JP2018509741A - 像ビームの安定化及び識別性が改善された荷電粒子顕微システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2015年3月24日付米国暫定特許出願第62/137229号、2015年5月27日付米国暫定特許出願第62/166682号、2015年9月4日付米国暫定特許出願第62/214737号及び2016年1月1日付米国暫定特許出願第62/277670号に基づき米国特許法第119条(e)の規定による利益を主張し且つそれらからなる通常の(非暫定的な)特許出願を構成する出願であるので、この参照を以てそれら暫定特許出願それぞれの全容を本願に繰り入れることにする。
(Q1−Q3)/(C+Q1+G2+G3+G4)) 式1
(Q2−Q4)/(C+Q1+G2+G3+G4)) 式2
を偏向補正に用いることができる;但し、Q1、Q2、Q3、Q4及びCは5セグメント型マルチセグメント検出器のQ1、Q2、Q3、Q4及びC検出部により計測された信号を表している。なお、差分を合計信号で除すことは、一次ビーム104のばらつき及び二次放出のサンプル間ばらつきにより像ビーム流に生じるであろう小変に対し、それら誤差信号を耐性にするのに役立つ。
Claims (28)
- 走査型電子顕微鏡システムであって、
電子ビームを生成するよう構成されている電子ビーム源と、
その電子ビームの少なくとも一部分をサンプルの一部分上へと差し向ける一組の電子光学要素と、
エミッタンスアナライザアセンブリと、
サンプルの表面によって放出された二次電子及び後方散乱電子のうち少なくとも一方の少なくとも一部をエミッタンスアナライザアセンブリへと差し向けるよう構成されているスプリッタ要素と、
を備え、二次電子及び後方散乱電子のうち少なくとも一方を結像させるようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されており、そのエミッタンスアナライザアセンブリが、
一組の偏向光学系と、
第1電子光学レンズと、
中央開口を有し、一部分の二次電子及び一部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第1電子検出器と、
第1電子検出器よりも下流に配置された第1メッシュ要素と、
第1メッシュ要素よりも下流に配置された第2メッシュ要素であり、第1電子検出器及び第1メッシュ要素により減速領域が形成され第1メッシュ要素及び第2メッシュ要素によりドリフト領域が形成される第2メッシュ要素と、
上記第2接地メッシュ要素よりも下流に配置されたエネルギフィルタと、
第2電子光学レンズと、
他部分の二次電子及び他部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第2電子検出器と、
を有する走査型電子顕微鏡システム。 - 請求項1のシステムであって、エミッタンスアナライザアセンブリに備わる1個又は複数個の部材に対し像ビームを整列させるよう上記一組の偏向光学系が構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、上記一組の偏向光学系が一組の静電偏向器及び磁気偏向器のうち少なくとも一方を有するシステム。
- 請求項1のシステムであって、上記一組の偏向光学系が加速ライナ内に配置されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、第1電子光学レンズが上記一組の偏向光学系よりも下流に配置されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、第1電子光学レンズが、
静電レンズ及び磁気レンズのうち少なくとも一方を備えるシステム。 - 請求項1のシステムであって、第1電子検出器が接地に保持されるシステム。
- 請求項1のシステムであって、第1メッシュ要素が、第1電子検出器よりも下流に配置され且つサンプルの表面電位に等しい電位に保持されるシステム。
- 請求項1のシステムであって、第2メッシュ要素が、第1メッシュ要素よりも下流に配置され且つサンプルの表面電位に等しい電位に保持されるシステム。
- 請求項1のシステムであって、第1メッシュ要素が平坦ワイアメッシュを備えるシステム。
- 請求項1のシステムであって、第2メッシュ要素が半球状ワイアメッシュを備えるシステム。
- 請求項1のシステムであって、上記エネルギフィルタが半球状ワイアメッシュを備えるシステム。
- 請求項1のシステムであって、第1電子検出器及び第2電子検出器のうち少なくとも一方が、
