JPS62272521A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62272521A JPS62272521A JP11464586A JP11464586A JPS62272521A JP S62272521 A JPS62272521 A JP S62272521A JP 11464586 A JP11464586 A JP 11464586A JP 11464586 A JP11464586 A JP 11464586A JP S62272521 A JPS62272521 A JP S62272521A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は多結晶珪素を利用する半導体装置の製造方法に
係り、特に抵抗ならびにダイオードに好適するものであ
る。
係り、特に抵抗ならびにダイオードに好適するものであ
る。
(従来の技術)
最近の半導体装置とりわけ超LSIに代表される集積回
路では高集積化ならびに高機能化が促進されていること
は良く知られており、その観点から素子に必要な外付は
部品であるダイオードや抵抗を3次元方式で一体化する
方式が採用されている。
路では高集積化ならびに高機能化が促進されていること
は良く知られており、その観点から素子に必要な外付は
部品であるダイオードや抵抗を3次元方式で一体化する
方式が採用されている。
この具体的製法を説明すると、半導体素子として要求さ
れる耐圧特性に応じてρs10Ω/口〜50Ω/口の半
導体基板を選択し、その表面には酸化性雰囲気での処理
によって約3000人の酸化被膜を形成後、更に通常使
用されている減圧CVD(Chemical Vapo
ur Deposition)法によって多結晶珪素層
を5000人堆積する。
れる耐圧特性に応じてρs10Ω/口〜50Ω/口の半
導体基板を選択し、その表面には酸化性雰囲気での処理
によって約3000人の酸化被膜を形成後、更に通常使
用されている減圧CVD(Chemical Vapo
ur Deposition)法によって多結晶珪素層
を5000人堆積する。
この半導体基板に形成する酸化被膜は二Nに設ける機能
素子と前述のように3次元的に積層する素子間を電気的
に隔てる役割りを果すもので、前記多結晶珪素内にボロ
ン等の不純物をイオン注入法で導入してベース層とし、
更にリン又は砒素を同じくイオン注入してエミッタとし
たダイオードを形成する。ダイオードとしての機能を発
揮させるには、この各層にAlを堆積後パターニングし
て電極を設け、更に、On AI Pa5sivati
on層としてSi、 N、層をCVD法によって被覆す
る。
素子と前述のように3次元的に積層する素子間を電気的
に隔てる役割りを果すもので、前記多結晶珪素内にボロ
ン等の不純物をイオン注入法で導入してベース層とし、
更にリン又は砒素を同じくイオン注入してエミッタとし
たダイオードを形成する。ダイオードとしての機能を発
揮させるには、この各層にAlを堆積後パターニングし
て電極を設け、更に、On AI Pa5sivati
on層としてSi、 N、層をCVD法によって被覆す
る。
イオン注入した不純物濃度としてはベース層で10”
〜10”3−”Zミッタ層は、10”am−”オーダで
あり、これらの不純物は800℃以上例えば1100℃
で約2時間の活性化処理を又Al電極のシンタ一工程と
して500℃、窒素雰囲気での約20分間の熱処理を実
施する。
〜10”3−”Zミッタ層は、10”am−”オーダで
あり、これらの不純物は800℃以上例えば1100℃
で約2時間の活性化処理を又Al電極のシンタ一工程と
して500℃、窒素雰囲気での約20分間の熱処理を実
施する。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、多結晶シリコン中の不純物を活性化する熱処
理工程は800℃以上で行われており、その後は電極を
構成するA1シンタ一工程として500℃程度の熱処理
が実施されており、その雰囲気としては、多結晶シリコ
ンでは不活性雰囲気、シンタ工程でのフォーミングガス
が一般的である。更に、多結晶シリコンの熱処理温度は
前述800℃以上で実施されるのが通常である。
理工程は800℃以上で行われており、その後は電極を
構成するA1シンタ一工程として500℃程度の熱処理
が実施されており、その雰囲気としては、多結晶シリコ
ンでは不活性雰囲気、シンタ工程でのフォーミングガス
が一般的である。更に、多結晶シリコンの熱処理温度は
前述800℃以上で実施されるのが通常である。
前記ダイオードにおける多結晶シリコン中での不純物量
と、四探針法で測定した多結晶シリコンの抵抗値の関係
を第3図に示した。この図は横軸にボロン注入量を、縦
軸に多結晶シリコン抵抗値(Ω10)を採り、アニール
温度をパラメータとした曲線図であり、こNにはシリコ
ン単結晶に前記ダイオードと同一ドーズ量のボロンをイ
オン注入法で導入してから四探針法による抵抗測定値も
プロットした。
と、四探針法で測定した多結晶シリコンの抵抗値の関係
を第3図に示した。この図は横軸にボロン注入量を、縦
軸に多結晶シリコン抵抗値(Ω10)を採り、アニール
温度をパラメータとした曲線図であり、こNにはシリコ
ン単結晶に前記ダイオードと同一ドーズ量のボロンをイ
オン注入法で導入してから四探針法による抵抗測定値も
プロットした。
パラメータとしたアニール温度としては、500’C2
