JP2009123853A

JP2009123853A - Light-emitting apparatus, production method of light-emitting apparatus, and wiring body

Info

Publication number: JP2009123853A
Application number: JP2007295067A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Suehiro; 好伸末広; Seiji Yamaguchi; 誠治山口; Kazue Tagata; 一恵田形
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2007-11-14
Filing date: 2007-11-14
Publication date: 2009-06-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring body capable of suppressing fault caused by an organic residue evaporated during heating a substrate, a light-emitting apparatus and a production method of the light-emitting apparatus. <P>SOLUTION: This light-emitting apparatus includes: an LED element 12; the substrate 11 on which the LED element 12 is mounted on the upper face; a sealing part 13 sealing the LED element 12 on the substrate 11; a pair of electrode patterns 16 formed on the bottom face of the substrate 11 and electrically connected with the LED element 12; a radiating pattern 17 formed on the bottom face of the substrate 11; and an exposing part 17a exposing the substrate 11 and formed in at least any one of the electrode pattern 16 and the radiating pattern 17, wherein even when a gas is generated by the vaporization of an organic residue during heating the substrate, the gas is discharged to the outside through the exposing part 17a. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ＬＥＤ素子が上面に搭載される基板の下面に、電極パターン及び放熱パターンが形成される発光装置及び発光装置の製造方法に関する。また、基板の表面に配線パターンが形成される配線体に関する。 The present invention relates to a light emitting device in which an electrode pattern and a heat dissipation pattern are formed on a lower surface of a substrate on which an LED element is mounted, and a method for manufacturing the light emitting device. The present invention also relates to a wiring body in which a wiring pattern is formed on the surface of a substrate.

ＬＥＤ素子を基板の上面に搭載し、ＬＥＤ素子を基板上にて封止する発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置は、上面にＬＥＤ素子を搭載する多層構造のセラミック基板と、基板の上面および層内に形成される回路パターンと、基板の中間層から露出した底面回路パターンと、ＬＥＤ素子２にて生じた熱を外部へ放散する放熱パターンと、を有している。一般的に、このような発光装置において、基板作製時、電極パターン及び放熱パターンの形成時等に、基板や各パターンに有機残渣が残留する。 There is known a light-emitting device in which an LED element is mounted on an upper surface of a substrate and the LED element is sealed on the substrate (see, for example, Patent Document 1). The light-emitting device described in Patent Document 1 includes a multilayer ceramic substrate on which LED elements are mounted on the upper surface, a circuit pattern formed in the upper surface and the layer of the substrate, a bottom circuit pattern exposed from the intermediate layer of the substrate, And a heat dissipation pattern that dissipates heat generated in the LED element 2 to the outside. Generally, in such a light emitting device, organic residues remain on the substrate and each pattern when the substrate is manufactured, when an electrode pattern and a heat radiation pattern are formed.

有機残渣を除去する方法として、電気絶縁性の樹脂体上に所望の導体パターンを備えた配線体において、前記樹脂体に前記下地金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施す方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
国際公開第０４／０８２０３６号パンフレット特開２００４−８２４４４号公報 As a method for removing organic residues, in a wiring body having a desired conductor pattern on an electrically insulating resin body, a plasma treatment or a reactive ion etching treatment is performed on the resin body before the formation of the base metal layer. Is known (see, for example, Patent Document 2).
International Publication No. 04/082036 Pamphlet JP 2004-82444 A

特許文献１に記載の発光装置において、基板や各パターンに有機残渣が残留したまま、実装されたＬＥＤ素子を封止すべく基板及び封止材を加熱すると、有機残渣が気化してしまう。このとき、電極パターン及び放熱パターンの形成面積が大きいと、有機残渣のガスがパターン内に閉じ込められて、各パターンが剥離、***等するなどの不具合が生じる。
しかし、特許文献２に記載の方法を用いたとしても、全ての有機残渣を取り除くことは困難であるし、製造工程が増すために発光装置の製造コストが嵩んでしまう。 In the light emitting device described in Patent Document 1, when the substrate and the sealing material are heated to seal the mounted LED element while the organic residue remains on the substrate and each pattern, the organic residue is vaporized. At this time, if the formation area of the electrode pattern and the heat radiation pattern is large, the organic residue gas is confined in the pattern, causing problems such as peeling and bulging of each pattern.
However, even if the method described in Patent Document 2 is used, it is difficult to remove all organic residues, and the manufacturing process increases, so that the manufacturing cost of the light emitting device increases.

本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板を加熱した際に気化する有機残渣により生じる不具合を抑制することのできる配線体、発光装置及び発光装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to manufacture a wiring body, a light emitting device, and a light emitting device capable of suppressing problems caused by an organic residue that is vaporized when the substrate is heated. It is to provide a method.

本発明によれば、ＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子が上面に搭載される基板と、前記ＬＥＤ素子を前記基板上にて封止する封止部と、前記基板の下面に複数の金属層によって形成され、前記ＬＥＤ素子と電気的に接続される一対の電極パターンと、前記基板の下面に複数の金属層によって形成される放熱パターンと、前記電極パターンと前記放熱パターンの少なくとも一方に形成され、複数の金属層における表層より前記基板側の層又は前記基板を露出させる露出部と、を備えた発光装置が提供される。 According to the present invention, an LED element, a substrate on which the LED element is mounted, a sealing portion that seals the LED element on the substrate, and a plurality of metal layers on the lower surface of the substrate are formed. A pair of electrode patterns electrically connected to the LED element, a heat radiation pattern formed by a plurality of metal layers on the lower surface of the substrate, and formed on at least one of the electrode pattern and the heat radiation pattern. There is provided a light emitting device comprising: a layer closer to the substrate than the surface layer of the metal layer; or an exposed portion exposing the substrate.

また、本発明によれば、上記発光装置を製造するにあたり、前記基板の表面に形成されたレジスト材からなるマスクを利用して前記電極パターン及び前記放熱パターンを形成する工程と、前記電極パターン及び前記放熱パターンが形成された前記基板と、封止材と、を加熱した状態で、前記ＬＥＤ素子を前記封止材により前記基板上にて封止する工程と、を含む発光装置の製造方法が提供される。 According to the present invention, in manufacturing the light emitting device, the step of forming the electrode pattern and the heat dissipation pattern using a mask made of a resist material formed on the surface of the substrate, the electrode pattern and A step of sealing the LED element on the substrate with the sealing material in a state in which the substrate on which the heat dissipation pattern is formed and the sealing material are heated. Provided.

また、本発明によれば、上記発光装置を製造するにあたり、前記基板の表面に形成されたレジスト材からなるマスクを利用して前記電極パターン及び前記放熱パターンを形成する工程と、前記電極パターン及び前記放熱パターンが形成された前記基板と、板状のガラスと、を加熱した状態で、ホットプレス加工により前記ＬＥＤ素子を前記基板上にて前記ガラスで封止する工程と、を含む発光装置の製造方法が提供される。 According to the present invention, in manufacturing the light emitting device, the step of forming the electrode pattern and the heat dissipation pattern using a mask made of a resist material formed on the surface of the substrate, the electrode pattern and A step of sealing the LED element with the glass on the substrate by hot pressing in a state where the substrate on which the heat dissipation pattern is formed and a plate-like glass are heated. A manufacturing method is provided.

また、本発明によれば、基板と、前記基板の表面に複数の金属層によって形成される配線パターンと、前記配線パターンに形成され、複数の金属層における表層より前記基板側の層又は前記基板を露出させる露出部と、を備えた配線体が提供される。 Further, according to the present invention, the substrate, the wiring pattern formed by a plurality of metal layers on the surface of the substrate, the layer closer to the substrate than the surface layer in the plurality of metal layers, or the substrate And an exposed portion that exposes the wiring body.

本発明によれば、基板を加熱した際に気化する有機残渣を露出部を通じて外部へ放出することができるので、有機残渣のガスにより生じる不具合を抑制することができる。 According to the present invention, since an organic residue that is vaporized when the substrate is heated can be discharged to the outside through the exposed portion, problems caused by the organic residue gas can be suppressed.

図１から図４は本発明の第１の実施形態を示し、図１は発光装置の上面図である。尚、各図においては、説明のために、実際の装置の各部寸法と寸法を異にして図示している部分がある。 1 to 4 show a first embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a top view of a light emitting device. In each figure, for the sake of explanation, there are parts that are illustrated with different dimensions and dimensions of the actual apparatus.

図１に示すように、発光装置１は、フリップチップ型のＧａＮ系半導体材料からなるＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２を上面に搭載するセラミック基板１１と、セラミック基板１１の上面に形成されＬＥＤ素子１２へ電力へ供給するための上面パターン１４と、ＬＥＤ素子１２及び上面パターン１４をセラミック基板１１上にて封止する封止部１３と、を備えている。本実施形態においては、１つの発光装置１に、前後及び左右に６００μｍの間隔で３列ずつ並ぶ計９つのＬＥＤ素子１２が搭載される。各ＬＥＤ素子１２は、上面パターン１４により電気的に直列に接続されている。 As shown in FIG. 1, the light emitting device 1 includes an LED element 12 made of a flip-chip GaN-based semiconductor material, a ceramic substrate 11 on which the LED element 12 is mounted, and an LED element formed on the upper surface of the ceramic substrate 11. 12 is provided with a top surface pattern 14 for supplying power to 12 and a sealing portion 13 for sealing the LED element 12 and the top surface pattern 14 on the ceramic substrate 11. In the present embodiment, a total of nine LED elements 12 arranged in three rows at 600 μm intervals in the front-rear and left-right directions are mounted on one light-emitting device 1. Each LED element 12 is electrically connected in series by the upper surface pattern 14.

ＬＥＤ素子１２は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる成長基板の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層と、ｎ型層と、ＭＱＷ層と、ｐ型層とがこの順で形成されている。このＬＥＤ素子１２は、７００℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は６００℃以上であり、低融点の熱融着ガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、ＬＥＤ素子１２は、ｐ型層の表面に設けられるｐ側電極と、ｐ側電極上に形成されるｐ側パッド電極と、を有するとともに、ｐ型層からｎ型層にわたって一部をエッチングすることにより露出したｎ型層に形成されるｎ側電極を有する。ｐ側パッド電極とｎ側電極には、それぞれバンプ１８（図１中不図示）が形成される。本実施形態においては、ＬＥＤ素子１２は、厚さ１００μｍで３４６μｍ角に形成される。 The LED element 12 includes a buffer layer, an n-type layer, an MQW layer, and a p-type layer by epitaxially growing a group III nitride semiconductor on the surface of a growth substrate made of sapphire (Al ₂ O ₃ ). They are formed in this order. This LED element 12 is epitaxially grown at 700 ° C. or higher, its heat-resistant temperature is 600 ° C. or higher, and is stable with respect to the processing temperature in the sealing process using the low melting point heat-sealing glass. In addition, the LED element 12 includes a p-side electrode provided on the surface of the p-type layer and a p-side pad electrode formed on the p-side electrode, and a part thereof is etched from the p-type layer to the n-type layer. The n-side electrode is formed on the exposed n-type layer. Bumps 18 (not shown in FIG. 1) are formed on the p-side pad electrode and the n-side electrode, respectively. In the present embodiment, the LED element 12 has a thickness of 100 μm and a 346 μm square.

セラミック基板１１は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の多結晶焼結材料からなり、上面視四角形状に形成される。本実施形態においては、セラミック基板１１は、厚さ方向（上下方向）寸法が０．２５ｍｍ、一辺の寸法が３．１５ｍｍの上面視正方形状に形成される。 The ceramic substrate 11 is made of a polycrystalline sintered material of alumina (Al ₂ O ₃ ) and is formed in a square shape when viewed from above. In the present embodiment, the ceramic substrate 11 is formed in a square shape in a top view having a thickness direction (vertical direction) dimension of 0.25 mm and a side dimension of 3.15 mm.

図２は発光装置の模式縦断面図である。
図２に示すように、セラミック基板１１は、多層構造であり、上面が全面にわたって平坦に形成されている。上面パターン１４は、ＬＥＤ素子１２と電気的に接続され、セラミック基板１１の厚さ方向へ延びるビアパターン１５を介して一対の電極パターン１６と電気的に接続される。上面パターン１４は、セラミック基板１１の上面の外縁と離隔して形成されている。配線パターンとしての電極パターン１６は、セラミック基板１１の下面の所定方向両端に形成され、一方が正電極、他方が負電極をなす。また、セラミック基板１１の下面における各電極パターン１６の間には、放熱パターン１７が形成される。 FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of the light emitting device.
As shown in FIG. 2, the ceramic substrate 11 has a multilayer structure, and the upper surface is formed flat over the entire surface. The upper surface pattern 14 is electrically connected to the LED element 12 and is electrically connected to the pair of electrode patterns 16 via the via pattern 15 extending in the thickness direction of the ceramic substrate 11. The upper surface pattern 14 is formed apart from the outer edge of the upper surface of the ceramic substrate 11. The electrode pattern 16 as a wiring pattern is formed on both ends of the lower surface of the ceramic substrate 11 in a predetermined direction, one being a positive electrode and the other being a negative electrode. A heat radiation pattern 17 is formed between the electrode patterns 16 on the lower surface of the ceramic substrate 11.

上面パターン１４、ビアパターン１５、電極パターン１６及び放熱パターン１７は、導電性の金属からなる。本実施形態においては、上面パターン１４、電極パターン１６及び放熱パターン１７は、セラミック基板１１の表面に形成されるＣｕ層２１と、Ｃｕ層２１の表面を覆う薄膜状のＮｉメッキ層２２と、Ｎｉメッキ層２２の表面を覆う薄膜状のＡｇメッキ層２３と、を含んでいる。また、ビアパターン１５は、Ｃｕ及びＮｉからなり、セラミック基板１１を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられる。 The upper surface pattern 14, the via pattern 15, the electrode pattern 16, and the heat dissipation pattern 17 are made of a conductive metal. In the present embodiment, the upper surface pattern 14, the electrode pattern 16, and the heat dissipation pattern 17 include a Cu layer 21 formed on the surface of the ceramic substrate 11, a thin Ni plating layer 22 that covers the surface of the Cu layer 21, Ni And a thin-film Ag plating layer 23 covering the surface of the plating layer 22. The via pattern 15 is made of Cu and Ni, and is provided in a via hole penetrating the ceramic substrate 11 in the thickness direction.

封止部１３は、ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５−Ｎａ_２Ｏ−Ｌｉ_２Ｏ系の熱融着ガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではなく、例えば、熱融着ガラスは、Ｌｉ_２Ｏを含有していなくてもよいし、任意成分としてＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等を含んでいてもよい。図２に示すように、封止部１３は、セラミック基板１１と全面的に接合されており、セラミック基板１１上に直方体状に形成され、セラミック基板１１の上面からの高さが０．５ｍｍとなっている。封止部１３の側面は、ホットプレス加工によってセラミック基板１１と接着された板ガラスが、セラミック基板１１とともにダイサー(dicer)でカットされることにより形成される。また、封止部１３の上面は、ホットプレス加工によってセラミック基板１１と接着された板ガラスの一面である。この熱融着ガラスは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４９０℃、屈伏点（Ａｔ）が５２０℃、１００℃〜３００℃における熱膨張率（α）が６×１０^−６／℃、屈折率が１．７となっている。 The sealing portion 13 is made of ZnO—B ₂ O ₃ —SiO ₂ —Nb ₂ O ₅ —Na ₂ O—Li ₂ O-based heat fusion glass. The composition of the glass is not limited to this. For example, the heat-sealing glass may not contain Li ₂ O, or may contain ZrO ₂ , TiO ₂ or the like as an optional component. Good. As shown in FIG. 2, the sealing portion 13 is joined to the ceramic substrate 11 entirely, is formed in a rectangular parallelepiped shape on the ceramic substrate 11, and the height from the upper surface of the ceramic substrate 11 is 0.5 mm. It has become. The side surface of the sealing portion 13 is formed by cutting a plate glass bonded to the ceramic substrate 11 by hot pressing together with the ceramic substrate 11 with a dicer. The upper surface of the sealing portion 13 is one surface of a plate glass bonded to the ceramic substrate 11 by hot pressing. This heat-fusible glass has a glass transition temperature (Tg) of 490 ° C., a yield point (At) of 520 ° C., a coefficient of thermal expansion (α) at 100 ° C. to 300 ° C. of 6 × 10 ⁻⁶ / ° C., and a refractive index. It is 1.7.

また、封止部１３には蛍光体１３ａが分散されている。蛍光体１３ａは、ＭＱＷ層から発せられる青色光により励起されると、黄色領域にピーク波長を有する黄色光を発する黄色蛍光体である。本実施形態においては、蛍光体１３ａとしてＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体が用いられる。尚、蛍光体１３ａは、珪酸塩蛍光体や、ＹＡＧと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したもの等であってもよい。 Further, the phosphor 13 a is dispersed in the sealing portion 13. The phosphor 13a is a yellow phosphor that emits yellow light having a peak wavelength in a yellow region when excited by blue light emitted from the MQW layer. In the present embodiment, a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) phosphor is used as the phosphor 13a. The phosphor 13a may be a silicate phosphor or a mixture of YAG and silicate phosphor at a predetermined ratio.

図３は発光装置の下面図である。
図３に示すように、各電極パターン１６及び放熱パターン１７は、平面視にて矩形状に形成される。各電極パターン１６は、セラミック基板１１の下面の一方向（図３中左右方向）両端側に一対に形成され、他方向（図３中上下方向）に延びるよう形成されている。本実施形態においては、各電極パターン１６は、セラミック基板１１の下面の周縁と離隔して形成されている。また、放熱パターン１７は、各電極パターン１６と間隔をおいてセラミック基板１１の下面の一方向中央側に形成される。放熱パターン１７もまた、セラミック基板１１の下面の周縁と離隔して形成されている。 FIG. 3 is a bottom view of the light emitting device.
As shown in FIG. 3, each electrode pattern 16 and heat dissipation pattern 17 are formed in a rectangular shape in plan view. Each electrode pattern 16 is formed in a pair on both ends in one direction (left and right direction in FIG. 3) on the lower surface of the ceramic substrate 11 and extends in the other direction (up and down direction in FIG. 3). In the present embodiment, each electrode pattern 16 is formed apart from the periphery of the lower surface of the ceramic substrate 11. In addition, the heat radiation pattern 17 is formed on the one-way center side of the lower surface of the ceramic substrate 11 with a space from each electrode pattern 16. The heat radiation pattern 17 is also formed apart from the peripheral edge of the lower surface of the ceramic substrate 11.

放熱パターン１７は、平面視にて各ＬＥＤ素子１２の少なくとも一部と重なるよう形成される。本実施形態においては、放熱パターン１７は、一方向中央側に位置するＬＥＤ素子１２の全部と重なり、一方向両端側に位置するＬＥＤ素子１２の内側と重なっている。放熱パターン１７には、セラミック基板１１を露出させる露出部としての孔部１７ａが形成されている。セラミック基板１１と、セラミック基板１１の表面（下面）に形成される放熱パターン１７と、放熱パターン１７に形成されセラミック基板１１を露出させる孔部１７ａと、で配線体を構成している。孔部１７ａは、平面視にて各ＬＥＤ素子１２と重ならないように複数形成されている。本実施形態においては、各孔部１７ａは、平面視円形を呈し、一方向に２列並び、他方向に等間隔で４列並んで計８つ形成されている。８つの孔部１７ａのうち４つは、平面視中央に位置するＬＥＤ素子１２と、セラミック基板１１の四隅側に位置する各ＬＥＤ素子１２との中間位置に形成されている。 The heat dissipation pattern 17 is formed so as to overlap at least a part of each LED element 12 in plan view. In the present embodiment, the heat radiation pattern 17 overlaps all of the LED elements 12 positioned on the center side in one direction, and overlaps the inner side of the LED elements 12 positioned on both ends in one direction. The heat radiation pattern 17 is formed with a hole 17a as an exposed portion for exposing the ceramic substrate 11. The ceramic substrate 11, the heat radiation pattern 17 formed on the surface (lower surface) of the ceramic substrate 11, and the holes 17a formed in the heat radiation pattern 17 and exposing the ceramic substrate 11 constitute a wiring body. A plurality of hole portions 17a are formed so as not to overlap each LED element 12 in plan view. In the present embodiment, each of the hole portions 17a has a circular shape in plan view, and is formed in a total of eight rows, arranged in two rows in one direction and arranged in four rows at equal intervals in the other direction. Four of the eight hole portions 17 a are formed at intermediate positions between the LED element 12 located in the center in plan view and the LED elements 12 located on the four corner sides of the ceramic substrate 11.

図４は、発光装置の実装基板への実装状態の一例を示す縦断面図である。
図４に示すように、この実装基板３１は、金属からなる基板本体３２と、基板本体３２上に形成され樹脂からなる絶縁層３３と、絶縁層３３上に形成され金属からなる回路パターン３４と、を有している。基板本体３２は、例えば銅（熱伝導率：３８０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１）からなり、各ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン１７とはんだ材３６を介して接続される。絶縁層３３は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等からなり、導電性を有する基板本体３２と回路パターン３４との絶縁を図る。回路パターン３４は、表面（上面）に薄膜状のＡｕ層３４ａを有するＣｕ層３４ｂからなり、各ガラス封止ＬＥＤ２の電極パターン１６とはんだ材３７を介して接続される。 FIG. 4 is a vertical cross-sectional view illustrating an example of a mounting state of the light emitting device on the mounting substrate.
As shown in FIG. 4, the mounting substrate 31 includes a substrate body 32 made of metal, an insulating layer 33 made of resin formed on the substrate body 32, and a circuit pattern 34 made of metal formed on the insulating layer 33. ,have. The substrate body 32 is made of, for example, copper (thermal conductivity: 380 W · m ⁻¹ · K ⁻¹ ), and is connected via the heat radiation pattern 17 of each glass-sealed LED 2 and the solder material 36. The insulating layer 33 is made of, for example, a polyimide resin, an epoxy resin, or the like, and insulates the conductive substrate body 32 from the circuit pattern 34. The circuit pattern 34 includes a Cu layer 34b having a thin Au layer 34a on the surface (upper surface), and is connected to the electrode pattern 16 of each glass-sealed LED 2 via a solder material 37.

尚、図４には発光装置１が搭載される実装基板３１の一例を図示しており、発光装置１が搭載される実装基板３１は任意に変更可能である。例えば、実装基板３１が、回路パターン３４を被覆する白色のレジスト層を備えたものであってもよいし、例えばアルミベース基板のように銅以外の金属をベースとした基板であってもよい。さらに、実装基板３１を、ポリイミドや液晶ポリマーをベースとしたフレキシブル基板としてももよい。 FIG. 4 shows an example of the mounting substrate 31 on which the light emitting device 1 is mounted, and the mounting substrate 31 on which the light emitting device 1 is mounted can be arbitrarily changed. For example, the mounting substrate 31 may include a white resist layer that covers the circuit pattern 34, or may be a substrate based on a metal other than copper, such as an aluminum base substrate. Further, the mounting substrate 31 may be a flexible substrate based on polyimide or liquid crystal polymer.

以上のように構成された発光装置１では、実装基板３１を通じて各電極パターン１６に電圧が印加されると、各ＬＥＤ素子１２から青色光が発せられる。そして、青色光の一部が蛍光体１３ａにより黄色に変換され、発光装置１からは青色光と黄色光の組合せにより白色光が発せられる。また、各ＬＥＤ素子１２にて生じた熱は、放熱パターン１７を介して基板本体３２に伝達される。このとき、放熱パターン１７の孔部１７ａが各ＬＥＤ素子１２の真下に形成されていないので、各ＬＥＤ素子１２から基板本体３２への伝熱効率は良好である。 In the light emitting device 1 configured as described above, when a voltage is applied to each electrode pattern 16 through the mounting substrate 31, blue light is emitted from each LED element 12. A part of the blue light is converted to yellow by the phosphor 13a, and white light is emitted from the light emitting device 1 by a combination of blue light and yellow light. Further, the heat generated in each LED element 12 is transmitted to the substrate body 32 via the heat dissipation pattern 17. At this time, since the hole 17a of the heat radiation pattern 17 is not formed directly under each LED element 12, the heat transfer efficiency from each LED element 12 to the substrate body 32 is good.

ここで、封止部１３をガラスでなく樹脂としてもよいが、樹脂封止ではＬＥＤ素子１２から発せられる光、熱によっても黄変等の劣化が生じるため、経時的に光量低下や色度変化が生じる。また、封止材の熱膨張率が大きい（例えば、シリコーンでは１５０〜２００×１０^−６／℃）ことにより、温度変化による膨張収縮が生じるため、ＬＥＤ素子１２の電気接続箇所にて断線が生じ易い。このため、本実施形態のようなガラス封止が好ましく、光や熱に対して劣化がなく、また熱膨張率がＬＥＤ素子１２と比較的近い値であるため、電気的断線が生じ難い。尚、ガラスは低融点のガラスに限定されず、例えば、アルコキシドを出発原料として形成されるゾルゲルガラスであってもよい。 Here, the sealing portion 13 may be made of resin instead of glass. However, since resin sealing causes deterioration such as yellowing due to light emitted from the LED element 12 and heat, a decrease in light amount and chromaticity change over time. Occurs. Further, since the thermal expansion coefficient of the encapsulant is large (for example, 150 to 200 × 10 ⁻⁶ / ° C. for silicone), expansion and contraction due to temperature change occurs, and thus disconnection occurs at the electrical connection portion of the LED element 12. easy. For this reason, glass sealing like this embodiment is preferable, there is no deterioration with respect to light and heat, and since a thermal expansion coefficient is a value comparatively close to LED element 12, it is hard to produce an electrical disconnection. The glass is not limited to a glass having a low melting point, and may be, for example, a sol-gel glass formed using an alkoxide as a starting material.

この発光装置１の製造方法について、図５の工程説明図を参照して以下に説明する。
まず、ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５−Ｎａ_２Ｏ−Ｌｉ_２Ｏ系の熱融着ガラスを粉砕して、平均粒径が３０μｍのガラスの粉末体を生成する。これに、平均粒径が１０μｍのＹＡＧからなる蛍光体１３ａを混合し、蛍光体１３ａがガラスの粉末内に均一に分散された混合粉末を生成する（混合工程）。 A method for manufacturing the light emitting device 1 will be described below with reference to the process explanatory diagram of FIG.
First, a ZnO—B ₂ O ₃ —SiO ₂ —Nb ₂ O ₅ —Na ₂ O—Li ₂ O-based thermally fused glass is pulverized to produce a glass powder having an average particle size of 30 μm. This is mixed with a phosphor 13a made of YAG having an average particle size of 10 μm to produce a mixed powder in which the phosphor 13a is uniformly dispersed in a glass powder (mixing step).

混合工程にて生成された混合粉末を荷重を加えながら溶融した後に、この混合粉末を固化して蛍光体分散ガラス４３を生成する（ガラス生成工程）。生成された蛍光体分散ガラス４３は、封止部１３の厚さに対応するよう板状に加工される（板状加工工程）。 After the mixed powder generated in the mixing step is melted while applying a load, the mixed powder is solidified to generate the phosphor-dispersed glass 43 (glass generation step). The produced phosphor dispersed glass 43 is processed into a plate shape corresponding to the thickness of the sealing portion 13 (plate processing step).

