス機能素子が作りこまれた構成としてもよい。   The base material 300 has a rectangular shape in plan view, and the accommodation concave portion 303 also has a rectangular shape. In the present embodiment, the inner wall surface 305 is inclined with respect to a direction perpendicular to the surface 301. The reflective resin 710 covers a region of the surface 301 other than the portion where the submount substrate 507 of the LED chip 500 is bonded. An inner edge 712 of the reflective resin 710 is in contact with the submount substrate 507. The anode pad 411 has a size in plan view that occupies most of the housing recess 303. The plurality of LED chips 500 are die-bonded to the anode pads 411. Zener diode 600 and wire 610 are covered with reflective resin 710. Note that the sub-mount substrate 507 may have a configuration in which the bypass functional element according to the present invention is formed.

基材３００の側面には、アノード側面配線４６１およびカソード側面配線４６２が形成されている。アノード側面配線４６１は、アノードパッド４１１とアノード実装電極４３１とに繋がっている。カソード側面配線４６２は、カソードパッド４１２とカソード実装電極４３２とに繋がっている。   An anode side surface wiring 461 and a cathode side surface wiring 462 are formed on the side surface of the base material 300. The anode side wiring 461 is connected to the anode pad 411 and the anode mounting electrode 431. The cathode side wiring 462 is connected to the cathode pad 412 and the cathode mounting electrode 432.

このような実施形態によっても、半導体発光装置１０４の高輝度化と小型化とを図ることができる。収容凹部３０３内のほとんどを反射樹脂７１０によって覆うことにより、高輝度化をより促進することができる。サブマウント基板５０７は、表面３０１から確実に盛り上がった部位となっている。これにより、反射樹脂７１０を形成する際に、樹脂材料が活性層５０３へとはみ出ることを抑制することができる。サブマウント基板５０７は発光する部位ではないため、半導体発光装置１０４の高輝度化を阻害することはない。   According to such an embodiment, the semiconductor light emitting device 104 can achieve high brightness and small size. By covering most of the inside of the housing recess 303 with the reflective resin 710, higher brightness can be further promoted. The sub-mount substrate 507 is a portion that surely rises from the surface 301. This can prevent the resin material from protruding into the active layer 503 when the reflective resin 710 is formed. Since the submount substrate 507 is not a light-emitting portion, it does not hinder the semiconductor light-emitting device 104 from increasing the brightness.

なお、半導体発光装置１０４の変形例として、配線４００がたとえばＣｕやＦｅおよびこれらの合金からなる板状のリードによって形成された構成としてもよい。具体的には、カソードパッド４１２、カソード側面配線４６２、およびカソード実装電極４３２に相当する部位を有するリードと、アノードパッド４１１、アノード側面配線４６１、アノード実装電極４３１に相当する部位を有するリードとを用いる。また、この変形例においては、基材３００のうち内壁面３０５を構成する部分を熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂によって形成することが好ましい。   Note that, as a modified example of the semiconductor light emitting device 104, a configuration in which the wiring 400 is formed by plate-shaped leads made of, for example, Cu, Fe, or an alloy thereof may be used. Specifically, a lead having a portion corresponding to the cathode pad 412, the cathode side wiring 462, and the cathode mounting electrode 432, and a lead having a portion corresponding to the anode pad 411, the anode side wiring 461, and the anode mounting electrode 431. Used. Further, in this modified example, it is preferable that a portion constituting the inner wall surface 305 of the base material 300 is formed of a thermosetting resin or a thermoplastic resin.

図２３〜図２５を用いて、本発明の第７実施形態について説明する。   A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

同図に示す半導体発光装置１０５は、図２５の充填部８００を備える点において、半導体発光装置１０１における構成と主に異なる。具体的には以下のとおりである。   The semiconductor light emitting device 105 shown in the figure mainly differs from the structure of the semiconductor light emitting device 101 in that the semiconductor light emitting device 105 includes the filling portion 800 of FIG. The details are as follows.

半導体発光装置１０１の説明では省略したが、実際には、アノード貫通配線４４０やカソード貫通配線４５０には、基材３００の裏面３０２側に凹む凹部が形成される場合が多い。このような凹部は基材３００を焼成する際に形成される。図２５に、アノード貫通配線４４０のうちの全厚アノード貫通配線４４１に形成された凹部４４９を示している。本実施形態においては、図２３、図２４に示すように、全厚アノード貫通配線４４１に重なる位置に、複数のＬＥＤチップ５００がそれぞれ配置されている。   Although omitted in the description of the semiconductor light emitting device 101, in practice, the anode penetrating wiring 440 and the cathode penetrating wiring 450 often have a concave portion that is formed on the back surface 302 side of the base material 300. Such a concave portion is formed when the substrate 300 is fired. FIG. 25 shows a concave portion 449 formed in the full thickness anode through wiring 441 of the anode through wiring 440. In the present embodiment, as shown in FIGS. 23 and 24, a plurality of LED chips 500 are respectively arranged at positions overlapping the full-thickness anode through wiring 441.

なお、本実施形態においては、一つのＬＥＤチップ５００と重なる位置に全厚アノード貫通配線４４１が３つ形成されているが、一つのＬＥＤチップ５００に重なる全厚アノード貫通配線４４１の個数は３つに限られず、１つや２つでもよいし、４つ以上でもよい。全厚アノード貫通配線４４１の数が多いと、ＬＥＤチップ５００からの熱をより効率良くアノード実装電極４３１に伝えることができる。このことは、半導体発光装置１０５の放熱性向上の観点から好ましい。また、全厚アノード貫通配線４４１の数が多いことは、表面層４１０（アノードパッド４１１）とアノード実装電極４３１との間の電気抵抗を減少させるのに適する。   In the present embodiment, three full-thick anode through wirings 441 are formed at positions overlapping one LED chip 500, but the number of full-thick anode through wirings 441 overlapping one LED chip 500 is three. The number is not limited to one, but may be one, two, or four or more. When the number of full-thickness anode through wirings 441 is large, heat from the LED chip 500 can be transmitted to the anode mounting electrode 431 more efficiently. This is preferable from the viewpoint of improving the heat dissipation of the semiconductor light emitting device 105. Further, the large number of the through-thickness anode through-wirings 441 is suitable for reducing the electric resistance between the surface layer 410 (the anode pad 411) and the anode mounting electrode 431.

凹部４４９を規定する表面は表面層４１０に覆われている。表面層４１０は全体にわたってほぼ均一な厚さである。そのため、表面層４１０にも凹部４１９が形成されている。図２５に示す凹部４１９は、表面層４１０のうちアノードパッド４１１に形成されている。凹部４１９は、基材３００の裏面３０２側に凹んでいる。凹部４１９は、基材３００の厚さ方向視において凹部４４９に重なる。そのため図２５では、凹部４１９は凹部４４９の真上に位置している。なお特に図示しないが、本実施形態において表面層４１０は、Ｎｉよりなる層と、Ａｕよりなる層とが積層された構造を有する。Ｎｉよりなる層は、Ａｕよりなる層および基材３００の間に介在している。   The surface defining the recess 449 is covered with the surface layer 410. The surface layer 410 has a substantially uniform thickness throughout. Therefore, the concave portion 419 is also formed in the surface layer 410. The recess 419 shown in FIG. 25 is formed in the anode pad 411 of the surface layer 410. The recess 419 is recessed toward the back surface 302 of the base material 300. The concave portion 419 overlaps the concave portion 449 when viewed in the thickness direction of the base material 300. Therefore, in FIG. 25, the concave portion 419 is located immediately above the concave portion 449. Although not particularly shown, in this embodiment, the surface layer 410 has a structure in which a layer made of Ni and a layer made of Au are stacked. The layer made of Ni is interposed between the layer made of Au and the substrate 300.