マルチチャネルプレート検出器、ソリッドステート検出器及びシンチレータ型検出器のうち少なくとも一つを備えるシステム。 - 請求項1のシステムであって、第1電子検出器及び第2電子検出器のうち少なくとも一方が1個又は複数個のセグメントへとセグメント化されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、二次電子及び後方散乱電子イメージングモードで動作するようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、後方散乱電子及び高アスペクト比電子イメージングモードで動作するようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、後方散乱電子単独イメージングモードで動作するようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、サンプルにインサイチューフラッドプレドーズを適用するよう上記電子源が構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、更に、
サンプルにインサイチューフラッドプレドーズを適用するよう構成されたフラッドガンを備えるシステム。 - 請求項1のシステムであって、更に、
ゲート式積分器を備えるシステム。 - 請求項1のシステムであって、エミッタンスアナライザアセンブリに備わる1個又は複数個の部材をサンプルの表面電位にロックするよう上記ゲート式積分器が構成されているシステム。
- 一組の偏向光学系と、
第1電子光学レンズと、
中央開口を有し、一部分の二次電子及び一部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第1電子検出器と、
第1電子検出器よりも下流に配置された第1メッシュ要素と、
第1メッシュ要素よりも下流に配置された第2メッシュ要素であり、第1電子検出器及び第1メッシュ要素により減速領域が形成され第1メッシュ要素及び第2メッシュ要素によりドリフト領域が形成される第2メッシュ要素と、
上記第2接地メッシュ要素よりも下流に配置されたエネルギフィルタと、
第2電子光学レンズと、
他部分の二次電子及び他部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第2電子検出器と、
を備えるエミッタンスアナライザアセンブリ。 - 請求項1のシステムであって、二次電子及び後方散乱電子イメージングモードで動作するようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、後方散乱電子及び高アスペクト比電子イメージングモードで動作するようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、後方散乱電子単独イメージングモードで動作するようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されているシステム。
- 請求項1のシステムであって、二次電子及び後方散乱電子イメージングモード、後方散乱電子及び高アスペクト比電子イメージングモード、並びに後方散乱電子単独イメージングモードの間で切り替わるようエミッタンスアナライザアセンブリが構成されているシステム。
- 第1エミッタンスアナライザアセンブリと、
第2エミッタンスアナライザアセンブリと、
を備え、第1エミッタンスアナライザアセンブリ及び第2エミッタンスアナライザのうち少なくとも一方が、
一組の偏向光学系と、
第1電子光学レンズと、
中央開口を有し、一部分の二次電子及び一部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第1電子検出器と、
第1電子検出器よりも下流に配置されている第1メッシュ要素と、
第1メッシュ要素よりも下流に配置されている第2メッシュ要素であり、第1電子検出器及び第1メッシュ要素により減速領域が形成され第1メッシュ要素及び第2メッシュ要素によりドリフト領域が形成される第2メッシュ要素と、
上記第2接地メッシュ要素よりも下流に配置されているエネルギフィルタと、
第2電子光学レンズと、
他部分の二次電子及び他部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第2電子検出器と、
を備えるシステム。 - 第1エミッタンスアナライザアセンブリと、
第2エミッタンスアナライザアセンブリと、
第3エミッタンスアナライザアセンブリと、
を備え、
第1エミッタンスアナライザアセンブリ、第2エミッタンスアナライザアセンブリ及び第3エミッタンスアナライザアセンブリのうち少なくとも一つが、
一組の偏向光学系と、
第1電子光学レンズと、
中央開口を有し、一部分の二次電子及び一部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第1電子検出器と、
第1電子検出器よりも下流に配置されている第1メッシュ要素と、
第1メッシュ要素よりも下流に配置されている第2メッシュ要素であり、第1電子検出器及び第1メッシュ要素により減速領域が形成され第1メッシュ要素及び第2メッシュ要素によりドリフト領域が形成される第2メッシュ要素と、
上記第2接地メッシュ要素よりも下流に配置されているエネルギフィルタと、
第2電子光学レンズと、
他部分の二次電子及び他部分の後方散乱電子のうち少なくとも一方を収集するよう構成されている第2電子検出器と、
を備えるシステム。
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