蛍光体分散ガラス４３とは別個に、ビアホールが形成され、複数の発光装置１のセラミック基板１１がマトリクス状態で配列形成された連結基板４１を用意する。ここで、連結基板４１として、例えば、プラズマ加工により表面を粗面化し、銅箔を貼り付けたものを用いる。次いで、連結基板４１に樹脂のレジスト材により上面パターン１４、ビアパターン１５、電極パターン１６及び放熱パターン１７に対応したマスクを連結基板４１の上面及び下面に形成する。このレジスト材としては、例えば、ゴム系レジスト、ノボラック樹脂等を用いることができる。また、レジスト剥離剤として、例えばアルキルベンゼンスルホン酸等を成分とした有機酸素の薬液、有機アミンと極性溶剤との混合物等を用いることができる。また、マスクの形成方法としては、例えば、フォトレジスト法、スクリーン印刷レジスト法等を用いることができる。この後、マスクを除去することにより、Ｃｕ層２１が形成される。そして、連結基板４１の上面及び下面にＮｉメッキを施することにより、Ｃｕ層２１上にＮｉメッキ層２２が形成される。 Separately from the phosphor-dispersed glass 43, a connection substrate 41 in which via holes are formed and the ceramic substrates 11 of the plurality of light emitting devices 1 are arranged in a matrix is prepared. Here, as the connection substrate 41, for example, a surface roughened by plasma processing and a copper foil attached is used. Next, masks corresponding to the upper surface pattern 14, the via pattern 15, the electrode pattern 16, and the heat dissipation pattern 17 are formed on the upper surface and the lower surface of the connection substrate 41 using a resin resist material on the connection substrate 41. As this resist material, for example, a rubber resist, a novolac resin, or the like can be used. Further, as the resist stripping agent, for example, a chemical solution of organic oxygen containing alkylbenzene sulfonic acid or the like as a component, a mixture of an organic amine and a polar solvent, or the like can be used. Moreover, as a mask formation method, for example, a photoresist method, a screen printing resist method, or the like can be used. Thereafter, the Cu layer 21 is formed by removing the mask. Then, the Ni plating layer 22 is formed on the Cu layer 21 by performing Ni plating on the upper surface and the lower surface of the connection substrate 41.

このようにＮｉメッキ層２２を形成した後、連結基板４１の上面及び下面にＡｇメッキを施して、Ａｇメッキ層２３が形成される。以上のようにＣｕ層２１、Ｎｉメッキ層２２及びＡｇメッキ層２３を形成することにより、上面パターン１４、ビアパターン１５、電極パターン１６及び放熱パターン１７を形成する（パターン形成工程）。 After forming the Ni plating layer 22 in this way, Ag plating is performed on the upper and lower surfaces of the connecting substrate 41 to form the Ag plating layer 23. By forming the Cu layer 21, the Ni plating layer 22, and the Ag plating layer 23 as described above, the upper surface pattern 14, the via pattern 15, the electrode pattern 16, and the heat radiation pattern 17 are formed (pattern formation step).

図６は、複数の発光装置のセラミック基板が互いに連結された状態を示し、ダイサーによる分割前の連結基板の下面図である。図６には、一方向及び他方向に４つのセラミック基板１１が連結された連結基板４１を示している。
本実施形態においては、図６に示すように、連結基板４１の外縁側に、電極パターン１６及び放熱パターン１７よりも大きな複数のダミーパターン４２が形成されている。連結基板４１における各ダミーパターン４２の形成部位には、図示しないダミービアホールが形成されている。各ダミーパターン４２は、電極パターン１６及び放熱パターン１７と同様にＣｕ層２１、Ｎｉメッキ層２２、Ａｇメッキ層２３を有し、パターン形成工程にて電極パターン１６及び放熱パターン１７と同時に形成される。各ダミーパターン４２には、孔部のような基板下面を露出させる露出部は形成されていない。 FIG. 6 is a bottom view of a connection substrate before being divided by a dicer, showing a state in which ceramic substrates of a plurality of light emitting devices are connected to each other. FIG. 6 shows a connection substrate 41 in which four ceramic substrates 11 are connected in one direction and the other direction.
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, a plurality of dummy patterns 42 larger than the electrode pattern 16 and the heat dissipation pattern 17 are formed on the outer edge side of the connection substrate 41. Dummy via holes (not shown) are formed at the portions where the dummy patterns 42 are formed on the connection substrate 41. Each dummy pattern 42 has a Cu layer 21, a Ni plating layer 22, and an Ag plating layer 23 like the electrode pattern 16 and the heat dissipation pattern 17, and is formed simultaneously with the electrode pattern 16 and the heat dissipation pattern 17 in the pattern forming process. . Each dummy pattern 42 is not formed with an exposed portion that exposes the lower surface of the substrate, such as a hole.

次に、連結基板４１の上面パターン１４に複数のＬＥＤ素子２を例えばＡｕからなるバンプ１８によって電気的に接合する（素子実装工程）。本実施形態においては、ｐ側１点、ｎ側１点の合計２点のバンプ接合が施される。 Next, the plurality of LED elements 2 are electrically joined to the upper surface pattern 14 of the connection substrate 41 by bumps 18 made of, for example, Au (element mounting process). In the present embodiment, bump bonding is performed at a total of two points, one point on the p side and one point on the n side.

図７はホットプレス加工の状態を示す模式説明図である。
次いで、各ＬＥＤ素子１２を実装した連結基板４１を下金型９１、板状の蛍光体分散ガラス４３を上金型９２にセットする。下金型９１及び上金型９２にはそれぞれヒータが配置され、各金型９１，９２で独立して温度調整される。そして、図７に示すように、略平坦な連結基板４１の上面に蛍光体分散ガラス４３を重ねて、下金型９１及び上金型９２を加圧し、窒素雰囲気中でホットプレス加工を行う。本実施形態においては、予熱ステージを設けて連結基板４１及び蛍光体分散ガラス４３を４００℃〜５００℃に予め加熱しておき、６００℃で蛍光体分散ガラス４３と連結基板４１とに圧力を加える。これにより、ＬＥＤ素子１２が搭載された連結基板４１に蛍光体分散ガラス４３が融着され、ＬＥＤ素子１２は連結基板４１上で蛍光体分散ガラス４３により封止される（ガラス封止工程）。本実施形態においては、加圧圧力を２０〜４０ｋｇｆ／ｃｍ^２程度として加工を行っている。ここで、ホットプレス加工は、各部材に対して不活性な雰囲気中で行えばよく、窒素雰囲気の他に例えば真空中で行うようにしてもよい。 FIG. 7 is a schematic explanatory view showing the state of hot pressing.
Next, the connecting substrate 41 on which the LED elements 12 are mounted is set in the lower mold 91, and the plate-like phosphor-dispersed glass 43 is set in the upper mold 92. A heater is disposed in each of the lower mold 91 and the upper mold 92, and the temperatures of the molds 91 and 92 are independently adjusted. Then, as shown in FIG. 7, the phosphor-dispersed glass 43 is placed on the upper surface of the substantially flat connecting substrate 41, the lower mold 91 and the upper mold 92 are pressurized, and hot pressing is performed in a nitrogen atmosphere. In the present embodiment, a preheating stage is provided, and the connection substrate 41 and the phosphor dispersion glass 43 are preheated to 400 ° C. to 500 ° C., and pressure is applied to the phosphor dispersion glass 43 and the connection substrate 41 at 600 ° C. . Thereby, the phosphor dispersion glass 43 is fused to the connection substrate 41 on which the LED elements 12 are mounted, and the LED elements 12 are sealed on the connection substrate 41 by the phosphor dispersion glass 43 (glass sealing step). In the present embodiment, the processing is performed at a pressure of about ²⁰ to 40 kgf / cm ² . Here, the hot pressing process may be performed in an inert atmosphere with respect to each member, and may be performed in, for example, a vacuum in addition to the nitrogen atmosphere.

連結基板４１にはＣｕ層２１とＮｉメッキ層２２との間にパターン形成工程にて用いた樹脂からなるレジスト材やメッキ処理時の薬液が残留しており、ホットプレス加工時にレジスト材及び薬液の有機残渣が３００℃を超える温度で分解し気化してガスが発生する。また、連結基板４１は、多層構造であるとともに、ビアホールが形成されていることから、連結基板４１にパターン形成時やメッキ処理時の薬液が残存していることがある。この薬液が残存している場合には、この薬液の有機残渣も気化してガスが発生する。放熱パターン１７内にて発生したガスは、各孔部１７ａ及び放熱パターン１７の外縁から外部へ放出される。また、各電極パターン１６内にて発生したガスは、電極パターン１６の外縁から外部へ放出される。各電極パターン１６は、放熱パターン１７よりも小さく、内部にガスが溜まらない程度の面積に形成されている。 Resist material made of the resin used in the pattern forming process and chemical solution at the time of the plating process remain between the Cu layer 21 and the Ni plating layer 22 on the connection substrate 41, and the resist material and the chemical solution are removed during hot press processing. The organic residue decomposes and vaporizes at a temperature exceeding 300 ° C. to generate gas. In addition, since the connection substrate 41 has a multilayer structure and via holes are formed, there may be a case where a chemical solution is left on the connection substrate 41 during pattern formation or plating. When this chemical solution remains, the organic residue of this chemical solution is also vaporized to generate gas. The gas generated in the heat radiation pattern 17 is discharged to the outside from the outer edges of the hole portions 17a and the heat radiation pattern 17. Further, the gas generated in each electrode pattern 16 is released from the outer edge of the electrode pattern 16 to the outside. Each electrode pattern 16 is smaller than the heat dissipating pattern 17 and is formed in an area such that gas does not accumulate inside.