充填部８００は凹部４１９に充填されている。充填部８００は、表面層４１０および接合部５１０に接している。充填部８００は、導電性の材料よりなっていてもよいし、絶縁性の材料よりなっていてもよい。本実施形態では、充填部８００は導電性の材料よりなる。充填部８００を構成する導電性の材料としては、たとえば、ＡｕとＳｎとの合金が挙げられる。充填部８００は、接合部５１０を介してＬＥＤチップ５００を表面層４１０に配置する前に形成される。充填部８００の形成は、たとえば、凹部４１９にペーストを塗布することにより行う。   The filling section 800 is filled in the recess 419. The filling section 800 is in contact with the surface layer 410 and the joining section 510. The filling portion 800 may be made of a conductive material or may be made of an insulating material. In the present embodiment, the filling section 800 is made of a conductive material. Examples of the conductive material forming the filling section 800 include an alloy of Au and Sn. The filling portion 800 is formed before the LED chip 500 is disposed on the surface layer 410 via the bonding portion 510. The filling section 800 is formed, for example, by applying a paste to the recess 419.

本実施形態においても接合部５１０は、複数のＬＥＤチップ５００のいずれか一つと、表面層４１０との間に介在している。接合部５１０は、各ＬＥＤチップ５００を表面層４１０に接合するためのものである。接合部５１０は、導電性の材料よりなっていてもよいし、絶縁性の材料よりなっていてもよい。本実施形態では、接合部５１０は導電性の材料よりなる。接合部５１０を構成する導電性の材料としては、たとえば、ＡｕとＳｎとの合金が挙げられる。本実施形態とは異なり、接合部５１０を構成する導電性の材料は、銀ペーストやハンダであってもよい。   Also in the present embodiment, the bonding portion 510 is interposed between any one of the plurality of LED chips 500 and the surface layer 410. The bonding section 510 is for bonding each LED chip 500 to the surface layer 410. The joint 510 may be made of a conductive material or an insulating material. In the present embodiment, the joint 510 is made of a conductive material. An example of the conductive material forming the bonding portion 510 is an alloy of Au and Sn. Unlike the present embodiment, the conductive material forming the joint 510 may be silver paste or solder.

半導体発光装置１０５によると、ＬＥＤチップ５００を基材３００に配置する前に、充填部８００を凹部４１９に形成することで、ＬＥＤチップ５００が配置されるべき部位の表面をより平坦にすることができる。そのため、全厚アノード貫通配線４４１に基材３００の厚さ方向視において重なる位置にＬＥＤチップ５００を配置したとしても、ＬＥＤチップ５００が凹部４１９にはまり込まないから、ＬＥＤチップ５００を配置する際にＬＥＤチップ５００の姿勢が崩れることを防止できる。したがって、半導体発光装置１０５の製造上の歩留まりの向上を図ることができる。   According to the semiconductor light emitting device 105, before the LED chip 500 is arranged on the base material 300, the filling portion 800 is formed in the concave portion 419, so that the surface of the portion where the LED chip 500 is to be arranged can be made flatter. it can. Therefore, even if the LED chip 500 is arranged at a position overlapping the full thickness anode through wiring 441 when viewed in the thickness direction of the base material 300, the LED chip 500 does not fit into the concave portion 419. It is possible to prevent the posture of the LED chip 500 from being lost. Therefore, the production yield of the semiconductor light emitting device 105 can be improved.

なお、図２５では、アノード貫通配線４４０に凹部４４９が形成されており、表面層４１０のうちのアノードパッド４１１に凹部４１９が形成されている例を示した。図２５に示したのと異なり、図２６に示すように、カソード貫通配線４５０に凹部４５９が形成されており、この凹部４５９と基材３００の厚さ方向視において重なる位置に凹部４１９が形成されている場合も考えられる。この場合に、凹部４１９に充填部８００を形成し、カソード貫通配線４５０と基材３００の厚さ方向視において重なる位置に、ＬＥＤチップ５００を配置してもよい。   FIG. 25 shows an example in which a concave portion 449 is formed in the anode penetrating wiring 440 and a concave portion 419 is formed in the anode pad 411 of the surface layer 410. Unlike FIG. 25, as shown in FIG. 26, a concave portion 459 is formed in the cathode through wiring 450, and a concave portion 419 is formed at a position overlapping the concave portion 459 in the thickness direction of the base material 300. It is also conceivable. In this case, the filling portion 800 may be formed in the concave portion 419, and the LED chip 500 may be arranged at a position where the cathode penetrating wiring 450 and the base material 300 overlap with each other in the thickness direction.

また、半導体発光装置１０２や１０３にて半導体発光装置１０５の構成を採用してもよい。   Further, the configuration of the semiconductor light emitting device 105 may be employed in the semiconductor light emitting devices 102 and 103.

本発明にかかる半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明にかかる半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The semiconductor light emitting device according to the present invention is not limited to the above embodiment. The specific configuration of each part of the semiconductor light emitting device according to the present invention can be variously changed in design.

複数のＬＥＤチップの個数は、５個に限定されず、いずれの個数であってもよい。   The number of the plurality of LED chips is not limited to five, and may be any number.

Ａ１，Ａ２：半導体発光装置
２：ケース
３：基材
３１：表面
３２：裏面
３３：収容凹部
３４：コーナー凹部
４：配線
４１：表面層
４１ａ：アノードパッド
４１ｂ：カソードパッド
４１ｃ：バイパスカソードパッド
４１ｄ：バイパスアノードパッド
４１ｅ：アノードメッキ配線
４１ｆ：カソードメッキ配線
４１ｈ：凹部（第２凹部）
４２：中間層
４２ａ：カソード中継配線
４３：裏面層
４３ａ：アノード実装電極
４３ｂ：カソード実装電極
４４：アノード貫通配線
４４ａ：全厚アノード貫通配線
４４ｂ：メッキ用アノード貫通配線
４４ｃ：バイパスカソード貫通配線
４４ｈ：凹部（第１凹部）
４５：カソード貫通配線
４５ａ：表面側カソード貫通配線
４５ｂ：裏面側カソード貫通配線
４５ｃ：メッキ用カソード貫通配線
４５ｄ：バイパスアノード貫通配線
４５ｈ：凹部（第１凹部）
５：ＬＥＤチップ
５ａ：基板
５ｂ：ｎ型半導体層
５ｃ：活性層
５ｄ：ｐ型半導体層
５ｅ：アノード電極
５ｆ：カソード電極
５１：接合部
６：ツェナーダイオード
６１：ワイヤ
７：封止樹脂
８：充填部
９：半導体発光装置
９１：基材
９２：リード
９３：ＬＥＤチップ
９４：半導体層
９５：サブマウント基板
９６：ワイヤ
９７：封止樹脂
ａ，ｂ：高さ
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５：半導体発光装置
２００：ケース
３００：基材
３０１：表面
３０２：裏面
３０３：収容凹部
３０４：コーナー凹部
３０５：内壁面
３０６：せき止め凹部
３０７：包囲部
３０８：突出部
４００：配線
４１０：表面層
４１１：アノードパッド
４１２：カソードパッド
４１３：バイパスカソードパッド
４１４：バイパスアノードパッド
４１７：ダイボンディングパッド
４１９：凹部（第２凹部）
４２０：中間層
４２１：カソード中継配線
４３０：裏面層
４３１：アノード実装電極
４３２：カソード実装電極
４４０：アノード貫通配線
４４１：全厚アノード貫通配線
４４３：バイパスカソード貫通配線
４４９：凹部（第１凹部）
４５０：カソード貫通配線
４５１：表面側カソード貫通配線
４５９：凹部（第１凹部）
４６０：テスト電極
４６１：アノード側面配線
４６２：カソード側面配線
５００：ＬＥＤチップ
５０１：基板
５０２：ｎ型半導体層
５０３：活性層
５０４：ｐ型半導体層
５０５：アノード電極
５０６：カソード電極
５０７：サブマウント基板
５１０：接合部
５１１：導電性ペースト
５５０：ワイヤ
６００：ツェナーダイオード（バイパス機能素子）
６１０：ワイヤ
７００：封止樹脂
７１０：反射樹脂
７１１：反射面
７１２：内縁
７１３：外縁
８００：充填部 A1, A2: Semiconductor light emitting device 2: Case 3: Base material 31: Front surface 32: Back surface 33: Housing recess 34: Corner recess 4: Wiring 41: Surface layer 41a: Anode pad 41b: Cathode pad 41c: Bypass cathode pad 41d: Bypass anode pad 41e: anode plating wiring 41f: cathode plating wiring 41h: recess (second recess)
