JP2019087635A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2003−188368号公報
[特許文献2] 特開2011−181840号公報
[特許文献3] 特開2012−69861号公報
VFS=3nkT・ln(IF/A)+IF・R
Claims (9)
- 半導体基板の上方にポリシリコン層を形成する段階と、
前記ポリシリコン層においてPN接合を有するダイオード領域を形成する段階と、
水素雰囲気において390℃以上の温度で前記ダイオード領域をアニールする低温アニール段階と
を備える
半導体装置の製造方法。 - 前記低温アニール段階において、440℃以上の温度で前記ダイオード領域をアニールする
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温アニール段階において、500℃以下の温度で前記ダイオード領域をアニールする
請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温アニール段階の前に、
前記半導体基板に対する第1導電型不純物を前記半導体基板に注入する段階と、
前記第1導電型不純物が注入された前記半導体基板を、500℃よりも高い温度でアニールする第1の高温アニール段階と、
前記半導体基板に対する第2導電型不純物を前記半導体基板に注入する段階と、
前記第2導電型不純物が注入された前記半導体基板を、500℃よりも高い温度でアニールする第2の高温アニール段階と
をさらに備える
請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温アニール段階の後に、前記半導体基板にライフタイムキラーを注入する段階をさらに備える
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ライフタイムキラーを注入する段階の後に、水素雰囲気において390℃よりも低い温度で前記半導体基板をアニールする追加の水素アニール段階をさらに備える
請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温アニール段階の前に、前記半導体基板の下面から前記半導体基板に対して第1導電型不純物を注入する段階をさらに備え、
前記低温アニール段階において、前記下面から注入された前記第1導電型不純物を活性化する
請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ポリシリコン層を形成する段階の後において、前記半導体基板の上方にポリシリコンを有するゲートランナーを形成する段階をさらに備え、
前記低温アニール段階において、前記ゲートランナーをアニールする
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられたポリシリコン層にPN接合を有するダイオード領域と
を備え、
前記ダイオード領域の水素濃度は、前記半導体基板の上面近傍における前記半導体基板の水素濃度よりも高い
半導体装置。
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