このとき、各ダミーパターン４２を観察することにより、ホットプレス加工時の各電極パターン１６及び放熱パターン１７の品質、信頼性等について評価を行うことができる。各ダミーパターン４２は、露出部が形成されていないことから、有機残渣のガスによる剥離、***等が生じやすくなっている。従って、各ダミーパターン４２に不具合が生じなければ、電極パターン１６及び放熱パターン１７の比較的高い品質、信頼性等が保証される。各ダミーパターン４２に不具合が生じた場合であっても、電極パターン１６及び放熱パターン１７に剥離、***等が生じることはないが、有機残渣が多い連結基板４１であることを知ることができる。尚、各ダミーパターン４２は、互いに形成面積、形状等が異なるようにし、互いに別個の条件で不具合を評価できるようにしておくことが好ましい。 At this time, by observing each dummy pattern 42, it is possible to evaluate the quality, reliability, and the like of each electrode pattern 16 and heat radiation pattern 17 during hot pressing. Since each dummy pattern 42 is not formed with an exposed portion, peeling of the organic residue due to gas, bulging, and the like are likely to occur. Therefore, if no defect occurs in each dummy pattern 42, the relatively high quality, reliability, etc. of the electrode pattern 16 and the heat dissipation pattern 17 are guaranteed. Even if a defect occurs in each dummy pattern 42, the electrode pattern 16 and the heat radiation pattern 17 do not peel off or rise, but it can be known that the connecting substrate 41 has a large amount of organic residue. Note that it is preferable that the dummy patterns 42 have different formation areas, shapes, and the like so that defects can be evaluated under different conditions.

ホットプレス加工により、蛍光体分散ガラス４３は連結基板４１とこれらに含まれる酸化物を介して接着される。ここで、ホットプレス加工での熱融着ガラスの粘度は１０^５〜１０^７ポアズとすることが好ましい。この粘度範囲とすることにより、粘度が低いことに起因するガラスの上金型９２へ接合、ガラスの外部流出等を抑制して歩留まりを良好にすることができるとともに、粘度が高いことに起因するガラスの連結基板４１への接合力低下、各バンプ１８のつぶれ量の増大等を抑制することができる。 The phosphor-dispersed glass 43 is bonded to the connection substrate 41 via the oxide contained therein by hot pressing. Here, it is preferable that the viscosity of the heat-fusible glass in the hot press processing is 10 ⁵ to 10 ⁷ poise. By setting this viscosity range, it is possible to improve the yield by suppressing bonding of the glass to the upper mold 92 due to low viscosity, glass outflow, etc., and high viscosity. It is possible to suppress a decrease in bonding strength of glass to the connecting substrate 41, an increase in the amount of crushing of each bump 18, and the like.

また、連結基板４１は多結晶アルミナで表面が粗面状に形成されており、蛍光体分散ガラス４３側の接合部の界面が連結基板４１の表面に沿って粗面状に形成される。これは、例えば、ホットプレス加工時に圧力を加えることにより実現される。ここで、粗面化された多結晶アルミナの凹みにガラスが十分入り込む状態であれば、ホットプレス加工時の圧力条件や温度条件は任意である。この結果、封止部１３とセラミック基板１１との間に隙間のない状態となり、封止部１３とセラミック基板１１との接合強度を担保することができる。 The connection substrate 41 is made of polycrystalline alumina and has a rough surface, and the interface of the bonding portion on the phosphor-dispersed glass 43 side is formed in a rough shape along the surface of the connection substrate 41. This is realized, for example, by applying pressure during hot pressing. Here, as long as the glass sufficiently enters the dent of the roughened polycrystalline alumina, the pressure condition and temperature condition at the time of hot pressing are arbitrary. As a result, there is no gap between the sealing portion 13 and the ceramic substrate 11, and the bonding strength between the sealing portion 13 and the ceramic substrate 11 can be ensured.

ここで、連結基板４１及び蛍光体分散ガラス４３を予め加熱することなくホットプレス加工を行ってもよいし、プレス後に徐冷ステージを設けて蛍光体分散ガラス４３の冷却速度を制御するようにしてもよい。尚、連結基板４１を予め加熱してホットプレス加工を行うと、予め加熱しない場合に比して電極パターン１６及び放熱パターン１７に剥離、***等が生じ難くなることが確認されている。また、予熱ステージ及び徐冷ステージにおいてプレスすることも可能であり、ホットプレス加工時の工程は適宜に変更可能である。 Here, hot pressing may be performed without heating the connecting substrate 41 and the phosphor-dispersed glass 43 in advance, or a slow cooling stage is provided after pressing to control the cooling rate of the phosphor-dispersed glass 43. Also good. It has been confirmed that when the connecting substrate 41 is preheated and hot pressing is performed, the electrode pattern 16 and the heat radiation pattern 17 are less likely to be peeled off, raised, or the like as compared with the case where the connecting substrate 41 is not preheated. Moreover, it is also possible to press in a preheating stage and a slow cooling stage, and the process at the time of a hot press process can be changed suitably.

以上の工程で、複数の発光装置１が横方向に連結された状態の図７に示すような中間体５１が作製される。この後、蛍光体分散ガラス４３と一体化された連結基板４１をダイサー(dicer)にセットして、発光装置１の単位ごとに蛍光体分散ガラス４３及び連結基板４１を分割して発光装置１が完成する（ダイシング工程）。封止部１３及びセラミック基板１１がともにダイサーによりカットされることで、セラミック基板１１及び封止部１３の側面が面一となる。 Through the above steps, the intermediate body 51 as shown in FIG. 7 in a state where the plurality of light emitting devices 1 are connected in the lateral direction is manufactured. Thereafter, the connecting substrate 41 integrated with the phosphor dispersed glass 43 is set on a dicer, and the phosphor dispersed glass 43 and the connecting substrate 41 are divided for each unit of the light emitting device 1 to form the light emitting device 1. Completed (dicing process). Since both the sealing part 13 and the ceramic substrate 11 are cut by a dicer, the side surfaces of the ceramic substrate 11 and the sealing part 13 are flush with each other.

このように、本実施形態によれば、放熱パターン１７に孔部１７ａを形成したので、放熱パターン１７の形成部位にて発生したガスを確実に外部へ放出することができる。従って、放熱パターン１７の形成部位に溜まったガスにより放熱パターン１７が剥離、***等するようなことはなく、ガスに起因する放熱パターン１７の不具合を防止して、発光装置１の歩留まりを向上させることができる。 Thus, according to the present embodiment, since the hole portion 17a is formed in the heat radiation pattern 17, the gas generated at the site where the heat radiation pattern 17 is formed can be reliably discharged to the outside. Therefore, the heat radiation pattern 17 is not peeled off or raised due to the gas accumulated in the portion where the heat radiation pattern 17 is formed, and the defect of the heat radiation pattern 17 due to the gas is prevented, thereby improving the yield of the light emitting device 1. be able to.

また、各電極パターン１６及び放熱パターン１７をセラミック基板１１の外縁から離隔して形成したので、連結基板４１において隣接するセラミック基板１１同士で電極パターン１６又は放熱パターン１７が連続的に形成されることはなく、連結基板４１に連続的に形成される電極パターン１６及び放熱パターン１７の面積を小さくすることができる。従って、各電極パターン１６及び放熱パターン１７の形成部位に溜まったガスに起因する各電極パターン１６及び放熱パターン１７の不具合を防止して、発光装置１の歩留まりを向上させることができる。 In addition, since each electrode pattern 16 and the heat radiation pattern 17 are formed apart from the outer edge of the ceramic substrate 11, the electrode pattern 16 or the heat radiation pattern 17 is continuously formed between the adjacent ceramic substrates 11 in the connection substrate 41. In other words, the area of the electrode pattern 16 and the heat radiation pattern 17 continuously formed on the connection substrate 41 can be reduced. Therefore, the defect of each electrode pattern 16 and the heat radiation pattern 17 resulting from the gas accumulated in the formation site of each electrode pattern 16 and the heat radiation pattern 17 can be prevented, and the yield of the light emitting device 1 can be improved.

さらに、封止部１３を樹脂よりもセラミックに熱膨張率が近いガラスとすることにより、ホットプレス加工により高温で接着された後、常温あるいは低温状態としても剥離、クラック等の接着不良が生じにくい。ここで、ガラスは引っ張り応力にはクラックが生じ易いが、圧縮応力にはクラックは生じにくく、封止部１３のガラスをセラミック基板１１に対し熱膨張率が小さいものとすることが好ましい。 Furthermore, the sealing part 13 is made of glass having a thermal expansion coefficient closer to that of ceramic than resin, so that after bonding at high temperature by hot pressing, adhesion failure such as peeling and cracking hardly occurs even at room temperature or low temperature. . Here, the glass is likely to crack in the tensile stress, but is not likely to crack in the compressive stress, and the glass of the sealing portion 13 preferably has a smaller thermal expansion coefficient than the ceramic substrate 11.

また、各ＬＥＤ素子１２は、フリップ実装することによりワイヤを不要とできるので、高粘度状態のガラスによる封止加工に対しても各ＬＥＤ素子１２とセラミック基板１１との間の電気的な不具合を生じない。ＬＥＤ素子１２の電極とセラミック基板１１の上面パターン１４をワイヤで電気的に接続するフェイスアップ型のＬＥＤ素子を封止する場合、ガラス封止加工時にワイヤの潰れや変形を生じることがある。また、ワイヤのボンディングスペースが不要で、かつ、ガラスとセラミックの強固な接合によって、わずかなスペースでの接着でも界面剥離が生じないので、発光装置１を小型とすることができる。 Moreover, since each LED element 12 can make a wire unnecessary by carrying out flip mounting, the electrical malfunction between each LED element 12 and the ceramic board | substrate 11 also with respect to the sealing process by the glass of a high viscosity state. Does not occur. When sealing a face-up type LED element in which the electrode of the LED element 12 and the upper surface pattern 14 of the ceramic substrate 11 are electrically connected by a wire, the wire may be crushed or deformed during glass sealing. In addition, no wire bonding space is required, and interface peeling does not occur even when bonding is performed in a small space due to the strong bonding between glass and ceramic. Therefore, the light emitting device 1 can be downsized.

尚、前記実施形態においては、孔部１７ａを放熱パターン１７にのみ形成したものを示したが、例えば図８に示すように、各電極パターン１６に孔部１６ａを形成してもよい。図８の発光装置１では、各電極パターン１６の形成部位にて生じたガスは、孔部１６ａを通じて外部へ放出される。ここで、ホットプレス時における有機残渣のガス発生量については、セラミック基板１１の形状、洗浄条件等や、電極パターン形成時におけるレジスト材の材質、マスク除去方法等、種々の条件に依存している。図８に示す発光装置１であれば、ガス発生量が比較的多く、面積が比較的小さな各電極パターン１６に***が生じやすい場合であっても、各電極パターン１６に生じる不具合を防止することができる。 In the above embodiment, the hole portion 17a is formed only in the heat radiation pattern 17, but the hole portion 16a may be formed in each electrode pattern 16 as shown in FIG. In the light-emitting device 1 of FIG. 8, the gas generated at the site where each electrode pattern 16 is formed is released to the outside through the hole 16a. Here, the gas generation amount of the organic residue at the time of hot pressing depends on various conditions such as the shape of the ceramic substrate 11, the cleaning conditions, the material of the resist material at the time of forming the electrode pattern, the mask removing method, and the like. . In the case of the light emitting device 1 shown in FIG. 8, it is possible to prevent a problem that occurs in each electrode pattern 16 even when the electrode pattern 16 that has a relatively large gas generation amount and a relatively small area is likely to be raised. Can do.

図９から図１１は本発明の第２の実施形態を示すもので、図９は発光装置の上面図である。
図９に示すように、発光装置２０１は、複数のＬＥＤ素子１２と、各ＬＥＤ素子１２を一列に上面に搭載するセラミック基板２１１と、セラミック基板２１１の上面に形成され各ＬＥＤ素子１２へ電力へ供給するための上面パターン２１４と、各ＬＥＤ素子１２及び上面パターン２１４をセラミック基板２１１上にて封止する封止部２１３と、を備えている。本実施形態においては、１つの発光装置２０１に、セラミック基板２１１の延在方向に一列に並ぶ計６つのＬＥＤ素子２１が搭載される。各ＬＥＤ素子１２は、上面パターン２１４により電気的に直列に接続されている。 9 to 11 show a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a top view of the light emitting device.
As shown in FIG. 9, the light emitting device 201 includes a plurality of LED elements 12, a ceramic substrate 211 on which the LED elements 12 are mounted in a row on a top surface, and a power formed on the top surface of the ceramic substrate 211 to each LED element 12. An upper surface pattern 214 for supply and a sealing portion 213 for sealing each LED element 12 and the upper surface pattern 214 on the ceramic substrate 211 are provided. In the present embodiment, a total of six LED elements 21 arranged in a line in the extending direction of the ceramic substrate 211 are mounted on one light emitting device 201. Each LED element 12 is electrically connected in series by the upper surface pattern 214.

セラミック基板２１１は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の多結晶焼結材料からなり、厚さ方向（上下方向）寸法が０．２５ｍｍ、短辺の寸法が０．７５ｍｍ、長辺の寸法が５．０ｍｍの上面視長方形状に形成される。 The ceramic substrate 211 is made of a polycrystalline sintered material of alumina (Al ₂ O ₃ ), has a thickness direction (vertical direction) dimension of 0.25 mm, a short side dimension of 0.75 mm, and a long side dimension of 5. It is formed in a rectangular shape with a top view of 0 mm.

図１０は発光装置の模式縦断面図である。
図１０に示すように、セラミック基板２１１は、上面が全面にわたって平坦に形成されている。上面パターン２１４は、各ＬＥＤ素子１２と電気的に接続され、セラミック基板２１１の厚さ方向へ延びるビアパターン２１５を介して一対の電極パターン２１６と電気的に接続される。電極パターン２１６は、セラミック基板２１１の下面の延在方向両端に形成され、一方が正電極、他方が負電極をなす。また、セラミック基板２１１の下面における各電極パターン２１６の間には、放熱パターン２１７が形成される。 FIG. 10 is a schematic longitudinal sectional view of the light emitting device.
As shown in FIG. 10, the ceramic substrate 211 has an upper surface formed flat over the entire surface. The upper surface pattern 214 is electrically connected to each LED element 12 and is electrically connected to the pair of electrode patterns 216 via the via pattern 215 extending in the thickness direction of the ceramic substrate 211. The electrode patterns 216 are formed at both ends of the lower surface of the ceramic substrate 211 in the extending direction, and one of them forms a positive electrode and the other forms a negative electrode. In addition, heat radiation patterns 217 are formed between the electrode patterns 216 on the lower surface of the ceramic substrate 211.

上面パターン２１４、ビアパターン２１５、電極パターン２１６及び放熱パターン２１７は、導電性の金属からなる。本実施形態においては、上面パターン２１４、電極パターン２１６及び放熱パターン２１７は、セラミック基板２１１の表面に形成されるＣｕ下地層２２１と、Ｃｕ下地層２２１の表面を覆う薄膜状のＣｕメッキ層２２２と、Ｃｕメッキ層２２２の表面を覆う薄膜状のＡｕメッキ層２２３と、を含んでいる。また、ビアパターン２１５は、Ｃｕからなり、セラミック基板２１１を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられる。 The upper surface pattern 214, the via pattern 215, the electrode pattern 216, and the heat dissipation pattern 217 are made of a conductive metal. In the present embodiment, the upper surface pattern 214, the electrode pattern 216, and the heat dissipation pattern 217 include a Cu base layer 221 formed on the surface of the ceramic substrate 211, and a thin-film Cu plating layer 222 that covers the surface of the Cu base layer 221. And a thin-film Au plating layer 223 that covers the surface of the Cu plating layer 222. The via pattern 215 is made of Cu, and is provided in a via hole that penetrates the ceramic substrate 211 in the thickness direction.

封止部２１３は、ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５−Ｎａ_２Ｏ−Ｌｉ_２Ｏ系の熱融着ガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではない。図１０に示すように、封止部２１３は、セラミック基板２１１と全面的に接合されており、セラミック基板２１１上に直方体状に形成され、セラミック基板２１１の上面からの高さが０．５ｍｍとなっている。また、封止部２１３には蛍光体１３ａが分散されている。 The sealing portion 213 is made of ZnO—B ₂ O ₃ —SiO ₂ —Nb ₂ O ₅ —Na ₂ O—Li ₂ O-based heat-sealing glass. The composition of the glass is not limited to this. As shown in FIG. 10, the sealing portion 213 is bonded to the ceramic substrate 211 entirely, is formed in a rectangular parallelepiped shape on the ceramic substrate 211, and the height from the upper surface of the ceramic substrate 211 is 0.5 mm. It has become. In addition, the phosphor 13 a is dispersed in the sealing portion 213.

図１１は発光装置の下面図である。
図１１に示すように、各電極パターン２１６及び放熱パターン２１７は、平面視にて矩形状に形成される。各電極パターン２１６は、セラミック基板２１１の下面の延在方向両端側に一対に形成されている。本実施形態においては、各電極パターン２１６は、セラミック基板２１１の下面の周縁と離隔して形成されている。また、放熱パターン２１７は、各電極パターン２１６と間隔をおいてセラミック基板２１１の延在方向中央側に形成される。放熱パターン２１７もまた、セラミック基板２１１の下面の周縁と離隔して形成されている。 FIG. 11 is a bottom view of the light emitting device.
As shown in FIG. 11, each electrode pattern 216 and heat radiation pattern 217 are formed in a rectangular shape in plan view. Each electrode pattern 216 is formed in a pair on both ends in the extending direction of the lower surface of the ceramic substrate 211. In the present embodiment, each electrode pattern 216 is formed separately from the peripheral edge of the lower surface of the ceramic substrate 211. Further, the heat dissipation pattern 217 is formed on the center side in the extending direction of the ceramic substrate 211 with a space from each electrode pattern 216. The heat radiation pattern 217 is also formed separately from the peripheral edge of the lower surface of the ceramic substrate 211.

本実施形態においては、放熱パターン２１７には、セラミック基板２１１を露出させる露出部としての溝部２１９が形成される。放熱パターン２１７は、溝部２１９により複数の分割パターン２１７ａ，２１７ｂに分割される。具体的に、放熱パターン２１７は、各ＬＥＤ素子１２に対応してセラミック基板２１１の延在方向に６つに分割して形成され、当該延在方向両端側に位置する２つの第１分割パターン２１７ａと、当該延在方向中央側に位置する４つの第２分割パターン２１７ｂと、を有している。各第１分割パターン２１７ａと各第２分割パターン２１７ｂとは、延在方向と直交する方向へ延びパターンが形成されていない溝部２１９により隔離されている。各溝部２１９は、各ＬＥＤ素子１２と平面視にて重ならないよう形成される。各第２分割パターン２１７ｂは、各ＬＥＤ素子１２と平面視で重なるよう形成され、各ＬＥＤ素子１２より大きな正方形状を呈している。各第１分割パターン２１７ａは、セラミック基板１１の延在方向について、各第２分割パターン２１７ｂよりも小さく形成され、一部が各ＬＥＤ素子１２と平面視で重なるよう形成される。 In the present embodiment, the heat radiation pattern 217 is formed with a groove 219 as an exposed portion that exposes the ceramic substrate 211. The heat radiation pattern 217 is divided into a plurality of division patterns 217 a and 217 b by the groove 219. Specifically, the heat dissipation pattern 217 is divided into six in the extending direction of the ceramic substrate 211 corresponding to each LED element 12, and two first divided patterns 217a located on both ends of the extending direction. And four second division patterns 217b located on the center side in the extending direction. Each first divided pattern 217a and each second divided pattern 217b are separated by a groove portion 219 extending in a direction orthogonal to the extending direction and having no pattern formed thereon. Each groove portion 219 is formed so as not to overlap each LED element 12 in plan view. Each second division pattern 217 b is formed so as to overlap with each LED element 12 in a plan view, and has a larger square shape than each LED element 12. Each first divided pattern 217a is formed to be smaller than each second divided pattern 217b in the extending direction of the ceramic substrate 11 and partially overlaps each LED element 12 in plan view.