42: Intermediate layer 42a: Cathode relay wiring 43: Backside layer 43a: Anode mounting electrode 43b: Cathode mounting electrode 44: Anode through wiring 44a: Full thickness anode through wiring 44b: Anode through wiring for plating 44c: Bypass cathode through wiring 44h: Recess (first recess)
45: cathode through wiring 45a: front side cathode through wiring 45b: back side cathode through wiring 45c: cathode through wiring for plating 45d: bypass anode through wiring 45h: recess (first recess)
5: LED chip 5a: Substrate 5b: N-type semiconductor layer 5c: Active layer 5d: P-type semiconductor layer 5e: Anode electrode 5f: Cathode electrode 51: Junction 6: Zener diode 61: Wire 7: Sealing resin 8: Filling Part 9: semiconductor light emitting device 91: base material 92: lead 93: LED chip 94: semiconductor layer 95: submount substrate 96: wire 97: sealing resin a, b: height 101, 102, 103, 104, 105: Semiconductor light emitting device 200: case 300: base material 301: front surface 302: back surface 303: housing recess 304: corner recess 305: inner wall surface 306: damming recess 307: surrounding portion 308: projecting portion 400: wiring 410: surface layer 411: anode Pad 412: Cathode pad 413: Bypass cathode pad 414: Bypass anode pad 417: die bonding pad 419: recess (second recess)
420: Intermediate layer 421: Cathode relay wiring 430: Backside layer 431: Anode mounting electrode 432: Cathode mounting electrode 440: Anode through wiring 441: Full thickness anode through wiring 443: Bypass cathode through wiring 449: Concave (first concave)
450: cathode through wiring 451: front side cathode through wiring 459: recess (first recess)
460: Test electrode 461: Anode side wiring 462: Cathode side wiring 500: LED chip 501: Substrate 502: N-type semiconductor layer 503: Active layer 504: P-type semiconductor layer 505: Anode electrode 506: Cathode electrode 507: Submount substrate 510: bonding part 511: conductive paste 550: wire 600: zener diode (bypass functional element)
610: wire 700: sealing resin 710: reflective resin 711: reflective surface 712: inner edge 713: outer edge 800: filling portion