0分及び450℃20分と800℃より可成り低温度を
採って測定したところ、シリコン単結晶での測定値は多
結晶シリコンのそれより可成り低値を示し、即ち多結晶
シリコンでは不純物の活性化が十分でないことが判明し
た。
0分及び450℃20分と800℃より可成り低温度を
採って測定したところ、シリコン単結晶での測定値は多
結晶シリコンのそれより可成り低値を示し、即ち多結晶
シリコンでは不純物の活性化が十分でないことが判明し
た。
本発明ではこのような欠点を除去した半導体装置を提供
し、特に多結晶珪素にイオン注入した不純物元素の活性
化を十分に実施して抵抗値を低減することを目的とする
。
し、特に多結晶珪素にイオン注入した不純物元素の活性
化を十分に実施して抵抗値を低減することを目的とする
。
(問題点を解決するための手段)
本発明ではイオン注入法によってボロンを導入した多結
晶シリコン層を水素を含有し400℃〜450℃の不活
性雰囲気中で熱処理する方法を採用した。
晶シリコン層を水素を含有し400℃〜450℃の不活
性雰囲気中で熱処理する方法を採用した。
(作 用)
第1図にはボロンをlXl0”am−”イオン注入法で
導入した多結晶シリコンを水素を10vo1%混合した
窒素雰囲気中で処理時間をパラメータとして熱処理し、
その抵抗を四探針法で測定した結果を示した。この図は
横軸に熱処理温度を、縦軸に多結晶シリコンの抵抗Ω/
口 を採り両者の関係を示す曲線図であるが、400℃
〜450℃では他の温度に比較して約100Ωの低下が
みられると共にその間は殆ど変化していないことが明ら
かであり、この結果第3図に示したシリコン単結晶の測
定値に近づき結晶性が改善・されていることが明らかで
ある。
導入した多結晶シリコンを水素を10vo1%混合した
窒素雰囲気中で処理時間をパラメータとして熱処理し、
その抵抗を四探針法で測定した結果を示した。この図は
横軸に熱処理温度を、縦軸に多結晶シリコンの抵抗Ω/
口 を採り両者の関係を示す曲線図であるが、400℃
〜450℃では他の温度に比較して約100Ωの低下が
みられると共にその間は殆ど変化していないことが明ら
かであり、この結果第3図に示したシリコン単結晶の測
定値に近づき結晶性が改善・されていることが明らかで
ある。
′この熱処理温度としては図に示すように最低15分が
必要である。即ち1図中点線のプロットは熱処理時間2
0分における測定値であり、450℃ではこの20分と
15分の測定値ははゾ同一であるのに対して10分では
抵抗値が高いことから前述の最低15分が判明する。更
にボロン濃度についてはドーズ量I X 1013ex
−”についても同様な結果が得られたことを付記する。
必要である。即ち1図中点線のプロットは熱処理時間2
0分における測定値であり、450℃ではこの20分と
15分の測定値ははゾ同一であるのに対して10分では
抵抗値が高いことから前述の最低15分が判明する。更
にボロン濃度についてはドーズ量I X 1013ex
−”についても同様な結果が得られたことを付記する。
この熱処理の雰囲気であるが、水素を含有した窒素雰囲
気によって多結晶シリコン層の結晶性が改善されており
、この水素が、この多結晶シリコンに存在する未結合手
を埋めるためと想定され、特異な現像と判断される。こ
の水素流量に関してはLoya1%より増しても余り抵
抗値に変化はみられず、逆に少なくなると窒素雰囲気に
よる熱処理結果に近づく。
気によって多結晶シリコン層の結晶性が改善されており
、この水素が、この多結晶シリコンに存在する未結合手
を埋めるためと想定され、特異な現像と判断される。こ
の水素流量に関してはLoya1%より増しても余り抵
抗値に変化はみられず、逆に少なくなると窒素雰囲気に
よる熱処理結果に近づく。
(実施例)
第2図に本発明を適用したダイオードの概略を断面図に
より示す。ダイオードとして要求される耐圧特性に応じ
てζs 10Ω/口〜50Ω/口から選択した半導体基
板1に通常の酸化工程を施して約3000人の酸化膜2
を形成し、この表面に減圧CVD法によって5000人
程度0多結晶珪素層3を堆積する。
より示す。ダイオードとして要求される耐圧特性に応じ
てζs 10Ω/口〜50Ω/口から選択した半導体基
板1に通常の酸化工程を施して約3000人の酸化膜2
を形成し、この表面に減圧CVD法によって5000人
程度0多結晶珪素層3を堆積する。
この多結晶珪素層3にイオン注入法によってドズ量I
X 10” 〜I X 10110l3”のボロンを導
入してベース層4を形成してから1100℃にて約2時
間熱処理する。
X 10” 〜I X 10110l3”のボロンを導
入してベース層4を形成してから1100℃にて約2時
間熱処理する。
次に水110vo1%窒素90vo1%400℃〜45
0℃の不活性雰囲気で15分以上この多結晶珪素層3を
熱処理してその結晶性を改善して抵抗を少なくする。
0℃の不活性雰囲気で15分以上この多結晶珪素層3を
熱処理してその結晶性を改善して抵抗を少なくする。
次いでリン又は砒素をドーズ量I X 101scxn
−”オーダでイオン注入してエミツタ層5を設けてから
このベース層4ならびにエミッタya5にA1電極6を
形成し、こNにOn At Po5sivation層
として5i3N47を10000人堆積してダイオード
7を完成する。尚このSL、 N、層と多結晶珪素層の
間に酸化珪素層を被着する場合もある。
−”オーダでイオン注入してエミツタ層5を設けてから