以上のように構成された発光装置２０１では、各電極パターン２１６に電圧が印加されると、各ＬＥＤ素子１２から青色光が発せられる。そして、青色光の一部が蛍光体１３ａにより黄色に変換され、発光装置２０１からは青色光と黄色光の組合せにより白色光が発せられる。また、各ＬＥＤ素子１２にて生じた熱は、放熱パターン２１７を介して外部へ伝達される。このとき、溝部２１９が各ＬＥＤ素子１２の真下に形成されていないので、各ＬＥＤ素子１２から外部への伝熱効率は良好である。 In the light emitting device 201 configured as described above, blue light is emitted from each LED element 12 when a voltage is applied to each electrode pattern 216. A part of the blue light is converted to yellow by the phosphor 13a, and white light is emitted from the light emitting device 201 by a combination of blue light and yellow light. Further, heat generated in each LED element 12 is transmitted to the outside through the heat radiation pattern 217. At this time, since the groove part 219 is not formed directly under each LED element 12, the heat-transfer efficiency from each LED element 12 to the exterior is favorable.

この発光装置２０１は、第１の実施形態の発光装置１と同様の工程により製造される。この発光装置２０１も、連結基板４１にはパターン形成工程にて用いたレジスト材やメッキ処理時の薬液が残留しており、ホットプレス加工時にレジスト材等の有機成分が気化してガスが発生する。放熱パターン２１７の形成部位にて発生したガスは、各溝部２１９をはじめとする各第１分割パターン２１７ａ及び各第２分割パターン２１７ｂの外縁から外部へ放出される。 The light emitting device 201 is manufactured by the same process as the light emitting device 1 of the first embodiment. In the light emitting device 201 as well, the resist material used in the pattern forming process and the chemical solution during the plating process remain on the connection substrate 41, and the organic components such as the resist material are vaporized during the hot press processing to generate gas. . The gas generated at the site where the heat radiation pattern 217 is formed is discharged to the outside from the outer edges of the first divided patterns 217a and the second divided patterns 217b including the grooves 219.

このように、本実施形態によれば、放熱パターン２１７を溝部２１９により分割したので、放熱パターン２１７の形成部位にて発生したガスを確実に外部へ放出することができる。従って、放熱パターン２１７の形成部位に溜まったガスにより放熱パターン２１７が***するようなことはなく、ガスに起因する放熱パターン２１７の不具合を防止して、発光装置２０１の歩留まりを向上させることができる。 Thus, according to this embodiment, since the heat radiation pattern 217 is divided by the groove portion 219, the gas generated at the site where the heat radiation pattern 217 is formed can be reliably discharged to the outside. Therefore, the heat radiation pattern 217 does not rise due to the gas accumulated in the formation region of the heat radiation pattern 217, and the defect of the heat radiation pattern 217 due to the gas can be prevented, and the yield of the light emitting device 201 can be improved. .

尚、第２の実施形態においては、放熱パターン２１７を溝部２１９により分割形成するものを示したが、例えば図１２に示すように、放熱パターン３１７に孔部３１７ａを形成してもよい。孔部３１７ａの形状は任意であるが、図１２の発光装置３０１においては、孔部３１７ａはセラミック基板２１１の延在方向と直交する方向に延びるスリット状に形成される。この場合も、平面視にて隣接する各ＬＥＤ素子１２の中間に孔部３１７ａを形成することが望ましい。また、放熱パターンに孔部と溝部の両方を形成したり、電極パターンに孔部を形成してもよい。 In the second embodiment, the heat radiation pattern 217 is formed by dividing the groove portion 219. However, for example, as shown in FIG. 12, a hole portion 317a may be formed in the heat radiation pattern 317. The shape of the hole 317 a is arbitrary, but in the light emitting device 301 of FIG. 12, the hole 317 a is formed in a slit shape extending in a direction orthogonal to the extending direction of the ceramic substrate 211. Also in this case, it is desirable to form the hole 317a in the middle of each LED element 12 adjacent in plan view. Moreover, you may form both a hole part and a groove part in a thermal radiation pattern, or may form a hole part in an electrode pattern.

また、前記各実施形態においては、セラミック基板１１，２１１の上面が平坦なものを示したが、封止部１３，２１３を受容する凹部が形成されたものであってもよい。また、板状の蛍光体分散ガラス４３がホットプレス加工により連結基板４１と接合されるものを示したが、ガラスと蛍光体の混合粉末を減圧高温雰囲気にて連結基板４１上で溶融固化することによりガラスを連結基板４１に融着してもよい。さらには、封止部１３，２１３を樹脂としてもよい。 In the above embodiments, the ceramic substrates 11 and 211 have a flat top surface. However, the ceramic substrates 11 and 211 may have recesses for receiving the sealing portions 13 and 213. Moreover, although the plate-like phosphor-dispersed glass 43 is shown to be joined to the connection substrate 41 by hot pressing, the mixed powder of glass and phosphor is melted and solidified on the connection substrate 41 in a reduced pressure and high temperature atmosphere. The glass may be fused to the connecting substrate 41 by the above. Furthermore, the sealing portions 13 and 213 may be made of resin.

また、前記各実施形態においては、発光装置１，２０１から白色光が発せられるものを示したが、例えば、封止部１３，２１３に蛍光体１３ａが含まれない構成として、発光装置１，２０１から青色光が発せられるようにしてもよい。また、ＬＥＤ素子１２をフリップチップ型としたものを示したが、フェイスアップ型としてもよい。さらに、１つのセラミック基板１１，２１１に搭載されるＬＥＤ素子１２の個数、ＬＥＤ素子１２の配置状態は任意である。このように、発光装置１，２０１の細部構成、発光色等については適宜に変更が可能である。さらにまた、ガラスより信頼性等が劣るものの、封止部１３，２１３を樹脂としてもよい。 Moreover, in each said embodiment, although what emitted white light from the light-emitting devices 1 and 201 was shown, for example, as the structure by which the fluorescent substance 13a is not included in the sealing parts 13 and 213, the light-emitting devices 1 and 201 are shown. From the above, blue light may be emitted. Moreover, although the LED element 12 is shown as a flip-chip type, it may be a face-up type. Furthermore, the number of LED elements 12 mounted on one ceramic substrate 11, 211 and the arrangement state of the LED elements 12 are arbitrary. As described above, the detailed configuration, emission color, and the like of the light emitting devices 1 and 201 can be appropriately changed. Furthermore, although the reliability etc. are inferior to glass, the sealing parts 13 and 213 are good also as resin.

また、前記各実施形態においては、セラミック基板１１，２１１がアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなるものを示したが、アルミナ以外のセラミックから構成するようにしてもよい。アルミナより熱伝導性に優れる高熱伝導性材料からなるセラミック基板として、例えば、ＢｅＯ（熱膨張率α：７．６×１０^−６／℃、熱伝導率：２５０Ｗ／（ｍ・ｋ））を用いても良い。さらに、他の高熱伝導性基板として、例えばＷ−Ｃｕ基板を用いても良い。Ｗ−Ｃｕ基板としては、Ｗ９０−Ｃｕ１０基板（熱膨張率α：６．５×１０^−６／℃、熱伝導率：１８０Ｗ／（ｍ・ｋ））、Ｗ８５−Ｃｕ１５基板（熱膨張率α：７．２×１０^−６／℃、熱伝導率：１９０Ｗ／（ｍ・ｋ））を用いることにより、ガラス封止部との良好な接合強度を確保しながら高い熱伝導性を付与することができ、ＬＥＤの大光量化、高出力化に余裕をもって対応することが可能になる。 In the above embodiments, the ceramic substrates 11 and 211 are made of alumina (Al ₂ O ₃ ), but may be made of ceramics other than alumina. For example, BeO (thermal expansion coefficient α: 7.6 × 10 ⁻⁶ / ° C., thermal conductivity: 250 W / (m · k)) is used as a ceramic substrate made of a high thermal conductivity material that is superior in thermal conductivity to alumina. May be. Furthermore, for example, a W—Cu substrate may be used as another highly heat conductive substrate. As a W-Cu substrate, a W90-Cu10 substrate (thermal expansion coefficient α: 6.5 × 10 ⁻⁶ / ° C., thermal conductivity: 180 W / (m · k)), a W85-Cu15 substrate (thermal expansion coefficient α: By using 7.2 × 10 ⁻⁶ / ° C. and thermal conductivity: 190 W / (m · k)), it is possible to impart high thermal conductivity while ensuring good bonding strength with the glass sealing portion. Therefore, it is possible to cope with an increase in the amount of light and output of the LED with a margin.

また、前記各実施形態においては、露出部がセラミック基板を露出させるものを示したが、複数の金属層における表層より基板側の層を露出させる構成であってもよい。複数の金属層からなる電極パターン及び放熱パターンは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｇ又はＣｕ−Ｃｕ−Ａｕの層構成に限定されるものではなく、例えばＷ−Ｎｉ−Ａｕ等のように他の層構成であってもよい。電極パターン及び放熱パターンが他の層構成をとる場合であっても、各金属層の層間に有機残渣が生じた際に、気化したガスを露出部から外部へ放出することができる。要は、基板と、基板の表面に複数の金属層により形成される配線パターンと、配線パターンに形成され複数の金属層における表層より前記基板側の層又は基板を露出させる露出部と、を備えた配線体を有していればよい。また、配線体の用途もＬＥＤ素子の搭載に限定されるものでなく、他の光学素子や電子部品に用いられるものであっても、基板加熱時に有機残渣のガスを露出部を通じて外部へ放出することができる。さらには、各電極パターン，放熱パターンの材質も任意であるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。 In each of the above embodiments, the exposed portion exposes the ceramic substrate. However, a configuration in which a layer closer to the substrate than the surface layer of the plurality of metal layers may be exposed. The electrode pattern and heat dissipation pattern composed of a plurality of metal layers are not limited to the Cu—Ni—Ag or Cu—Cu—Au layer configuration, but may be other layer configurations such as W—Ni—Au. There may be. Even when the electrode pattern and the heat dissipation pattern have other layer configurations, when an organic residue is generated between the metal layers, the vaporized gas can be discharged from the exposed portion to the outside. In short, a substrate, a wiring pattern formed of a plurality of metal layers on the surface of the substrate, and an exposed portion that exposes the layer on the substrate side or the substrate from the surface layer of the plurality of metal layers formed in the wiring pattern. It is only necessary to have a wiring body. Also, the use of the wiring body is not limited to the mounting of the LED element, and even if it is used for other optical elements and electronic components, the organic residue gas is released to the outside through the exposed portion when the substrate is heated. be able to. Furthermore, the material of each electrode pattern and heat dissipation pattern is also arbitrary, and it is needless to say that other specific detailed structures can be appropriately changed.

本発明の第１の実施形態を示す発光装置の上面図である。It is a top view of the light-emitting device showing the first embodiment of the present invention. 発光装置の模式縦断面図である。It is a model longitudinal cross-sectional view of a light-emitting device. 発光装置の下面図である。It is a bottom view of a light-emitting device. 発光装置の実装基板への実装状態の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows an example of the mounting state to the mounting substrate of a light-emitting device. 発光装置の製造方法の工程説明図である。It is process explanatory drawing of the manufacturing method of a light-emitting device. ダイサーによる分割前の連結基板の下面図である。It is a bottom view of the connection board | substrate before the division | segmentation by a dicer. ホットプレス加工の状態を示す模式説明図である。It is model explanatory drawing which shows the state of a hot press process. 第１の実施形態の変形例を示す発光装置の下面図である。It is a bottom view of the light-emitting device which shows the modification of 1st Embodiment. 本発明の第２の実施形態を示す発光装置の上面図である。It is a top view of the light-emitting device which shows the 2nd Embodiment of this invention. 発光装置の模式縦断面図である。It is a model longitudinal cross-sectional view of a light-emitting device. 発光装置の下面図である。It is a bottom view of a light-emitting device. 第２の実施形態の変形例を示す発光装置の下面図である。It is a bottom view of the light-emitting device which shows the modification of 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１発光装置
１１セラミック基板
１２ＬＥＤ素子
１３封止部
１３ａ蛍光体
１４上面パターン
１５ビアパターン
１６電極パターン
１６ａ孔部
１７放熱パターン
１７ａ孔部
１８バンプ
２１Ｃｕ層
２２Ｎｉメッキ層
２３Ａｇメッキ層
３１実装基板
３２基板本体
３３絶縁層
３４回路パターン
３４ａＡｕ層
３４ｂＣｕ層
４１連結基板
４２ダミーパターン
４３蛍光体分散ガラス
５１中間体
２０１発光装置
２１１セラミック基板
２１３封止部
２１４上面パターン
２１５ビアパターン
２１６電極パターン
２１７放熱パターン
２１７ａ第１分割パターン
２１７ｂ第２分割パターン
２１９溝部
２２３Ａｕメッキ層
３０１発光装置
３１７放熱パターン
３１７ａ孔部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 11 Ceramic substrate 12 LED element 13 Sealing part 13a Phosphor 14 Upper surface pattern 15 Via pattern 16 Electrode pattern 16a Hole part 17 Heat radiation pattern 17a Hole part 18 Bump 21 Cu layer 22 Ni plating layer 23 Ag plating layer 31 Mounting board 32 Substrate body 33 Insulating layer 34 Circuit pattern 34a Au layer 34b Cu layer 41 Connecting substrate 42 Dummy pattern 43 Phosphor dispersed glass 51 Intermediate 201 Light emitting device 211 Ceramic substrate 213 Sealing portion 214 Upper surface pattern 215 Via pattern 216 Electrode pattern 217 Heat dissipation Pattern 217a First division pattern 217b Second division pattern 219 Groove 223 Au plating layer 301 Light emitting device 317 Heat radiation pattern 317a Hole

Claims

ＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子が上面に搭載される基板と、
前記ＬＥＤ素子を前記基板上にて封止する封止部と、
前記基板の下面に複数の金属層によって形成され、前記ＬＥＤ素子と電気的に接続される一対の電極パターンと、
前記基板の下面に複数の金属層によって形成される放熱パターンと、
前記電極パターンと前記放熱パターンの少なくとも一方に形成され、複数の金属層における表層より前記基板側の層又は前記基板を露出させる露出部と、を備えた発光装置。 An LED element;
A substrate on which the LED element is mounted;
A sealing portion for sealing the LED element on the substrate;
A pair of electrode patterns formed on the lower surface of the substrate by a plurality of metal layers and electrically connected to the LED elements;
A heat dissipation pattern formed by a plurality of metal layers on the lower surface of the substrate;
A light emitting device comprising: an exposed portion that is formed on at least one of the electrode pattern and the heat dissipation pattern and exposes the substrate side layer or the substrate from the surface layer of a plurality of metal layers.

前記放熱パターンは、平面視にて、少なくとも一部が前記ＬＥＤ素子と重なるよう形成され、
前記露出部は、平面視にて、前記ＬＥＤ素子と重ならないよう形成される請求項１に記載の発光装置。 The heat dissipation pattern is formed so that at least a part thereof overlaps the LED element in plan view,
The light emitting device according to claim 1, wherein the exposed portion is formed so as not to overlap the LED element in a plan view.

前記封止部はガラスである請求項２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 2, wherein the sealing portion is made of glass.

前記ＬＥＤ素子を複数備える請求項３に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 3, comprising a plurality of the LED elements.

前記露出部は、前記電極パターンと前記放熱パターンの少なくとも一方に形成された孔部を有する請求項４に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 4, wherein the exposed portion has a hole formed in at least one of the electrode pattern and the heat dissipation pattern.

前記露出部は、前記放熱パターンに形成され該放熱パターンを複数の分割パターンに分割する溝部を有する請求項５または６に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 5, wherein the exposed portion includes a groove portion that is formed in the heat dissipation pattern and divides the heat dissipation pattern into a plurality of division patterns.

請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置を製造するにあたり、
前記基板の表面に形成されたレジスト材からなるマスクを利用して前記電極パターン及び前記放熱パターンを形成する工程と、
前記電極パターン及び前記放熱パターンが形成された前記基板と、封止材と、を加熱した状態で、前記ＬＥＤ素子を前記封止材により前記基板上にて封止する工程と、を含む発光装置の製造方法。 In manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 6,
Forming the electrode pattern and the heat dissipation pattern using a mask made of a resist material formed on the surface of the substrate;
A step of sealing the LED element on the substrate with the sealing material in a state in which the substrate on which the electrode pattern and the heat radiation pattern are formed and a sealing material are heated. Manufacturing method.

請求項３から６のいずれか１項に記載の発光装置を製造するにあたり、
前記基板の表面に形成されたレジスト材からなるマスクを利用して前記電極パターン及び前記放熱パターンを形成する工程と、
前記電極パターン及び前記放熱パターンが形成された前記基板と、板状のガラスと、を加熱した状態で、ホットプレス加工により前記ＬＥＤ素子を前記基板上にて前記ガラスで封止する工程と、を含む発光装置の製造方法。 In manufacturing the light emitting device according to any one of claims 3 to 6,
Forming the electrode pattern and the heat dissipation pattern using a mask made of a resist material formed on the surface of the substrate;
Sealing the LED element with the glass on the substrate by hot pressing in a state where the substrate on which the electrode pattern and the heat dissipation pattern are formed and a plate-like glass are heated. A manufacturing method of a light emitting device including the same.

基板と、
前記基板の表面に複数の金属層によって形成される配線パターンと、
前記配線パターンに形成され、複数の金属層における表層より前記基板側の層又は前記基板を露出させる露出部と、を備えた配線体。 A substrate,
A wiring pattern formed by a plurality of metal layers on the surface of the substrate;
A wiring body comprising: an exposed portion that is formed in the wiring pattern and exposes the substrate side layer or the substrate from the surface layer of a plurality of metal layers.