Claims (15)

厚さ方向において互いに反対側を向く表面および底面と、前記表面および前記底面につながる側面と、を有する基板と、
前記表面に形成された第１導電部と、
前記表面に形成された第２導電部と、
前記基板の内部に形成され、かつ前記第１導電部につながる第３導電部と、
前記基板の内部に形成され、かつ前記第２導電部につながる第４導電部と、
前記底面に形成され、かつ前記第３導電部を介して前記第１導電部に導通する第５導電部と、
前記底面に形成され、かつ前記第４導電部を介して前記第２導電部に導通する第６導電部と、
前記表面に対向する裏面と、前記裏面に形成され、かつ前記第１導電部に電気的に接合されたアノード電極と、前記裏面に形成され、かつ前記第２導電部に電気的に接合されたカソード電極と、を有するとともに、前記表面に搭載されたＬＥＤチップと、を備え、
前記第３導電部と、前記第４導電部の一部と、が、前記側面に対して平行に沿って形成されていることを特徴とする、半導体発光装置。 A substrate having a surface and a bottom surface facing each other in the thickness direction, and a side surface connected to the surface and the bottom surface,
A first conductive portion formed on the surface;
A second conductive portion formed on the surface;
A third conductive portion formed inside the substrate and connected to the first conductive portion;
A fourth conductive portion formed inside the substrate and connected to the second conductive portion;
A fifth conductive portion formed on the bottom surface and electrically connected to the first conductive portion via the third conductive portion;
A sixth conductive portion formed on the bottom surface and electrically connected to the second conductive portion via the fourth conductive portion;
A back surface facing the front surface, an anode electrode formed on the back surface and electrically connected to the first conductive portion, and an anode electrode formed on the back surface and electrically connected to the second conductive portion; Having a cathode electrode, and an LED chip mounted on the surface,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the third conductive portion and a part of the fourth conductive portion are formed parallel to the side surface. 封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記表面に形成され、かつ前記ＬＥＤチップを覆うとともに、前記ＬＥＤチップから発せられる光を透過する、請求項１に記載の半導体発光装置。 Further comprising a sealing resin,
2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the sealing resin is formed on the surface, covers the LED chip, and transmits light emitted from the LED chip. 前記表面と前記封止樹脂との間に位置する反射樹脂をさらに備え、
前記反射樹脂は、前記厚さ方向に対して直交する方向において前記ＬＥＤチップから離れるほど、前記表面から徐々に遠ざかるように傾斜している、請求項２に記載の半導体発光装置。 Further comprising a reflective resin located between the surface and the sealing resin,
The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the reflection resin is gradually inclined away from the surface as the reflection resin is away from the LED chip in a direction orthogonal to the thickness direction. 前記封止樹脂は、前記表面に向けて膨出している、請求項３に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein the sealing resin swells toward the surface. 前記封止樹脂は、前記ＬＥＤチップを覆う第１部と、前記第１導電部を覆う第２部と、を有し、
前記第１部の厚さは、前記第２部の厚さと異なる、請求項２ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。 The sealing resin has a first part that covers the LED chip, and a second part that covers the first conductive part,
The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein a thickness of the first part is different from a thickness of the second part. 前記第３導電部と前記第４導電部とは、所定の距離をもって互いに離れている、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the third conductive part and the fourth conductive part are separated from each other by a predetermined distance. 前記厚さ方向に沿って視て、前記ＬＥＤチップは、前記第６導電部よりも外方に位置する、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the LED chip is located outside the sixth conductive portion when viewed along the thickness direction. 前記第５導電部と前記第６導電部とは、互いに隣接している、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the fifth conductive portion and the sixth conductive portion are adjacent to each other. 前記厚さ方向に沿って視て、前記第３導電部は、前記ＬＥＤチップよりも外方に位置し、
前記厚さ方向に沿って視て、前記第４導電部は、前記ＬＥＤチップに重なる部分を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体発光装置。 Seen along the thickness direction, the third conductive portion is located outside the LED chip,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the fourth conductive portion includes a portion overlapping the LED chip when viewed along the thickness direction. 前記厚さ方向に沿って視て、前記第１導電部は、前記第５導電部と重なっている、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the first conductive portion overlaps with the fifth conductive portion when viewed along the thickness direction. 前記厚さ方向に沿って視て、前記第２導電部は、前記第４導電部と重なっている、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the second conductive portion overlaps with the fourth conductive portion when viewed along the thickness direction. 前記基板に搭載され、かつ逆方向過電圧が前記ＬＥＤチップに印加されるのを防止するバイパス機能素子をさらに備える、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。   12. The semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising a bypass function element mounted on said substrate and for preventing a reverse overvoltage from being applied to said LED chip. 前記厚さ方向に沿って視て、前記ＬＥＤチップの中心から前記第３導電部までの最短距離は、前記ＬＥＤチップの中心から前記第４導電部までの最短距離と実質的に等しい、請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体発光装置。   The shortest distance from the center of the LED chip to the third conductive portion, as viewed along the thickness direction, is substantially equal to the shortest distance from the center of the LED chip to the fourth conductive portion. 13. The semiconductor light emitting device according to any one of 1 to 12. 前記厚さ方向に沿って視て、前記ＬＥＤチップの中心は、前記基板の中心から離れている、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a center of the LED chip is apart from a center of the substrate when viewed along the thickness direction. 前記厚さ方向に沿って視て、前記ＬＥＤチップの中心は、前記基板の中心と一致している、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a center of the LED chip is aligned with a center of the substrate when viewed along the thickness direction.
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