このベース層4ならびにエミッタya5にA1電極6を
形成し、こNにOn At Po5sivation層
として5i3N47を10000人堆積してダイオード
7を完成する。尚このSL、 N、層と多結晶珪素層の
間に酸化珪素層を被着する場合もある。
又、半導体基板1に設けた酸化膜2はこの基板内に形成
する機能素子(図示しない)との電気的絶縁を図るもの
である。
する機能素子(図示しない)との電気的絶縁を図るもの
である。
このように本発明ではボロンを特定量イオン注入した多
結晶珪素層を水素含有不活性雰囲気で熱処理すると、こ
の水素によってシリコンの未結合手が埋められてその結
晶性が改善されて抵抗が少なくなる。このため、イオン
注入に際しては、ドーズ量を押えられ又、ダイオードに
発生するリーク電流レベルを低くし得る効果をもたらす
ものである。
結晶珪素層を水素含有不活性雰囲気で熱処理すると、こ
の水素によってシリコンの未結合手が埋められてその結
晶性が改善されて抵抗が少なくなる。このため、イオン
注入に際しては、ドーズ量を押えられ又、ダイオードに
発生するリーク電流レベルを低くし得る効果をもたらす
ものである。
尚、水素を含有する不活性雰囲気による熱処理に関して
は作用槽で説明したので省略する。
は作用槽で説明したので省略する。
第1図は、多結晶シリコンの抵抗と水素含有窒素雰囲気
における熱処理温度の関係を示す曲線図、第2図は本発
明方法を適用したダイオードの断面図、第3図は多結晶
シリコン抵抗と二Nにイオン注入したボロンドーズ量の
関係を示す曲線図である。
における熱処理温度の関係を示す曲線図、第2図は本発
明方法を適用したダイオードの断面図、第3図は多結晶
シリコン抵抗と二Nにイオン注入したボロンドーズ量の
関係を示す曲線図である。
Claims (1)
- 半導体基板表面に形成する酸化膜に多結晶珪素層を被覆
し、こゝに注入するボロンに活性化熱処理を施してから
10容積%以上の水素を含有する酸化性雰囲気で最低1
5分400℃〜450℃の熱処理を行う工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61114645A JP2669611B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61114645A JP2669611B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62272521A true JPS62272521A (ja) | 1987-11-26 |
JP2669611B2 JP2669611B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=14642985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61114645A Expired - Fee Related JP2669611B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2669611B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5646057A (en) * | 1994-07-25 | 1997-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for a MOS device manufacturing |
JP2019087635A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5893243A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | ポリシリコン薄膜半導体の改善方法 |
JPS58155719A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶体の製造法 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61114645A patent/JP2669611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5893243A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | ポリシリコン薄膜半導体の改善方法 |
JPS58155719A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶体の製造法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5646057A (en) * | 1994-07-25 | 1997-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for a MOS device manufacturing |
JP2019087635A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2669611B2 (ja) | 1997-10-29 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |